高灵敏度水浸传感器电路的制作方法
【专利摘要】高灵敏度水浸传感器电路，它包括水浸探测端正极、水浸探测端负极、瞬态抑制二极管D1、第一电阻、三极管和第二电阻；其中，水浸探测端正极和瞬态抑制二极管D1负极相连，水浸探测端负极和瞬态抑制二极管D1正极相连；水浸探测端正极和第一电阻相连；水浸探测端负极和地相连；第一电阻一端连接正金属水浸探测端，另一端连接三极管基极；三极管为PNP结构，工作在开关状态，三极管基极连接第一电阻用于水浸传感器接入，发射极连接第二电阻，集电极接地；第二电阻，一端连接5V电源，另一端连接三极管的发射极。本实用新型实现水浸报警功能，成本低廉，能够在市场上大批量使用，日常维护简单，方便人们的生活，减少不必要的损失。
【专利说明】高灵敏度水浸传感器电路
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电子信息领域，特别涉及高灵敏度水浸传感器电路。
【背景技术】
[0002]在日常生活中，经常会遇到家中的自来水跑水了，或者北方的暖气跑水了，或者下水道堵了往自己家里反脏水的情况，会给自家或者楼下的邻居带来不小的经济损失，给家庭生活带来不便，目前市场上的水浸报警器价格较高，电路复杂，实用性不好，不易维护，灵敏度低。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种高灵敏度水浸传感器电路。
[0004]本实用新型主要通过以下技术方案实现，高灵敏度水浸传感器电路包括水浸探测端正极、水浸探测端负极、瞬态抑制二极管D1、第一电阻、三极管和第二电阻；所述的水浸探测端正极和瞬态抑制二极管D1负极相连，水浸探测端负极和瞬态抑制二极管D1正极相连；所述的水浸探测端正极和第一电阻相连；所述的水浸探测端负极和地相连；第一电阻一端连接正金属水浸探测端，另一端连接三极管基极；所述的三极管为PNP结构，工作在开关状态，三极管基极连接第一电阻用于水浸传感器接入，发射极连接第二电阻，集电极接地；所述的第二电阻，一端连接5V电源，另一端连接三极管的发射极。
[0005]本实用新型的水浸探测端采用金属材质，在两个金属水浸探测端之间有水存在时，由于两个金属水浸探测端之间存在电压，水被电离，使得两个金属水浸探测端导通，电流通过第一电阻和三极管的基极，进而使得三极管发射极端与集电极端导通，三极管发射极端的电压由低电平变为高电平，这个变化即为有水浸湿两个金属水浸探测端，本电路集合了传感器和放大器的功能，能够高灵敏度的感知水浸的信息，并能够把水浸的高阻态的信号转换为单片机能够处理的TTL电平。
[0006]水浸探测端，有两个，一正一负，其中正金属水浸探测端连接第一电阻，负金属水浸探测端接地，水浸探测端用于接触水面，起到传感器作用；第一电阻，一端连接正金属水浸探测端，另一端连接三极管基极，用于水浸传感器灵敏度调节；三极管，该三极管为PNP结构，工作在开关状态，三极管基极连接第一电阻用于水浸传感器接入，发射极连接第二电阻，集电极接地，发射极与集电极之间的通断状态对应金属水浸探测端是否被水浸湿；第二电阻，一端连接5V电源，另一端连接三极管的发射极用于限制三极管导通后发射极的电流；瞬态抑制二极管，一端与第一电阻和正金属水浸探测端连接，另一端接地，用于抑制金属水浸探测端进入到电路中的静电。
[0007]本实用新型与现有技术相比，采用常见的电子元器件，组成简单的电路实现水浸报警功能，整个电路由两个电阻，一个瞬态抑制二极管，一个三极管组成，成本低廉，能够在市场上大批量使用，日常维护简单，方便人们的生活，减少不必要的损失。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型的电路图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图1对本实用新型做进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
[0010]如图1所示，高灵敏度水浸传感器电路包括水浸探测端正极、水浸探测端负极、瞬态抑制二极管D1、第一电阻、三极管和第二电阻；所述的水浸探测端正极和瞬态抑制二极管D1负极相连，水浸探测端负极和瞬态抑制二极管D1正极相连；所述的水浸探测端正极和第一电阻相连；所述的水浸探测端负极和地相连；第一电阻一端连接正金属水浸探测端，另一端连接三极管基极；所述的三极管为PNP结构，工作在开关状态，三极管基极连接第一电阻用于水浸传感器接入，发射极连接第二电阻，集电极接地；所述的第二电阻，一端连接5V电源，另一端连接三极管的发射极。
[0011]该水浸传感器电路输出给单片机处理电路，对水浸信号进行处理。
[0012]本实用新型的水浸探测端采用金属材质，在两个金属水浸探测端之间有水存在时，由于两个金属水浸探测端之间存在电压，水被电离，使得两个金属水浸探测端导通，电流通过第一电阻R1和三极管Q1的基极，进而使得三极管Q1发射极端与集电极端导通，导通后的电流有R2控制，三极管发射极端的电压由低电平变为高电平，这个变化即为有水浸湿两个金属水浸探测端，本电路集合了传感器和放大器的功能，能够高灵敏度的感知水浸的信息，并能够把水浸的高阻态的信号转换为单片机能够处理的TTL电平。
[0013]本实用新型与现有技术相比，采用常见的电子元器件，组成简单的电路实现水浸报警功能，整个电路由两个电阻，一个瞬态抑制二极管，一个三极管组成，成本低廉，能够在市场上大批量使用，日常维护简单，方便人们的生活，减少不必要的损失。
【权利要求】
1.高灵敏度水浸传感器电路，其特征在于:包括水浸探测端正极、水浸探测端负极、瞬态抑制二极管D1、第一电阻、三极管和第二电阻；所述的水浸探测端正极和瞬态抑制二极管Dl负极相连，水浸探测端负极和瞬态抑制二极管Dl正极相连；所述的水浸探测端正极和第一电阻相连；所述的水浸探测端负极和地相连；第一电阻一端连接正金属水浸探测端，另一端连接三极管基极；所述的三极管为PNP结构，工作在开关状态，三极管基极连接第一电阻用于水浸传感器接入，发射极连接第二电阻，集电极接地；所述的第二电阻，一端连接5V电源，另一端连接三极管的发射极。
【文档编号】G08B21/20GK204229601SQ201420626922
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日
【发明者】曲井致, 徐人恒, 依溥治, 孙宇, 郭龙弟, 张秋月 申请人:哈尔滨电工仪表研究所