一种结温确定方法及装置与流程

本申请涉及数据处理，更具体的说是涉及一种结温确定方法及装置。

背景技术：

1、芯片封装类型选定后，封装各部分的材料及集合尺寸可以通过热性能评估进一步分析和优化，但是通常热性能评估需要多轮的迭代更新，耗费大量的人力和时间。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供如下技术方案：

2、一种结温确定方法，包括：

3、确定与芯片对应的目标封装形式；

4、基于所述目标封装形式，确定目标参数，所述目标参数表征目标封装形式内各封装材料层与所述芯片结温相关的物理参数；

5、基于所述目标参数，生成目标热阻模型，所述目标热阻模型为基于目标数量组的热电阻和热电容形成的芯片温度变化的热电阻和热电容模型，所述目标数量组的热电阻和热电容的取值能够通过所述目标参数计算获得；

6、依据所述目标热阻模型，确定所述芯片在所述目标封装形式下的结温。

7、可选地，所述基于所述目标参数，生成目标热阻模型，包括：

8、基于所述目标封装形式，确定所述芯片的封装材料层数；

9、基于所述封装材料层数，确定参数阶数；

10、基于所述参数阶数和所述目标参数，生成目标热阻模型，其中，所述目标热阻模型的模型阶数与所述参数阶数一致，所述目标数量组的个数与所述参数阶数的阶数一致。

11、可选地，所述目标热阻模型包括第一热阻模型和第二热阻模型，所述第一热阻模型为基于封装结构内各材料层的热传递属性与结温关系创建的，所述第二热阻模型为至少基于热流传输路径的等效传递函数与结温关系创建的；其中，所述基于所述目标参数，生成目标热阻模型，包括：

12、基于所述参数阶数，构建第一热阻模型；

13、基于所述目标封装形式中的热源平面，确定热源平面上下层热流比例；

14、依据所述热流比例，获取第二热阻模型，所述第二热阻模型和所述第一热阻模型具有相同的参数阶数，所述第一热阻模型和所述第二热阻模型中的目标数量组的热电阻和热电容的取值可以通过所述目标参数计算获得。

15、可选地，所述依据所述目标热阻模型，确定所述芯片在所述目标封装形式下的结温，包括：

16、基于所述第一热阻模型，计算出各个目标参数的第一参数值，所述第一参数值为基于所述第一热阻模型计算出的目标数量组的热电阻和热电容的取值；

17、基于所述第一热阻模型和第二热阻模型的关联关系，将所述第一参数值转换为第二热阻模型对应的第二参数值，所述第二参数值为与所述第二热阻模型匹配的目标数量组的热电阻和热电容的取值；

18、基于所述第二参数值和所述第二热阻模型，确定芯片在所述目标封装形式下的结温。

19、可选地，所述依据所述目标热阻模型，确定所述芯片在所述目标封装形式下的结温，包括：

20、基于所述参数阶数，构建第一热阻模型；

21、基于所述第一热阻模型，计算出各个目标参数的第一参数值；

22、基于所述第一热阻模型和第二热阻模型模型的关联关系，将所述第一参数值转换为所述第二热阻模型对应的第二参数值；

23、基于所述目标封装形式中所述芯片的热源平面，确定所述热源平面上下层热流比例；

24、基于所述热流比例和所述第二热阻模型对应的第二参数值，确定所述芯片在所述目标封装形式下的结温。

25、可选地，所述基于所述目标封装形式中所述芯片的热源平面，确定所述热源平面上下层热流比例，包括：

26、基于所述目标参数，利用所述第一热阻模型获取所述热源平面上层的第一热阻值以及所述热源平面下层的第二热阻值；

27、基于所述第一热组值和所述第二热组值，确定所述热源平面上下层热流比例。

28、可选地，所述基于所述封装材料层数，确定参数阶数，包括：

29、基于所述封装材料层数以及所述封装材料中封装外壳相邻的环境层，确定参数阶数，所述参数阶数为所述封装材料层数以及所述环境层的层数之和。

30、可选地，所述第一热阻模型为cauer热网络模型，所述第二热阻模型为foster热网络模型。

31、可选地，所述目标封装形式为芯片封装之前的候选封装形式集合中的一个，所述方法还包括：

32、基于所述芯片在所述目标封装形式下的结温，在所述候选封装形式集合中确定执行封装形式；

33、依据所述执行封装形式中的封装参数对所述芯片进行封装。

34、一种结温确定装置，包括：

35、第一确定单元，用于确定与芯片对应的目标封装形式；

36、第二确定单元，用于基于所述目标封装形式，确定目标参数，所述目标参数表征目标封装形式内各封装材料层与所述芯片结温相关的物理参数；

37、生成单元，用于基于所述目标参数，生成目标热阻模型，所述目标热阻模型为基于目标数量组的热电阻和热电容形成的芯片温度变化的热电阻和热电容模型，所述目标数量组的热电阻和热电容的取值能够通过所述目标参数计算获得；

38、第三确定单元，用于依据所述目标热阻模型，确定所述芯片在所述目标封装形式下的结温。

技术特征：

1.一种结温确定方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，所述基于所述目标参数，生成目标热阻模型，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，所述目标热阻模型包括第一热阻模型和第二热阻模型，所述第一热阻模型为基于封装结构内各材料层的热传递属性与结温关系创建的，所述第二热阻模型为至少基于热流传输路径的等效传递函数与结温关系创建的；其中，所述基于所述目标参数，生成目标热阻模型，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，所述依据所述目标热阻模型，确定所述芯片在所述目标封装形式下的结温，包括：

5.根据权利要求3所述的方法，所述依据所述目标热阻模型，确定所述芯片在所述目标封装形式下的结温，包括：

6.根据权利要求3所述的方法，所述基于所述目标封装形式中所述芯片的热源平面，确定所述热源平面上下层热流比例，包括：

7.根据权利要求2所述的方法，所述基于所述封装材料层数，确定参数阶数，包括：

8.根据权利要求3所述的方法，所述第一热阻模型为cauer热网络模型，所述第二热阻模型为foster热网络模型。

9.根据权利要求1所述的方法，所述目标封装形式为芯片封装之前的候选封装形式集合中的一个，所述方法还包括：

10.一种结温确定装置，包括：

技术总结
本申请公开了一种结温确定方法及装置，该方法包括：确定与芯片对应的目标封装形式；基于目标封装形式，确定目标参数，目标参数表征目标封装形式内各封装材料层与芯片结温相关的物理参数；基于目标参数，生成目标热阻模型，目标热阻模型为基于目标数量组的热电阻和热电容形成的芯片温度变化的热电阻和热电容模型，目标数量组的热电阻和热电容的取值能够通过目标参数计算获得；依据目标热阻模型，确定芯片在目标封装形式下的结温。

技术研发人员：刘敏,刘倩,严地
受保护的技术使用者：鼎道智芯（上海）半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11