用于量子计算应用的分层混合量子架构的制作方法

1.本公开总体上涉及超导器件，并且更具体地，涉及在量子阵列中集成控制逻辑。


背景技术：

2.超导量子计算是量子计算机在超导电子电路中的实现。量子计算研究量子现象在信息处理和通信中的应用。存在量子计算的各种模型，并且最流行的模型包括量子位和量子门的概念。量子位是具有两种可能的状态的位的概括，但可以处于两种状态的量子叠加。量子门是逻辑门的概括，但是量子门描述了在给定一个或多个量子位的初始状态的情况下在将门施加在该一个或多个量子位上之后该一个或多个量子位将经历的变换。
3.现今，缩放包括多个量子位的量子处理器的挑战是控制量子位之间的相互作用。超导量子位之间的耦合(诸如微波串扰)可以通过解谐它们的中心频率来减轻。代替将量子位改变成量子位耦合常数，可以通过使量子位能量非简并来减少有效耦合。然而，随着超导量子位缩放到更大的系统，量子位跃迁频率的越来越密集的谱使得抑制剩余的耦合更有挑战性。进一步，重新布置量子位的中心频率不仅具有挑战性，而且还可能导致状态泄漏。


技术实现要素：

4.根据示例性实施例，一种量子系统包括量子位阵列，该量子位阵列包括多个量子位。总线谐振器被耦合在该量子位阵列中的至少一对量子位之间。开关被耦合在该量子位阵列中的至少一个量子位对之间。
5.在一个实施例中，开关与具有约瑟夫逊结(jj)的耦合谐振器集成。
6.在一个实施例中，开关包括耦合到电子系统的栅极，电子系统可通过栅极上的电压来调节。
7.在一个实施例中，电子系统被配置为基于栅极上的电压改变电感。
8.在一个实施例中，栅极被配置为在(i)具有第一临界电流的低电感状态和(ii)具有第二临界电流的高电感状态之间调节开关，其中，第二临界电流低于第一临界电流。
9.在一个实施例中，开关具有支持超电流的第一状态以及支持高电阻并且没有超电流的第二状态。
10.在一个实施例中，栅极上的电压可操作以改变jj的电感。
11.在一个实施例中，开关包括被电子系统分开的两个或更多个超导体。
12.在一个实施例中，电子系统包括石墨烯。
13.在一个实施例中，开关是电压控制的超电流开关。
14.在一个实施例中，对于量子位阵列中的至少一个量子位，开关被耦合在该至少一个量子位与该量子位阵列的读出谐振器之间。
15.在一个实施例中，在量子位对之间和在量子位与读出谐振器之间的开关的组合被配置为对该阵列中的单独量子位进行多路复用，使得每个量子位被单独地控制并且独立于量子位频率。
16.在一个实施例中，该量子位阵列是第一层中的多个量子位阵列的一部分。该第一层的该多个量子位阵列各自由一个或多个开关隔离。
17.在一个实施例中，在多个层中的至少两个层之间存在量子位阵列的不对称性。
18.在一个实施例中，该量子系统包括多个层，每个层具有由一个或多个开关与相邻层分开的至少一个量子位阵列。
19.在一个实施例中，该量子位阵列中的两个或更多个量子位具有基本上相似的量子位频率。
20.在一个实施例中，通过凸块结合的方式将多个层堆叠在彼此的顶部上。
21.在一个实施例中，该量子位阵列的量子位中的至少一个量子位被该至少一个开关关闭。
22.根据一个实施例，一种控制量子系统的方法包括提供具有多个量子位的量子位阵列。总线谐振器被耦合在该量子位阵列中的每对量子位之间。以下各项中的至少一项：(i)该量子位阵列中的至少一个量子位对通过约瑟夫逊结(jj)开关分开，或者(ii)该量子位阵列中的至少一个量子位通过第二jj开关与读出谐振器分开。
23.在一个实施例中，jj开关的栅极的电子系统的电感通过在jj开关的栅极上施加电压而改变。
24.在一个实施例中，两个或更多个超导体被jj开关的电子系统分开。
25.在一个实施例中，单独量子位通过多个开关进行多路复用，所述多个开关包括在该阵列中的jj开关和第二jj开关，使得每个量子位被单独地控制并且独立于量子位频率。
26.在一个实施例中，量子位阵列被堆叠在多个层中。该多个层中的每个量子位通过多个开关被单独地控制并且独立于量子位频率。
