专利名称：压控振荡器及拥有压控振荡器的非接触ic卡的制作方法
技术领域：
本发明涉及振荡信号的频率随输入电压而变化的压控振荡器及拥有压控振荡器的非接触IC卡。
图9是示出以往的压控振荡器(VCO)的结构的电路图。图中，100是由2个反相电路102、104组成的闩锁电路，200是P沟道晶体管，其栅极加上输入电压VIN，源极加上5V等电源电压，202是P沟道晶体管，其源极连接P沟道晶体管200的漏极，203是N沟道晶体管，其漏极连接P沟道晶体管202的漏极，源极接地，220是电容器，其一端连接P沟道晶体管202的漏极和N沟道晶体管203的漏极，另一端接地，230是恒流电路，240是差动电路，由P沟道晶体管205、206及N沟道晶体管207、208构成并且经由恒流电路230供给电源电压。作为差动电路240的一个输入端的P沟道晶体管205的栅极上加上电容器220的电压，作为另一个输入端的P沟道晶体管206的栅极上加上内部电源电压INTVCC。内部电源电压INTVCC是在VCO内部使用的作为参考的电压，例如为1.7V。209是N沟道晶体管，其栅极连接差动电路240的输出端，漏极连接闩锁电路100的一个输入端，并且使闩锁电路100锁存的数据反转。
302是P沟道晶体管，其源极连接P沟道晶体管200的漏极，303是N沟道晶体管，其漏极连接P沟道晶体管302的漏极，源极接地，320是电容器，其一端连接P沟道晶体管302的漏极和N沟道晶体管303的漏极，另一端接地，330是恒流电路，340是差动电路，由P沟道晶体管305、306及N沟道晶体管307、308构成并且经由恒流电路330供给电源电压。作为差动电路340的一个输入端的P沟道晶体管305的栅极上加上电容器320的电压，作为另一个输入端的P沟道晶体管306的栅极上加上内部电源电压INTVCC。309是N沟道晶体管，其栅极连接差动电路340的输出端，漏极连接闩锁电路100的另一个输入端，并且使闩锁电路100锁存的数据反转。
从图9可知，在闩锁电路100和P沟道晶体管200之间存在2个相同的电路结构。以下，把由从P沟道晶体管202及N沟道晶体管203到N沟道晶体管209之间存在的电路元件所组成的电路结构称为右侧电路结构，把由从P沟道晶体管302及N沟道晶体管303到N沟道晶体管309之间存在的电路元件所组成的电路结构称为左侧电路结构。作为闩锁电路100的一个输出点的C点连接P沟道晶体管302的栅极和N沟道晶体管303的栅极。作为闩锁电路100的另一个输出点的D点连接P沟道晶体管202的栅极和N沟道晶体管203的栅极。D点的信号经由反相电路400成为VCO的输出VCOOUT。
下面说明其动作。
例如，设在电容器220为放电状态、电容器320为充电状态下VCO开始动作。在这种状态下，作为差动电路240的输出点A点的电位是L电平，N沟道晶体管209不导通。另一方面，差动电路340的输出是H电平，N沟道晶体管309导通。由于N沟道晶体管309导通，因此作为闩锁电路100的输出点D点的电平是L电平，C点的电平是H电平。
于是，在右侧电路结构中，P沟道晶体管202导通，N沟道晶体管203关断。所以，相应于输入电压VIN的值的电流经由P沟道晶体管200供给电容器220。从而，电容器220被充电，作为电容器220的电位的B点电位上升。在左侧电路结构中，P沟道晶体管302关断，N沟道晶体管303导通，因此电容器320放电。
一旦B点电位超过内部电源电压INTVCC，则在差动电路240中，P沟道晶体管205关断，P沟道晶体管206导通。于是，作为差动电路240的输出点A点的电位上升，N型沟道晶体管209导通。由此，N沟道晶体管209的的漏极呈现L电平。从而，作为闩锁电路100的输出点的C点的电平成为L电平，D点的电平成为H电平。即，闩锁电路100的输出翻转。
由于C点电平成为L电平，因而在左侧电路结构中，进行和上述右侧电路结构的动作相同的动作。从而，在经过预定的期间后，闩锁电路100的输出点C点的电平又成为H电平，D点的电平又成为L电平。
