一种介质谐振器天线的辐射零点构造方法及装置与流程

[0001] 本发明涉及一种介质谐振器天线（dielectric resonator antenna，dra）。


背景技术：

[0002]
滤波器的传输零点（transmission zero）是指一个频率，在该频率处滤波器的传输函数等于零，即在该频率处任何信号都不能通过滤波器。
[0003]
滤波天线（filtering antenna）是滤波器与天线的结合。滤波天线具有与滤波器相似的特性。辐射零点（radiation zero）是指滤波天线在某一频率处既不接收、也不辐射信号，表现为对该频率点输入信号形成强反射（类似滤波器的传输零点），且在该频点的辐射增益很低。介质谐振器天线是一种滤波天线，通常用于微波及更高频段。
[0004]
现有的介质谐振器天线构造、设计辐射零点依赖于定性分析及扫参（扫描参数）试错，虽可直观地表征辐射零点的产生原理，但缺少具有说服力及指导性的定量分析，这使得相关设计方法的效率较低、通用性较差。
[0005]
一种现有的介质谐振器天线构造辐射零点的方法是：以介质谐振器天线结构的多个固有的电磁谐振模式为基础，通过模式辐射对消、或辐射模与非辐射模间的强耦合在特定频段构造辐射零点。从电磁理论来讲，常见金属及介质结构都有多个固有的电磁谐振模式。单一的电磁谐振模式表现为在特定频率、特定电磁场分布下，谐振系统的电储能与磁储能形成内部守恒的状态，在系统内部电磁场的不断振荡中完成内部电、磁能量的转化。该方法的不足在于对多个电磁谐振模式的操控手段有限，且缺少有效手段来监测各电磁谐振模式的变化并表征其间的相互作用，这使得该方法所构造的辐射零点自由度受限，即辐射零点的频率不能自由设计。


技术实现要素：

[0006]
本发明所要解决的技术问题是解决滤波天线中辐射零点的设计自由度不足及构造困难的问题，提出了一种基于介质嵌套的介质谐振器天线的辐射零点构造方法，并开发出了基于子结构特征模分析的设计理论。
[0007]
为解决上述技术问题，本发明公开了一种介质谐振器天线的辐射零点构造方法，包括如下步骤。步骤s1：采用特征模分析方法确定自由空间中第一介质块的谐振频率以及在第一介质块背景媒质中的第二介质块的谐振频率，通过调整第一介质块的形状和/或尺寸使其谐振频率落在所需工作频带内，通过调整第二介质块的形状和/或尺寸使其谐振频率尽量接近于所需的辐射零点频率。步骤s2：将第二介质块嵌入第一介质块中，采用子结构特征模分析方法以第一介质块为主谐振体、第二介质块为加载体进行分析，获得第一介质块的子结构特征模信息，称为第一特征模式信息；还以第二介质块为主谐振体、第一介质块为加载体进行分析，获得第二介质块的子结构特征模信息，称为第二特征模式信息。步骤s3：判断第一特征模式信息和第二特征模式信息是否具备在特定频点完成辐射对消的可能；如果是，进入步骤s4；如果否，回到步骤s1修改第一介质块和/或第二介质块的形状、尺
寸、和/或介电常数。步骤s4：判断第一特征模式信息和第二特征模式信息是否能够形成辐射对消的模式对；如果是，进入步骤s5；如果否，回到步骤s1修改第一介质块和/或第二介质块的形状、尺寸、和/或介电常数。步骤s5：对所述第二介质块嵌入第一介质块的结构采用子结构特征模分析方法以介质谐振器整体为主谐振体进行分析，获得介质谐振器整体的特征模式信息，称为第三特征模式信息；通过修改第一介质块和/或第二介质块的形状、尺寸、介电常数、和/或相对位置，使得第三特征模式信息中在所需的辐射零点频率构造出辐射零点。
[0008]
进一步地，所构造的辐射零点的频率由第二介质块的尺寸决定。
[0009]
进一步地，所述步骤s3中，如果同时满足以下三个条件，则判定为第一特征模式信息和第二特征模式信息具备在特定频点完成辐射对消的可能；否则判定为第一特征模式信息和第二特征模式信息不具备在特定频点完成辐射对消的可能。条件一：第一特征模式信息中的第一模式谐振频率和第二特征模式信息中的第二模式谐振频率相近，且第一特征模式信息在第一模式谐振频率附近的第一模式重要性系数及第一模式权重系数都≥0.6的频段与第二特征模式信息在第二模式谐振频率附近的第二模式重要性系数及第二模式权重系数都≥0.6的频段有重叠。条件二：第一特征模式信息和第二特征模式信息的电流分布不具备正交性。条件三：第一特征模式信息和第二特征模式信息的方向图都在天线预定的目标辐射方向有≥3db的方向性系数。
