专利名称：光盘记录重放装置、光盘记录重放方法、及光记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及到一种光盘记录重放装置、光盘记录重放方法、及光记录介质。
背景技术：
作为基于DVD(Digital Versatile Disc)规格的可改写型光盘的DVD-RW盘现在已经得到广泛普及。
以下对该DVD-RW光盘的结构进行说明。以下将该DVD-RW盘简称为盘。
(单层盘的结构)图14(A)是表示记录层是单层的盘的截面结构的示意图。盘100从内周向外周被分割为功率校准区(PCAPower Calibration Area)101、记录管理区域(RMARecording Management Area)102、导入区域(Lead In)103、数据区域(Data Area)104、导出区域(Lead Out)105。
PCA区域101和RMA区域102这二个区域一起构成R信息区域(R Information area)106。
数据区域104是记录用户数据的区域。导入区域103和导出区域105是在访问数据区域104时防止记录/重放头(光拾取器)的超限的缓冲区域。
在上述导入区域103的一部分上设有如图14(B)所示的控制数据区107。盘大小等盘整体信息、记录功率及记录波形图案等进行记录时的参考条件等各种信息在盘制造时预先记录到其中。
光盘驱动装置在盘100的数据区域104中实际开始用户数据的记录前，预先对该盘100的预定区域一边改变记录条件一边试写预定的信号，根据重放该试写的区域所获得的重放信号的特性导出最佳记录条件，通过该最佳记录条件进行用户数据的记录。这样一来可获得良好的记录质量。
因此，将这种根据重放试写的区域所获得的重放信号的特性导出最佳记录条件的方式称为OPC(Optimum Power Control，最佳功率控制)。图14(A)的PCA区域101是用于进行该OPC的试写的区域。
并且，图14(A)的RMA区域102是记录对导入区域103、数据区域104、导出区域105进行的，用于管理用户数据的记录信息、OPC信息的记录管理信息的区域。将这些信息存储在称为RMD(RecordingManagement Data，记录管理数据)的预先确定的数据结构的各字节中，每进行一次记录动作，记录到上述RMA区域102的新的区域中。
盘100如图15的透视图所示，在记录层中，作为信息轨道的凹槽轨道201、及用于将光束203引导到该凹槽轨道201的岸台轨道202在盘半径方向上交互形成。并且，岸台轨道202中，在盘制造时的预格式化阶段，作为表示盘上的位置信息的地址信息等作为岸台预刻凹坑(LPP)204被记录(例如参照对比文献1)。向DVD-R盘、DVD-RW盘的记录根据该LPP 204来进行。LPP 204中除了地址信息外，还记录参考写入功率、记录波形图案等记录时的参考信息。
(单面双层盘的结构)接着对一个面上具有二层记录层的盘的结构进行说明。图16是表示该单面双层盘的截面结构的示意图。如该图所示，单面双层盘30中，第一层记录层301和第二层记录层302在记录重放时照射的光束402的光轴方向上层叠。光束402通过物镜401聚光到第一层记录层301上，或者透过第一层记录层301聚光到第二层记录层302上。
作为靠近物镜401的记录层的第一层记录层301的记录区域，从内周到外周被分割为PCA区域311、RMA区域312、导入区域313、数据区域314、及中间区域(Middle Area)315。并且，第二层记录层302的记录区域从内周向外周被分割为PCA区域321、RAM区域322、导出区域323、数据区域324、及中间区域325.