由于以上的动作在右侧电路和左侧电路中交替进行，因此VCOOUT端出现
图10所示那样的振荡信号，闩锁电路100的输出的翻转周期依赖于电容器220、320的充放电时间。电容器220、320的充电时间依赖于加到P沟道晶体管200的栅极的输入电压VIN。若输入电压VIN低，则由于P沟道晶体管200的导通电流增加，因此电容器220、320的充电时间短。反之，若输入电压VIN高，则由于P沟道晶体管200的导通电流减少，因此电容器220、320的充电时间加长。即，若输入电压VIN低，则由于闩锁电路100的输出的翻转周期变短因此振荡频率变高。反之，若输入电压VIN高，则由于闩锁电路100的输出的翻转周期变长因此振荡频率变低。
另外，与这样的VCO类似的VCO揭示于特开昭62-71332号公报中。
非接触IC卡例如，像特开平4-192091号公报中所揭示的那样，是从外部接受功率载波的器件。在非接触IC卡中，从自外部接收的电波抽取出功率生成5V等的电源电压。而且，由使用其电源电压的VCO等生成时钟信号，时钟信号供给卡内的各电路。来自外部的电波平时是不能接收的。仅在需要通信时才能够接收来自外部的电波。从而，非接触IC卡中的VCO断续地动作。于是，存在当VCO的动作停止后VCO立即再次起动的情况。在那样的情况中，还可能出现在两方的电容器220、320中还残存着电荷的状态下VCO再次起动的情况。
即，当VCO再次起动时，有可能存在图9所示的B点及E点都被视为H电平的状态的情况。在那样的情况下，由于双方差动电路240、340的输出为H电平，因此N沟道晶体管209、309同时导通。从而，在闩锁电路100的输出点C、D点的电平同时被拉到L电平的状态下，VCO开始动作。于是，由于P沟道晶体管202、302都成为导通状态，因此B点及E点的电位越来越上升。即，可能产生B点及E点都稳定在H电平，VCO不能振荡的情况。
由于以往的压控振荡器如以上那样构成，因此在具有当双方的电容器220、320上还残存着的电荷时停止工作并在该状态下再次起动这样的可能性的用途中使用时，存在不能稳定振荡的课题。
本发明是为解决上述的课题而形成的，目的在于得到始终进行稳定振荡的压控振荡器。另外，目的还在于使用这样的压控振荡器得到拥有稳定动作的压控振荡器的非接触IC卡。
与本发明有关的压控振荡器是具有存储2个电平中任一电平的同时对应于第1存储器件的存储电平使存储电平翻转的第2存储器件的电路。
与本发明有关的压控振荡器构成为开关元件直接输入电容器的电位。
与本发明有关的压控振荡器具有向第1存储器件供给恒定电流的恒流电路。
与本发明有关的压控振荡器具有在第1存储器件的存储电平向高电平转移时，强制地使其变化到高电平的高电平变化装置。
与本发明有关的压控振荡器的第2存储器件具备包括串联连接P沟道晶体管或N沟道晶体管的部分和并联连接N沟道晶体管或P沟道晶体管的部分的逻辑电路。
与本发明有关的带有压控振荡器的非接触IC卡具备本发明记述的压控振荡器。
图1是示出基于本发明实施形态1的压控振荡器的结构的电路图。
图2是示出基于本发明实施形态2的压控振荡器的结构的电路图。
图3是示出基于本发明实施形态3的压控振荡器的结构的电路图。
图4是示出基于本发明实施形态4的压控振荡器的结构的电路图。
图5是用于说明基于本发明实施形态4的压控振荡器的动作的时序图。
图6是示出基于本发明实施形态5的压控振荡器的结构的电路图。
图7是示出反相电路及NOR电路的结构例的电路图。
图8是示出基于本发明实施形态6的非接触IC卡的结构的框图。
图9是示出以往的压控振荡器的结构的电路图。
图10是示出压控振荡器的输入电压及振荡信号一例的波形图。
以下，说明本发明的实施形态。