[0010]
进一步地，所述步骤s3中，采用子结构特征模分析方法对第一特征模式信息通过第一模式重要性系数与第一模式激励系数计算出第一模式权重系数，还对第二特征模式信息通过第二模式重要性系数与第二模式激励系数计算出第二模式权重系数，基于第一特征模式信息和第二特征模式信息的谐振频率、重要性系数、权重系数，同时参考由这两个模式的场分布绘制的电流矢量图及方向图进行判断。
[0011]
进一步地，所述步骤s4中，如果同时满足以下两个条件，则判定为第一特征模式信息和第二特征模式信息能够形成辐射对消的模式对；否则判定为第一特征模式信息和第二特征模式信息暂时不能形成辐射对消的模式对。条件四：第一特征模式信息的电流矢量图和第二特征模式信息的电流矢量图具有相似性；当第一模式电流和第二模式电流的相位同步时，如果两幅电流矢量图的同向矢量交叠区域的体积＞反向矢量交叠区域，且同向矢量交叠区域的场值均值＞反向矢量交叠区的场值均值，判定为两者具有相似性；否则判定为两者不具有相似性。条件五：第一特征模式信息的方向图和第二特征模式信息的方向图具有相似性；如果两幅方向图的最大辐射方向相同、或两幅方向图的最大辐射方向的半功率波束宽度重合率≥80%，判定为两者具有相似性；否则判定为两者不具有相似性。
[0012]
可选地，所述步骤s3中，将条件二改为与条件四相同。
[0013]
进一步地，在步骤s5之后还包括步骤s6：以探针及同轴接头于第一介质块的侧壁对介质谐振器整体进行激励；调整以下参数的一种或多种——探针的长度、探针与第一介质块的接触位置、同轴接头与第一介质块的接触位置——以满足阻抗匹配要求。
[0014]
优选地，第二介质块的介电常数是第一介质块的10倍以上。这样当第二介质块嵌入第一介质块后，两者的相交体积较小时，仍能确保第二介质块块处于强谐振状态，以此保证二者部分嵌套后，第二介质块原本的谐振特性不会变化。
[0015]
进一步地，所述步骤s2中，如果第二介质块嵌入第一介质块的结构中，两者的相交
体积≤第二介质块的体积的10%，则将第二特征模式信息的获取方式改为对第二介质块在自由空间中采用子结构特征模分析方法以第二介质块为主谐振体、自由空间为加载体来进行分析，获得第二介质块的子结构特征模信息，称为第二特征模式信息。
[0016]
本发明还公开了一种介质谐振器天线的辐射零点构造装置，包括介质块设计单元、嵌入分析单元、可能性预判单元、辐射对消形成单元、辐射零点构造单元。所述介质块设计单元用来采用特征模分析方法确定自由空间中第一介质块的谐振频率、以及在第一介质块背景媒质中的第二介质块的谐振频率，通过调整第一介质块的形状和/或尺寸使第一介质块的谐振频率落在所需工作频带内，通过调整第二介质块的形状和/或尺寸使第二介质块的谐振频率尽量接近于所需的辐射零点频率。所述嵌入分析单元用来将第二介质块嵌入第一介质块中，采用子结构特征模分析方法以第一介质块为主谐振体、第二介质块为加载体来进行分析，获得第一介质块的子结构特征模信息，称为第一特征模式信息；还以第二介质块为主谐振体、第一介质块为加载体来进行分析，获得第二介质块的子结构特征模信息，称为第二特征模式信息。所述可能性预判单元用来判断第一特征模式信息和第二特征模式信息是否具备在特定频点完成辐射对消的可能；如果是，将第一特征模式信息和第二特征模式信息传递给辐射对消形成单元；否则由介质块设计单元修改第一介质块和/或第二介质块的形状、尺寸、和/或介电常数。所述辐射对消形成单元用来判断第一特征模式信息和第二特征模式信息是否能够形成辐射对消的模式对；如果是，后续交给辐射零点构造单元处理；否则由介质块设计单元修改第一介质块和/或第二介质块的形状、尺寸、和/或介电常数。所述辐射零点构造单元用来对所述第二介质块嵌入第一介质块的结构采用子结构特征模分析方法以介质谐振器整体为主谐振体来进行分析，获得介质谐振器整体的特征模式信息，称为第三特征模式信息；通过修改第一介质块和/或第二介质块的形状、尺寸、介电常数、和/或相对位置，使得第三特征模式信息中在所需的辐射零点频率构造出辐射零点。
