专利名称：光盘母盘基板和制造高密凹凸结构的方法
技术领域：
本发明涉及一种用于制造高密凹凸结构的光盘母盘基板。这种凹凸结构例如可被用作压模，以批量复制只读存储器(ROM)的、预置沟槽的一次写入(R)和可重写(RE)的盘。本发明还涉及制造这种高密凹凸结构的方法。本发明进一步涉及由处理过的光盘母盘基板制作的光盘。
背景技术：
通过增加物镜的数值孔径和减小激光波长，光记录载体的数据容量会显著地增加。总数据容量已从650M字节(CD，NA＝0.45，λ＝780nm)提高到4.7G字节(DVD，NA＝0.65，λ＝670nm)再到蓝光光盘的25G字节(BD，NA＝0.85，λ＝405nm)。光记录载体可以是一次写入型(R)、可重写型(RE)的和只读存储器(ROM)。ROM盘的一个很大的优点是廉价的批量复制，并由此带来的廉价的内容发布，比如音频、视频和其它数据的发布。这种ROM盘例如是具有微小复制凹坑(孔洞)的聚碳酸酯基板。复制盘上的凹坑通常是用注模或类似的复制工艺制成的。正如用在这种复制工艺中的压模的制造被称为母盘制造工艺(mastering)。
在常规的母盘制造工艺中，用一个调制的聚焦激光束对旋涂在一玻璃基板上的薄光敏层进行照射。激光束的调制使得盘的一些部分被UV光曝光，而在凹坑之间的中间区域未被曝光。在盘旋转的同时，将聚焦激光束渐渐地拖拉到盘的外侧，留下一条交替照射区域的螺旋线。在第二步骤中，在所谓的显影工艺中将曝光区域溶解，得到在光致抗蚀层内的物理孔洞。使用诸如NaOH和KOH的碱性溶液来溶解曝光区域。接下来，结构化的表面被覆盖一个薄的Ni层。在电镀工艺中，这种溅射沉积的Ni层进一步生长成厚的可控的Ni基板，该Ni基板具有反向凹坑结构。将该Ni基板从具有未曝光区域的基板上分离，就成了所谓的压模。
ROM盘含有交替着凹坑和平台的螺旋线，这些交替的凹坑和平台表示编码的数据。附加一个反射层(具有不同折射率的金属或其它类型的材料)以便于信息的读出。在大多数光记录系统中，数据轨道的间距和光学地读出/写入的束点的尺寸在大小上具有相同的数量级，以确保最佳的数据容量。例如在Blu-ray盘(蓝光盘)的情况下，320nm的数据轨道间距与305nm的1/e束点半径(1/e是光强下降到最大光强的1/e处的半径)相当。与一次写入型和可重写光记录介质不同，ROM盘中的凹坑宽度通常是相邻轨道之间的间距的一半。对于最佳的读出，这样的小凹坑是必需的。众所周知，ROM盘是通过相位调制，即光线的相长和相消干涉而被读出的。在读出较长的凹坑的期间，从凹坑底部反射的和从邻接平台高地反射的光线之间发生相消干涉，这导致低的反射水平。
为了使凹坑接近光读出束点的一半，通常使用比用于读出的波长更短的波长来制作母盘的凹坑结构。对于CD/DVD的母盘制作，激光束记录器(LBR)通常在413nm的波长和NA＝0.9的物镜数值孔径下工作。对于BD的母盘制作，使用257nm波长的深UV激光与高NA的透镜组合(对于远场为0.9，且对于液体浸没式母盘制作为1.25)。换句话说，需要下一代LBR来制作当代光盘的压模。传统的光致抗蚀剂母盘制作工艺的另一个缺点是光子累积效应。光致抗蚀剂层中的光敏成分的劣化与照射量成比例。当在中心轨道中写入凹坑期间，聚焦的埃里斑(Airy spot)的侧面也会照射到邻接的轨迹。这种多重曝光导致凹坑的局部变宽并因此导致凹坑噪声(抖动)的增加。同样为了减小交叉照射，要求聚焦激光束点尽可能地小。传统母盘制作工艺中使用的光致抗蚀剂材料的另一个缺点是光致抗蚀剂中存在的聚合物链的长度。由于长的聚合物链，曝光区域的溶解导致极其粗糙的侧边缘。特别是在凹坑(对于ROM)和沟槽(对于一次写入(R)和可重写(RE)应用的预置沟槽基板)的情况下，该边缘粗糙度导致预记录ROM凹坑和记录的R/RE数据的读出信号劣化。
