最大，递减至 22.8，之后也呈平缓趋势，整体模拟结果相似；
[0018] (2)在初始温度时，氮化硼模型为1.35ΚΤ，高于碳化硅模型的1.32ΚΤ和三氧化二铝 模型的1.30ΚΤ，最终模拟后温度氮化硼模型为1.11ΚΤ、仍高于碳化硅模型的1.09ΚΤ和三氧 化二铝模型的1.06ΚΤ;在初始压力时，氮化硼模型为24.55，高于三氧化二铝模型的24.53和 碳化硅模型的24.50，最终模拟后压力氮化硼模型为的22.4、仍高于碳化硅模型的22.3和三 氧化二铝模型的22.2。
[0019] 该发明的有益效果在于:本发明选取了三种常用的磨粒晶胞团簇模型进行DPD仿 真模拟，通过建立模型、优化及仿真得到其温度、压力及原子坐标张量及压力差异系数等的 变化趋势，并且通过对比三种磨粒模型，分析其介观形态进而对宏观性能进行研究，从中选 取更适合实验的磨粒流加工，最后得到碳化硅磨粒压力及温度变化都较均匀，选其进行下 一步仿真模拟的磨粒，对之后进行磨粒磨削工件及实验奠定了基础。
【附图说明】
[0020] 图1为本发明实施例中的三种颗粒晶胞团簇模型Dro仿真压力变化分析示意图。
[0021] 图2为本发明实施例中的三种颗粒晶胞团簇模型Dro仿真温度变化分析示意图。
【具体实施方式】
[0022] 下面结合附图和实施例对本发明的【具体实施方式】进行描述，以便更好的理解本发 明。
[0023] 实施例
[0024]本发明实施例中的研磨液颗粒特性的耗散粒子动力学模拟方法，具体步骤如下：
[0025] (1)建立初始结构：运行Material Studio(MS)软件，新建一个Project命名为晶 胞。打开新的文档;工具栏选择Sketch Atom工具绘制一个晶胞，点击Clean工具修正得到合 理的几何构像；选择菜单栏Modules上的Amorphous Cell，在下列列表中选取 Construction，打开Amorphous Cell Construct ion对话框；点击Add将碳化娃原子添加到 体系中，单价Constituent moIecuIes栏中Number下的数字，设为100，温度选择为295K， Cell type选Periodic cell(设置体系含有周期性边界条件），其密度设置为3.22;设置完 成后，得到碳化硅晶胞团簇模型；
[0026] (2)优化体系：得到其碳化娃粒子模型后，通过选用Discover模块中的Minimizer 对其进行优化，打开Discover Minimizer对话框相关设置，然后点击Minimize按钮开始优 化;优化结束之后，会在Project Explorer中创建新目录Sketch IDisco Min，当任务完成 之后，最小化的结构会被存放在这个新目录之下。
[0027] (3)耗散粒子动力学仿真模拟设置:通过以上模型建立及优化，进行DH)模拟分析； 选取DPD Calculation对话框，在Se tup设置栏下选取运行模拟步数20000步，时间步长为 0 · 05，模拟时长为 1000;在Output periods中设置Frame every为 1000步长，Coordinates every为Iframes以及Restart file every为10000步。
[0028] 通过以上模型建立进行无量纲化计算，采用DPD模拟方法，使系统达到平衡态，因 传统Dro方法中保守力权函数具有排斥性，故当颗粒达到平衡态后，粒子均匀分布在整个区 域，应用保守力势函数及改进的积分算法，当经验系数为λ=ο.65继续展开Dro模拟。
