主控模块及其内的存储模块控制方法、装置和设备、介质与流程

1.本技术涉及通信技术领域，尤其涉及一种主控模块及其的存储模块控制方法、装置以及设备、介质。主控模块及其内的存储模块控制方法、装置和设备、介质。


背景技术：

2.在采用电池供电的智能电子设备中，比如智能猫眼，门铃，便携式摄像头以及烟感，门窗传感器，红外人体传感器等，在对存储模块进行擦写操作时，若供电电压被瞬间拉低可能导致存储模块被篡改，从而造成设备无法正常使用的问题。因此，对存储模块进行擦写保护至关重要。
3.现有的对存储模进行擦写保护的方法，一般需要额外的增加硬件来实现，硬件的增加擦写会增加设备功耗。


技术实现要素：

4.为解决存在的技术问题，本技术提供了一种低成本和低功耗的主控模块及其内的存储模块控制方法、装置和电子设备、存储介质。
5.一种主控模块内的存储模块控制方法，应用于所述主控模块，所述方法包括：
6.若接收到对所述存储模块的擦写请求，则获取所述主控模块的当前电压信息；
7.基于所述当前电压信息，根据所述擦写请求对所述存储模块进行擦写操作。
8.一种主控模块，包括处理器及存储器，所述存储器内存储有可被所述处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现所述的存储模块控制方法。
9.一种电子设备，包括所述的主控模块。
10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被控制器执行时实现所述的存储模块控制方法。
11.由上可见，本技术实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法应用于主控模块，其基于当前是否接收到擦写请求来确定当前是否获取主控模块的当前电压信息，然后基于当前电压信息，根据擦写请求对存储模块进行擦写操作。由于在接收擦写请求时再获取主控模块的电压信息，因此，本技术提供的主控模块内的存储模块控制方法，既可避免存储模块在进行擦写操作时不会因主控模块当前电压异常而被篡改问题，又不会引起因对存储模块进行擦写保护而过多的增加主控模块的功耗的问题。
附图说明
12.附图仅用于示出实施方式，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
13.图1为依据本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的方法流程示意图；
14.图2为依据本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的方法流程
示意图；
15.图3为依据本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的方法流程示意图；
16.图4为依据本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的方法流程示意图；
17.图5为依据本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的方法流程示意图；
18.图6为依据本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的方法流程示意图；
19.图7为依据本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的方法流程示意图；
20.图8为依据本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的方法流程示意图；
21.图9为依据本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的方法流程示意图；
22.图10为依据本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的方法流程示意图；
23.图11为应用本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的电子设备在各个模式下的存储模块的控制流程示意图；
