一种导电膜及电子设备的制作方法

1.本实用新型涉及导电膜技术领域，特别是涉及一种导电膜及电子设备。


背景技术：

2.随着科学技术的发展，越来越多具有触摸功能的终端设备朝着柔性化、轻薄化发展。透明导电膜因其透过率高，导电性能好，广泛的应用在平板显示、光伏器件、触控面板和电磁屏蔽等领域，具有广阔的市场空间。
3.现有技术中的金属网格类透明导电膜一般在透明基底层上制作一层导电层，其通常包括透明基底层，以及相关金属埋入层，透明基底层表面具有图形化、相连通的凹槽网格，导电材料填充于凹槽网格之中形成导电膜。
4.常规埋入式网格导电膜是将导电材料填充凹槽并固化，其电阻受凹槽深度宽度、导电材料电阻率和网格占空比而限制，凹槽深度宽度受设备限制难以大幅增加，导电材料常规使用的银浆亦受原材料限制无法大幅降低电阻率。
5.前面的叙述在于提供一般的背景信息，并不一定构成现有技术。


技术实现要素：

6.本实用新型的目的在于提供一种低电阻的导电膜及电子设备。
7.本实用新型提供一种导电膜，包括：基底层；结构层，设置在所述基底层上，所述结构层的远离所述基底层的第一表面上设有至少一个凹槽；第一导电层，所述第一导电层成型于所述凹槽内；第二导电层，所述第二导电层设置在所述结构层的第一表面上。
8.进一步地，所述第二导电层同时覆盖至少部分所述结构层的第一表面和至少部分所述第一导电层的第二表面，所述第一导电层的第二表面为所述第一导电层的远离所述基底层的表面。
9.进一步地，所述第一导电层的第二表面与所述结构层的第一表面齐平。
10.进一步地，所述第二导电层的纵向投影位于所述结构层的纵向投影内，或，与所述结构层的纵向投影重合。
11.进一步地，所述第二导电层包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部与所述第二导电部之间形成镂空部，所述镂空部至少部分位于所述结构层的正上方。
12.进一步地，所述基底层为pet，pc，pmma中的一种。
13.进一步地，所述第一导电层和所述第二导电层分别为采用银纳米浆料、铜纳米浆料或石墨烯浆料中的一种或多种浆料形成的结构。
14.进一步地，所述凹槽的宽度为1-20um，所述凹槽的深度为1-20um。
15.进一步地，所述导电膜的第一导电层的电阻范围为0.1-100欧姆/平方米，第二导电层的电阻范围为0.05-100欧姆/平方米。
16.本实用新型还提供一种电子设备，包括如上所述的导电膜。
17.本实用新型提供的导电膜通过埋入式的第一导电层和覆盖在结构层表面的第二
导电层，在不改变凹槽宽度深度的情况下，提高导电材料的横截面积，大幅降低导电膜的电阻。
附图说明
18.图1为本实用新型第一实施例导电膜的截面结构示意图；
19.图2为本实用新型第二实施例导电膜的截面结构示意图。
具体实施方式
20.下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
21.第一实施例
22.请参考图1，本实用新型第一实施例提供一种导电膜，包括：基底层10、结构层20、第一导电层30和第二导电层40。基底层10用以承托结构层20，基底层10直接与结构层20的下表面抵接。基底层10选用透光率较高的材质制备，可采用pet、pc、pmma中的一种。
23.结构层20为涂覆在基底层10上的uv光固化胶，厚度大于20um。结构层20的第一表面设有多个凹槽(未标示)，第一表面为结构层20远离基底层10的那一面，即图1中结构层20的上表面。凹槽为网格状的图案化结构，宽度为1-20um，深度为1-20um。
24.第一导电层30容纳于凹槽内，即第一导电层30的宽度等于凹槽的宽度，第一导电层30的厚度小于等于凹槽的深度，其中，各个凹槽的深度可以根据实际需要设置，可以相同，也可以不同。优选地，各个凹槽的深度相同。
25.第二导电层40设置在第一导电层30和/或结构层20的上表面，第二导电层的上表面高于结构层的20的上表面。
26.在本实施例中，第二导电层40同时覆盖至少部分结构层20的第一表面和至少部分第一导电层30的第二表面，第一导电层30的第二表面为第一导电层30的远离基底层10的表面，即图1中第一导电层30的上表面。
27.可以理解的，第二导电层40的纵向投影面积小于等于结构层20的纵向投影面积，第二导电层40的纵向投影容纳于结构层20的纵向投影中或与结构层20的纵向投影重合。第一导电层30的纵向投影面积小于第二导电层40的纵向投影面积，第一导电层30的纵向投影容纳于第二导电层40的纵向投影中。
28.即从纵向角度看，第一导电层30的覆盖面积小于第二导电层40的覆盖面积，第二导电层40的覆盖面积小于等于结构层20的覆盖面积。
29.在本实施例中，第一导电层30的上表面与结构层20的上表面齐平，即第一导电层30的厚度等于凹槽的深度，第一导电层30将凹槽填满。
30.在其他实施例中，凹槽的开口端宽度也可以大于其底部宽度，例如，凹槽的截面形状为倒梯形、倒三角形等。这样设置的好处在于，当第二导电层40采用印刷的方式制作时，开口端的宽度大有利于印刷。