27.根据一个实施例，一种量子位系统包括量子位阵列，该量子位阵列包括多个量子位。总线谐振器被耦合在该量子位阵列中的每对相邻量子位之间。以下各项中的至少一项：(i)开关被耦合在该量子位阵列中的每个量子位对之间，或者(ii)对于该量子位阵列的至少一个量子位，开关被耦合在该至少一个量子位与该量子位阵列的读出谐振器之间。
28.在一个实施例中，开关与具有约瑟夫逊结(jj)的耦合谐振器集成。每个开关包括耦合到电子系统的栅极，该电子系统可通过栅极上的电压来调节。电子系统被配置为基于栅极上的电压改变jj的电感。
29.在一个实施例中，在量子位对之间和在量子位与读出谐振器之间的开关的组合被配置为对该阵列中的单独量子位进行多路复用，使得每个量子位被单独地控制并且独立于量子位频率。
30.这些和其他特征将从以下将结合附图阅读的对其说明性实施例的详细描述中变得清楚。
附图说明
31.附图是说明性实施例的。它们没有示出所有实施例。附加地或替代地，可使用其他实施例。可以省略可能清楚或不必要的细节以节省空间或用于更有效的说明。一些实施例可在具有附加的部件或步骤和/或在没有示出的所有部件或步骤的情况下实践。当在不同的附图中出现相同的标号时，它指代相同或相似的部件或步骤。
32.图1示出了量子位阵列的示例架构。
33.图2是与说明性实施例一致的在量子位与对应的读出谐振器之间具有隔离的量子位阵列的示例架构。
34.图3是与说明性实施例一致的在不同类型的部件之间具有隔离的量子位阵列的示例架构。
35.图4示出了与说明性实施例一致的示例三维多路复用架构。
36.图5示出了在不同层之间不具有对称性的三维多路复用架构。
37.图6示出了与说明性实施例一致的可用于实现图2至图6的开关的示例开关。
38.图7示出了与说明性实施例一致的可用于在两个量子位之间和/或在量子位与读出谐振器之间提供中断的开关的俯视图。
39.图8是与说明性实施例一致的可用作约瑟夫逊结开关的半导体结构的侧视截面图。
40.图9是与说明性实施例一致的用作jj开关的量子阱异质结构的侧视截面图。
41.图10是与说明性实施例一致的约瑟夫逊结开关的侧视截面图，该约瑟夫逊结开关在壁垒的顶部上具有外延超导体结构。
42.图11是与说明性实施例一致的约瑟夫逊结开关的侧视截面图，其中超导体结构被直接构造在半导体衬底的顶部上。
43.图12提供了约瑟夫逊结开关的侧视截面图，该约瑟夫逊结开关具有在两个超导体结构之间的石墨烯层，该石墨烯层被沉积在绝缘衬底上。
具体实施方式
44.概述
45.在以下详细说明中，通过举例的方式阐述了许多具体细节以便提供对相关教导的透彻理解。然而，应当清楚的是，可以在没有此类细节的情况下实践本教导。在其他情况下，众所周知的方法、过程、部件和/或电路已经以相对高级别描述而没有细节，以避免不必要地模糊本教导的方面。
46.本公开总体上涉及超导器件，并且更具体地涉及在量子阵列中以及在量子阵列之间的控制逻辑的集成。与量子位相关联的电磁能量可以被存储在所谓的约瑟夫逊结(jj)中以及在用于形成量子位的电容性和电感性元件中。在一个示例中，为了读出量子位状态，将微波信号施加到微波读出腔，该微波读出腔在腔频率(在本文中有时被称为量子位频率)处耦合到量子位。透射的(或反射的)微波信号通过用于阻断或降低噪声并提高信噪比的多个热隔离级和低噪声放大器。返回的/输出的微波信号的振幅和/或相位携带了关于量子位状态的信息，诸如量子位是否已经移相到基态或激发状态。携带关于量子位状态的量子信息的微波信号通常是弱的(例如，在几个微波光子的数量级上)。为了测量此弱信号，低噪声量子限制放大器(qla)(诸如约瑟夫逊放大器和行波参数放大器(twpa))可用作量子系统的输出处的前置放大器(即，第一放大级)以增强量子信号，同时添加由量子力学规定的最小噪声量，以便改进输出链的信噪比。除了约瑟夫逊放大器之外，使用约瑟夫逊放大器或约瑟夫逊混合器的某些约瑟夫逊微波部件(诸如约瑟夫逊循环器、约瑟夫逊隔离器、以及约瑟夫逊混合器)也可以用在可缩放的量子处理器中。
