具有选择性两级装仓的图形处理单元的制作方法

文档序号:34328415发布日期:2023-06-01 05:25阅读:113来源:国知局
具有选择性两级装仓的图形处理单元的制作方法


背景技术:

1、计算机处理系统通常采用图形处理单元(gpu)来执行图形操作,诸如纹理映射、渲染、顶点平移等。gpu的性能要求或规范可以根据相关电子设备的类型而变化。例如,在移动设备或其它电池供电设备中使用的gpu具有可与其它非电池供电平台显著不同的特性和要求。性能、电池寿命和散热通常是电池供电设备平台的重要量度,期望具有持续性能和低空闲功率消耗和温度。然而,在电池供电设备中的gpu性能与电池寿命/散热之间通常存在折衷。


技术实现思路



技术特征:

1.一种方法,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述装仓条件是两级装仓条件,并且所述装仓模式是两级装仓模式。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述两级装仓条件包括以下中的一者或多者:包括所述gpu的设备的平均温度超过第一预定义温度阈值、所述设备的所述平均温度的第一变化率超过第二预定义阈值、所述设备的限定位置处的局部温度超过第三预定义阈值、所述局部温度的第二变化率超过第四预定义阈值、所述设备的平均功率消耗超过第五预定义阈值、所述设备的峰值瞬时功率消耗超过第六预定义阈值或者电池的充电状态低于第七预定义阈值。

4.根据权利要求2所述的方法,其中所述性能数据包括以下中的一者或多者:包括所述gpu的设备的平均温度、所述设备的所述平均温度的第一变化率、所述设备的平均功率消耗、所述平均功率消耗的第二变化率、所述设备的峰值瞬时功率消耗或者所述设备的电池的充电状态。

5.根据权利要求2所述的方法,还包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其中基于所述性能数据来确定已满足两级装仓条件在记录所述待审命令缓冲区时发生,并且其中修补所述待审命令缓冲区在记录所述待审命令缓冲区时发生。

7.根据权利要求5所述的方法,其中基于所述性能数据来确定已满足两级装仓条件发生在记录所述待审命令缓冲区之后且在所述待审命令缓冲区被提交到所述gpu之前,并且其中修补所述待审命令缓冲区发生在记录所述待审命令缓冲区之后且在所述待审命令缓冲区被提交到所述gpu之前。

8.根据权利要求2所述的方法,其中将所述待审命令缓冲区修补为在所述两级装仓模式中可执行包括:

9.根据权利要求2所述的方法,其中在所述两级装仓模式中执行所述待审命令缓冲区包括:

10.一种设备,包括:

11.根据权利要求10所述的设备,其中所述装仓条件是两级装仓条件,所述第一装仓模式是两级装仓模式,并且所述第二装仓模式是基元批量装仓模式。

12.根据权利要求11所述的设备,其中所述cpu被配置为在所述待审命令缓冲区的记录期间收集所述待审命令缓冲区的每工作负载元数据,其中修补所述待审命令缓冲区基于所述每工作负载元数据来执行,其中所述每工作负载元数据包括偏移和令牌,所述偏移识别要经由所述两级装仓模式中的修补来修改的代码的在所述命令缓冲区中的位置,所述令牌识别要如何在所述两级装仓模式中修改所述代码。

13.根据权利要求11所述的设备,其中所述cpu被配置为:在记录所述待审命令缓冲区时基于所述性能数据来确定已满足所述两级装仓条件,以及在记录所述待审命令缓冲区时修补所述待审命令缓冲区。

14.根据权利要求11所述的设备,其中所述cpu被配置为:在记录所述待审命令缓冲区之后且在所述待审命令缓冲区被提交到所述gpu之前,基于所述性能数据来确定已满足所述两级装仓条件,以及在记录所述待审命令缓冲区之后且在所述待审命令缓冲区被提交到所述gpu之前,修补所述待审命令缓冲区。

15.根据权利要求11所述的设备,其中所述gpu被配置为通过以下方式在所述两级装仓模式中执行所述待审命令缓冲区:

16.一种设备,包括:

17.根据权利要求16所述的设备,其中所述装仓条件是两级装仓条件,并且所述装仓模式是两级装仓模式。

18.根据权利要求17所述的设备,还包括:

19.根据权利要求17所述的设备,还包括:

20.根据权利要求17所述的设备,其中所述gpu被配置为通过以下方式在所述两级装仓模式中执行所述待审命令缓冲区:


技术总结
本发明提供了与渲染模式的运行时选择相关的系统和方法,在该渲染模式中利用设备的图形处理单元(GPU)基于对应于该设备的性能数据来执行命令缓冲区。在中央处理单元(CPU)处执行的用户模式驱动器(UMD)或内核模式驱动器(KMD)基于包括传感器数据或性能计数器数据的性能数据是否指示已满足相关联的装仓条件或覆盖条件来选择装仓模式。该UMD或该KMD使得要修补的待审命令缓冲区基于该装仓模式是被启用还是被禁用而在所选择的装仓模式中执行。

技术研发人员:阿尼鲁德·R·阿查里亚,吴锐进,保罗·E·鲁杰里
受保护的技术使用者:超威半导体公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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