实施形态1图1是示出基于本发明实施形态1的压控振荡器的结构的电路图。图中，110是由2个反相电路112、114组成的闩锁电路(第2存储器件)，210是N沟道晶体管，其栅极上连接闩锁电路(第1存储器件)100的一个输出端，310是N沟道晶体管，其栅极连接闩锁电路100的另一个输出端。N沟道晶体管210的漏极成为闩锁电路110的一个输入端，N沟道晶体管310的漏极成为闩锁电路110的另一个输入端。其它的结构要素和图9所示的结构要素相同。这种情况下，闩锁电路110的一个输出点D点的电平供给到P沟道晶体管202的栅极和N沟道晶体管203的栅极。闩锁电路110的另一个输出点C点的电平供给到P沟道晶体管302的栅极和N沟道晶体管303的栅极。D点的信号经由反相电路400成为VCO的输出VCOOUT。P沟道晶体管200、202、203是充电用开关器件的一个结构例。N沟道晶体管209、309是开关器件的一个结构例。
以下说明其动作。
例如，设在电容器220为放电状态、电容器320为充电状态下VCO开始动作。在这种状态下，差动电路240的输出点A点的电位是L电平，N沟道晶体管209不导通。另一方面，差动电路340的输出是H电平，N沟道晶体管309导通。由于N沟道晶体管309导通，因此，闩锁电路100连接到N沟道晶体管210的栅极一侧的输出为H电平，另一侧的输出为L电平。于是，N沟道晶体管210导通，因此D点的电平成为L电平。其结果，C点的电平成为H电平。
于是，在右侧电路结构中，P沟道晶体管202导通，N沟道晶体管203关断，因此与输入电压VIN的值相对应的电流经由P沟道晶体管200供给电容器220。从而，电容器220被充电。作为电容器220的电位的B点电位上升。在左侧电路结构中，P沟道晶体管302关断，N沟道晶体管303导通，因此电容器302放电。
一旦B点电位超过内部电源电压INTVCC，则在差动电路240中，P沟道晶体管205关断，P沟道晶体管206导通。于是，差动电路240的输出点的电位上升，N沟道晶体管209导通。由此，N沟道晶体管209的漏极上呈现L电平。从而，闩锁电路100的N沟道晶体管210一侧的输出点的电平成为L电平，N沟道晶体管310一侧的输出点的电平为H电平。于是，N沟道晶体管310导通，所以C点的电平成为L电平。其结果，D点的电平成为H电平。即，闩锁电路100的输出翻转。
由于上述那样的动作在右侧电路结构和左侧电路结构中交替进行，因此，输出VCOOUT上出现振荡信号。
考虑在电容器220、320上保持残存电荷状态下VCO起动的情况。这时，由于差动电路240、340的输出都是H电平，因此N沟道晶体管209、309都成为导通状态。即，N沟道晶体管209、309的漏极上显现L电平。而这时由于N沟道晶体管210、310的栅极连接着N沟道晶体管209、309的漏极，因此N沟道晶体管210、310都成为关断状态。从而，闩锁电路110的两个输出点C、D点的电平就不会都成为L电平。即，不会发生B点及E点都稳定在H电平而VCO不能振荡的事态。
实施形态2图2是示出基于本发明实施形态2的压控振荡器的结构的电路图。如图所示，该实施形态2是从实施形态1的结构要素中除去了差动电路240、340的情况。从而，电容器220的一端直接连接N沟道晶体管209的栅极，电容器320的一端直接连接N沟道晶体管309的栅极。
在实施形态1中，在电容器220、320和N沟道晶体管209、309之间，设置了经由恒流电路230、330供给电源的差动电路240、340。由于这样的差动电路240、340的存在，能够减少VCO的消耗电流。但是，若要为了尽可能减小VCO的消耗电流而抑制流过差动电路240、340的电流，则差动电路240、340的动作速度变得迟缓。即，难于使VCO高速动作。为此，在该实施形态2中除去了差动电路240、340。
下面说明其动作。
设D点电平为L电平，C点电平为H电平。于是，在右侧电路结构中，P沟道晶体管202导通，N沟道晶体管203关断，因此，与输入电压VIN的值相对应的电流经由P沟道晶体管200、202供给电容器220。从而，电容器220被充电，作为电容器220的电位的B点电位上升。