24.图12为应用本技术一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的电子设备的正常工作模式期间的工作流程示意图；
25.图13为依据本技术实施例一提供的主控模块内的存储模块控制装置的结构示意图；
26.图14为依据本技术实施例一提供的主控模块的结构示意图；
27.图15为依据本技术实施例一提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
28.以下结合说明书附图及具体实施例对本技术技术方案做进一步的详细阐述。
29.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，所描述的实施例不应视为对本技术的限制，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
30.在以下的描述中，涉及到“一些实施例”的表述，其描述了所有可能实施例的子集，需要说明的是,“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。
31.在以下的描述中，所涉及的术语“第一、第二、第三”仅仅是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一、第二、第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本技术实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
32.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的
技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本技术实施例的目的，不是旨在限制本技术。
33.本技术实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法可以但不限于应用于电池供电的电子设备中。对于电池供电电子设备而言，在受到电池松动等因素干扰时，其主控模块的供电电压会突然下降，若此时正在存储模块进行擦写操作，可能会导致存储模块被篡改，电子设备存在无法正常使用的风险。其中存储模块进行的擦写操作包括擦除和/或写入操作。应用本技术实施提供的主控模块内的存储模块控制方法的电子设备包括但不局限于智能猫眼，门铃，便携式摄像头以及烟感、门窗传感器以及红外人体传感器等智能传感器。
34.在一些实施例中，所述主控模块为mcu(microcontroller unit,微控制单元)加存储模块的架构结构，即存储模块设置在主控模块内部，所述存储模块可以为flash存储器。在一些实施例中，所述主控模块可以为嵌入有flash存储器的mcu芯片，所述主控模块的供电电压由电池提供。主控模块内的存储模块存储有数据和计算机程序，主控模块其内的存储模块进行擦写操作。
35.请参阅图1，本技术实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法，应用于主控模块，该方法包括s02和s04，具体描述如下。
36.s02：若接收到对所述存储模块的擦写请求，则获取所述主控模块的当前电压信息。
37.在s02中，主控模块内的存储模块是指主控模块内的flash存储器。存储模块的擦写请求是指对flash存储器执行擦写操作的控制指令。当存在擦写请求时，表示当前需要对flash存储器进行与擦写请求相应的擦写操作，当不存在擦写请求时，表示当前不需要对flash存储器进行任何擦写操作。主控模块的当前电压信息是指主控模块的供电电压信息，供电电压信息可以是指主控模块的供电电压本身也可以是主控模块的供电电压的分压信息或与主控模块的供电电压成预设比例的信息。
38.在本实施例中，获取主控模块的当前电压信息的动作由当前是否接收到擦写请求来触发的，即在接收到擦写请求时，再执行获取芯片当前电压信息的动作，否则可以不获取。
39.s04:基于所述当前电压信息，根据所述擦写请求对所述存储模块进行擦写操作。
40.如图2所示，在一些实施例中，s04可以具体包括s041以及s042，具体描述如下。
41.s041：判断所述当前电压信息是否满足设定条件。
42.s042：若所述当前电压信息满足设定条件，则根据所述擦写请求对所述存储模块进行擦写操作。