47.包括更多量子位的能力对于能够实现量子计算机的潜力是显著的。为了增加量子计算机的计算能力和可靠性，需要沿着两个主要维度进行改进。首先，是量子位计数本身。量子处理器中的量子位越多，原则上可以操纵并存储越多的状态。其次，是低错误率，它与准确地操纵量子位状态并且执行提供一致结果而不仅是不可靠数据的顺序操作相关。由此，为了改进量子计算机的容错，应该使用大量的物理量子位来存储逻辑量子位。以此方式，局域信息是离域的，使得量子计算机更不易受局域误差以及在量子位的本征基中的测量的性能的影响，类似于经典计算机的奇偶校验，由此前进到更容错的量子位。
48.原则上，量子纠错码使得能够进行可靠的大规模量子计算。诸如表面码之类的码当前是有利的，因为它们可以在量子位的二维阵列中实现，其中这些量子位中的每一者被约束为仅与其邻居相互作用。这种约束意味着每个逻辑量子位被编码到物理量子位的贴片中，该物理量子位的直径必须随着纠错能力的增加而增加。在这种情况下，对于每个逻辑量子位可以使用成百上千个物理量子位。在一个实施例中，所提出的架构放宽了这种约束并且允许小数量的物理上远离的量子位相互作用。在诸如此类的系统中，其中通过小常量度数的曲线图描述相互作用，可以实现量子纠错码的更高效的同族。例如，量子扩展器码可以将许多逻辑量子位编码到高速码的同一码块中，以便开销可以渐进地接近小常量。
49.现在参考图1，其示出了量子位阵列的示例架构。例如，量子位阵列100可以基于表面码架构，该表面码架构将图1中由圆所表示的量子位放置在平面二维(2d)网格(在本文中有时称为点阵)上。仅通过举例而非限制的方式，该量子位阵列是被布置为3
×
3的9个量子位的点阵，而将理解的是，本文教导也支持其他尺寸和配置。量子位102(1)至102(9)中的每一个都使用共面波导(cpw)谐振器进行通信，该共面波导谐振器在本文中有时被称为总线谐振器，在图1中由实线表示。每对量子位(例如，116)经由电容耦合被耦合在一起。这些总线谐振器可以用于例如使两个或更多个量子位(诸如量子位对116)纠缠。
50.量子位状态是使用在图1中由虚线表示的谐振读取线(在本文中有时被称为读出谐振器)来测量的。在一个实施例中，读出谐振器是cpw。这些读出谐振器用于确定对应的量子位的状态。
51.如前所述，为了保持每个量子位的信号完整性，点阵中的每个量子位102(1)至102(9)具有不同的量子位频率将是有益的。例如，量子位102(1)可以具有5ghz的量子位频率，量子位102(2)可以具有5.5ghz的量子位频率，量子位102(3)可以具有5.7ghz的量子位频率等等。以此方式，可以容易地实现每个单独的量子位的非纠缠状态，并且在量子位(例如量子位116)之间避免频率冲突。在不具有不同量子位频率的情况下，两个量子位(例如，量子位对116)之间的微波串扰可能经受频率冲突并且导致量子计算机的低性能。然而，当今的制造过程可能不能实现对量子位阵列100中的每个单独的量子位102(1)至102(9)的量子位频率的足够的控制。
52.因而，本文教导提供了量子位之间的隔离，同时能够适应量子位阵列中的量子位具有基本上类似的量子位频率，由此降低了在控制量子位频率方面对半导体工艺能力的灵敏度。阵列中的量子位可以彼此解耦，从而在避免频率冲突的同时提供显著减少的微波串扰。凭借本文教导，阵列中的量子位尽管具有基本上相似的量子位频率也可以不纠缠。另外，改进了量子位的相干时间。
53.示例混合量子架构
54.图2是与说明性实施例一致的在量子位与对应的读出谐振器之间具有隔离的量子位阵列的示例架构200。架构200具有与关于图1的架构所讨论的那些特征类似的特征，因此为了简洁起见，在此不再重复。仅作为示例而非限制，图2的量子位阵列202(1)至202(9)是包括9个互连的量子位的点阵。每个量子位都通过由实线表示的总线谐振器被耦合在一起。与图1相比，图2的架构200包括位于由虚线表示的读出线(在本文中有时被称为读出谐振器)与对应的量子位(例如，202(1)至202(9))之间的开关(例如，208(1)至208(4))。