[0017]
本发明取得的技术效果是仅需通过修改辐射结构本身即可获得频率可控的辐射零点，有助于提升滤波天线的性能。
附图说明
[0018]
图1是本发明提出的介质谐振器天线的辐射零点构造方法的流程示意图。
[0019]
图2是本发明提出的介质谐振器天线的辐射零点构造装置的结构示意图。
[0020]
图3是采用本发明所述方法设计的一款带有辐射零点的介质谐振器天线的结构示意图。
[0021]
图4是图3所示介质谐振器天线在加入圆柱介质块前后的散射参数s11的曲线示意图。
[0022]
图5是图3所示介质谐振器天线的增益曲线示意图。
[0023]
图6是图3所示介质谐振器天线在圆柱介质块不同高度下的散射参数s11的曲线示意图。
[0024]
图中附图标记说明：1为介质块设计单元、2为嵌入分析单元、3为可能性预判单元、4为辐射对消形成单元、5为辐射零点构造单元、61为矩形介质块、62为圆柱介质块、62为探针、64为同轴接头、65为金属地板。
具体实施方式
[0025]
请参阅图1，本发明提出的介质谐振器天线的辐射零点构造方法包括如下步骤。
[0026]
步骤s1：采用特征模分析方法确定自由空间中第一介质块的谐振频率，通过调整第一介质块的形状和/或尺寸使其谐振频率落在所需工作频带内。所述自由空间是指真空中仅有待分析物体（此处是第一介质块），没有任何其他物体。优选地，所述第一介质块的形状是长方体，用于确定谐振频率的尺寸包括如下的一种或多种：长方体的长、宽、高。
[0027]
这一步还采用特征模分析方法确定在第一介质块背景媒质中的第二介质块的谐振频率，通过调整第二介质块的形状和/或尺寸使其谐振频率尽量接近于所需的辐射零点频率。所述“在第一介质块背景媒质中的第二介质块”是指除第二介质块以外的空间（即背景媒质）都是与第一介质块相同的材质。优选地，所述第二介质块的形状是圆柱体，用于确定谐振频率的尺寸包括如下的一种或多种：圆柱体的半径、高。
[0028]
特征模分析（characteristic mode analysis）是指采用特征模理论及其相应的数值求解器对某一特定结构进行仿真分析以提取电磁特征的方法。在理论方面，特征模分析相较于全波仿真及定性分析而言具有明显的优势，其更易于从模式及谐振的角度剖析滤波天线的工作原理，进而对滤波特性的产生给出理论依据，并将之发展为设计方法。
[0029]
步骤s2：将第二介质块嵌入第一介质块中，采用子结构特征模分析方法以第一介质块为主谐振体、第二介质块为加载体来进行分析，获得第一介质块的子结构特征模信息（即固有电磁谐振模式信息），称为第一特征模式信息。第一特征模式信息中包括第一模式谐振频率、第一模式重要性系数、第一模式激励系数、第一模式电流分布信息、第一模式场分布信息。
[0030]
这一步还对所述第二介质块嵌入第一介质块的结构采用子结构特征模分析方法以第二介质块为主谐振体、第一介质块为加载体来进行分析，获得第二介质块的子结构特征模信息（即固有电磁谐振模式信息），称为第二特征模式信息。第二特征模式信息中包括第二模式谐振频率、第二模式重要性系数、第二模式激励系数、第二模式电流分布信息、第二模式场分布信息。
[0031]
这一步中的“嵌入”没有具体的限制，两者的相对大小、相对位置关系等要基于实际仿真分析的量化结果进行调整。
[0032]
