一种数据存储电路的制作方法

1.本实用新型涉及计算机数据存储领域，具体涉及一种数据存储电路。


背景技术：

2.sd(secure digital memory card，安全数字存储卡)存储器是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，由于它体积小、数据传输速度快、可热插拔等优良的特性，被广泛地于便携式装置上使用，例如数码相机、平板电脑和多媒体播放器等。
3.基于上述sd卡存储器的特性，目前在大部分电子产品在进行文件数据的下载和存储时大多采用sd卡实现，以便实现高效的下载传输；但是当从电子产品如电脑等向sd卡中存放文件数据时还需要通过电脑的sd卡卡槽或者具有usb接口的读卡器来连接电脑，实现文件传输。
4.然而，当采用sd卡卡槽或者具有usb接口的读卡器连接电脑时，sd卡就会被电脑识别为存储设备，电脑系统中则会保留访问记录和存储设备识别号。但是，在某些特殊行业中，电脑不允许插拔未知的存储设备，这会导致将文件数据传输到sd卡的过程，变得复杂或者无法实现。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本实用新型实施例提供一种数据存储电路，以解决现有技术中在电脑不允许插拔未知的存储设备的情况下，采用sd卡传输数据无法进行数据传输的技术问题。
6.本实用新型实施例提供的技术方案如下：
7.本实用新型实施例第一方面提供一种数据存储电路，该电路包括：主控制电路、sd卡存储器和第一存储器，所述主控制电路包括第一接口、第二接口以及第三接口；所述第一接口外接数据传输设备，所述第二接口连接所述第一存储器，所述第三接口连接所述sd卡存储器；所述主控制电路通过所述第一接口接收所述数据传输设备输入的数据，并通过所述第二接口将所述数据输入至所述第一存储器，所述主控制电路通过所述第二接口读取所述第一存储器存储的数据，传输至所述sd卡存储器。
8.结合本实用新型实施例第一方面，在第一方面第一实施方式中，所述主控制电路还包括：第一功能接口和第二功能接口，所述第一功能接口外接电源或接地；所述第二功能接口外接电源或接地。
9.结合本实用新型实施例第一方面，在第一方面第二实施方式中，该数据存储电路还包括：显示器，所述主控制电路还包括：显示接口，所述显示器通过所述显示接口连接所述主控制电路，所述显示器显示数据传输进度。
10.结合本实用新型实施例第一方面，在第一方面第三实施方式中，所述第一存储器为同步静态存储器、异步静态存储器、sdram存储器或nand flash存储器中的任意一种。
11.结合本实用新型实施例第一方面第三实施方式，在第一方面第四实施方式中，所述第二接口为可变存储控制器接口。
12.结合本实用新型实施例第一方面，在第一方面第五实施方式中，所述第三接口为sdio接口。
13.结合本实用新型实施例第一方面，在第一方面第六实施方式中，所述第一接口为串行通信接口。
14.结合本实用新型实施例第一方面一实施方式，在第一方面第七实施方式中，该数据存储电路还包括：第一短接帽和第二短接帽，所述第一功能接口通过所述第一短接帽外接电源或接地；所述第二功能接口通过所述第二短接帽外接电源或接地。
15.结合本实用新型实施例第一方面，在第一方面第八实施方式中，所述主控制电路为stm32系列芯片或gd32系列芯片。
16.结合本实用新型实施例第一方面第一实施方式，在第一方面第九实施方式中，所述第一功能接口和所述第二功能接口输入均为低电平时，所述主控制电路接收数据传输设备输入的数据，传输至所述第一存储器；所述第一功能接口输入为高电平，所述第二功能接口输入为低电平时，所述主控制电路读取所述第一存储器的数据，传输至所述sd卡存储器；所述第一功能接口输入为低电平，所述第二功能接口输入为高电平时，所述主控制电路读取所述sd卡存储器的数据，传输至所述第一存储器；所述第一功能接口和所述第二功能接口输入均为高电平时，所述主控制电路不工作。
17.本实用新型技术方案，具有如下优点：
18.本实用新型实施例提供的数据存储电路，通过设置主控制电路、sd卡存储器和第一存储器，主控制电路通过第一接口可以接收外部数据传输设备输入的数据，并传输至第一存储器中存储，同时，主控制电路还可以从第一存储器中读取数据传输至sd卡存储器中；由此，无需采用sd卡卡槽或者具有usb接口的sd卡读卡器，即可实现sd卡存储器的存储。由此，该数据存储电路解决了在电脑不允许插拔未知的存储设备的情况下，采用sd卡传输数据无法进行数据传输的技术问题。
附图说明
19.为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
20.图1为本实用新型实施例中数据存储电路的结构框图；
21.图2为本实用新型另一实施例中数据存储电路的结构框图；
22.图3为本实用新型实施例中数据存储电路的的原理框图。
具体实施方式
23.正如在背景技术中所述，目前在使用sd卡存储器进行数据下载和传输时，通常需要通过电子产品的sd卡卡槽或者具有usb接口的读卡器连接电子产品。但是采用这种方式sd卡会被电子产品识别为存储设备，然而在某些不允许采用存储设备的场景中，则导致无法采用sd卡进行数据传输。
24.由此，针对现有技术中无法采用sd卡进行数据传输的场景，本实用新型实施例提