发明内容
本发明的一个目标是提供一种用于制造高密度和高精确度的凹凸结构的母盘基板，该凹凸结构例如是用于批量复制高密度只读存储器(ROM)和可记录(R/RE)盘。本发明的另一个目标是提供一种制造这种高密度凹凸结构的方法。本发明的再一个目标是提供一种具有高密度预记录数结构的光盘。
所述目标的实现是通过提供一种如权利要求1所要求的具有生长主导型相变材料的母盘基板，该母盘基板包括一个基板层和一个记录叠层，该记录叠层包括一个信息层，一个夹在所述信息层和基板之间的中间层，所述信息层包括用于形成代表编码图案的标记和间隔的生长主导型相变材料，其中所述的记录材料是一种合金，其包括Ge、Sb、Te、In、Se、Bi、Ag、Ga、Sn、Pb和As所组成的材料组中的至少两种。
母盘基板的优选实施例在从属权利要求中定义。
在如权利要求2所要求的优选实施例中，母盘基板包括作为记录材料的掺杂了Ge和In的Sb-Te合金材料，特别是掺杂了Ge和In的Sb2Te。在如权利要求3所要求的另一个优选实施例中，母盘基板包括Sn-Ge-Sb合金材料，特别是具有Sn18.3-Ge12.6-Sb69.2的组分。所要求的相变材料在标记的尾部引起所述的重结晶，这使得通道位的长度进一步的减小，并由此使切向数据密度增加。如权利要求1的信息层的厚度范围在权利要求4中定义，即2-100nm，最好是10-40nm或45-70nm。具有厚度在10-40nm的范围内的信息层的母盘基板被用来制作预置沟槽凹凸结构，该凹凸结构用于复制一次写入(R)和可重写(RE)盘。45-70nm的范围特别适于制作只读存储器型的盘的高密度凹凸结构。
权利要求5、6和7中要求了中间层的优选材料。权利要求5揭示了使用介电材料——如ZnS-SiO2、Al2O3、SiO2、Si3N4——作为权利要求1要求的母盘基板的中间层。权利要求6揭示了使用由酞菁、花青和偶氮染料组成的染料材料组中的有机材料作为母盘基板的中间层。权利要求7揭示了使用来自UV固化有机材料组中的有机材料，特别是己二醇二丙烯酸酯(HDDA)作为母盘基板的中间层。权利要求8中揭示了中间层(11)的优选厚度在5nm至100nm的范围内，特别是在20和70nm之间。
在一个优选实施例中，如权利要求1所要求的母盘基板的记录叠层进一步在最远离基板的一侧包括一个邻接于信息层(12)的保护层。权利要求10中揭示了该保护层的优选厚度，为2至50nm之间，特别是在5至30nm之间。权利要求11和12中揭示了其优选材料。权利要求11提出使用介电材料，如ZnS-SiO2、Al2O3、SiO2、Si3N4、Ta2O和SiC。权利要求12提出使用有机光致抗蚀剂材料，尤其是选自基于偶氮萘醌的光致抗蚀剂的组。而且，还揭示了诸如PMMA的可溶有机材料的使用。该保护层对于防止熔融相变材料的大规模迁移特别有用。这种效应将在本申请的下文中加以讨论。在写入母盘基板中的高密度凹凸结构期间，保护层需要抵抗在此期间遇到的高记录温度。另一个重要的要求是具有这样一种能力通过用所提出的刻蚀液体的刻蚀能够去除该层。其它溶剂也可能去除该覆盖层，例如丙酮、异丙醇，甚至可以在记录之后机械地剥离保护层以将它从母盘基板上除去。
在另一个优选实施例中，如权利要求1所要求的母盘基板在基板层和中间层之间还包括一个第二中间层，即其不朝向入射激光。该中间层优选地对于刻蚀液体具有高的抵抗性，以便该第二中间层发挥天然阻挡的作用。刻蚀沟槽和其它凹凸结构的深度由信息层和第一中间层的厚度决定。权利要求14中要求了第二中间层的厚度。
