技术特征：
1.一种触控结构，其特征在于，包括：多个触控单元，所述多个触控单元呈阵列分布；多条触控行选择线，一所述触控行选择线与一行的所述触控单元电性连接；以及多条触控列读出线，一所述触控列读出线与一列的所述触控单元电性连接。2.根据权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述触控单元包括：第一晶体管，所述第一晶体管的源极用于接入对应的电驱动信号；触控金属块，所述触控金属块与所述第一晶体管的栅极或者所述第一晶体管的漏极电性连接；以及第二晶体管，所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极电性连接，所述第二晶体管的栅极与对应的一所述触控行选择线电性连接，所述第二晶体管的漏极与对应的一所述触控列读出线电性连接。3.根据权利要求2所述的触控结构，其特征在于，所述电驱动信号为方波的触控驱动信号，所述触控金属块与所述第一晶体管的栅极电性连接，所述第一晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极在所述触控结构的厚度方向上至少部分重叠以形成第一寄生电容；所述第一晶体管的漏极与第一金属块在所述触控结构的厚度方向上至少部分重叠以形成第二寄生电容，且所述第一金属块与所述第一晶体管的栅极位于同一膜层中。4.根据权利要求3所述的触控结构，其特征在于，所述第一晶体管的栅极、所述第一金属块被构造于第一栅极层中；所述触控金属块被构造于第一金属层中；所述触控金属块与所述第一晶体管的栅极在所述厚度方向上至少部分重叠。5.根据权利要求2所述的触控结构，其特征在于，所述第一晶体管为光敏晶体管，所述第一晶体管的栅极用于感应光控信号，所述电驱动信号为恒压直流信号，所述触控金属块与所述第一晶体管的源极电性连接。6.根据权利要求5所述的触控结构，其特征在于，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极被构造于第二栅极层；所述第一晶体管的漏极、所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的漏极、所述第二晶体管的源极以及所述触控列读出线被构造于第二金属层；所述触控金属块被构造于透明电极层；且所述触控金属块在所述第二栅极层上的投影位于所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极之间。7.根据权利要求6所述的触控结构，其特征在于，所述触控结构还包括：遮光金属层，所述遮光金属层包括多个相互隔离的遮光金属块，所述遮光金属块与所述第二有源层在所述触控结构的厚度方向上至少部分重叠，且同一所述遮光金属块与所述第一晶体管的漏极或者所述第二晶体管的漏极电性连接。8.根据权利要求2所述的触控结构，其特征在于，所述触控单元还包括：积分放大模块，所述积分放大模块的反相输入端与所述第二晶体管的源极电性连接，所述积分放大模块的同相输入端用于接入参考电压信号，所述积分放大模块的输出端与对应的一所述触控列读出线电性连接。9.根据权利要求8所述的触控结构，其特征在于，所述积分放大模块包括：放大器，所述放大器的反相输入端与所述第二晶体管的源极电性连接，所述放大器的同相输入端用于接入所述参考电压信号，所述放大器的输出端与对应的一所述触控列读出
线电性连接；积分电容，所述积分电容的一端与所述放大器的反相输入端电性连接，所述积分电容的另一端与所述放大器的输出端电性连接；以及复位开关，所述复位开关的一端与所述积分电容的一端电性连接，所述复位开关的另一端与所述积分电容的另一端电性连接。10.一种触控显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的触控结构。11.根据权利要求10所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板包括交替分布的显示区和触控区，所述触控结构设于所述触控区。12.根据权利要求10所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板包括显示面板和触控面板，所述触控面板设于所述显示面板的出光侧，所述触控面板包括所述触控结构。
技术总结
本申请公开了一种触控结构及触控显示面板，该触控结构包括多个触控单元、多条触控行选择线以及多条触控列读出线，通过一列触控单元配置一条触控列读出线，仅需要N条触控列读出线即可读出所需的触控信号；同时，一条触控行选择线与一行触控单元电性连接，可以选择一行一行地读出所需的触控信号，避免了鬼点的出现。现。现。
技术研发人员：陆志涛
受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司
技术研发日：2021.11.24
技术公布日：2022/3/1