一种电容式触控屏的制作方法

1.本实用新型涉及触控技术领域，尤其涉及一种电容式触控屏。


背景技术：

2.现有的电容式触控屏通常包括两组交叉的导线，每组导线包括多个周期性分隔设置的导电块，在两组导线的交叉处，一组导线的每两个导电块之间通过连接部相连，另一组导线的导电块则在交叉处设置桥接部结构或者隧道结构进行连接，并且在两组导线之间设置有绝缘块，以使得两组导线之间的电路导通互相不影响。
3.现有技术中，通过加大桥接部的宽度，增大桥接部与导电块的接触面积，从而降低了接触电阻，提升了面内抗静电能力，但是在桥接部的宽度变大之后，导致交叉处的金属可见性明显增加，从而影响了触控屏的视觉效果，并且加大桥接部的宽度之后，相应的绝缘块的宽度也要加大，同样也会影响触控屏的视觉效果，目前采用在桥接部处增加挖孔的方式，增加透光率。


技术实现要素：

4.本实用新型旨在解决至少一个背景技术中的问题。为此，本实用新型提出一种电容式触控屏，所述电容式触控屏具有良好的抗静电能力，并且具有良好的视觉效果。
5.根据本实用新型第一方面实施例的一种电容式触控屏，包括有基板，所述基板上包括有多条第一导线和第二导线，多条所述第一导线和多条所述第二导线垂直设置，所述第一导线包括多个连续排布的第一导线块以及连接于相邻第一导线块之间的桥接部，所述第二导线包括多个连续排布的第二导线块以及连接于相邻第二导线块之间的连接部，所述桥接部的宽度w1的取值范围为：14μm≤w1≤250μm，所述桥接部与所述连接部之间设置有绝缘块，所述绝缘块的光学折射率的取值范围为：1.6≤r≤1.8，本方案的电容式触控屏可以通过设置光学折射率的取值范围为：1.6≤r≤1.8的绝缘块，能够实现桥点处的透光性和触控屏其余位置的透光率一致，同时通过设置桥接部的宽度w1的范围为14μm到250μm之间，能够提升触控屏的抗静电能力，优选的，当绝缘块的光学折射率r为1.71时效果最佳。
6.根据本实用新型的另一个实施例，所述绝缘块为oc胶，oc胶具有良好的透光率，并且材料容易获取。
7.根据本实用新型的另一个实施例，所述oc胶包括二氧化锆、三氧化二铝或二氧化钛中的任一种或多种组合，从而使得oc胶具有光学折射率的取值范围为：1.6≤r≤1.8。
8.根据本实用新型的另一个实施例，所述基板与所述第一导线层、所述第二导线层之间设置有第一im膜层，起到缓冲和保护的作用。
9.根据本实用新型的另一个实施例，所述第一导线层、所述第二导线层上面设置有第二im膜层，起到保护的作用。
10.根据本实用新型的另一个实施例，所述绝缘块的宽度w2大于所述桥接部的宽度w1。
11.根据本实用新型的另一个实施例，所述绝缘块的宽度w2的取值范围为： 150μm≤w2≤300μm。
12.根据本实用新型的另一个实施例，所述第一导线和所述第二导线的材料均为氧化铟锡。
13.根据本实用新型的另一个实施例，所述桥接部的投影图形为长方形、正方形、圆形、椭圆形或菱形中的任意一种或多种组合。
14.根据本实用新型的另一个实施例，所述桥接部的厚度为厚度φ的取值范围为：0.5μm≤φ≤5μm。
15.本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
16.附图仅用于示出实施方式，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
17.图1为本技术提供的电容式触控屏的实施例的示意图；
18.图2为本技术提供的电容式触控屏的实施例的剖面示意图；
19.图3为本技术提供的电容式触控屏的实施例的另一个剖面示意图；
20.图4为本技术提供的电容式触控屏的实施例的另一个剖面示意图；
21.图5为本技术提供的电容式触控屏的另一个实施例的剖面示意图。
22.图中标记的含义为：
23.10、触控屏；
24.100、基板；
25.110、第一导线；111、第一导线块；112、桥接部；
26.120、第二导线；121、第二导线块；122、连接部；
27.130、绝缘块；
28.140、第一im膜层；
29.150、第二im膜层；
30.160、第一绝缘层。
具体实施方式
31.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
32.在本实用新型的描述中，需要理解的是，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
33.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地
连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
34.为说明本技术提供的电容式触控屏10，以下结合说明书附图及实施例的文字说明进行详细阐述。
35.下面参考图1-图5描述根据本实用新型实施例的一种电容式触控屏10，包括有基板100，基板100上包括有多条第一导线110和第二导线120，多条第一导线110和多条第二导线120垂直设置，可以理解的是，多条第一导线 110和多条第二导线120之间可以设置绝缘层进而实现第一导线110与第二导线120之间电气绝缘设置，进一步的，第一导线110包括多个连续排布的第一导线块111以及连接于相邻第一导线块111之间的桥接部112，第二导线120 包括多个连续排布的第二导线块121以及连接于相邻第二导线块121之间的连接部122，进一步的，桥接部112的宽度w1的取值范围为：14μm≤w1 ≤250μm，桥接部112与连接部122之间设置有用于避免桥接部112与连接部122在垂直方向上直接接触进而发生短路的绝缘块130，绝缘块130的光学折射率的取值范围为：1.6≤r≤1.8，可以理解的是，在第一导线110与第二导线120在投影方向上相交的位置，需要设置桥接结构或者隧道结构，从而避免第一导线110与第二导线120之间发生短路现象，本方案的电容式触控屏10可以通过设置光学折射率的取值范围为：1.6≤r≤1.8的绝缘块130，能够实现桥点处的透光性和触控屏10其余位置的透光率一致，同时通过设置桥接部112的宽度w1的范围为14μm到250μm之间，能够提升触控屏10的抗静电能力。