在另一个优选实施例中，权利要求1、9或13中所要求的母盘基板在记录叠层包括一个第二中间层时，进一步在基板层和中间层之间包括一个金属散热层，其不朝向入射激光。增加该金属散热层是为了在数据记录期间快速除去热量。与此同时，该金属散热层也能够作为一个反射器，以增强记录层对入射的激光束的吸收。金属层的优选厚度大于5nm，特别是大于15nm。金属散热层由基于一个材料组中的材料的材料或合金形成，该材料组包含Al、Ag、Cu、Ag、Ir、Mo、Rh、Pt、Ni、Os、W。
为进一步实现发明目的，还提供一种制作压模的方法，所述压模用于复制高密度凹凸结构。该方法至少包括以下步骤-用调制聚焦射束照射权利要求1-17中任一个所要求的母盘基板。
-用一种显影剂漂洗该照射后的母盘基板以得到所要求的凹凸结构，该显影剂是一种碱性或酸性的液体，并优选为选自NaOH、KOH、HCl和HNO3的水溶液，-溅射沉积一个金属层，特别是一个镍层，-以电镀方式使该溅射沉积层生长到所需要的厚度以形成为一个压模，-从该压模分离该母盘基板。
权利要求18中所要求中方法使用权利要求1、9、13或15中所要求的母盘基板，权利要求19揭示了其中形成有预置沟槽形状的凹凸结构的厚度在5-35nm的信息层，所述凹凸结构用于复制一次写入(R)和可重写(RE)光盘。
权利要求18或19所要求的方法中，使用浓度为1-30％的显影剂溶液，权利要求20中要求优选为2％至20％之间。
权利要求21揭示了一种用权利要求18、19或20的任一个方法制作的压模复制的预记录光盘，其特征在于压模表面上的凹凸结构包括普通月牙形的最短凹坑和燕尾形拖尾边缘的较长凹坑，且该凹凸结构是被复制在光盘上的。
下面将参照附加更加详细地解释本发明，其中图1显示了母盘基板的基本布局，图2显示了两类相变材料的成核及生长概率曲线生长主导型和成核主导型相变材料，图3显示了在基于快速生长相变材料的光记录介质中写入的非晶标记的透射电子显微镜(TEM)图片。
图4显示了凹凸结构的原子力显微镜(AFM)图片，其解释了非晶态和晶态的刻蚀速率的差别。
图5显示了在用NaOH作为显影剂的情况下对InGeSbTe相变材料测得的、作为总溶解时间的函数的剩余层厚度。
图6显示了在用NaOH作为显影剂的情况下对SnGeSb相变材料测得的、作为总溶解时间的函数的剩余层厚度。
图7显示了在用NaOH和HNO3作为显影剂的情况下对SnGeSb相变材料测得的、作为总溶解时间的函数的剩余层厚度。
图8显示了母盘基板的优选布局，图9显示了由所建议的母盘基板并按照所建议的方法制造的沟槽结构，图10显示了在一个激光功率下形成并在10％的NaOH溶液中浸泡三个不同的时间而获得的三个凹凸结构，图11显示了在三个不同激光功率下形成并在10％的NaOH溶液中浸泡10分钟而获得的三个凹凸结构，图12显示了用所建议的方法并按照所建议的母盘基板写入的短凹坑的AFM图片。
具体实施例方式
相变材料应用于公知的可重写盘格式，像DVD+RW和最近提出的蓝光光盘(BD-RE)。相变材料可以经由激光加热从沉积得到的非晶态改变至晶态。在许多情况下，在记录数据之前将沉积得到的非晶态变为晶态。通过激光加热薄的相变层使之熔融，可以使初始的晶态成为非晶态。若快速冷却该熔融态，固体非晶态就被保持下来。通过将非晶标记加热到结晶温度以上，该非晶标记(区域)可再次变成晶态。从可重写相变记录中可以知道这种机制。本申请人已经发现，取决于加热条件，在晶态和非晶态之间存在刻蚀速率的差异。所谓刻蚀就是在碱性液体、酸性液体或其它类型的溶剂中溶解固体材料的工艺。这种刻蚀速率的不同会带来凹凸的结构。对于所要求的材料分类中，适宜的刻蚀液为如NaOH、KOH的碱性液体以及如HCl和HNO3的酸。该凹凸结构例如可用于制造压模，该压模用于光学只读ROM盘和一次写入和可重写盘的预置沟槽基板的批量复制。所获得的凹凸结构也可用于高密度显示的印刷(微接解印刷)。
