大信号应用的器件模型参数提取方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种大信号应用的器件模型参数提取方法。
【背景技术】
[0002]器件模型委员会(CMC)已经选定了一种新的CMOS晶体管模型行业标准。该模型由宾州州立大学和飞利浦电子公司联合开发，因而称为PSP模型。现在，PSP模型接替数年来执行的85頂3和85頂4出611?5167 Short-channel IGFET Model，短沟绝缘栅场效应管模型)标准，成为最新的行业标准。
[0003]PSP模型是一种表面电势(surface-potential)模型。与其它可选模型相比，人们认为表面电势模型更接近晶体管物理行为，并能够就1C性能做出更好的预测。因此，PSP模型取代BS頂模型成为了 CMOS晶体管模型的新标准。它允许模型对栅极泄漏和量子力学效应(QME)加以考虑，随着CMOS技术的日渐精微，这些因素变得益发重要。PSP模型的支持者称，该模型基于CMOS晶体管工作的基础物理特征，能以较其它模型更少的参数进行工作。
[0004]作为一种表面电势模型，PSP并没有使用基于电压模型所具有的特定假设。所以，从物理角度而言，PSP是一个更为正确的模型，特别是在源极和漏极围绕零偏置进行操作，或者是栅极偏置电压临近阈值电压的时候，情况更是如此。
[0005]在进行器件模型的参数提取过程中，需要针对不同的模型进行参数提取。使器件模型的仿真曲线与设定的仿真曲线接近，那样才可以使用该参数，进行实际的器件制造。然而在对器件模型的参数提取过程中，往往小信号应用下的参数仿真曲线符合要求，大信号的仿真曲线却有所偏差，在进行大信号仿真曲线的调节过程中，又会影响小信号仿真曲线。因此，如何在调节大信号仿真曲线的同时，避免影响小信号仿真曲线，便成为本领域技术人员急需解决的技术问题。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种大信号应用的器件模型参数提取方法，能够在调节大信号仿真曲线时不影响小信号仿真曲线。
[0007]为了达到上述目的，本发明提出了一种大信号应用的器件模型参数提取方法，
[0008]所述器件模型的基础参数提取；
[0009]所述器件模型的二级效应参数的提取；
[0010]所述器件模型的寄生效应参数的提取；
[0011]小信号应用下所述器件模型的参数提取，其中小信号为小于OdBm ；
[0012]大信号应用下所述器件模型的参数提取，在进行大信号应用下器件模型的参数提取过程中，同时调节平衡参数，使大信号应用下器件模型的仿真曲线符合要求，并且不改变小信号应用下器件模型的仿真曲线，其中大信号为大于OdBm。
[0013]进一步的，所述器件模型为PSP模型或S0IPSP模型。
[0014]进一步的，所述器件模型的寄生效应参数的提取包括对二极管寄生电容效应、双极结晶体管寄生电容效应、后段寄生电容效应以及衬底寄生电容效应的参数提取。
[0015]进一步的，所述平衡参数为对同一种效应均有影响的相关参数。
[0016]进一步的，所述平衡参数包括CJ和MJ或MUE和THEMU。
[0017]进一步的，所述平衡参数同时调大、调小或一个调大另一个调小，保持调节幅度一致。
[0018]与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在:在对器件模型进行大信号应用下的参数提取过程中，同时调节平衡参数，由于平衡参数能够改善大信号应用下器件模型的仿真曲线并且对小信号应用下器件模型的仿真曲线影响较小，因此，在进行大信号应用下的参数进行优化，获得较为准确的参数。
【附图说明】
[0019]图1为本发明一实施例中大信号应用的器件模型参数提取方法的流程图。
【具体实施方式】
[0020]下面将结合示意图对本发明的大信号应用的器件模型参数提取方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
[0021]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0022]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0023]请参考图1，在本实施例中，提出了一种大信号应用的器件模型参数提取方法，包括步骤:
[0024]S100:所述器件模型的基础参数提取；
[0025]S200:所述器件模型的二级效应参数的提取；
[0026]S300:所述器件模型的寄生效应参数的提取；
[0027]S400:小信号应用下所述器件模型的参数提取，其中小信号的输入信号小于OdBm ；
[0028]S500:大信号应用下所述器件模型的参数提取，在进行大信号应用下器件模型的参数提取过程中，同时调节平衡参数，使大信号应用下器件模型的仿真曲线符合要求，并且不改变小信号应用下器件模型的仿真曲线，其中大信号的输入信号大于OdBm。
[0029]具体的，本实施提出的器件模型为PSP模型或S0IPSP模型，其中S0IPSP模型为绝缘体上硅PSP模型，由于部分耗尽(或者全耗尽)S0I的硅膜很薄，易于实现超浅结技术，能很好的抑制短沟和窄沟效应，而且具有较高的