一旦B点电位超过N沟道晶体管209的阈值电平，则N沟道晶体管209导通。即，N沟道晶体管209的漏极上显现L电平。从而，闩锁电路100在N沟道晶体管210一侧的输出点的电平成为L电平，N沟道晶体管310一侧的输出点的电平成为H电平。于是，N沟道晶体管310导通，因此，C点的电平成为L电平。其结果，D点的电平成为H电平。即，闩锁电路100的输出翻转。
由于这样的动作在右侧电路结构和左侧电路结构中交替进行，因此输出VCOOUT上出现振荡信号。
在这种情况下，由于不存在差动电路240、340，因此，虽然增加了消耗电流但与实施形态1的情况相比，能够使VCO更高速地动作。
实施形态3图3是示出基于本发明实施形态3的压控振荡器的结构的电路图。图中，105、106是构成反相电路102的P沟道晶体管和N沟道晶体管，107、108是构成反相电路104的P沟道晶体管和N型沟道晶体管，120是向反相电路102、104供给电流的恒流电路。其它结构要素与图2所示的结构要素相同。
下面说明其动作。
设D点的电平为L电平，C点的电平为H电平。于是，和示于图2的电路结构的中的动作相同，与输入电压VIN的值相对应的电流经由P沟道晶体管200、202供给电容器220。从而，电容器220被充电，作为电容器220的电位的B点电位上升。
于是，N沟道晶体管209导通，N沟道晶体管209的漏极上显现L电平。从而，闩锁电路100在N沟道晶体管210一侧的输出点的电平成为L电平，N沟道晶体管310一侧的输出点的电平成为H电平。于是，N沟道晶体管310导通，因此C点的电平成为L电平。其结果，D点的电平成为H电平。即，闩锁电路100的输出翻转。
由于这样的动作在右侧电路结构和左侧电路结构中交替进行，因此输出VCOOUT上出现振荡信号。
在图2等中所示的电路内，电容器220、320经由作为开关器件的P沟道晶体管202、302充电。由此，B点、E点的充放电速度与直接被晶体管的输出驱动的情况相比迟缓。为此，N型晶体管209、309的开关速度也迟缓。由于开关动作花费时间，因此在数据翻转方面也花费时间，增加了闩锁电路100中的消耗电流。
然而，在该实施形态3中，构成闩锁电路100的反相电路102、104经由恒流电路120供给电流。即使N沟道晶体管209、309的开关速度迟缓并且闩锁电路100的数据翻转动作方面花费时间，在该期间内，闩锁电路100中也供给恒定的电流。从而，若把恒流电路120供给的电流设定得比较小，则能够把闩锁电路100中的消耗电流抑制得较低。
实施形态4图4是示出基于本发明实施形态4的压控振荡器的结构的电路图。图中，211是P沟道晶体管，其栅极导入了作为闩锁电路110的输出点的C点的电平，212是P沟道晶体管，其栅极导入作为闩锁电路100的一个输出点的F点的电平，其漏极连接P沟道晶体管211的源极。P沟道晶体管212的源极连接到闩锁电路100在N沟道晶体管309一侧的输入端上。311是P沟道晶体管，其栅极导入作为闩锁电路110的输出点的D点的电平，312是P沟道晶体管。其栅极导入作为闩锁电路100的另一个输出点的G点的电平，其漏极连接P沟道晶体管311的源极。P沟道晶体管312的源极连接到闩锁电路100在N沟道晶体管209一侧的输入端上。其它的结构要素与图3所示的结构要素相同。另外，P沟道晶体管211、212、311、312是高电平变化装置的一结构例。
在实施形态3中，为了减少VCO的消耗电流，设置了把较少的电流供给到闩锁电路100中的反相电路102、104的恒流电路120，由于被供给的电流少，因此，闩锁电路100的输出变成为H电平、即、确定反相电路102、104的H电平输出要花费一定的时间。于是，在该实施形态4中，为了使闩锁电路100的输出高速地成为H电平，设置了P沟道晶体管211、212、311、312。
下面，参照图5的时序图说明其动作。
例如，设在电容器220为放电状态、电容器320为充电状态下VCO开始动作。在这种状态下，由于N沟道晶体管309导通，因此连接其漏极及反相电路104的输入端的F点是L电平。连接反相电路104的输出端的G点是H电平。若G点的电位成为H电平，则N沟道晶体管210导通，作为闩锁电路110的输出点的D点的电平为L电平，C点的电平成为H电平。该时刻对应于图5中的时刻t0。
