专利名称：相变化型光盘的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种相变化型光盘，特别是涉及一种可使记录层的热扩散更为提高的相变化型光盘。
背景技术：
相变化型光盘具有容量大、寿命长、传输速度快等优点，并与只读型及仅写一次型光盘读取原理相同，在1995年初的PD盘片推出后即受到市场重视，目前市面上的PD、CD-RW及新一代的DVD-RAM、DVD-RW等可擦拭型光盘都是采用相变化记录原理。
相变化型光盘采用激光光照射光盘，使记录层材料于结晶相与非结晶相结构间转换，并借着结晶相及非结晶相的反射率差别以识别0、1信号。位写入使用高功率激光短脉冲照射，使记录层局部熔化，并快速冷却以形成非结晶结构，而位擦拭则是以低功率激光脉冲照射，造成光盘的记录层局部退火结晶，并以更低功率激光脉冲照射以侦测位反射率以读取位。相变化型光盘具备许多优点，例如，光驱较简单、只需光学头而无需磁头、体积小以及价位低等。同时，相变化型光盘可做到单光束直接覆盖写入(指写入及擦拭均使用同一激光二极管，且写入前无需先擦拭记录迹)。再者，相变化型光盘的输出信号大，光驱可同时适用现存的光记录媒体，例如CD、CD-ROM等，相变化型光盘也适用于新一代具自动增益控制的CD-ROM光驱，此外，相变化型光盘的数据撷取时间快(仅略逊于硬盘)，使其成为可擦拭光盘的标准规格。
请参阅图1，现有的相变化型光盘1具有四层的结构，也就是说，在基板10之上依序成型有一下介电层11、一记录层12、一上介电层13以及一反射层14。下介电层11用来隔绝记录层12与基板10，而上介电层13则是用来隔绝记录层12与反射层14，下介电层11以及上介电层13都是用来保护记录层12不会产生氧化、污染或损坏情形，并降低热膨胀率，以防止读写光盘时，不同材料间热膨胀率不同而变形。
然而，现今用于介电层的材料的热传导系数很小，当记录材料在反复冷却之际，介电层受热变形，使厚度改变及记录层材料偏折，造成组成改变；且当一激光脉冲L入射至记录层12上时，在记录层12上的记录点121的热量会不易散出，并累积于记录点121上，使记录点121的局部温度升高，故记录迹122的边缘会变形成液滴状，因而影响信号质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种结构改进的相变化型光盘，使记录层上的热扩散或冷却速率大幅度提高，以提高其信号质量及可靠度。
本发明基本上采用如下所详述的特征以为了要解决上述的问题。也就是说，本发明的第一目的是要提供一种相变化型光盘，并且包括一基板；一第一介电层，设置于该基板上；一记录层，设置于该第一介电层上；一第二介电层，设置于该记录层上；一第一合金层，设置于该第二介电层上，用以提高该记录层的热扩散效率；以及一反射层，设置于该第一合金层上。
同时，本发明的第二目的在于提供一种相变化型光盘，并且包括一基板；一第一介电层，设置于该基板上；一合金层，设置于该第一介电层上；一记录层，设置于该合金层上，其中，该合金层用以提高该记录层的热扩散效率；一第二介电层，设置于该记录层上；以及一反射层，设置于该第二介电层上。
同时，本发明的第三目的在于提供一种相变化型光盘，并且包括一基板；一第一介电层，设置于该基板上；一记录层，设置于该第一介电层上；一合金层，设置于该记录层上，用以提高该记录层的热扩散效率；一第二介电层，设置于该合金层上；以及一反射层，设置于该第二介电层上。
同时，本发明的第四目的在于提供一种相变化型光盘，并且包括一基板；一第一合金层，设置于该基板上；一记录层，设置于该第一合金层上；一第二合金层，设置于该记录层上，其中，该第一合金层以及该第二合金层用以提高该记录层的热扩散效率；以及一反射层，设置于该第二合金层上。
同时，本发明的第五目的在于提供一种相变化型光盘，并且包括一基板；一合金层，设置于该基板上；一记录层，设置于该合金层上，其中，该合金层用以提高该记录层的热扩散效率；一介电层，设置于该记录层上；以及一反射层，设置于该介电层上。
同时，本发明的第六目的在于提供一种相变化型光盘，并且包括一基板；一介电层，设置于该基板上；一记录层，设置于该介电层上；一合金层，设置于该记录层上，用以提高该记录层的热扩散效率；以及一反射层，设置于该合金层上。
同时，本发明的第七目的在于提供一种相变化型光盘，并且包括一基板；一第一介电层，设置于该基板上；一第二合金层，设置于该第一介电层上；一记录层，设置于该第二合金层上；一第二介电层，设置于该记录层上；一第一合金层，设置于该第二介电层上，其中，该第一合金层以及该第二合金层用以提高该记录层的热扩散效率；以及一反射层，设置于该第一合金层上。
同时，本发明的第八目的在于提供一种相变化型光盘，并且包括一基板；一第一介电层，设置于该基板上；一第二合金层，设置于该第一介电层上；一记录层，设置于该第二合金层上；一第三合金层，设置于该记录层上；一第二介电层，设置于该第三合金层上；一第一合金层，设置于该第二介电层上，其中，该第一合金层、该第二合金层以及该第三合金层用以提高该记录层的热扩散效率；以及一反射层，设置于该第一合金层上。