图1中给出了母盘基板的基本布局。在图1中，按照本发明所建议的母盘基板最基本地包括一个由相变材料形成的信息层(12)和一个夹在所述信息层(12)和基板(10)之间的中间层(11)。用作所述信息层的记录材料的相变材料的选择是根据材料的光学和热学性能，以便它适于使用所选择的波长进行记录。当母盘基板初始为非晶态的情况下，在照射期间记录晶态标记。当记录层初始为晶态的情况下，记录非晶态标记。在显影期间，两种状态之一在碱性或酸性液体中溶解而获理一个凹凸结构。
相变成分可以分为成核主导型和生长主导型材料。成核主导型相变材料具有相对较高的形成稳定晶核的概率，晶体标记可以从该晶核形成。与之相反的是其结晶速率通常较低。成核主导型材料的例子是Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5材料。生长主导型材料的特征是低的成核概率和高的生长速率。生长主导型相变成分是所揭示的In和Ge掺杂的Sb2Te成分和SnGeSb合金。这两类相变材料的成核与生长概率曲线在图2中示出。左图中示出了成核主导型相变材料的结晶特性，(21)表示成核概率，(22)表示生长概率。该材料具有相对高的形成稳定晶核的概率，非晶材料可以从中结晶化形成多晶标记。该重结晶过程在该图中的插入图中绘出。它示意地显示了在晶体背景(25)中从非晶标记(24)的稳定晶核(23)结晶化的过程。右图示出了生长主导型相变材料的结晶特性。(26)表示成核概率，(27)表示生长概率。该材料具有相对低的形成稳定晶核的概率，从该晶核可形成晶态标记。相反，生长速率较快以致当存在非晶态-晶态界面的情况下快速地重结晶。同样在该图中的插入图中绘出了该过程。经由从该晶态-非晶态界面的生长，非晶标记(24)重结晶。
当在初始非晶层中写入晶态标记的情况下，典型的标记保持与聚焦激光束的形状一致。通过控制所施加的激光功率，可以从某种程度上调节晶态标记的尺寸，但写入的标记几乎不能被制得比光束点尺寸更小。当在晶态层中写入非晶态标记的情况下，相变材料的结晶性能允许标记小于光束尺寸。特别是在使用生长主导的相变材料的情况下，通过以和写入非晶标记的时间相关的一个适当的时间量施加一个合适的激光水平，能够在非晶标记的尾部引起重结晶。
图3中阐明了这种重结晶过程。所显示的是写入到晶态背景层(32)中的非晶标记(31)的透射电子透镜(TEM)图片。所使用的相变材料是生长主导型相变材料，特别是一种掺杂了In和Ge的Sb2Te成分。由于在标记(34)的拖尾边缘中引发的重结晶，最短标记(33)具有所谓的月牙形的特征。较长标记(35)在拖尾边缘(36)中显示了类似的重结晶性能，也带来了标记的缩短。这种重结晶使得写入的标记小于光束点的尺寸。
图4中直观地表现了非晶态和晶态的溶解速率的差别，该图显示了将部分为晶态、部分为非晶态的相变膜用碱性溶液(10％的NaOH)漂洗10分钟之后得到的凹凸结构的原子力显微镜图片。左边的平稳段(41)表示相变膜的初始(非晶)态。右边的平稳态(42)是写入(晶体)态。可以发现台阶很平滑，这表示所使用的相变材料(掺杂In和Ge的Sb2Te)的非晶相与晶相之间溶解速率的高对比度。