于是，由于P沟道晶体管202导通，因此开始电容器220的充电。在预定期间后，电容器220的电位成为H电平。即，B点的电位成为H电平。图5中用t11表示电容器220的充电时间。另一方面，在左侧电路结构中，由于P沟道晶体管302关断，N沟道晶体管303导通，因此电容器320放电。而且，E点的电位成为L电平。图5中用t21表示电容器320的放电时间。
由于B点的电位成为H电平，E点的电位成为L电平，因此，N沟道晶体管209导通，N沟道晶体管309关断。由于N沟道晶体管209导通，因此G点的电平成为L电平。由于G点的电位确定为L电平，D点的电平是L电平，因此P沟道晶体管311、312都导通。从而，作为P沟道晶体管312的源极连接点F点的电位急速上升(参照图5的期间P)。由于F点也是反相电路102的输出点，结果反相电路102的输出急速地变化到H电平。即对应于G点电位的反相电路102的输入一旦成为L电平，则反相电路102的输出就急速地变化为H电平。
由于F点的电位成为H电平因此N沟道晶体管310导通，作为闩锁电路110的输出的C点的电平成为L电平。从而，D点的电平成为H电平。即，闩锁电路110的输出翻转。于是，P沟道晶体管302导通，因此电容器320开始充电。在预定期间后，电容器320的电位成为H电平。即，E点的电位成为H电平。图5中，电容器320的充电时间用t22表示。另一方面，在右侧电路结构中，P沟道晶体管202关断，N沟道晶体管203导通，因此电容器220放电。而且，B点的电位成为L电平。图5中，电容器220的放电时间用t12表示。
由于E点的电位为H电平，B点的电位为L电平，因此N沟道晶体管309导通，N沟道晶体管209关断。由于N沟道晶体管309导通，因此F点的电位成为L电平。因为F点的电位确定为L电平，C点的电位为L电平，所以，P沟道晶体管211、212都导通。从而，作为P沟道晶体管212的源极连接点的G点的电位急速上升(参照图5的期间Q)。由于G点也是反相电路104的输出点，因此，最终反相电路104的输出急速地变化为H电平。即，一旦对应于F点的电位的反相电路104的输入成为L电平，则反相电路104的输出就急速地变化为H电平。
由于G点的电位成为了H电平因此N沟道晶体管210导通，作为闩锁电路110的输出点的D点的电平成为L电平。从而，C点的电平成为H电平。即，闩锁电路110的输出翻转。
重复进行以上动作，在输出VCOOUT就出现了振荡信号。
在该实施形态4中设置了P沟道晶体管312和311，前者检测出用于使闩锁电路100中反相电路102的输出翻转的N沟道晶体管209的输出电平变成了L电平并导通，后者检测出用于使N沟道晶体管209的输出电平为L电平的D点电平为L电平并导通。另外，还设置了P沟道晶体管212和211，前者检测出用于使闩锁电路100中反相电路104的输出翻转的N沟道晶体管309的输出电平变成了L电平并导通，后者检测出用于使N沟道晶体管309的输出电平为L电平的C点电平为L电平并导通。由于一旦P沟道晶体管311、312的输入端均为L电平则反相电路102的输出被强制地拉到H电平，因此反相电路102的输出急速地上升到H电平。另外，由于一旦P沟道晶体管211、212的输入端均为L电平则反相电路104的输出被强制地拉到H电平，因此反相电路104的输出急速地上升到H电平。
由于反相电路102、104的输出的上升加快，因此，VCO能够适用高频的信号。
实施形态5图6是示出基于本发明实施形态5的压控振荡器的结构的电路图。图中，130是由把闩锁电路100的输出导入到输入端的2个或非逻辑电路(NOR电路)构成的闩锁电路(第2存储器件)。闩锁电路130的一个输出供给到P沟道晶体管202和N沟道晶体管203。闩锁电路130的另一个输出供给到P沟道晶体管302和N沟道晶体管303。251、252是用于把D点的电平延迟后供给到P沟道晶体管311的栅极的反相电路，351、352是用于把C点的电平延迟后供给到P沟道晶体管211的栅极的反相电路。另外，闩锁电路130的一个输出经由反相电路400成为VCO的输出VCOOUT。其它的结构要素与图4所示的结构相同。还有，NOR电路132、134是构成第2存储器件的逻辑电路的一例。