又在本发明中，该合金层、第一合金层、该第二合金层以及该第三合金层为铝钛合金(Al-Ti)。
又在本发明中，该合金层、第一合金层、该第二合金层以及该第三合金层为锗铬合金(Ge-Cr)。
图1为现有的相变化型光盘的构造示意图；图2为本发明第一个实施例的相变化型光盘的构造示意图；图3为本发明第二个实施例的相变化型光盘的构造示意图；图4为本发明第三个实施例的相变化型光盘的构造示意图；图5为本发明第四个实施例的相变化型光盘的构造示意图；图6为本发明第五个实施例的相变化型光盘的构造示意图；图7为本发明第六个实施例的相变化型光盘的构造示意图；
图8为本发明第七个实施例的相变化型光盘的构造示意图；图9为本发明第八个实施例的相变化型光盘的构造示意图。
具体实施例方式
以下配合
本发明的较佳实施例。
第一实施例请参阅图2，本实施例的相变化型光盘100包括有一基板110、一第一介电层120、一记录层130、一第二介电层140、一第一合金层150以及一反射层160。
第一介电层120设置于基板110上，记录层130设置于第一介电层120上，第二介电层140设置于记录层130上，第一合金层150设置于第二介电层140上，反射层160设置于第一合金层150上。
本实施例的相变化型光盘100适用于一易反应层结构，也就是说，当反射层160与第二介电层140之间易发生化学反应时，将第一合金层150设置于反射层160与第二介电层140之间便可提供一良好的隔绝效果。
特别地，本实施例的重要特征在于第一合金层150的采用，为了要克服在现有的相变化型光盘1中，记录层130的热扩散不良的缺点，本实施例所采用的第一合金层150具有一高热传导系数，因此，当一激光脉冲L入射至记录层130上时，在记录层130的记录点131上的热量便可透过第二介电层140而被转移至第一合金层150，而第一合金层150又可快速地将热量扩散开来，如此一来，激光脉冲L所产生的热量便不会累积于记录点131上，故记录点131的记录迹132边缘便不会变形成液滴状，因而可提高信号质量。
第二实施例请参阅图3，本实施例的相变化型光盘200在基板210上依序设置有一第一介电层220、一合金层230、一记录层240、一第二介电层250以及一反射层260。
本实施例的相变化型光盘200适用于当反射层260与第二介电层250之间不易发生化学反应的情形下。
在本实施例中，合金层230直接与记录层240接触，当一激光脉冲L入射至记录层240上时，在记录层240的记录点241上的热量便可直接地被转移至合金层230，而合金层230又可快速地将热量扩散开来，如此一来，激光脉冲L所产生的热量便不会累积于记录点241上，故记录点241的记录迹242边缘便不会变形成液滴状，因而可提高信号质量。
第三实施例请参阅图4，本实施例的相变化型光盘300在基板310上依序设置有一第一介电层320、一记录层330、一合金层340、一第二介电层350以及一反射层360。
本实施例与第二实施例的差别在于，合金层340设置于记录层330与第二介电层350之间，而其余的达成功效与方法都为相同。
第四实施例请参阅图5，本实施例的相变化型光盘400在基板410上依序设置有一第一合金层420、一记录层430、一第二合金层440以及一反射层450。
在本实施例中，使用二合金层(第一合金层420以及第二合金层440)直接与记录层430接触，当一激光脉冲L入射至记录层430上时，在记录层430的记录点431上的热量便可直接地被转移至第一合金层420以及第二合金层440，因此可以更加增进记录层430的热扩散效果。
第五实施例请参阅图6，本实施例的相变化型光盘500是在基板510上依序设置有一合金层520、一记录层530、一介电层540以及一反射层550。
特别地，合金层520设置于基板510与记录层530之间。
第六实施例请参阅图7，本实施例的相变化型光盘600是在基板610上依序设置有一介电层620、一记录层630、一合金层640以及一反射层650。
特别地，合金层640设置于记录层630与反射层650之间。
第七实施例请参阅图8，本实施例的相变化型光盘700在基板710上依序设置有一第一介电层720、一第二合金层730、一记录层740、一第二介电层750、一第一合金层760以及一反射层770。
特别地，第二合金层730设置于第一介电层720与记录层740之间，而第一合金层760设置于第二介电层750与反射层770之间。
第八实施例请参阅图9，本实施例的相变化型光盘800在基板810的上依序设置有一第一介电层820、一第二合金层830、一记录层840、一第三合金层850、一第二介电层860、一第一合金层870以及一反射层880。