图5中显示了对掺杂In和Ge的Sb2Te测得的溶解速率。图5a显示了对于5％和10％浓度的NaOH溶液作为总溶解时间的函数的剩余层厚度。曲线的倾斜度代表每单位时间被溶解的层厚，其表示溶解速率。对于5％的NaOH，这种特别的InGeSbTe组分的溶解速率约为2nm/每分钟。对于10％的NaOH，这种特别的InGeSbTe组分的溶解率约为1.5nm/每分钟。图5b描绘了对于10％的NaOH测得的作为总溶解时间的函数的沟槽深度。该沟槽用激光记录器(LBR)写入。显示了三个不同的激光功率(用LON指示)的测量结果。溶解速率也是1.5nm/每分钟。图5c描绘了对于5％、10％和20％的KOH测得的作为总溶解时间的函数的沟槽深度。对于5％的KOH的溶解速率为约1.3nm/每分钟，对于20％的KOH约为2nm/每分钟，对于10％的KOH约为3nm/每分钟。
对于SnGeSb组分，图6给出了对于5％、10％和20％浓度的NaOH溶液测得的作为总溶解时间的函数的剩余层厚度。曲线的倾斜度代表每单位时间被溶解的层厚，其表示溶解速率。对于5％的NaOH，这种特别的SnGeSb组分的溶解速率约为2.3nm/每分钟。
对于SnGeSb，图7中显示了对于5％的HNO3相比于10％的NaOH的测得的作为总溶解时间的函数的剩余层厚度。HNO3的溶解速率远高于NaOH，即为12nm/每分钟相比于2.3nm/每分钟。
图8给出了改进的母盘基板的布局。记录叠层包括基于快速生长相变材料的信息层(12)，以及在信息层的顶部上的一个中间层(11)、一个第二中间层(82)、一个金属散热层(83)和一个保护层(81)。增加金属散热层以控制在写入数据和沟槽期间热量的积累。特别地，如果标记是通过相变材料的非晶化而写入的，则在记录期间从信息层快速地除去热量是重要的，以使相变材料能够熔融淬火。增加保护层是为了防止熔融的相变材料在母盘基板旋转期间受到离心力的影响而发生大规模的迁移。在非晶写入的情况下，该保护层应当抵抗600-700℃的高记录温度。此外，该保护层应当能够被除去以在信息层中形成凹凸结构，且在中间层(11)中也同样可能。
由所建议的母盘基板并按照所建议的方法制成的沟槽显示于图9中，用一个激光束记录器写入沟槽轨距为740nm的沟槽，该记录器在413nm的激光波长下工作，并具有数值孔径NA＝0.9的物镜。在20％的NaOH溶液中的总溶解时间为10分钟。得到的沟槽深度为19.8nm。
由所建议的母盘基板并按照所建议的方法制成的沟槽的另一个例子显示于图10中。显示了溶解工艺的三个不同相态，即在10％的NaOH中浸泡5分钟(左图)、10分钟(中图)和15分钟(右图)后所得到的。用一个激光束记录器写入沟槽轨距为500nm的沟槽，该记录器在413nm的激光波长下工作，并具有数值孔径NA＝0.9的物镜。在15分钟浸泡之后得到沟槽深度为20nm。
用不同的LBR激光功率写入的沟槽在图11中显示。左图显示了在低激光功率下获得的结果，中间图显示了在中等激光功率下获得的结果，右图显示了在高激光功率下获得的结果。用10％的NaOH溶液的总溶解时间是10分钟。该图解释了所建议的母盘基板和方法能够形成不同沟槽宽度的沟槽。最低的功率解释了用413nm的LBR和NA＝0.9可以写宽度为160nm的沟槽，这能够制造用于复制25GB的Blu-ray RE(可重写)和R(一次写入)盘的母盘基板。预记录沟槽的轨距TP＝320nm。160nm的沟槽宽度给出了50％的沟槽/平台占空比。如果使用257nm的激光束记录器，沟槽的宽度可进一步减小。更小的光点将获得更小的热点，并因此使写入的沟槽变窄。更小的光点也便于写入更小的标记，并因此带来更高的数据密度。