[0029] (4)耗散粒子动力学模拟结果分析:通过DPD模拟后，得到其压力、温度变化曲线、 原子坐标下的压力张量图及压力差异系数曲线。在对碳化硅颗粒进行模拟的过程中，模拟 20000步时的压力状态呈递减趋势，压力值从最初的24 · 5的状态逐渐减小，在0至50时，此时 压力递减最为剧烈，加速度曲线明显，从24.5的状态递减至22.8，DH)颗粒呈现出一定的受 压形态;从50至100模拟过程中，压力维持22 · 6的受力，此刻逐渐趋于稳定状态，碳化硅DPD 磨粒也逐渐呈现稳定的形态。同样在碳化硅DH)颗粒模拟过程中，分析温度的变化趋势，初 始温度选定1.3KT，在进行初始模拟的过程中，从0至10模拟中，温度从1.3KT大幅度降至 1.05KT，温度也呈现出加速下滑状态，此后从10至100模拟之中，碳化硅Dro粒子逐渐稳定至 1.0 KT，Dro粒子也逐渐趋于稳定。通过对其压力张量分析，在X方向上，压力张量最初维持在 22.65，经过原子单元的变化，呈上下波动状态，最高为22.70，最低为22.60，基本维持不变； 而在Y方向上，压力张量呈现出剧烈的运动状态，在最初的原子坐标下，由22.7状态急剧下 滑到22.6，并且在3.5个单元的原子坐标状态下，达到最低值为22.5，其后维持上下波动幅 度减小，维持在22.6左右;而在Z方向上，随着原子坐标浮动，压力张量也呈现出集聚变化的 形态，由最初的22.8开始，在达到顶峰值22.9后，也在3.5个单元的原子坐标下，急剧下滑至 22.5,并且在其后状态中，再次呈现急剧上升状态。随着原子单元的增加，DH)粒子的压力单 元由最初的-0.08增长到0状态，在其后开始下降至最低值-0.12,通过原子单元增加，达到 顶峰值0.08，并稳定了两个坐标后，开始呈递减趋势，又达到最初的状态，在整个变化过程 中，呈现不稳定的状态。经过以上模拟，碳化硅晶格模型形态不断变化，经过20000步模拟的 压力、张量等的波动，各参数数值逐渐趋于稳定，最终得到碳化硅晶胞团簇模型无定形体 系。
[0030] 三种不同磨粒晶胞模拟结果分析：
[0031] 通过对碳化硅晶胞团簇模型的建立，对其团簇模型特性进行分析之后，对于分析 其介观尺度内的性能有了很好的研究，从而更好的反映其宏观性能。通常选取磨粒流加工 中的磨粒还有:三氧化二铝及氮化硼。三氧化二铝粉末呈白色状，常用磨粒粒径有2.5μπι、7μ πι、14μπι、28μπι、120μπι和150μπι，其对工件磨削效果较好，能有效去除小孔周边毛刺及倒圆角； 氮化硼磨粒是一种白色松散粉末，常用磨粒粒径有3 · 5μηι、7μηι、ΙΟμπι、14μηι和40μηι，它的硬度 较大，高于碳化硅粉末硬度，其切削能力强。进行同样的参数设置后，进行DH)仿真分析，通 过其压力及温度趋势，结合碳化硅磨粒晶胞团簇模型的特性分析，进行三种磨粒的晶胞团 簇模型数据对比，对比结果如图1及图2所示。通过晶胞团簇模型建立及仿真参数设置后，对 三种模型进行DH)仿真分析，由图1及图2能够看出，（1)三种模型在模拟时长1000下，仿真后 得到的温度及压力变化都呈递减趋势，温度从1 · 3ΚΤ左右递减至1 · 10ΚΤ，压力从25 · 0左右递 减至22.5;从初始模拟至100时，温度递减率最大，递减至1.15ΚΤ，之后呈平缓趋势；从初始 模拟至200时，压力递减率最大，递减至22.8,之后也呈平缓趋势，整体模拟结果相似；（2)在 初始温度时，氮化硼模型为1.35ΚΤ，高于碳化硅模型（1.32ΚΤ)和三氧化二铝模型（I.30ΚΤ)， 最终模拟后温度氮化硼模型为1.11ΚΤ、仍高于碳化硅模型（1.09ΚΤ)和三氧化二铝模型 (1.06ΚΤ);在初始压力时，氮化硼模型为24.55，高于三氧化二铝模型（24.53)和碳化硅模型 (24.50)，最终模拟后压力氮化硼模型为22.4、仍高于碳化硅模型（22.3)和三氧化二铝模型 (22.2)〇
[0032]