特别地，本实施例的相变化型光盘800具有三个合金层，第二合金层830设置于第一介电层820与记录层840之间，第三合金层850设置于记录层840与第二介电层860之间，而第一合金层870设置于第二介电层860与反射层880之间。
如上所述，本发明的实施例的合金层230、340、520、640、第一合金层150、420、760、870、第二合金层440、730、830及第三合金层850可以采用铝钛合金(Al-Ti)或锗铬合金(Ge-Cr)等具有良好热传导性能的合金材料，同时，由于上述合金材料的延展性佳，抵抗热涨冷缩的效果好，因此相变化型光盘被重复烧写时，不易发生破裂损坏等情形。又，铝钛合金材料的组成比中，铝可为95％至85％，钛可为5％至15％；锗铬合金材料的组成比中，锗可为90％至70％，铬可为10％至30％。
虽然结合以上较佳实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作少许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应以权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种相变化型光盘，包括一基板；一第一介电层，设置于该基板上；一记录层，设置于该第一介电层上；一第二介电层，设置于该记录层上；一第一合金层，设置于该第二介电层上，用以提高该记录层的热扩散效率；以及一反射层，设置于该第一合金层上。
2.如权利要求1所述的相变化型光盘，还包括一第二合金层，设置于该第一介电层与该记录层之间。
3.如权利要求2所述的相变化型光盘，还包括一第三合金层，设置于该第二介电层与该记录层之间。
4.如权利要求3所述的相变化型光盘，其中，该第一合金层选择性地为铝钛合金(Al-Ti)或锗铬合金(Ge-Cr)。
5.如权利要求3所述的相变化型光盘，其中，该第二合金层选择性地为铝钛合金(Al-Ti)或锗铬合金(Ge-Cr)。
6.如权利要求3所述的相变化型光盘，其中，该第三合金层选择性地为铝钛合金(Al-Ti)或锗铬合金(Ge-Cr)。
7.一种相变化型光盘，包括一基板；一第一介电层，设置于该基板上；一合金层，设置于该第一介电层上；一记录层，设置于该合金层上，其中，该合金层用以提高该记录层的热扩散效率；一第二介电层，设置于该记录层上；以及一反射层，设置于该第二介电层上。
8.如权利要求7所述的相变化型光盘，其中，该合金层为铝钛合金(Al-Ti)。
9.如权利要求7所述的相变化型光盘，其中，该合金层为锗铬合金(Ge-Cr)。
l0.一种相变化型光盘，包括一基板；一第一介电层，设置于该基板上；一记录层，设置于该第一介电层上；一合金层，设置于该记录层上，用以提高该记录层的热扩散效率；一第二介电层，设置于该合金层上；以及一反射层，设置于该第二介电层上。
11.如权利要求10所述的相变化型光盘，其中，该合金层为铝钛合金(Al-Ti)。
12.如权利要求10所述的相变化型光盘，其中，该合金层为锗铬合金(Ge-Cr)。
13.一种相变化型光盘，包括一基板；一第一合金层，设置于该基板上；一记录层，设置于该第一合金层上；一第二合金层，设置于该记录层上，其中，该第一合金层以及该第二合金层用以提高该记录层的热扩散效率；以及一反射层，设置于该第二合金层上。
14.如权利要求13所述的相变化型光盘，其中，该第一合金层选择性地为铝钛合金(Al-Ti)或锗铬合金(Ge-Cr)。
15.如权利要求13所述的相变化型光盘，其中，该第二合金层选择性地为铝钛合金(Al-Ti)或锗铬合金(Ge-Cr)。
16.一种相变化型光盘，包括一基板；一合金层，设置于该基板上；一记录层，设置于该合金层上，其中，该合金层用以提高该记录层的热扩散效率；一介电层，设置于该记录层上；以及一反射层，设置于该介电层上。
17.如权利要求16所述的相变化型光盘，其中，该合金层为铝钛合金(Al-Ti)。
18.如权利要求16所述的相变化型光盘，其中，该合金层为锗铬合金(Ge-Cr)。
19.一种相变化型光盘，包括一基板；一介电层，设置于该基板上；一记录层，设置于该介电层上；一合金层，设置于该记录层上，用以提高该记录层的热扩散效率；以及一反射层，设置于该合金层上。
20.如权利要求19所述的相变化型光盘，其中，该合金层为铝钛合金(Al-Ti)。
21.如权利要求19所述的相变化型光盘，其中，该合金层为锗铬合金(Ge-Cr)。
全文摘要
一种相变化型光盘，包括一基板、一第一介电层、一记录层、一第二介电层、一第一合金层以及一反射层。该第一介电层设置于该基板上。该记录层设置于该第一介电层上。该第二介电层设置于该记录层上。该第一合金层设置于该第二介电层上，用以提高该记录层的热扩散效率。该反射层设置于该合金层上。
文档编号G11B11/10GK1527298SQ0310686
公开日2004年9月8日 申请日期2003年3月6日 优先权日2003年3月6日
发明者王鹤儒 申请人:达信科技股份有限公司