图12给出了用所建议的母盘基板并按照所建议的方法写入的短凹坑的AFM图片。在10％的NaOH中的总溶解时间为10分钟。该凹坑由(120)表示。凹坑形状类似于图2中显示的最短标记的典型月牙形状。其凹坑宽度几乎为凹坑长度的两倍。由于凹坑(121)尾部中的重结晶效应，凹坑长度减小了。标记的月牙形状被完好地传递到凹凸结构。在该情况中的凹坑深度是20nm。
该示例解释了快速生长的相变材料在非晶相和晶相之间上具有高的溶解速率对比度。溶解速率的对比度可被用来在信息层中制造高密度凹凸结构。由于对于所使用的显影剂液体，中间层被设计成具有低的或为零的溶解速度，该中间层起着对刻蚀的天然阻挡的作用，所述的显影剂例如是碱性或酸性液体。预置沟槽形式的高密度凹凸结构可用作压模，该压模用于复制可记录(R)和可重写(RE)光盘。预置凹坑形式的高密度凹凸结构也可用作压模，该压模用于复制预记录的只读存储器(ROM)光盘。特别是在后面的情况中，由快速生长的相变材料中的写入而得到的典型月牙形状存在于高密度凹凸结构，并通过复制被完全传递到光学ROM盘。
所建议的具有保护层的母盘基板也极佳地适于用液体浸没来制作。液体浸没母盘制作是一种将物镜的数值孔径提高到1以上的母盘制作方法。水代替空气而作为一种中间介质存在于物镜和母盘基板之间。水具有比空气更大的折射率(n)。在一个优选的母盘制作方法中，要求温度至少升高500-800℃以引起相变层的熔融。特别地，当液体膜存在于相变层的顶部时，通过该液体膜会损耗大量的热量，这种热量损耗会导致1)记录数据的极高的激光功率。在大多数激光束记录器中，有效激光功率是有限的。因此，不允许极大的热损耗。
2)热写入点的变宽。这可以从侧面的热扩展来解释，其原因是由于信息层的附近中的良好热传导的存在。聚焦激光束点的尺寸由系统的光学系统决定。聚焦激光束点导致在记录叠层中由光子吸收造成的激光引入的加热。当在信息层的附近存在良好的热传导时，侧面扩展将导致温度分布的变宽。由于所建议的方法是基于热引起的相态转变，这种温度变宽会导致更大的标记并导致数据密度的减小。
所建议的保护层起着良好绝缘体的作用，防止热量从信息层耗散。当施加了这样的保护层时，光束点几乎接近于热点，以便写入小的标记。所建议的有机保护层的热传导率在0.2至0.4W/mK之间。
另一个优点是保护信息层防止进水。保护层可被看作是液体浸没母盘制作期间的一个密封器。
权利要求
1.一种母盘基板，包括一个基板层(10)和一个沉积在该基板层上的一个记录叠层，该记录叠层包括一个信息层(12)，一个位于所述信息层和基板之间的中间层(11)，所述信息层(12)包括一种用于形成表示编码数据图案的标记和间隔的生长主导型相变材料，其中所述记录材料是一种合金，该合金包括选自含Ge、Sb、Te、In、Se、Bi、Ag、Ga、Sn、Pb和As的材料组中的至少两种材料。
2.如权利要求1所述的母盘基板，其中所述记录材料是Sb-Te合金材料，特别是掺杂Ge和In的Sb2Te。
3.如权利要求1所述的母盘基板，其中所述记录材料是Sn-Ge-Sb合金材料，特别是具有Sn18.3-Ge12.6-Sb69.2的组分。
4.如权利要求1所述的母盘基板，其中所述信息层(12)具有范围在2nm至100nm的厚度，优选范围1在5至40nm之间，优选范围2在45至70nm之间。
5.如权利要求1所述的母盘基板，其中所述中间层(11)是由包含ZnS-SiO2、Al2O3、SiO2、Si3N4的介电材料组中的材料形成。
6.如权利要求1所述的母盘基板，其中所述中间层(11)包括至少一种有机染料，其选自于由酞菁、花青和偶氮染料组成的染料组。
7.如权利要求1所述的母盘基板，其中所述中间层(11)包括一个有机层，其选自于UV固化有机材料组，优选为己二醇二丙烯酸酯(HDDA)。