下面说明其动作。
关于振荡动作是和基于实施形态4的VCO的动作相同的。构成上述各实施形态中的闩锁电路110的反相电路112、114一般如图7(a)所示，构成为P沟道晶体管501和N沟道晶体管502的串联连接。通过示于图4等中的N沟道晶体管210、310拉出反相电路112、114中P沟道晶体管501和N沟道晶体管502的栅极的电荷，实现反相电路112、114的输出翻转。在反相电路112、114中，输出翻转时存在P沟道晶体管501和N沟道晶体管502都导通的短暂期间，在该期间，从电源至接地点的贯通电流500流过P沟道晶体管501和N沟道晶体管502。从而，多余地消耗了这部分电流。
因此，在该实施形态5中，用由NOR电路132、134组成的闩锁电路130代替由反相电路112、114组成的闩锁电路110。一般如图7(b)所示，在NOR电路中不会形成从电源至接地点的电流通路，因此不流过贯通电流。
然而，在使用了由NOR电路132、134组成的闩锁电路130的情况下，与使用闩锁电路110和N沟道晶体管210、310的情况相比，闩锁电路130的输出翻转的确定加快。即，图5中的期间R1、R2缩短。若期间R1过短，则D点的电平及G点的电平都为L电平的期间缩短，存在由P沟道晶体管311、312组成的反相电路102的输出电平的急速上述不能有效作用的可能性。还有，若期间R2过短，则C点的电平及F点的电平都为L电平的期间缩短，存在由P沟道晶体管211、212组成的反相电路104的输出电平的急速上升不能有效作用的可能性。因此，设置了用于使C点的电平延迟后供给P沟道晶体管211的反相电路351、352以及用于使D点的电平延迟后供给P沟道晶体管311的反相电路251、252。
若依据该实施形态5，则由于在闩锁电路130中没有贯通电流，因此能够进一步减少VCO的消耗电流。另外，在该实施形态5中作为闩锁电路130使用由NOR电路132、134组成的电路，然而也可以用其它的电路要素构成闩锁电路130，只要是没有贯通电流的电路要素即可。例如，可以使用2个与非电路(NAND电路)。
实施形态6图8是示出基于本发明实施形态6的非接触IC卡的结构的框图。图中，10是接收来自外部的电波以及把电波发送到外部的收发天线，22是调制发送信号并把调制波传送给收发天线10的调制电路，24是从来自收发天线10的接收调制波中获取接收信号的解调电路，26是当供给到IC卡内部的电压不稳定时发生故意的复位信号的复位信号发生电路，28是从接收的信号中得到在IC卡内部使用的直流电压的电压整流控制电路，30是在内部装有VCO40的控制电路，32是保持数据的EEPROM。另外，能够以1个集成电路20实现调制电路22、解调电路24、复位信号发生电路26、电压整流控制电路28、控制电路30以及EEPROM32。
下面说明其动作。
非接触IC卡例如被用于依据来自外部的信号把数据写入EEPROM32，或者把EEPROM32内的数据发送到外部的用途。在把数据写入到EEPROM32中时，来自外部的信号经过收发天线10以及解调电路24供给到控制电路30。控制电路30依据其信号把数据写入EEPROM32。在向外部发送信号时，控制电路30从EEPROM32中读取数据并将数据传送给调制电路22。调制电路22根据其数据生成调制波并将其传送到收到天线10。收发天线10把调制波作为电波发送到外部。
由于非接触IC卡设有固有的电源，因此需要从接收的电流发生电压。所以，电压整流控制电路28从接收波生成预定电平的电压。而且，其电压经由电压整流控制电路28内的电容器供给到非接触IC卡内的各个部分。电压整流控制电路28生成的电压在前沿部分中达不到所希望的值。还有，在从没有接收波开始的预定期间，向各部分供给由积蓄在电容器上的电荷形成的电压。由此，在该期间内电压逐渐减小。复位信号发生电路26向各部分供给显示电压值从非接触IC卡内的各部分能够动作的预定值脱离的期间的复位信号。一旦复位信号为故意的，则非接触IC卡内的各部分停止动作。