子结构特征模分析（substructure characteristic mode analysis）是指在进行特征模分析时，人为指定其中部分结构为主要分析目标（即子结构，也称主谐振体），而将其他结构当成次要目标（即次要结构，也称加载体），从而使得特征模分析结果中只显示子结构的特征模式（即固有电磁谐振模式），避免了次要结构的模式混杂其中并影响分析结果。相比常规的特征模分析算法，子结构特征模分析在计算效率与准确度上更胜一筹，其对模式物理内涵的提取也更为精准。子结构特征模分析的具体优势包含：（1）基于面积分方程进行计算，网格数量较体积分方程法大幅减少，使得求解速率大大增加。（2）可任意设定复合结构中一或多个子结构为主谐振体，而将其他结构视为不被直接激励的加载体，由此精确地提取主谐振体的特征模式，以此避免虚假模式、模式混叠等问题，并能对滤波介质谐振器天线的辐射零点形成原理进行更直观深刻的解释，进而指导辐射零点的设计构造。
[0033]
步骤s3：采用子结构特征模分析方法对第一特征模式信息通过第一模式重要性系数与第一模式激励系数计算出第一模式权重系数，还对第二特征模式信息通过第二模式重
要性系数与第二模式激励系数计算出第二模式权重系数，基于第一特征模式信息和第二特征模式信息的谐振频率、重要性系数、权重系数三个定量信息，同时参考由这两个模式的场分布这一定量信息绘制的电流矢量图及方向图，从定量的角度判断第一特征模式信息和第二特征模式信息是否具备在特定频点完成辐射对消的可能。
[0034]
如果是，进入步骤s4。
[0035]
如果否，回到步骤s1修改如下内容的一项或多项：第一介质块的形状、尺寸、介电常数；第二介质块的形状、尺寸、介电常数。其中修改介质块的介电常数是指更换介质块的材料。
[0036]
子结构特征模分析是一种可以给出定量信息的分析方法。这一步中，如果同时满足以下三个条件，则判定为第一特征模式信息和第二特征模式信息具备在特定频点完成辐射对消的可能。如果以下三个条件不能同时满足，则判定为第一特征模式信息和第二特征模式信息不具备在特定频点完成辐射对消的可能。
[0037]
条件一：第一模式谐振频率和第二模式谐振频率相近，且“第一特征模式信息在第一模式谐振频率附近的第一模式重要性系数及第一模式权重系数都大于或等于0.6的频段”与“第二特征模式信息在第二模式谐振频率附近的第二模式重要性系数及第二模式权重系数都大于或等于0.6的频段”有重叠。例如，第一模式谐振频率和第二模式谐振频率相近是指第二模式谐振频率在0.9倍至1.1倍的第一模式谐振频率的范围内，或者是指第一模式谐振频率在0.9倍至1.1倍的第二模式谐振频率的范围内。例如，第一模式谐振频率附近是指在0.9倍至1.1倍的第一模式谐振频率的范围内，第二模式谐振频率附近是指在0.9倍至1.1倍的第二模式谐振频率的范围内。条件一可被通俗地理解为：第二介质块的子结构特征模（即第二特征模式信息）与第一介质块的子结构特征模（即第一特征模式信息）在辐射零点对应的频率发生交叠，构成辐射零点的产生条件。
[0038]
条件二：第一特征模式信息和第二特征模式信息的电流分布不具备正交性（数值计算中将第一特征模式信息的电流分布与第二特征模式信息的电流分布做归一化内积大于0.5）。或者，将条件二改为后文的条件四。
[0039]
条件三：第一特征模式信息和第二特征模式信息的方向图都在天线预定的目标辐射方向（例如为顶空方向，即垂直方向）有大于或等于3db的方向性系数。每种特征模式信息的方向图可由该种特征模式信息的场分布信息绘制。
[0040]
步骤s4：判断第一特征模式信息和第二特征模式信息是否能够形成辐射对消的模式对。
[0041]
如果是，进入步骤s5。
[0042]
如果否，回到步骤s1修改如下内容的一项或多项：第一介质块的形状、尺寸、介电常数；第二介质块的形状、尺寸、介电常数。
[0043]
一旦步骤s3判定第一特征模式信息和第二特征模式信息具备在特定频点完成辐射对消的可能，那么步骤s4必然能够使第一特征模式信息和第二特征模式信息形成辐射对消的模式对。如果步骤s4暂时未满足，可回到步骤s1进行修改，可能需要修改多次，最终使步骤s4满足。
[0044]
这一步中，如果同时满足以下两个条件，则判定为第一特征模式信息和第二特征模式信息能够形成辐射对消的模式对。如果以下两个条件不能同时满足，则判定为第一特
征模式信息和第二特征模式信息暂时不能形成辐射对消的模式对。
[0045]