55.例如，为了访问量子位202(1)，开关208(1)可以由适当的信号(例如，预定的电压)激活，而其余的开关208(2)至208(9)未被激活。以此方式，单个读出线可以用于经由相应的开关来访问阵列中的所有量子位，由此减轻了微波串扰，即使在该量子位阵列中的一个或多个量子位中量子位频率基本上类似。在一个实施例中，存在用于中心量子位202(5)的读出谐振器(未示出)，该读出谐振器可以例如用凸块结合技术来访问。因而，一些读出谐振器(诸如中心量子位202(5)读出谐振器)可以基本上驻留在分开的层上。
56.现在参见图3，其是与说明性实施例一致的在不同类型的部件之间具有隔离的量子位阵列的示例架构300。架构300具有与在图1和图2的上下文中讨论的那些特征类似的特征，因此为了简洁起见，在此不再重复。架构300包括在量子位的对之间的开关，在图3中表示为空心正方形302(1)至302(12)。例如，量子位202(1)和202(2)被开关302(1)分开。虽然架构300被描绘为在读出谐振器与量子位之间具有jj开关(即，实心黑色正方形)，但是在各种实施例中，jj开关302(1)至302(12)还可以位于在读出谐振器与量子位202(1)至202(9)之间没有jj开关的架构中。在一些实施例中，量子位之间的开关(302(1)至302(12))和/或量子位与读出谐振器之间的开关(即，在图3中表示为实心黑色正方形)是约瑟夫逊结(jj)。架构300中的开关的组合提供对应的量子位202(1)至202(9)的多路复用。例如，输入/输出(i/o)线可以被拆分，被划分成许多i/o线，由此创建树结构。开关可以开启或关闭对各种线的访问，从而启用或禁用量子位的控制。因而，通过多路复用，开关的组合可以用于激发特定的量子位，而没有来自相邻量子位的任何干扰，即使量子位具有基本上相似的量子位频率。
57.本文教导不限于二维配置。实际上，本文讨论的量子架构也可以应用于多层架构。在这方面，图4示出了与说明性实施例一致的示例三维(3d)多路复用架构400。在图4的示例中，不仅在层的每个阵列中存在对称性，而且在层之间也存在对称性。例如，每个层可以包括多个量子位阵列，诸如图4的层1中的401(1)至401(3)。每个量子位阵列可以包括在读出谐振器之间和/或在量子位之间的(例如，jj)开关。量子位阵列401(1)至401(3)中的每一个被放置在一行中并且彼此相等地间隔开。基本上类似的对称层在图4的层2和层3上堆叠在彼此的顶部上。在一些实施例中，对于每个量子位阵列可以存在单独的贴片，或者所有的量子位阵列可以通过开关被连接在一起用于完全多路复用(未示出)。借助于本文教导，可以实现具有多路复用读出的对称的3d量子位阵列，同时保护每个量子位以及在量子位之间免受外部噪声，即使量子位中的至少一些具有基本上相似的量子位频率。
58.应注意，在各种实施例中，在层内或在层之间不需要是对称的。在这方面，图5示出了在不同层之间不具对称性的3d多路复用架构500。例如，每个层可以具有独立的布置和/或不同数量的量子位阵列，如在图5的层1和层2之间所示的。层1具有两个量子位阵列501(1)和501(2)，而层2具有三个量子位阵列502(1)、502(2)和502(3)。另外，如图5的层3的量
子位阵列503(1)至503(3)所示，在共同层上的量子位阵列之间甚至都不需要是对称的。更进一步地，虽然每个量子位阵列501(1)到503(3)被示为具有共同的点阵(例如，3
×
3)，但是在层之间或者甚至在层内点阵可以是不同的。因而，本文教导支持不仅在层之间也在每层内不对称的多层量子位架构。在一个实施例中，通过凸块结合的方式堆叠多层量子位阵列。
59.架构200至500提供增加的相干时间(例如，量子状态的生存期)，即使一个或多个量子位的量子位频率是基本上类似的。另外，借助于通过本文讨论的策略性位置处放置的开关提供的多路复用架构，可以关闭具有不想要的跃迁频率的量子位，由此避免从中发出的串扰。在一个示例中，可以通过本文讨论的开关的组合来关断故障的或单纯不想要的量子位。