43.这里的设定条件可以指主控芯片的供电电压大于或等于设定的阈值电压。主控模块利用自身的处理模块获取当前电压信息，并将表征当前电压信息的电压与设定的阈值电压进行比较可以判断当前电压信息是否满足设定条件。这里的处理模块可以指mcu处理单元。显然，本技术实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法，在需要对存储模块进行擦写操作时再获得当前电压信息后，且在获得当前电压信息后，可以基于主控模块内部原有的模块进行当前电压信息是否满足预设条件的判断，而无需额外增加比较器等硬件电路实现当前电压信息的判断，因而可以减少功耗的增加。
44.由上可见，本技术实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法应用于主控模
块，其基于当前是否接收到擦写请求来确定当前是否获取主控模块的当前电压信息，然后基于当前电压信息，根据擦写请求对存储模块进行擦写操作。由于在接收擦写请求时再获取主控模块的电压信息，因此，本技术提供的主控模块内的存储模块控制方法，既可避免存储模块在进行擦写操作时不会因主控模块当前电压异常而被篡改问题，又不会引起因对存储模块进行擦写保护而过多的增加主控模块的功耗的问题。
45.参阅图3所示，在本技术实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法中，s02中的获取主控模块的当前电压信息具体包括s021：基于采样机制对所述主控模块的当前电压进行采样，获取电压采样值。在一些实施例中，采样机制为adc(analog-to-digital converter，模数转换器)采样机制，即主控模块自身的adc模块对主控模块的供电电压进行采样，并将电压采样值发送给主控模块自身的处理模块，以供处理模块判断当前电压信息是否满足设定条件。在本实施例中，判断当前电压信息是否满足设定条件是指判断所述电压采样值是否满足设定条件。在存在flash存储器的擦写请求时，主控模块被唤醒，并控制其内部的模数转换模块对主控模块的当前电压(供电电压)进行采样，以实现所述主控模块的供电电压进行测量，获得主控模块当前电压信息。对于嵌入有flash存储器主控模块而言，即便是不对flash存储器执行擦写保护操作，主控模块内部也会嵌入有adc模块。显然，在一些实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法中，由主控模块自身的采样机制获取当前电压信息，无需额外增加硬件来实现当前电压信息的获取，可进一步降低应用本技术实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法的电子设备的功耗，以及降低硬件成本。
46.在一些实施例中，s021：基于采样机制对所述主控模块的当前电压进行采样，获取电压采样值，具体为s021a：基于采样机制对主控模块的当前电压进行预设次采样测量，获得与各次采样测量对应的各个所述电压采样值。因此，在本实施例中，各次采样测量对应的各个电压采样值即为s02中获取的当前电压信息。
47.具体的，在应用本技术实施例提供的主控芯片内的存储模块的控制方法的主控模块中，主控模块内处理模块获取主控模块内的模数转换模块采样的电压采样值，然后由主控模块内的处理模块将电压采样值与对应的设定值进行比较，获得指示主控芯片的当前电压信息是否满足设定条件的判断信号，并根据该判断信号执行对所述flash存储器的擦写操作控制，该判断信号相对于对flash存储器执行擦写保护操作的擦写保护信号，该擦写保护信号由主控芯片内的处理模块如mcu处理单元产生。
48.在本技术一些实施例中，由主控模块内部自身的adc再存在擦写请求时对主控模块的供电电压进行采样测量，获得主控模块的电压采样值，然后由主控模块内的mcu处理单元获取对应的电压采样值，并将其与对应的设定值进行比较，获得flash存储器进行擦写操作时的擦写保护信号。因此，在一些实施例中，本技术实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法可以采用软件的方法判断主控模块的当前电压信息是否满足设定条件，无需额外增加诸如高功耗的比较器等硬件模块，有利于降低电子设备的制备成本。