条件四：第一特征模式信息的电流矢量图和第二特征模式信息的电流矢量图具有相似性。在特征模求解器中判断，当第一模式电流和第二模式电流的相位同步时，如果两幅电流矢量图的同向矢量交叠区域的体积大于反向矢量交叠区域，且同向矢量交叠区域的场值均值大于反向矢量交叠区的场值均值，判定为两者具有相似性；否则判定为两者不具有相似性。每种特征模式信息的电流矢量图可由该种特征模式信息的场分布信息绘制。
[0046]
条件五：第一特征模式信息的方向图和第二特征模式信息的方向图具有相似性。例如，在特征模求解器中判断，如果两幅方向图的最大辐射方向相同、或两幅方向图的最大辐射方向的半功率波束宽度（half power beamwidth）重合率大于或等于80%，判定为两者具有相似性；否则判定为两者不具有相似性。
[0047]
步骤s5：对步骤s2记载的第二介质块嵌入第一介质块的结构采用子结构特征模分析方法以介质谐振器整体（即第一介质块和第二介质块的组合）为主谐振体来进行分析，获得介质谐振器整体的特征模式信息（即固有电磁谐振模式信息），称为第三特征模式信息。接下来通过修改如下内容的一项或多项：第一介质块的形状、尺寸、介电常数；第二介质块的形状、尺寸、介电常数；第一介质块和第二介质块之间的相对位置（嵌入位置、嵌入角度、嵌入深度等），使得第三特征模式信息中在所需的辐射零点频率构造出辐射零点。
[0048]
与自由空间分析时相比，嵌入了第二介质块的第一介质块仅有小部分区域收到影响，其谐振特性得以保留。与背景媒质为第一介质块的介质相比，第二介质块在嵌入第一介质块时周遭环境变化小，谐振特性受到的影响小。如果第二介质块没有全部嵌入第一介质块，即两者的相交体积（重叠部分的体积）较小，优选地本发明要求第二介质块的介电常数（permittivity）是第一介质块的10倍以上，确保第二介质块块处于强谐振状态，具有强谐振特性，以此保证二者部分嵌套后，第二介质块原本的谐振特性不会变化。对介质谐振器理论而言，高介电常数的介质块拥有更强的谐振特性，其表现为谐振带宽更窄、谐振场强度更大、谐振特性不易受外界影响。
[0049]
可选地，在步骤s5之后还包括步骤s6：以探针及同轴接头于第一介质块的侧壁（侧面）对介质谐振器整体进行激励。调整以下参数的一种或多种——探针的长度、探针与第一介质块的接触位置、同轴接头与第一介质块的接触位置——以满足阻抗匹配要求。
[0050]
可替换地，所述步骤s2中，如果第二介质块嵌入第一介质块的结构中，两者的相交体积小于或等于第二介质块的体积的10%，则原本的第二特征模式信息不再适用。此时将第二特征模式信息的获取方式改为对第二介质块在自由空间中采用子结构特征模分析方法以第二介质块为主谐振体、自由空间为加载体来进行分析，获得第二介质块的子结构特征模信息（即固有电磁谐振模式信息），称为第二特征模式信息。
[0051]
请参阅图2，本发明提出的介质谐振器天线的辐射零点构造装置包括介质块设计单元1、嵌入分析单元2、可能性预判单元3、辐射对消形成单元4、辐射零点构造单元5。图2所示装置对应于图1所示方法。
[0052]
所述介质块设计单元1用来采用特征模分析方法确定自由空间中第一介质块的谐振频率以及在第一介质块背景媒质中的第二介质块的谐振频率，通过调整第一介质块的形状和/或尺寸使第一介质块的谐振频率落在所需工作频带内，通过调整第二介质块的形状和/或尺寸使第二介质块的谐振频率尽量接近于所需的辐射零点频率。
[0053]
所述嵌入分析单元2用来将第二介质块嵌入第一介质块中，采用子结构特征模分析方法以第一介质块为主谐振体、第二介质块为加载体来进行分析，获得第一介质块的子结构特征模信息，称为第一特征模式信息；还以第二介质块为主谐振体、第一介质块为加载体来进行分析，获得第二介质块的子结构特征模信息，称为第二特征模式信息。
[0054]
所述可能性预判单元3用来判断第一特征模式信息和第二特征模式信息是否具备在特定频点完成辐射对消的可能。如果是，将第一特征模式信息和第二特征模式信息传递给辐射对消形成单元4。如果否，由介质块设计单元1修改如下内容的一项或多项：第一介质块的形状、尺寸、介电常数；第二介质块的形状、尺寸、介电常数。