在这样的非接触IC卡中，由于需要时钟信号，因此设置了VCO40。作为VCO40能够使用实施形态1～5所示的电路。如上所述，非接触IC卡中，一旦电压整流控制电路28生成的电压低于预定的值则各部分停止动作。从而，有时在尚未从VCO40中的2个电容器拉出电荷时VCO40的动作已停止。另外，还有在VCO40刚刚停止动作就从外部接收信号而再次起动VCO40的情况。在这样的情况下，使用以往的压控振荡器存在不能进行稳定振荡的可能性。然而，如果使用实施形态1～5中所示的电路则能够排除那样的可能性。即，VCO40始终进行稳定的振荡动作。从而，能够得到可靠地动作的非接触IC卡。
由于非接触IC卡没有固有的电源，因此希望非接触IC卡内各部分的消耗电流尽可能少。基于实施形态1、3、5的压控振荡器适合这样的目的。
如以上那样，若依据本发明，则由于把压控振荡器构成为在具备存储2个电平中任一电平的同时对应于第1存储器件的存储电平使存储电平翻转的第2存储器件，因此具有能够避免在双方的电容器残存着电荷的状态下再次起动时不能起振的事态，能够进行稳定的振荡这样的效果。
若依据本发明，则由于把压控振荡器构成为开关元件直接输入电容器的电位，因此具有能够更高速动作的效果。
若依据本发明，则由于把压控振荡器构成为具备向第1存储器件供给恒定电流的恒流电路，因此具有能压低消耗电流的效果。
若依据本发明，则由于把压控振荡器构成为具备在第1存储器件的存储电平向高电平转移时强制地使其变化到高电平的高电平变化装置，因此具有能够高速动作的效果。
若依据本发明，则由于把压控振荡器构成为具备由拥有串联连接P沟道晶体管或N沟道晶体管的部分和并联连接N沟道晶体管或P沟道晶体管的部分的逻辑电路组成的第2存储器件，因此在第2存储器件中没有贯通电流，具有能压低消耗电流的效果。
若依据本发明，则由于把拥有压控振荡器的非接触IC卡构成为具备本发明所述的压控振荡器，因此具有能够进行稳定动作的效果。
权利要求
1.一种压控振荡器，具备2个电容器、存储2个电平中任一电平的第1存储器件、根据上述各电容器的电位使上述第1存储器件的存储电平翻转的开关元件、以对应于输入电压的速度并且根据振荡信号使上述各电容器充电的充电用开关元件的压控振荡器，其特征在于具有存储2个电平中任一电平的同时对应于上述第1存储器件的存储电平使存储电平翻转并把存储内容作为上述振荡信号输出的第2存储器件。
2.权利要求1记述的压控振荡器，其特征在于开关元件直接输入电容器的电位。
3.权利要求2记述的压控振荡器，其特征在于具备向第1存储器件供给恒定电流的恒流电路。
4.权利要求3记述的压控振荡器，其特征在于具备在第1存储器件的存储电平向高电平转移时强制地使其变化到高电平的高电平变化装置。
5.权利要求4记述的压控振荡器，其特征在于第2存储器件具备拥有串联连接P沟道晶体管或N沟道晶体管的部分和并联连接N沟道晶体管或P沟道晶体管的部分的逻辑电路。
6.一种拥有压控振荡器的非接触IC卡，其特征在于具备权利要求1至权利要求5中任一项记述的压控振荡器。
全文摘要
即使在电容器220、320残存了电荷的状态下VCO起动，则由于差动电路240、340的输出都成为H电平，因此N沟道晶体管209、309均为导通状态。由于栅极连接N沟道晶体管209、309的漏极，因此N沟道晶体管210、310均为关断状态。从而，作为闩锁电路110的2个输出点的C、D点的电平不会同时成为L电平。解决了在2个电容器残存电荷的状态下再起动时不振荡的问题。
文档编号G06K19/07GK1168028SQ96118578
公开日1997年12月17日 申请日期1996年12月6日 优先权日1996年6月12日
发明者松原利之 申请人:三菱电机株式会社, 三菱电机半导体软件株式会社