49.在一些实施例中，在s021中，对所主控模块的当前电压进行采样测量的次数为预设次，以将预设次电压采样值与对应的设定值进行比较来实现当前电压信息的判断，有利于提高判断精度。例如若主控模块的adc模块的采样周期为50ms,若需要对所述主控模块的当前电压进行4次采样测量，则控制adc模块对所述主控模块的当前电压进行采样测量的持续时间为200ms。在另一些实施例中，s021中的对主控模块的当前电压进行采样测量还可以
进一步包括，控制主控模块内的adc模块以设定的采样周期对主控模块的当前电压进行设定时长的采样测量。如设定的采样周期为50ms,设定时长为200ms等。
50.请参阅图4所示，若在s021中对所述芯片当前电压进行采样测量的次数为设定次数。则s041：根据所述当前电压信息，判断所述芯片当前电压是否满足预设条件，具体为s041a：将各次测量对应的电压采样值取平均值，将获得的平均值与对应的设定值进行比较，根据比较的结果判断主控模块的当前电压信息是否满足设定条件。将多次采样测量获得的电压采样值取均值后再与对应的设定值进行比较，比较的结果更能准确主控模块的当前电压的实际情况，降低误差概率。
51.请参阅图5所示，若在s021中对所述芯片当前电压进行采样测量的次数为设定次数。则在s041：根据所述当前电压信息，判断所述芯片当前电压是否满足预设条件，还可以具体为s041b：将各次测量对应的所述电压采样值分别与设定值进行比较，根据各个比较结果判断主控模块的当前电压信息是否满足预设条件。在各个比较结果均指示对应的电压采样值大于或等于对应的设定值时，判断出主控模块的当前电压信息满足预设条件，否则不满足。通过多次比较结果确定主控模块的当前电压的实际情况，降低误差概率。
52.请参阅图6所示，在一些实施例中，前述的s042：若所述当前电压信息满足设定条件，则根据所述擦写请求对所述存储模块进行擦写操作，进一步包括s0421以及s0422。
53.s0421：若所述当前电压信息满足设定条件，则控制所述存储模块的状态由第一状态切换为第二状态。
54.s0422：在所述存储模块处于所述第二状态下，根据所述擦写请求对所述存储模块进行擦写操作。
55.存储模块的状态包括第一状态和第二状态。存储模块的第一状态是指存储模块禁止主控模块内的处理模块对其进行擦写操作的锁定状态。存储模块的第二状态是指存储模块允许主控模块内的处理模块(如mcu处理单元)对其进行擦写操作的解锁状态。因此，所述第一状态对应所述锁定状态，所述第二状态对应所述解锁状态。
56.具体的，若在判断当前电压信息满足设定条件时，主控模块内的处理模块发出的擦写保护信号控制存储模块处于第二状态，否则，存储模块处于第一状态。在一些实施例中，主控模块在被唤醒前，存储模块的状态为第一状态，即存储模块的初始状态为第一状态，只有在需要对存储模块进行擦写操作，且判断出当前电压信息满足设定条件时，主控模块内的处理模块发出的擦写保护信号才会控制存储模块处于第二状态，以允许主控模块内的处理模块对存储模块根据擦写请求执行擦写操作。以主控模块内的处理模块为mcu处理单元为例，在mcu每次需要对存储模块进行擦写操作时，先对主控模块当前的供电电压进行测量，以获取主控模块的当前电压信息，再根据当前电压信息，判断主控模块的当前电压信息是否满足设定条件，若满足，则mcu向存储模块发送的擦写保护信号控制存储模块处于第二状态，以允许mcu根据擦写请求对存储模块执行擦写操作。
57.请参阅图7所示，在一些实施例中，在s042之后，依据本实施例提供的主控模块内的存储模块的控制方法还包括s051：控制存储模块的状态由第二状态切换为第一状态，以控制存储模块禁止控制模块内的处理模块对存储模块进行擦写操作。同样以主控模块内的处理模块为mcu处理单元为例，在对存储模块的擦写操作完成后，mcu向存储模块输出的擦写保护信号控制存储模块处于第一状态，以使得存储模块禁止mcu对其执行擦写操作。
58.继续参阅图7所示，依据本技术提供的主控模块内的存储模块控制方法还包括s052：若当前电压信息不满足预设条件，则控制存储模块处于第一状态。仍以主控模块内的处理模块为mcu处理单元为例，在判断当前电压信息不满足设定条件时，mcu输出的擦写保护信号控制存储模块保持为初始的第一状态，以禁止mcu对其进行异常的擦写操作。因此，本技术提供的主控模块内的存储模块控制方法可以避免电子设备因突然掉电而出现存储模块被篡改的问题。