[0055]
所述辐射对消形成单元4用来判断第一特征模式信息和第二特征模式信息是否能够形成辐射对消的模式对。如果是，后续交给辐射零点构造单元5处理。如果否，由介质块设计单元1修改如下内容的一项或多项：第一介质块的形状、尺寸、介电常数；第二介质块的形状、尺寸、介电常数。
[0056]
所述辐射零点构造单元5用来对所述第二介质块嵌入第一介质块的结构采用子结构特征模分析方法以介质谐振器整体为主谐振体来进行分析，获得介质谐振器整体的特征模式信息，称为第三特征模式信息。接下来通过修改如下内容的一项或多项：第一介质块的形状、尺寸、介电常数；第二介质块的形状、尺寸、介电常数；第一介质块和第二介质块之间的相对位置，使得第三特征模式信息中在所需的辐射零点频率构造出辐射零点。
[0057]
请参阅图3，这是采用本发明所述方法设计的一款带有辐射零点的介质谐振器天线，包括矩形介质块61、圆柱介质块62、探针63、同轴接头64和金属地板65。矩形介质块61作为第一介质块，圆柱介质块62作为第二介质块。将圆柱介质块62嵌入到矩形介质块61中，图3给出了一种示例性的嵌入方式。探针63及同轴接头64在矩形介质块61的侧壁对介质谐振器整体进行激励。功率由金属地板65上的同轴接头64的端口馈入，探针63的近场与矩形介质块61及圆柱介质块62发生耦合，激励起相应的谐振模式（即圆柱介质块62及矩形介质块61的辐射对消特征模式对），并通过圆柱介质块62及矩形介质块61的辐射对消特征模式对在特定频点的辐射对消及强互耦来形成辐射零点。这一辐射零点的频率主要由圆柱介质块62的尺寸控制，具有相当的自由度。本发明中，“强互耦”的存在是产生辐射对消并进而产生辐射零点的前提条件之一，指的是由同轴接头64馈入的能量能有效地同时传递到矩形介质块61及圆柱介质块62，其本身不具备独立的滤波性能。
[0058]
请参阅图4，这是图3所示的有辐射零点的嵌套型介质谐振器天线在加入圆柱介质块62前后的散射参数s11的曲线图。s11表示输入反射系数，也就是输入回波损耗。在加入圆柱介质块62后，s11曲线出现了反射增强点（图2中实线的最高位置，6ghz位置），即出现了辐射零点。
[0059]
请参阅图5，这是图3所示的有辐射零点的嵌套型介质谐振器天线的增益曲线。增益曲线出现了增益凹陷点（图3中曲线的最低位置，6ghz位置），即出现了辐射零点。
[0060]
本发明中，滤波天线的辐射零点完全由结构本身（及介质块形状、尺寸、相对位置）构成，区别于常规的基于馈线、馈点等的手段。并且本发明所述方法与常规方法兼容，有助于进一步增加辐射零点数量，进而提升滤波天线的选频或带阻特性。请参阅图6，这是图3所示的有辐射零点的嵌套型介质谐振器天线在圆柱介质块62的不同高度下的散射参数s11的曲线图。图6中，每条曲线最高点是反射增强点，即滤波天线的辐射零点。本发明可通过圆柱
介质块62的不同高度来实现不同频率的辐射零点。与之类似，本发明也可通过圆柱介质块62的不同半径来实现不同频率的辐射零点（未图示），因此本发明所构造的辐射零点的频率具有显著的可控型，提升了设计的自由度。
[0061]
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果。第一，辐射零点的出现与否、及出现的频率取决于第一介质块和第二介质块的谐振模式及耦合，由两介质块的形状、大小、介电常数、位置关系决定。本专利基于子结构特征模分析的构造及调节辐射零点的方法具有原理清晰及可定量化的优势。第二，本发明基于子结构特征模分析，通过不同子结构的固有谐振模式间的耦合（指存在电磁能量的传递）及辐射对消（指同时辐射的两个模式或两个物体对消了彼此的辐射）为介质谐振器天线构造辐射零点，其设计理论清晰，天线结构简单，辐射零点可控。第三，本发明与已有的滤波性能设计方法兼容，是对现有辐射零点设计方法的有效补充，可增加单一天线的辐射零点总数，获得更优的整体选频特性。
[0062]
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。