60.示例开关
61.图6示出了与说明性实施例一致的可用于实现图2至图6的开关的示例开关。例如，在图2中，开关600可用于实现开关208(1)至208(8)。根据另一示例，在图3中，开关600可用于实现开关302(1)至302(12)。图6的开关600为与耦合谐振器集成的栅极电压控制的开关的形式。开关600包括与两个超导体结构608和610重叠的栅极606。当对栅极606施加适当的电压时，栅极可调节的电子系统604在两个超导体结构608和610之间产生路径。在一个实施例中，开关600是约瑟夫逊结(jj)，其包括通过由栅极可调节的电子系统604提供的弱链路耦合的两个或更多个超导体(例如，608和610)。在各种配置中，栅极可调节的电子系统604的弱链路可以包括非超导金属的短部分(s-n-s)，或者削弱接触点处的超导性的物理收缩(s-s-s)。在一个实施例中，开关600具有可调节的约瑟夫逊电感，由此提供可调节的jj。
62.现在参考图7，其示出与说明性实施例一致的具有附加细节的开关700的俯视图。在图7的示例中，开关700包括与两个超导体结构712和714重叠的栅极710。开关700可以是基本上由接地平面702围绕的jj。结构704表示共面波导总线的一部分的俯视图。共面波导包括接地平面和中心导体。图7中所示的波导的部分包括jj开关。在图7的示例中，以虚线704勾勒的栅极可调节的电子系统形成
‘
t’形状，其目的是使用电子系统的一部分作为到地的连接。在各种实施例中，接地平面中的凹口不是严格必需的，并且可以使用其他几何形状。凹口用于示出电子系统的形成到地的接触的部分。每个超导结构712和714通向对应的量子位。
63.因而，栅极可调节的电子系统704在栅极部分710中的部分(例如，半导体、石墨烯等)在关键位置处中断超导谐振器电路系统以形成开关。在各种实施例中，关键位置可以包括在量子位对之间和/或在量子位与读出谐振器之间。例如，(例如，金属)栅极710施加的电压在具有高(≈1-10μa)临界电流的低电感状态与具有低(≈10na)临界电流的高电感状态之间调节jj开关。
64.本文描述的开关通过可调节的强zz耦合具有快速的开关时间。仅通过举例而非限制的方式，利用约1kohm的开关的电阻和1pf的电容，可以实现1ns的开关时间。
65.在一个实施例中，本文所讨论的开关是电压控制的超电流开关。相反，磁通量控制开关依赖于电流。电流的使用可以导致量子位芯片上的额外的串扰、低温恒温器上的额外的热负载、和/或在产生磁通量所需要的结构(如导线线圈)方面可能需要大量的额外的开销。通过使用电压控制的超电流开关，可以避免与基于通量的方法相关的这些问题。
66.通过对开关的显著位置和开关的俯视图的前述解释，可能有助于提供对开关的示
例横截面的高级别讨论。为此，图8至图12提供了可用于实现本文所讨论的jj开关的各种示例开关的不同侧视横截面图。更具体地，图8是与说明性实施例一致的可以用作jj开关的半导体结构的侧视截面图。半导体结构800包括绝缘衬底802。存在将沉积在绝缘衬底802上的两个超导体分开的半导体820。在一个实施例中，半导体820(在本文中有时被称为电子系统)是砷化铟(inas)。
67.图9是与说明性实施例一致的用作jj开关的量子阱异质结构的侧视截面图。在一个实施例中，半导体结构900包括由inas构成的量子阱920和由ingaas构成的壁垒910、930。壁垒910将沉积在量子阱920顶部的两个超导体结构分开。通过使用量子阱920，可以实现更高的迁移率，从而能够在这些超导体元件之间传输更多的电子。在其他实施例中，可以使用其他半导体。例如，半导体结构可以由锗(ge)的层920构成，该锗(ge)的层920被包括锗硅(sige)的壁垒910和930夹在中间。