31.在本实施例中，第二导电层40包括第一导电部41和第二导电部42，第一导电部41与第二导电部42是网格状的第二导电层40中相邻的两段。第一导电部41与第二导电部42之间形成镂空部50，镂空部50至少部分位于结构层20的上方，即结构层20并没有完全被第二
导电层40覆盖。
32.可以理解的，由于第一导电层30和第二导电层40的透光率低，结构层20的透光率高，当第二导电层40覆盖在结构层20的表面时，会使导电膜的整体透光率下降。
33.在本实施例中，第二导电层40的覆盖面积越大，代表导电膜中导电材料的横截面积越大，导电膜的电阻越小，但同样导电膜的透光率也越小。第二导电层40的覆盖面积与导电膜的电阻、透光率均成反比。但第二导电层40不仅有宽度参数，还有厚度参数，第二导电层的覆盖面积只需提高一点，导电膜的电阻会大幅下降。该方案可以运用在对于对透光率无要求但电阻有要求的区域，例如面板的边框位置等被遮蔽的非外露面。
34.第一导电层30、第二导电层40采用银纳米浆料、铜纳米浆料或石墨烯浆料中的一种或多种导电浆料。优选地，第二导电层40为纳米颗粒级别的浆料，第一导电层30为微米级别的浆料，由于第一导电层30的覆盖面相对于第二导电层40较小，使用微米级别的导电浆料更便宜，从而也降低了导电浆料的成本。第一导电层30的电阻范围为0.1-100欧姆/平方米，第二导电层的电阻范围为0.05-100欧姆/平方米。
35.本实用新型实施例还提供一种导电膜的制作方法，该方法用于制作上述的导电膜，包括：
36.s1：提供基底层10，在基底层10上形成结构层20，结构层20内形成有多个凹槽。
37.具体地，在基底层10上涂覆一层uv光固化胶，利用一具有各导电层图形的模具，在uv光固化胶上进行一次压印，形成深度相同的多个凹槽，然后进行固化；固化后，该uv光固化胶即形成结构层20。多个凹槽形成的图形为网格状。
38.s2：在凹槽内通过刮涂的方式填充导电材料，固化后形成第一导电层30。
39.具体地，在上述凹槽内通过刮涂的方式只需填充一次导电材料，填充的导电材料的厚度等于凹槽的深度，固化后，形成第一导电层30，即形成为导电线路。
40.s3：在结构层20的上表面通过印刷的方式填充导电材料，固化后形成第二导电层40，第二导电层40重叠设置在第一导电层30和结构层20上。
41.具体地，当第一导电层30的厚度小于凹槽的深度时，由于印刷的导电材料在高温固化时可流动填满凹槽，只需在第一导电层30成型后，通过一次印刷工艺即可填满电连接部32的凹槽，满足了凹槽内的导电材料填充量的同时，减少了导电材料的填充次数，从而降低了成本。
42.本实施例还包括一种电子设备，包括如上所述的导电膜。
43.本实施例提供的导电膜通过埋入式的第一导电层30和覆盖在结构层表面的第二导电层40，在不改变凹槽宽度深度的情况下，提高导电材料的横截面积，大幅降低导电膜的电阻。与提高凹槽深度、宽度的方案相比，既不用为加深凹槽增加成本，也不用多次填充导电材料，对于对透光率无要求但电阻有要求的区域提供了新的方案。
44.第二实施例
45.请参考图2，本实用新型第二实施例提供的导电膜与上述实施例的区别是，结构层20'涂覆在基底层10'上，结构层20'的第一表面设有多个凹槽，第一导电层30'的厚度小于凹槽的深度，第一导电层30'的第二表面(上表面)与结构层20'的第一表面(上表面)不齐平。
46.第二导电层40'部分设置在凹槽内，第二导电层40'将凹槽填满后继续涂覆至结构
层20'的第一表面。
47.第二导电层40'包括第一导电部41'和第二导电部42'，第一导电部41'与第二导电部42'是网格状的第二导电层40'中相邻的两段。第一导电部41'与第二导电部42'之间形成镂空部50'，镂空部50'至少部分位于结构层20'的上方，即结构层20'并没有完全被第二导电层40'覆盖。
48.在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”、“设置在”或“位于”另一元件上时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
49.在本文中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语的具体含义。
50.在本文中，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了表达技术方案的清楚及描述方便，因此不能理解为对本实用新型的限制。
51.在本文中，用于描述元件的序列形容词“第一”、“第二”等仅仅是为了区别属性类似的元件，并不意味着这样描述的元件必须依照给定的顺序，或者时间、空间、等级或其它的限制。
52.在本文中，除非另有说明，“多个”、“若干”的含义是两个或两个以上。
53.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
54.在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，除了包含所列的那些要素，而且还可包含没有明确列出的其他要素。
55.以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。