36.需要说明的是，桥接部112的宽度w1过小的话，容易出现个别桥接部 112与第一导线块111之间连接不牢容易产生脱落的问题，并且桥接部112的面积过小，又会增大了接触电阻，减弱了静电承载能力，若桥接部112的宽度w1过大的话，设置在桥接部112与连接部122之间的绝缘块130的面积也要相应增加，从而造成成本的增加，因此通过设置桥接部112的宽度w1的取值范围为：14μm≤w1≤250μm，优选的，w1的取值范围为：80μm≤w1 ≤220μm，能够保证桥接部112与第一导线块111之间连接牢固，同时并且由于桥接部112的面积增大，又增强了静电承载能力，有效提升了电容触控屏10的性能，并且还能够节约制造成本。
37.需要说明的是，第一导线110所在层可以设置在基板100上，进而绝缘块130、桥接部112以及第二导线120所在层依次设置于第一导线110所在层上，在其他的实施例中第二导线120所在层可以设置在基板100上，进而绝缘块130、桥接部112以及第一导线110所在层依次设置于第二导线120所在层上。
38.需要说明的是，绝缘块130可以为oc胶、cpi、光油、氮化硅或氮氧化硅聚合物中的一种，其中oc胶、cpi、光油、氮化硅或氮氧化硅聚合物均具有高的透光性，以及较差的导电性，即具有良好的绝缘性能，因此，也可以选择其他具有良好的透光性以及绝缘性能的材料作为绝缘块130的原材料。
39.需要说明的是，桥接部112的宽度w1根据桥接部112的形状不用而具有不同的定义，例如当桥接部112为长方形时，沿其长度方向垂直的方向的长度即为宽度，此时各部分的宽度一致，当桥接部112为等腰梯形时，与其底边和顶边平行方向的长度即为宽度，此时不同位置的宽度不同，此时只要满足最小的宽度为14μm并且最大的宽度为250μm即可。
40.根据本实用新型的一个实施例，如图2-图5所示，绝缘块130为oc胶， oc胶可以为
正性oc胶和负性oc胶，其具有较高的光透过率和良好的绝缘性能，进一步的，oc胶中具有二氧化锆、三氧化二铝或二氧化钛中的任一种，通过在oc胶中增加二氧化锆、三氧化二铝或二氧化钛中的任一种，能够提升 oc胶的光学折射率r达到1.6-1.8的范围，从而能够实现桥点处的透光性和触控屏10其余位置的透光率一致，减少节点处对于触控屏10整体的视觉可见性的影响。
41.需要说明的是，也可以通过在oc胶中增加其他成本，从而使得oc胶的光学折射率r达到1.6-1.8的范围，在此不做具体的限定。
42.根据本实用新型的一个实施例，如图2-图4所示，基板100与第一导线 110所在层、第二导线120所在层之间设置有第一im膜层140，im膜层即为消影增透透明导电薄膜，通过设置第一im膜层140，能够解决不同膜层色差的问题，同时提高可见光透过率。
43.根据本实用新型的一个实施例，如图2、图3和图5所示，第一导线110 所在层、第二导线120所在层上面设置还有第二im膜层150，进一步解决不同膜层色差的问题，同时提高可见光透过率，进一步的，在一些实施例中，第二im膜层150上还设置有第一绝缘层160，进而提高电容式触控屏10的各部分的光学透过率的一致性。
44.根据本实用新型的一个实施例，如图1-图5所示，绝缘块130的宽度w2 大于桥接部112的宽度w1，绝缘块130的目的在于隔绝桥接部112和连接部 122，因此，在投影方向上绝缘块130的宽度w2需要大于桥接部112的宽度 w1，进一步的，当14μm≤w1≤250μm时，绝缘块130的宽度w2相应的取值范围为：15μm≤w2≤300μm，可以理解的是，当满足14μm≤w1≤ 250μm，以及15μm≤w2≤300μm时，还需要满足绝缘块130的宽度w2 需要大于桥接部112的宽度w1，例如，w1＝150μm，w2＝170μm，此时能满足桥接部112与第一导线块111之间连接牢固可靠，同时具有良好的静电承载能力，使得电容触控屏10具有良好的性能，优选的，当绝缘块130的宽度 w2的取值范围为：90μm≤w2≤250μm时，效果最佳。
45.根据本实用新型的一个实施例，第一导线110和第二导线120的材料均为氧化铟锡，氧化铟锡薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性，因此能够使得第一导线 110和第二导线120具有良好的光透过率以及良好的化学稳定性。
46.根据本实用新型的一个实施例，如图1所示，桥接部112的投影图形为长方形、正方形、圆形、椭圆形或菱形中的任意一种，可以理解的是，电容式触控屏10中的多个第一导线110和第二导线120的节点处的桥接部112形状可以相同或者不同，例如，在一个实施例中所有桥接部112形状均为长方形，在另一个实施例中部分桥接部112形状为长方形，部分桥接部112形状均为圆形，也就是说，桥接部112的形状可以为一种特定形状，也可以是多种形状之间的组合，在此不做具体限定。
47.根据本实用新型的一个实施例，桥接部112的厚度φ的取值范围为：0.5 μm≤φ≤5μm，此时使得桥接部112能够更好地与第一导线块111连接，并且能够保证桥接部112具有良好的光学性能。
48.以上为本技术提供的掩膜装置为较佳实施例，并不能理解为对本技术权利保护范围的限制，本领域的技术人员应知晓，在不脱离本技术构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的改进或替换都应在本技术的权利保护范围内，即本技术的权利保护范围应以权利要求为准。
49.在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征可以相互结合。