存储装置、电子装置以及刻录内存的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种内存，且特别涉及一种存储装置、电子装置，以及刻录 (programming)内存的方法。
【背景技术】
[0002] 现代的移动电子装置像是智能型手机使用嵌入式多介质存储卡（embedded multimediacard，eMMC)当作存储装置做大容量数据存储。eMMC是基于与非门（NAND)闪 存科技。使用者经常在智能型手机运作期间开机或关机。有时候这种行为会导致智能型手 机中的eMMC存储装置突然断电。因为NAND闪存的特性，所以在eMMC存储装置的一些数据 可能会在这样的情况下受损。
[0003] NAND闪存有三种，亦即，单层记忆单元（single-levelcell,SLC)、多层记忆单元 (multi-levelcell，MLC)与三层记忆单兀（triple-levelcell，TLC)。SLC闪存的每一个 记忆单元存储1个位（bit)。MLC闪存的每一个记忆单元存储2个位。TLC闪存的每一个记 忆单元存储3个位。由于架构相异，相较于SLC，MLC与TLC具有较高的数据容量和较便宜 的价格，但却具有较短的寿命。
[0004] MLC闪存的页（page)可分类为两组，亦即，A组与B组。A组的页包括记忆单元的 最低有效位（leastsignificantbit,LSB)，B组的页包括记忆单元的最高有效位（most significantbit,MSB)。A组与B组的页被成对的关联起来。换句话说，每一对（pair)包 括一个A组的页与一个B组的页。以下表1是MLC闪存的页对的范例。表1的每一列是一 个页对。例如，A组的页9与B组的页12被关联成一对。页9包括MLC闪存的一些记忆单 兀的LSB，页12包括同一闪存的同一批记忆单兀的MSB。
[0005]
【主权项】
1. 一种存储装置，包括： 内存，包括多个记忆单元，其中每一上述记忆单元存储多个位，且该内存的上述多个字 节成该内存的多个页；以及 控制器，耦接至该内存并接收主机指令，该主机指令用以刻录第一数据到该内存的第 一页，其中当该第一页不包括上述多个记忆单元的最高有效位的时候，该控制器执行第一 两面刻录以刻录该第一数据到该第一页且备份该第一数据到该内存的第二页，其中该第一 页与该第二页位于该内存的不同平面。
2. 如权利要求1所述的存储装置，其中该内存包括暂存区，该第一两面刻录包括刻录 该第一数据到该第一页的第一控制器子指令与刻录该第一数据到该第二页的第二控制器 子指令；当该内存接收来自该控制器的该第一控制器子指令的时候，该内存存储该第一控 制器子指令到该暂存区且不执行该第一控制器子指令；当该内存接收来自该控制器的该第 二控制器子指令的时候，该内存执行该第一控制器子指令与该第二控制器子指令。
3. 如权利要求1所述的存储装置，其中当该主机指令还用以刻录第二数据到该第二 页，并且当该第一页与该第二页两者皆包括上述多个记忆单元的最高有效位的时候，该控 制器执行第二两面刻录以刻录该第一数据到该第一页并且刻录该第二数据到该第二页，而 且不在该内存中备份该第一数据与该第二数据。
4. 如权利要求1所述的存储装置，其中上述多个页组成该内存的多个区块，该第一页 与该第二页属于不同平面的不同区块，该第一页与该第二页在上述不同区块中具有相同的 索引编号。
5. 如权利要求1所述的存储装置，其中当该第一页中的该第一数据被请求的时候，该 控制器使用该第二页中的该第一数据以因应该第一页中的该第一数据的毁损。
6. -种电子装置，包括： 如权利要求1所述的该存储装置，以及 处理器，耦接至该存储装置，并提供该主机指令给该存储装置。
7. 如权利要求6所述的电子装置，其中当该控制器完成该第一两面刻录的时候，该控 制器传送信号给该处理器以指出该第一数据已经被刻录至该内存；该处理器设置标志以因 应该信号；当该第一页中的该第一数据被请求的时候，该处理器使用该第二页中的该第一 数据以因应该旗目标设定与该第一页中的该第一数据的毁损。
8. -种刻录内存的方法，该内存包括多个记忆单元，每一上述记忆单元存储多个位，该 内存的上述多个字节成该内存的多个页，该方法包括： 接收主机指令，其中该主机指令用以刻录第一数据至该内存的第一页，以及 当该第一页不包括上述多个记忆单元的最高有效位的时候，执行第一两面刻录以刻录 该第一数据到该第一页且备份该第一数据到该内存的第二页，其中该第一页与该第二页位 于该内存的不同平面。
9. 如权利要求8所述的方法，其中该内存包括暂存区，该第一两面刻录包括刻录该第 一数据到该第一页的第一控制器子指令，以及刻录该第一数据到该第二页的第二控制器子 指令，且该方法还包括： 当该内存接收该第一控制器子指令的时候，存储该第一控制器子指令到该暂存区且不 执行该第一控制器子指令；以及 当该内存接收该第二控制器子指令的时候，执行该第一控制器子指令与该第二控制器 子指令。
10. 如权利要求8所述的方法，其中当该主机指令还用以刻录第二数据到该第二页，且 当该第一页与该第二页皆包括上述多个记忆单元的最高有效位的时候，该方法还包括： 执行第二两面刻录以刻录该第一数据到该第一页且刻录该第二数据到该第二页，而且 不在该内存中备份该第一数据与该第二数据。
11. 如权利要求8所述的方法，其中上述多个页组成该内存的多个区块，该第一页与该 第二页属于不同平面的不同区块，该第一页与该第二页在上述不同区块中有相同的索引编 号。
12. 如权利要求8所述的方法，还包括： 当该第一页中的该第一数据被请求的时候，使用该第二页中的该第一数据以因应该第 一页中的该第一数据的毁损。
13. 如权利要求8所述的方法，还包括： 当该第一两面刻录完成的时候，传送信号以指出该第一数据已经被刻录到该内存； 设置标志以因应该信号；以及 当该标志被设置且该第一页中的该第一数据被请求的时候，使用该第二页中的该第一 数据以因应该第一页中的该第一数据的毁损。
【专利摘要】本发明提供一种存储装置、电子装置以及刻录内存的方法。此内存包括多个记忆单元。每个记忆单元存储多个位。这些字节成内存的多个页。上述方法包括以下步骤：接收主机指令，此主机指令用以刻录数据到内存的第一页上；当此第一页不包括记忆单元的最高有效位的时候，执行两面刻录以刻录数据到第一页上并且将数据备份到内存的第二页上。第一页与第二页位于内存的不同平面。
【IPC分类】G06F13-16
【公开号】CN104794075
【申请号】CN201410733402
【发明人】廖逸新, 叶甫仁, 吕佳颖, 朱世宏
【申请人】宏达国际电子股份有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2014年12月4日
【公告号】US20150206589