供一种数据存储电路，该电路包括：主控制电路、sd卡存储器和第一存储器，所述主控制电路包括第一接口、第二接口以及第三接口；所述第一接口外接数据传输设备，所述第二接口连接所述第一存储器，所述第三接口连接所述sd卡存储器；所述主控制电路通过所述第一接口接收所述数据传输设备输入的数据，并通过所述第二接口将所述数据输入至所述第一存储器，所述主控制电路通过所述第二接口读取所述第一存储器存储的数据，传输至所述sd卡存储器。通过该数据存储电路，实现了在不允许采用存储设备的场景中，采用sd进行数据传输和存储。
25.下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
26.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
27.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
28.在本说明书的描述中，所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等，均为开放性的用语，即意指包含但不限于。参考术语“一个实施例”、“一个具体实施例”、“一些实施例”、“例如”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。各实施例中涉及的步骤顺序用于示意性说明本技术的实施，其中的步骤顺序不作限定，可根据需要作适当调整。
29.此外，下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
30.实施例1
31.本实用新型实施例提供一种数据存储电路，如图1所示，该电路包括：主控制电路10、sd卡存储器40和第一存储器30，所述主控制电路10包括第一接口11、第二接口12以及第三接口13；所述第一接口11外接数据传输设备20，所述第二接口12连接所述第一存储器30，所述第三接口13连接所述sd卡存储器40。所述主控制电路10通过所述第一接口11接收所述数据传输设备20输入的数据，并通过所述第二接口12将所述数据输入至所述第一存储器30，所述主控制电路10通过所述第二接口12读取所述第一存储器30存储的数据，传输至所述sd卡存储器40。
32.本实用新型实施例提供的数据存储电路，通过设置主控制电路、sd卡存储器和第
一存储器，主控制电路通过第一接口可以接收外部数据传输设备输入的数据，并传输至第一存储器中存储，同时，主控制电路还可以从第一存储器中读取数据传输至sd卡存储器中；由此，无需采用sd卡卡槽或者具有usb接口的sd卡读卡器，即可实现sd卡存储器的存储。由此，该数据存储电路解决了在电脑不允许插拔未知的存储设备的情况下，采用sd卡传输数据无法进行数据传输的技术问题。
33.在一实施方式中，所述主控制电路10为stm32系列芯片或gd32系列芯片。具体地，该主控制电路10所用芯片可以是stm32f429型号的芯片或gd32f450型号的芯片。此外，该主控制电路10也可以选择其他能够实现相应功能的芯片，本实用新型实施例对此不做限定。
34.在一实施方式中，所述第一存储器30为同步静态存储器、异步静态存储器、sdram(synchronous dynamic random-access memory，同步动态随机存取内存)存储器或nand flash存储器中的任意一种。所述第二接口12为可变存储控制器(flexible memory controller，fmc)接口。通过该接口可以实现第一存储器30和主控制电路10之间的连接以及数据传输。所述第三接口13为sdio(secure digital input and output，安全数字输入输出)接口。所述第一接口11为串行通信接口。具体地，该串行通信接口可以是usart(universal synchronous/asynchronous receiver/transmitter，通用同步/异步串行接收/发送器)接口，也可以其他可以实现与数据传输设备连接的接口，例如uart(universal asynchronous receiver/transmitter，通用异步收发传输器)接口等。该数据传输设备20可以是电脑终端或者其他需要向sd卡存储器存储数据的电子终端设备。
35.在一实施方式中，如图2所示，所述主控制电路10还包括：第一功能接口14和第二功能接口15，所述第一功能接口14外接电源或接地；所述第二功能接口15外接电源或接地。此外，在将两个功能接口外接电源或接地时，还可以设置第一短接帽21和第二短接帽22，其中，所述第一功能接口14通过所述第一短接帽21外接电源或接地；所述第二功能接口15通过所述第二短接帽22外接电源或接地。
36.具体地，当第二接口采用fmc接口，第三接口采用sdio接口时，第一功能接口可以采用fmc_de接口，第二功能接口采用sdio_de。第一功能接口和第二功能接口通过外接电源或接地实现高电平或低电平的输入；同时，该输入的高电平或低电平信号可以作为功能控制信号控制主控制电路进行数据的存储或读取。
37.其中，当主控制电路采用stm32系列芯片或gd32系列芯片时，该第一接口、第二接口、第三接口、第一功能接口以及第二功能接口可以是芯片上本身已有的接口，通过在相应接口接入相应设备或电平信号，通过芯片自身的逻辑功能，可以实现数据的存储或读取。