8.如权利要求1所述的母盘基板，其中所述中间层(11)具有范围在5nm至100nm的厚度，特别是在20和70nm之间。
9.如权利要求1所述的母盘基板，其中该记录叠层进一步包括在远离基板的一侧处的一个邻接于信息层(12)的保护层(81)。
10.如权利要求9所述的母盘基板，其中所述保护层(81)具有2至50nm的厚度，特别是在5和30nm之间。
11.如权利要求9所述的母盘基板，其中所述保护层(81)由包含ZnS-SiO2、Al2O3、SiO2、Si3N4、Ta2O和SiC的材料组中的材料形成。
12.如权利要求9所述的母盘基板，其中所述保护层(81)包括一种有机材料，特别是选自于基于偶氮萘醌的光致抗蚀剂的组，或选自于可溶有机材料的组，如PMMA。
13.如权利要求1或9所述的母盘基板，其中该记录叠层还包括在所述基板层和所述中间层(11)之间的第二中间层(82)。
14.如权利要求13所述的母盘基板，其中所述第二中间层(82)具有10和100nm之间的厚度，优选为在15和50nm之间。
15.如权利要求1、9或13所述的母盘基板，其中在所述基板层和所述中间层(11)或中间层(82)之间存在一个金属散热层(83)。
16.如权利要求15所述的母盘基板，其中所述金属散热层(83)具有大于5nm的厚度，特别是大于15nm。
17.权利要求15所述的母盘基板，其中所述金属散热层(83)包括一种选自于包含Al、Ag、Cu、Ag、Ir、Mo、Rh、Pt、Ni、Os、W及其合金组成的材料组中的材料。
18.一种制作压模的方法，所述压模用于复制高密度凹凸结构，该方法至少包括以下步骤用调制聚焦射束照射权利要求1-17中任一个所要求的母盘基板。用一种显影剂漂洗被照射后的母盘基板以得到所要求的凹凸结构，该显影剂是一种碱性或酸性的液体，并优选为选自NaOH、KOH、HCl和HNO3的水溶液，溅射沉积一个金属层，特别是一个镍层，以电镀方式使该溅射沉积层生长到所需要的厚度以形成为一个压模，从该压模分离该母盘基板。
19.如权利要求18所述的方法，该方法使用权利要求1、9、13或15所要求的母盘基板，该信息层(12)具有5-35nm的厚度，其中形成有预置沟槽形状的凹凸结构，所述凹凸结构用于复制一次写入(R)和可重写(RE)光盘。
20.如权利要求18-19中任一个所述的方法，其中使用浓度为1-30％的显影剂溶液，优选为2％至20％之间。
21.一种用权利要求18、19或20的任一个方法制作的压模来复制的预记录光盘，其特征在于压模表面上的凹凸结构包括普通月牙形的最短凹坑和燕尾形拖尾边缘的较长凹坑，且该凹凸结构是被复制在光盘上的。
全文摘要
本发明涉及一种母盘基板、一种制作高密度凹凸结构的方法和由该高密度凹凸结构复制的光盘，该母盘基板包括一个基板层(10)和一个沉积在该基板层上的一个记录叠层，该记录叠层包括一个信息层(12)；一个位于所述信息层和基板之间的中间层(11)，所述信息层(12)包括一种用于形成表示编码数据图案的标记和间隔的生长主导型相变材料，其中所述记录材料是一种合金，该合金包括选自含Ge、Sb、Te、In、Se、Bi、Ag、Ga、Sn、Pb和As的材料组中的至少两种材料。得到高密度的凹凸结构。
文档编号G11B7/0045GK1942956SQ200580011262
公开日2007年4月4日 申请日期2005年4月8日 优先权日2004年4月15日
发明者E·R·梅恩德斯, R·A·洛奇 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司