一种智能调整超高频射频识别工作模式的方法及装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种调整超高频射频识别工作模式的方法及装置，特别是一种可以智能调整超高频射频识别工作模式的方法及装置。
【背景技术】
[0002]目前，在UHFRFID手持终端中，读卡距离是衡量一款产品性能的最关键因素，而读卡距离的影响因素除RFID射频部分的电路和天线设计外，读卡功率也是直接影响读卡距离的关键指标，功率越大就能达到越远的读卡距离和越高的成功率。但是RFID系统长时间以大功率工作时会发热严重，假设模块输出功率1W，功放效率33%，那么将要产生的热量约为2W，功率越大、发热越严重，从而引发诸如系统不稳定、RFID读卡性能下降等一系列问题。而手持终端中又不可能像其他大型设备增加各种散热装置，其散热主要靠机身散热，散热速度较空气散热要慢很多。为了保证终端设备始终工作在最佳性能的状态，目前的做法主要有两种:一是强制性的降低功率，大功率读200ms，再小功率读200ms ;二是在读的过程中设置一定的停止时间，读200ms，停100ms，再读200ms，如此反复以减少功耗，降低发热。
[0003]但是上述调节方案一般都是固定的，由用户在使用前或者在出厂时设置一个默认的配置，读卡过程一直按照这个固定的配置调整，这样整个系统实际上还是工作在一个不确定的状态:如果低功率和停止时间设置的过长，用户体验将会变得非常差，而系统却远没有达到正常负荷；如果将低功率和停止时间设置过短，长时间工作时系统发热最终还是会不可避免的产生。
【发明内容】
[0004]为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种能够根据手持终端的发热情况智能调整超高频射频识别工作模式的方法及装置。
[0005]本发明解决其问题所采用的技术方案是:一种智能调整超高频射频识别工作模式的方法，包括以下步骤:
SI，检测温度T;
S2，判断温度T是否大于T3，若是则转S8，若否则转S3 ;
S3，判断温度T是否大于T2，若是则转S5，若否则转S4 ;
S4，判断温度T是否小于T1，若是则转S6，若否则转S7 ;
S5，降低读卡功率，转S7 ;
S6，提高读卡功率，转S7 ;
S7，延迟一段时间t，转SI ;
S8，停止工作，发出警报。
[0006]具体而言，步骤SI中温度T的检测通过ADC检测电路进行检测，先测出ADC管脚的电压V.，再由Vadc计算出热敏电阻1?7的阻值，最后找出与热敏电阻1?7的阻值相对应的温度T。
[0007]计算公式如下:
Vadc- Vvdd * Κγ/ (尺7+ 尺6)
R7_ Vadc* &/ ( Vvdd- Vadc)
具体而言，步骤S2、S3和S4中的T3、TjP T:满足T ^ T 2< T3，其中T3, T2^P T i的值根据具体应用进行设定。
[0008]具体而言，步骤S5和S6中改变读卡功率的方法包括直接改变读卡功率和改变读卡的读停时间的比值，读卡功率越小手持装置的发热量也越小，反之发热量越大；读卡的读停时间比值越大手持装置发热量越大，反之发热量越小。
[0009]具体而言，步骤S7中的延迟时间t根据实际需要进行设定，由于温度并不会产生突变，因此没必要时刻检测温度，延迟适当时间t之后再进行下次检测，可以减轻控制芯片负担和降低能耗，也在一定程度上减少了热量的产生。
[0010]一种智能调整超高频射频识别工作模式的装置，包括超高频射频识别电路和主控芯片，主控芯片与超高频射频识别电路连接。
[0011]进一步，主控芯片上设置有控制管脚，主控芯片通过控制管脚与超高频射频识别电路连接，主控芯片通过控制管脚调整超高频射频识别电路的工作模式。
[0012]进一步，主控芯片上设置有ADC检测电路，主控芯片通过ADC检测电路与超高频射频识别电路连接，主控芯片通过ADC检测电路检测超高频射频识别电路的温度。
[0013]进一步，ADC检测电路中设置有热敏电阻R7，R7靠近超高频射频识别电路，使得热敏电阻可以准确地感知超高频射频识别电路的温度，R7采用热敏电阻NCP18XH103E03RB其参数为 1K 1% at 25°C β-constant (25cC-5OcC ) =338OKi 3%。
[0014]进一步，还包括电池，所述电池分别与主控芯片和超高频射频识别电路连接，电池为整个手持装置的正常运行提供电源。
[0015]本发明的有益效果是:本发明采用的一种智能调整超高频射频识别工作模式的方法及装置，可以根据手持终端的发热情况智能调整超高频射频识别电路的工作模式，使得手持终端始终工作在最佳状态。
【附图说明】
[0016]下面结合附图和实例对本发明作进一步说明。
[0017]图1是本发明的方法流程图；
图2是本发明结构框图；
图3是本发明ADC检测电路的连接图；
图4是热敏电阻R7的阻值与温度T的对应表。
【具体实施方式】
[0018]参照图1，一种智能调整超高频射频识别工作模式的方法，包括以下步骤:
SI，检测温度T;
S2，判断温度T是否大于T3，若是则转S8，若否则转S3 ;
S3，判断温度T是否大于T2，若是则转S5，若否则转S4 ;
S4，判断温度T是否小于T1，若是则转S6，若否则转S7 ; S5，降低读卡功率，转S7 ;
S6，提高读卡功率，转S7 ;
S7，延迟一段时间t，转SI ;
S8，停止工作，发出警报。
[0019]具体而言，步骤SI中温度T的检测通过ADC检测电路进行检测，先测出ADC管脚的电压V.，再由Vadc计算出热敏电阻1?7的阻值，最后找出与热敏电阻1?7的阻值相对应的温度T。
[0020]计算公式如下:
Vadc- Vvdd * Κγ/ (尺7+ 尺6)
Vadc* &/ ( Vvdd- Vadc)
具体而言，步骤S2、S3和S4中的T3、TjP T:满足T ^ T 2< T3，其中T3, T2^P T i的值根据具