59.由上可见，在依据本技术实施例提供的主控模块内的存储模块控制方法中，在当前电压信息满足设定条件时，控制存储模块由初始的第一状态切换为第二状态，在存储模块处于所述第二状态时，存储模块允许主控模块内的处理模块根据擦写请求对其进行擦写操作，在擦写操作执行完成后，再控制存储模块的状态由第二状态切换至第一状态，以使得存储模块禁止主控模块内的处理模块对存储模块进行擦写操作。
60.在一些实施例中，控制存储模块由初始的第一状态切换为第二状态具体为：使存储模块的擦写保护端接收的擦写保护信号的状态由第一状态切换为第二状态。存储模块的擦写保护端接收的擦写保护信号处于第一状态时，存储模块处于第一状态，存储模块的擦写保护端接收的擦写保护信号处于第二状态时，存储模块处于解第一状态。在一些实施例中，擦写保护信号为电平信号，则第一状态为高电平与低电平中之一，第二状态为高电平与低电平中之另一。在存储模块切换为第二状态后，存储模块允许控制模块内的处理模块根据擦写请求对存储模块执行相应的擦写操作。在一些实施例中，处理模块为主控模块内的mcu处理单元(简称mcu)。mcu在对存储模块执行完擦写操作后，存储模块会向mcu反馈擦写完成指令，mcu根据该指令向存储模块的擦写保护端发出处于第二状态的擦写保护信号，以控制存储模块继续切换为初始的第一状态，以禁止mcu对其执行擦写操作操作。
61.在一些实施例中，在执行前述的s02中的获取主控模块的当前电压信息之前，还包：确定当前接收到擦写请求。在确定接收到擦写请求时，主控模块内的处理模块不是立即根据擦写请求对存储模块执行相应的擦写操作，而是执行主控模块的当前供电电压的测量动作，以获取主控模块的当前电压信息。在一些实施例中，主控模块内的存储模块控制方法无需实施对主控模块的的供电电压进行检测判断，而是在确定当前接收到擦写请求后再触发对主控模块的当前供电电压进行测量的操作。在当前电压信息满足设定条件时，才控制存储模块切换为第一状态，以控制存储模块允许控制模块内的处理模块对其进行擦写操作。
62.在一些实施例中，依据本技术提供的主控模块内的存储模块控制方法可以应用于电子设备在需要入网时、需要离网时和处于正常工作模式时对存储模块的控制。因此在电子设备需要入网时、需要离网时和处于正常工作模式时，在执行s02之前均需执行确定当前接收到擦写请求的操作。
63.请参阅图8所示，在电子设备需要入网时，前述的s02:包括s0201a和s0202a。
64.s0201a：判断是否检测到设备入网请求。
65.s0202a：若检测到设备入网请求，则确定接收到所述擦写请求，然后再获取主控模块的当前电压信息。
66.设备入网请求是指主控模块所在的电子设备当前需要入网的请求。在一些实施例中，所述电子设备设置有按键开关，若检测到所述按键开关被按压超过设定时间(如3-5ms)
时且扫描到网络信号，则表示当前检测到设备入网请求，则根据此确定当前接收到擦写请求。在确定当前接收到擦写请求后，所述电子设备进入绑定模式，在所述绑定模式过程中，依据本技术实施例提供的主控模块内的存储模块的控制方法包括：先获取主控模块的当前电压信息，然后判断当前电压信息是否满足设定条件，若满足，则控制存储模块由初始的第一状态切换为第二状态，处于第二状态的存储模块，允许主控模块内的处理模块对其进行擦写操作，则主控模块内的处理模块将网格参数等入网绑定相关信息写入存储模块，在写入操作完成后，即完成电子设备的入网绑定后，再控制存储模块由第二状态切换为第一状态，此后，所述电子设备入网成功，进入正常工作模式。若在所述按键开关被按压超过设定时间后若未扫描到网络信号，或在主控模块的当前电压信息不满足设定条件，则控制存储模块继续处于第一状态，以使得存储模块禁止主控模块内的处理模块对其执行擦写操作，则所述电子设备进入绑定模式失败，仍处于未入网状态。
67.请参阅图9所示，在电子设备需要离网时，前述的s02包括s0201b和s0202b。
68.s0201b：判断是否检测到设备离网请求。
69.s0202b：若检测到设备离网请求，则确定接收到所述擦写请求，然后再获取主控模块的当前电压信息。