68.图10是与说明性实施例一致的jj开关的侧视截面图，该jj开关在壁垒1010的顶部上具有外延超导体结构1040。存在第一壁垒层1030。量子阱1020被构造在壁垒层1010的顶部上。存在被绝缘体1050分开的两个外延超导体段1040。
69.在一个实施例中，半导体结构1000的量子阱1020由inas构成，并且壁垒1030、1030由ingaas构成。存在将沉积在量子阱920顶部的两个超导体结构分开的壁垒910。例如，半导体量子阱层1020可以由锗(ge)构成，并且壁垒1010、1030包括锗硅(sige)。
70.现在参见图11，图11是与说明性实施例一致的jj开关1100的侧视截面图，其中超导体结构1110被直接构造在半导体衬底1130的顶部上。例如，这样的jj开关1100可以被实现以简化和降低生产开关时的半导体工艺的成本。在一个实施例中，石墨烯层可以用于进一步增强jj开关的性能。对此，图12提供了jj开关的侧视截面图，该jj开关具有在两个超导体结构1220之间的石墨烯层1210，石墨烯层1210沉积在绝缘衬底1230上。
71.结论
72.已经出于说明的目的呈现了本教导的各种实施例的描述，但其并不旨在是详尽的或限于所公开的实施例。在不脱离所描述的实施例的范围和精神的情况下，许多修改和变化对本领域普通技术人员将是清楚的。本文使用的术语被选择来最好地解释实施例的原理、实际应用或相对于在市场中找到的技术的技术改进，或者使得本领域普通技术人员能够理解本文公开的实施例。
73.虽然上文已描述了被视为最佳状态和/或其他示例的内容，但应理解，可在其中进行各种修改，并且本文所公开的主题可在各种形式和示例中实施，并且本教导可应用于许多应用中，本文仅描述了其中的一些。所附权利要求旨在要求保护落入本教导的真实范围内的任何和所有应用、修改和变化。
74.本文已经讨论的部件、步骤、特征、目的、益处和优点仅是说明性的。它们以及与其相关的讨论都不旨在限制保护范围。虽然本文已经讨论了各种优点，但是将理解，并非所有实施例都必须包括所有优点。除非另外说明，否则在本说明书(包括在以下权利要求书中)中阐述的所有测量、值、评级、位置、幅值、尺寸、以及其他规范都是近似的而非精确的。它们旨在具有与它们有关的功能以及与它们所属领域惯用的功能相一致的合理范围。
75.还构想了许多其他实施例。这些包括具有更少的、附加的和/或不同的部件、步骤、特征、目的、益处和优点的实施例。这些还包括部件和/或步骤被不同地安排和/或排序的实
施例。
76.尽管已经结合示例性实施例描述了上述内容，然而，应当理解的是，术语“示例性”仅意味着作为示例，而非最好或者最佳。除了紧接在上面陈述的之外，已经陈述或说明的任何内容都不旨在或应该被解释为引起任何部件、步骤、特征、目的、益处、优点的奉献或与公众等效，而不管它是否在权利要求中记载。
77.应当理解，本文所使用的术语和表达具有普通含义，如对于它们对应的相应查询和研究领域的这些术语和表达所被赋予的，除非本文另外阐述具体含义。诸如第一和第二等之类的关系术语可仅用来将一个实体或动作与另一个实体或动作区分开来，而不必要求或暗示这些实体或动作之间的任何实际此类关系或次序。术语“包括”、“包含”或其任何其他变型旨在覆盖非排他性的包括，从而使得包括一系列元素的过程、方法、物品或装置不仅仅包括那些元素，而且还可以包括未明确列出的或对此类过程、方法、物品或装置固有的其他元素。在没有进一步限制的情况下，由“一”或“一个”开始的元素不排除在包括该元素的过程、方法、物品或装置中存在另外的相同元素。
78.提供本公开的摘要以允许读者快速确定本技术公开的性质。它是在理解其不用于解释或限制权利要求的范围或含义的情况下提交的。此外，在以上具体实施方式中，可以看出，出于精简本公开的目的，各个特征在各个实施例中被组合在一起。本公开的该方法不应被解释为反映所要求保护的实施例具有比每个权利要求中明确记载的特征更多的特征的意图。相反，如以下权利要求所反映的，发明主题在于少于单个公开的实施例的所有特征。因此，以下权利要求由此并入详细说明中，其中每个权利要求独立地作为单独要求保护的主题。