的其中某一行数据单独进行校验，降低了单片机的运算 和存储负担，提高了处理速度。
[0019] 3.本发明将待存储的数据按照其类别划分为各数据块，并将各数据块按字节类别 分成m行横行及η列纵列进行存储，因此较传统的存储方法更加方便，提高了处理速度。
【附图说明】
[0020] 图1为本发明中基于数据纵横存储方法的三相费控智能电能表的流程图；
[0021] 图2为本发明中基于数据校验处理方法的三相费控智能电能表的流程图；
[0022] 图3为图2中步骤S22的具体步骤流程图；
[0023] 图4为图2中步骤S23的具体步骤流程图。
【具体实施方式】
[0024] 以下结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明。
[0025] 表1 :数据块的纵横存储方法示意表
[0026]
【主权项】
1. 一种基于数据纵横存储方法的=相费控智能电能表，其特征在于，包括w下步骤： 步骤S11.根据存储器的缓冲区长度，将待存储的数据划分为至少一块数据块； 步骤S12.根据数据类型，将各数据块按字节分成m行横行及n列纵列，其中1， n ^ 1 ; 步骤S13.为各数据块分别建立一个用于存放横向校验数据的横向校验数组，其长度 为m个字节；为各数据块分别建立一个用于存放纵向校验数据的纵向校验数组，其长度为 n+1个字节； 步骤S14.对各数据块中每一行的n个字节数据进行累加运算后，再取模运算，并将结 果作为校验数据存入横向校验数组； 步骤S15.对各数据块中每一列的m个字节数据进行异或运算后，再求反运算，并将结 果作为校验数据存入纵向校验数组； 步骤S16.将横向校验数组中的m个字节数据进行异或运算后，再求反运算，并将结果 作为校验数据存入纵向校验数组； 步骤S17.将各数据块、横向校验数组、纵向校验数组写入到存储器中。
2. 如权利要求1所述的基于数据纵横存储方法的=相费控智能电能表，其特征在于： 步骤S11中，所述存储器包括随机存取存储器和带电可擦写可编程只读存储器。
3. 如权利要求1所述的基于数据纵横存储方法的=相费控智能电能表，其特征在于： 步骤S11中，每一块数据块不大于存储器的缓冲区长度。
4. 如权利要求1所述的基于数据纵横存储方法的=相费控智能电能表，其特征在于： 步骤S12中，若最后一行横行数据不足，则补零。
5. 如权利要求1所述的基于数据纵横存储方法的=相费控智能电能表，其特征在于： 步骤S14中，所述取模运算具体是把累加运算后的结果对256取模。
6. 如权利要求1所述的基于数据纵横存储方法的=相费控智能电能表，其特征在于： 步骤S16中，将结果作为校验数据存入纵向校验数组中第n+1个字节对应的位置。
7. 基于权利要求1所述纵横存储方法的基于数据校验处理方法的=相费控智能电能 表，其特征在于，包括W下步骤： 步骤S21.校验处理前，先判断数据更新类型，若是对其中某一行数据进行更新，则进 入步骤S22 ;若是对全部数据进行更新，则进入步骤S23 ; 步骤S22.在存储器中更新对应数据块中的一行数据及其在横向校验数组、纵向校验 数组中对应的校验数据，进入步骤S24 ; 步骤S23.计算更新后的各数据块的横向校验数组、纵向校验数组，然后将各数据块、 横向校验数组、纵向校验数组写入到存储器中，进入步骤S24 ; 步骤S24.读取各数据块、横向校验数组、纵向校验数组，计算读取的各数据块的横向 校验数组、纵向校验数组，并将其分别与读取的横向校验数组、纵向校验数组进行比较，校 验成功后取读出的各数据块，否则再次读出并校验。
8. 如权利要求7所述的基于数据校验处理方法的=相费控智能电能表，其特征在于， 步骤S22中，对其中某一行数据进行更新时，所述计算具体包括： 步骤S221.对更新后的目标行的n个字节数据进行累加运算后，再取模运算，并将结果 存入横向校验数组； 步骤S221.对纵向校验数组进行求反运算，将求反后的结果与更新前的目标行数据进 行异或运算； 步骤S223.对步骤S222中异或后的结果与更新后的目标行数据进行异或运算，将再次 异或后的结果进行求反运算，存入纵向校验数组中。
9. 如权利要求7所述的基于数据校验处理方法的=相费控智能电能表，其特征在于， 步骤S23中，全部数据进行更新时，所述计算具体包括： 步骤S231.对各数据块中每一行的n个字节数据进行累加运算后，再取模运算，并将结 果存入横向校验数组； 步骤S232.对各数据块中每一列的m个字节数据进行异或运算后，再求反运算，并将结 果存入纵向校验数组； 步骤S233.将横向校验数组中的m个字节数据进行异或运算后，再求反运算，并将结果 存入纵向校验数组。
10. 如权利要求7所述的基于数据校验处理方法的=相费控智能电能表，其特征在于， 步骤S24中，将计算后的横向校验数组、纵向校验数组分别与读取的横向校验数组、纵向校 验数组进行比较，若两者比较均成功，则校验成功；若任意一组比较失败，则校验失败。
【专利摘要】一种基于数据纵横存储及校验处理方法的三相费控智能电能表，涉及电器仪表技术领域，其包括将待存储的数据划分为至少一块数据块；将各数据块按字节分成m行横行及n列纵列；为各数据块分别建立一个用于存放横向校验数据的横向校验数组；为各数据块分别建立一个用于存放纵向校验数据的纵向校验数组；对各数据块中每一行的n个字节数据进行累加运算后，再取模运算，并将结果存入横向校验数组；对各数据块中每一列的m个字节数据进行异或运算后，再求反运算，并将结果存入纵向校验数组；将横向校验数组中的m个字节数据进行异或运算后，再求反运算，并将结果存入纵向校验数组；将各数据块、横向校验数组、纵向校验数组写入到存储器中。
【IPC分类】G07F15-06
【公开号】CN104637181
【申请号】CN201510069834
【发明人】徐健, 刘金刚, 李良红, 连小华, 陶永法, 刘艳红, 柯艳春
【申请人】武汉阿迪克电子股份有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年2月10日