70.设备离网请求是指主控模块所在的电子设备当前需要离开网络的请求。在一些实施例中，所述电子设备设置有按键开关，在所述电子设备处于正常工作模式期间，若检测到所述按键开关被按压超过设定时间(如3-5s)时，则表示当前检测到所述电子设备的设备入网请求，则根据此确定接收到擦写请求。在确定接收到擦写请求后，所述电子设备进入离网模式，在离网模式过程中，依据本技术实施例提供主控模块内的存储模块的控制方法包括：先获取当前电压信息，然后当前电压信息是否满足设定条件，若满足，则控制存储模块由第一状态切换为第二状态，在存储模块处于第二状态后，存储模块允许主控模块内的处理模块对其进行擦写操作，则主控模块内的处理模块将网格参数离网相关信息从存储模块中区擦除，在擦除操作完成后，即完成电子设备的离网操作后，再控制存储模块由第二状态切换为第一状态，此后，所述电子设备离网成功，重新进入未入网状态。若在离网过程中，当前电压信息不满足设定条件，则控制存储模块继续处于第一状态，以禁止对存储模块执行擦写操作。
71.请参阅图10所示，在一些实施例中，如在电子设备处于入网后的正常工作期间，前述的s02包括s0201c和s0202c。
72.s0201c：判断是否检测到基于预设事件生成的唤醒请求。
73.s0202c：若检测到所述唤醒请求，则确定接收到所述擦写请求，然后在获取主控模块的当前电压信息。
74.唤醒请求是指唤醒主控模块的请求，具体的，所述唤醒请求用于唤醒主控模块中的处理模块，如mcu。在检测基于预设事件生成的唤醒请求时，主控模块内的mcu处于唤醒状态，否则处于睡眠状态。在一些实施例中，所述电子设备为诸如智能猫眼，门铃，便携式摄像头以及烟感，门窗传感器，红外人体传感器等智能传感器，其在正常工作模式过程中，主控模块内部的计时器会周期性的向mcu发送计时器周期性中断信息，若mcu接收到该信息，则被唤醒，确定此时接收到擦写请求，因此，此时控制所述主控模块内的adc开始对所述主控模块的供电电压进行采样测量，以获得对应的电压采样值，然后根据对应的电压采样值判
断所述主控模块的当前电压信息否满足设定条件，若是，则控制主控模块内的存储模块由初始的第一状态切换为第二状态，在存储模块切换为第二状态后，允许mcu对其进行擦写操作，在mcu执行完擦写操作后，再控制存储模块由第二状态切换为第一状态，以禁止对其执行擦写操作。若所述判断所述主控芯片当前的供电电压是否满足所述设定条件的判断结果为否时，则需要对所述flash区执行擦写保护操作，具体为控制所述flash区继续维持第一状态，以禁止对所述flash区执行擦写操作，避免异常篡改现象的发生。
75.此外，唤醒mcu的信息还包括按键触发信息和/或所述传感器的传感触发信息。即检测到所述按键触发信息或所述传感器的传感触发信息时，即可确定当前检测到芯片唤醒请求。显然，前述的预设事件包括计时中断事件、按键触发事件和/或传感触发事件等。
76.综上，在一些实施例中，本技术主控模块内的存储模块控制方法，在主控模块内的mcu每次需要对存储模块进行擦写操作之前，先测量主控模块的供电电压，并判断主控模块的当前电压信息是否满足设定条件，只有在满足设定条件时，才控制存储模块的状态切换为第二状态，以允许mcu对其进行擦写操作。在mcu对存储模块执行完擦写操作后，再控制存储模块进入第一状态，而主控模块的当前电压信息不满足设定条件时，则控制存储模块的状态继续维持为第一状态，以禁止mcu对其进行可能的异常擦写操作，从而可保护存储模块的信息不会因为主控模块意外掉电而被篡改。此外，无需额外增加硬件设备实时检测主控模块的供电电压，不会额外过多增加电子设备的成本和功耗。
77.为了进一步清楚描述本技术提供的主控模块内的存储模块控制方法，在一些实施例中，主控模块以嵌入有flash存储器(存储模块)和模数转换器(adc)的主控芯片为例，存储模块为主控芯片内的flash存储器。应用内部嵌入有flash存储器的主控芯片的电子设备在各个模式下对存储模块进行控制的流程示意图如图11所示，其中各个模式包括入网模式、离网模式以及正常工作模式。
78.当电子设备在未入网状态下，所述主控芯片中的flash存储器都是处于锁定第一状态，即flash存储器的擦写保护端wp的电位处于低电位，flash存储器被锁定，此时只能读取flash存储器中的信息，但是禁止对其进行擦写操作。