38.在一实施方式中，所述第一功能接口和所述第二功能接口输入均为低电平时，所述主控制电路接收数据传输设备输入的数据，传输至所述第一存储器；所述第一功能接口输入为高电平，所述第二功能接口输入为低电平时，所述主控制电路读取所述第一存储器的数据，传输至所述sd卡存储器；所述第一功能接口输入为低电平，所述第二功能接口输入为高电平时，所述主控制电路读取所述sd卡存储器的数据，传输至所述第一存储器；所述第一功能接口和所述第二功能接口输入均为高电平时，所述主控制电路不工作。
39.本实用新型实施例提供的数据存储电路，通过设置第一功能接口和第二功能接口，同时，在第一功能接口和第二功能接口输入高电平信号或低电平信号，通过主控制电路本身的逻辑功能，可以分别实现从外部数据传输设备读取数据、向第一存储器存储数据、从
第一存储器读取数据、向sd卡存储器存储数据以及从sd卡读取数据的功能。
40.在一实施方式中，如图2所示，该数据存储电路还包括：显示器50，所述主控制电路10还包括：显示接口16，所述显示器50通过所述显示接口16连接所述主控制电路10，所述显示器50显示数据传输进度。具体地，该显示器可以采用lcd显示器，该显示接口为lcd接口，在数据传输过程中，该显示器可以显示数据的传输进度，提示传输完成或者对数据传输过程中的报错信息进行显示与提示。
41.实施例2
42.本实用新型实施例提供一种数据存储电路，如图3所示，该电路包括：主控制电路、sd卡存储器u3和第一存储器，所述主控制电路为stm32系列的芯片u1，所述第一存储器为nand flash存储器u2；所述主控制电路包括usart接口、fmc接口以及sdio接口；同时，所述主控制电路还包括两个功能接口fmc_de接口和sdio_de接口。
43.具体地，nand flash存储器由多个块(block)组成，每个块里面又包含很多页(page)，块是nand flash的擦除操作的基本/最小单位，页是nand flash的写入操作的基本/最小的单位。而sd卡存储器属于连续存储介质(nand型flash)，具体由许多小的区块组成，每个区块都可以存储一定数量的数据，即sd卡存储器的读写是以数据块为单位进行传输，由此，为了保证数据传输的完整性，第一存储器选择nand flash存储器。该nand flash存储器可以是存储器芯片也可以是存储器设备。
44.其中，fmc接口为stm32系列芯片的接口，通过该接口可以控制nand flash存储器。具体地，fmc接口可以将读写stm32内部地址操作转换为输出满足外部存储器的时序读写外部存储器。例如对stm32内部ox8000 0000地址写入一个数据，fmc控制器会控制对应的管脚输出一个满足nand flash的时序，发送一个数据到nand flash存储器。同理通过读取内部的寄存器，也会生成一个时序从nand flash存储器读取一个数据。因此通过fmc接口控制外部存储器时，只需读写stm32内部寄存器即可实现对外部存储器的读写操作。因此只需配置好fmc时序寄存器,使产生的时序满足外部存储器的访问时间要求即可。
45.具体地，所述usart接口外接电脑终端，所述fmc接口连接所述nand flash存储器，所述sdio接口连接所述sd卡存储器。两个功能接口fmc_de接口和sdio_de接口通过短接帽接收外部输入的高电平信号或低电平信号。该数据存储电路还包括lcd显示器u4，主控制电路还包括：lcd接口16，lcd显示器u4通过lcd接口16连接主控制电路。
46.在该数据存储电路工作时，若fmc_de接口和sdio_de接口输入均为低电平信号时，主控制电路接收电脑终端的文件数据，通过usart串口传输到nand flash存储器中，同时lcd显示器会显示文件数据的传输进度，提示传输完成或者对传送过程中的报错信息进行显示与提示。
47.若fmc_de接口输入为高电平信号，sdio_de接口输入为低电平信号时，主控制电路从nand flash存储器中读取文件数据，并传输至sd卡存储器中，同样lcd显示器会显示文件数据传输过程中的信息提示。
48.若fmc_de引脚输入为低电平信号，sdio_de引脚输入为高电平信号时，主控制电路从sd卡存储器中读取文件数据，并传输至nand flash存储器中，同样lcd显示器会显示文件数据传输过程中的信息提示。
49.若fmc_de接口和sdio_de接口输入均为高电平信号时，主控制电路不进行任何传
输工作。
50.具体地，当两个功能接口fmc_de接口和sdio_de接口输入高电平信号或低电平信号时，主控制电路基于自身的逻辑电路如比较电路等输入信号为高电平信号或地电平信号进行判断，从而控制相应的接口工作，从而实现文件的传输。
51.虽然关于示例实施例及其优点已经详细说明，但是本领域技术人员可以在不脱离本实用新型的精神和所附权利要求限定的保护范围的情况下对这些实施例进行各种变化、替换和修改，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。对于其他例子，本领域的普通技术人员应当容易理解在保持本实用新型保护范围内的同时，工艺步骤的次序可以变化。
52.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
53.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。