79.在所述电子设备需要入网时，电子设备上的按键开关会被按压按键3-5s则所述电子设备进入绑定操作模式，在所述绑定模式下如果扫描到网络信号则确定当前接收到对flash存储器的擦写请求。则主控芯片内的adc开始开始测量主控芯片的供电电压是否满足设定条件，如测量的所述供电电压是否大于2.2v，若是，则控制flash存储器的擦写保护端wp的电位处于高电位，flash存储器处于第二状态，此时允许对flash存储器执行擦写操作，主控芯片内的mcu根据擦写请求将诸如网格参数等入网绑定相关信息写入flash存储器，在写入完成后，mcu控制flash的擦写保护端wp的电位处于低电位，flash存储器继续处于初始的第一状态，然后所述电子设备入网成功，进入正常工作模式状态。若在按键开关被按压3-5s后未扫描到网络信息，或测量的所述供电电压小于2.2v时，又或者写入失败时，所述绑定操作失败，重新返回未入网状态。测量的所述供电电压小于2.2v时，所述flash存储器的擦写保护端wp的电位继续维持为低电位，flash存储器维持为第一状态，以避免对其进行异常的擦写操作。
80.绑定成功后，所述电子设备进入正常工作模式。请参阅图4所示，其为该所述电子设备的正常工作模式中，对主控芯片内的flash存储控制方法的流程示意图。所述电子设备
以智能传感器设备为例，在所述智能传感器设备处于正常工作模式期间，若主控芯片的mcu接收到计时器周期性中断信息、外部按键触发信息或传感器触发信息等由预设事件触发的中断信息时，表示当前检测到主控芯片的唤醒请求，主控芯片内的mcu被唤醒，并在初始化完成后立刻控制adc测量主控芯片的供电电压，具体的可以使adc持续200ms对主控芯片的供电电压进行采样测量。如果供电电压＜2.2v，则flash存储器维持第一状态，以禁止对其进行擦写操作，此时mcu直接保持睡眠状态，而不用执行其他操作。如果供电电压＞2.2v，flash存储器处于第二状态，允许mcu对其执行擦写操作，则mcu根据擦写请求对flash存储器执行擦写操作，在擦写操作完成后再控制flash存储器处于第一状态，而mcu再次进入睡眠状态，直到有新的唤醒请求出现。这里需要说明的是，所述外部按键触发信息是由所述电子设备的按键开关被按压而产生的相应信息，所述传感器触发信息是指传感器检测到感测对象时所产生的感测信息。
81.继续参阅图12所示，在所述电子设备处于正常工作模式期间，若mcu检测电子设备上的按键开关被按压按键3-5s后，则检测到当前存在离网请求，则所述电子设备进入离网操作模式，在所述离网模式下，主控芯片内的adc开始开始测量主控芯片的供电电压是否满足设定条件，如测量的所述供电电压是否大于2.2v，若是，则控制flash存储器的擦写保护端wp的电位处于高电位，flash存储器处于第二状态，此时允许对flash存储器执行擦写操作，则主控芯片内的mcu根据擦写请求将诸如网格参数等离网绑定相关信息从flash存储器中擦除，在擦除完成后，mcu控制flash的擦写保护端wp的电位处于低电位，flash存储器处于第一状态。若测量的所述供电电压小于2.2v时，则所述flash存储器的擦写保护端wp的电位继续维持为低电位，flash存储器维持为第一状态，以避免对其进行异常的擦写操作。
82.在本技术的一些实施例中，所述主控模块内的存储模块控制方法主要用于解决电池供电设备在工作的过程中有瞬间脉冲大电流使主控模块的供电电压被瞬间拉低导致主控模块内的存储模块被篡改而造成设备不能正常使用的问题。所述主控模块内的存储模块控制方法在实现对存储模块的擦写保护时，不用增加硬件物料，可降低设备的物料成本。
83.请参阅图13，在一些实施例中，本技术还提供了一种主控模块内的存储模块控制装置，其包括电压获取模块101和擦写操作模块。其中，获取模块101，用于若接收到对所述存储模块的擦写请求，则获取所述主控模块的当前电压信息；擦写操作模块102，用于基于所述当前电压信息，根据所述擦写请求对所述存储模块进行擦写操作。本技术实施例提供的主控模块内的存储模块控制装置无需额外增加硬件物料，便可实现存储模块的擦写保护，在防止存储模块的信息因突然掉电被篡改的同时，不会过于增加设备功耗以及增加设备的硬件成本。
84.请参阅图14，在一些实施例中，本技术还提供了一种主控模块，所述主控模块包括201处理器及存储器202，所述存储器202内存储有可被所述处理器201执行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器201执行时实现依据本技术任意一实施例中所述的主控模块内的存储模块的控制方法。在一些实施例中，所述处理器201可以为处理模块mcu，所述存储器202包括前述的存储模块，如flash存储器。在需要对flash存储器进行擦写操作时，所述mcu获取所述主控模块的当前电压信息，以及判断所述主控模块的当前电压信息是否满足设定条件，若是，所述mcu向所述flash存储器发送的擦写保护信号处于第一状态，以控制所述flash存储器的状态由第一状态切换为第二状态。在所述flash存储器处于第二状态后，
所述mcu对所述flash存储器执行擦写操作。在所述擦写操作执行完成后，所述mcu向所述flash存储器发送的擦写保护信号处于第二状态，以控制所述flash存储器的状态由所述第二状态切换为所述第一状态，所述mcu自身则进入睡眠状态，若当前电压信息不满足设定条件，所述mcu控制所述flash存储器的状态保持为第一状态后，所述mcu自身进入睡眠状态。在一些实施例中，所述主控模块内还包括模数转换器203，在需要对flash存储器进行擦写操作时，所述mcu控制所述模数转换器对所述flash存储器的供电电压进行采样测量，获得所述供电电压的电压采样值，并将所述电压采样值发送至所述mcu。在所述主控芯片控制的电子设备处于入网后的正常工作模式期间，所述mcu获取到中断请求指令时，被唤醒，并判断出当前需要对flash存储器进行擦写操作。在所述电子设备处于未入网模式下时，若所述按键开关被按压超过设定时间时，所述电子设备的按键电路向所述mcu发送按键触发信息，所述mcu被唤醒，并判根据当前是否获取到网络信息，判断当前是否需要对flash存储器进行擦写操作，并在flash存储器被擦写完成后，锁定flash存储器，再进入睡眠状态。此外，在所述电子设备处于所述正常工作模式期间，若按键开关被按压超过设定时间，所述按键电路向所述mcu发送表征离网请求的按键触发信息，所述mcu根据所述按键触发信息，判断当前是否需要对flash存储器进行擦写操作。
85.请参阅图15，在一些实施例中，本技术还提供了一种电子设备，所述电子设备包括依据本技术任意一实施例提供的主控模块301。所述电子设备可以但不局限于诸如智能猫眼，门铃，便携式摄像头以及烟感，门窗传感器，红外人体传感器等智能传感器。所述电子设备还包括向所述主控模块供电的电池模块302。电池通过所述电池供电模块给所述主控模块供电，所述电池如18650锂电池，aa干电池，cr系列纽扣电池等。
86.在一些实施例中，所述电子设备还包括与所述主控模块电连接按键开关303，在所述电子设备处于未入网状态下时，若检测到所述按键开关303被按压超过设定时间时，则视为检测到电子设备的入网请求；在所述电子设备处于所述正常工作模式期间，若检测到所述按键开关303被按压超过设定时间时，则视为检测到所述电子设备的离网请求.进一步的所述电子设备还包括连接在所述按键开关303与主控模块301之间的按键电路304，所述按键电路304用于将所述按键开关303的按压信息发送至所述主控模块。
87.此外，本技术还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程指令；所述计算机程序指令被处理器执行时，实现依据本技术任意一实施例提供的所述芯片内flash保护方法的步骤。
88.上述处理器可能是cpu(中央处理器，central processing unit)，或者是asic(特殊应用集成电路，application specific integrated circuit)，或者是被配置成实施本发明实施例的一个或多个集成电路。运动目标的检测设备包括的一个或多个处理器，可以是同一类型的处理器，如一个或多个cpu；也可以是不同类型的处理器，如一个或多个cpu以及一个或多个asic。
89.上述存储器可能包含高速ram(随机存取存储器，random access memory)，也可能还包括nvm(非易失性存储器，non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。
90.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围之内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。