即，第一层记录层301中，相当于图14(A)所示的单层盘100的导出区域105的部分被置换为中间区域315。并且，第二层记录层302中，相当于第一层记录层301的导入区域313的部分被置换为导出区域323。之所以是这种结构是因为，第一层记录层301从内周向外周进行记录重放，第二层记录层302从外周向内周进行记录重放。
与单层盘一样，双层盘也进行OPC。
二个记录层中，在向第一层记录层301的数据区域314记录用户数据时，在进行该记录前，在第一层记录层301的PCA区域311中进行OPC，在向第二层记录层302的数据区域324记录用户数据时，在进行该记录前，在第二层记录层302的PCA区域321进行OPC。用于在PCA区域311及321分别进行OPC的试写的顺序如图17所示。即，第一层记录层301对PCA区域311的试写从外周的区域边界向内周以1、2、3......的顺序进行试写。另一方面，第二层记录层302向PCA区域321的试写是从内周的区域边界向外周方向以1、2、3......的顺序进行试写。此外，在第二层记录层302的PCA区域321中试写时，位于进行该试写的光束入射的区域的第一层记录层301的PCA区域311保持未记录的状态。因此，在各个记录层中反复进行用于OPC的试写，PCA区域311的已记录区域和PCA区域321的已记录区域在盘半径方向的距离接近，当其距离低于一定程度时，之后无法进行对第二层记录层302的OPC。但是，DVD-RW盘是可改写的介质，因此在这种情况下，通过删除PCA区域321的已记录区域中写入的数据并返回到未记录状态，可再次进行OPC。
以上所说明的盘可进行数千次以上的改写。在该盘的记录膜中使用相变化型的材料。并且，向盘记录数据及删除已记录的数据使用功率为三值变化的光束。图2是表示利用该三值变化的光束进行数据的删除及记录的方式的图。Pw是表示写入功率的电平。当记录膜上照射了具有该Pw功率的光束时，该被照射区域的记录膜从结晶相变为非晶相，形成凹坑。Pe是表示删除功率的电平。当记录膜上照射了具有该Pe功率的光束时，该被照射区域的记录膜从非晶相还原到结晶相，旧的凹坑被删除。Pb是表示底部功率的电平。这相当于脉冲分割记录引起的分割脉冲的底部功率，起到防止记录时的光束照射引起的热扩散的作用。
作为判断对盘进行OPC时的记录状态是否良好的特性参数，使用非对称值β(表示RF信号的非对称性的指标)或根据调制度获得的值γ的方法在专利文献2中有记载。
在专利文献2中，首先固定光束的删除功率、底部功率，改变写入功率并记录测试用信号，通过测定重放该记录的区域并判断记录状态是否良好的特性参数，求得最佳写入功率。接着，将写入功率固定为上述求得的最佳写入功率，进一步固定底部功率，改变删除功率并记录测试用记录信号，通过测定重放该记录的区域并判断记录状态是否良好的特性参数，求得最佳删除功率。最后，将写入功率和删除功率固定为通过上述处理求得的最佳写入功率和删除功率，改变底部功率并写入测试用记录信号，通过测定重放该记录的区域并判断记录状态是否良好的特性参数，求得最佳底部功率。
以上论述了利用以上处理求得的最佳的写入功率、删除功率、底部功率将用户数据记录到数据区域的方法。并且论述了上述各处理中作为判断记录状态是否良好的特性参数使用非对称值β或根据调制度获得的值γ的方法。最佳记录状态是最终误差率变得最好的记录状态，因此如果误差率可作为判断记录状态是否良好的特性参数使用的话也可。但是实际上，如果不重放大量的数据则无法测量出足够实际应用的误差率。因此，误差率由于消耗较多的记录区域因此无法作为OPC的特性参数使用。
专利文献1特开平10-293926号公报专利文献2特许第3259642号公报在单面双层盘30中，为了使光束照射到第二层记录层302，必须透过第一层记录层301。因此，第一层记录层的记录膜需要比单层盘薄很多。这样一来记录层的结构变得复杂，单面双层盘30在以光束的功率为首的各种记录条件的管理上和单层盘相比较为困难。
根据我们的实验的结果可知，尤其在第一层记录层301中，如果不严格进行最佳记录条件的设定，则记录重放状态恶化，重放时发生较多的误差，重放不佳的危险性增大。并且通过我们的实验发现，随着对同一记录区域的再记录次数的增加，记录重放特性也会发生变化。
其中，记录次数以初次向新品状态的单面双层盘30的第一层记录层301进行记录时作为第一次，之后向与该第一次记录的区域相同的区域再次记录时作为第二次。图18是表示利用同一记录条件对同一区域进行记录重放时的记录次数和重放误差率的关系的测量结果的图。从该图可知，尤其是第二次记录重放时的重放误差率较差，第10次以后第1000次以下时，是较为良好的、稳定的重放误差率。并且，图19(A)是表示写入功率Pw和重放误差率的关系的测量结果的图，图19(B)是表示删除功率Pe和重放误差率的关系的测量结果的图。从该图可知，通过写入功率Pw或删除功率Pe的变化，重放误差率也大幅改变。并且可知，第一次记录时的最佳写入功率Pw或删除功率Pe与第二次记录时的最佳写入功率Pw或删除功率Pe之间存在差。
发明内容
本发明正是鉴于以上课题而产生的，其目的在于提供一种即使对记录条件管理较为困难、并且随着再记录次数的增加记录重放特性有发生改变危险的单面双层盘或更多层的盘的第一层记录层，也可总是进行稳定的记录的装置、方法、程序、及记录介质。
为了解决上述课题，本发明提供下述装置、方法、及记录介质。
(1)一种光盘记录重放装置，利用从光拾取器照射的激光对可改写的光盘进行记录/重放，上述可改写的光盘具有多个记录层，并在各层中设有记录/重放用户数据的数据记录区域、及为了求得最佳记录功率而记录/重放测试信号的试写区域，该光盘记录重放装置的特征在于，具有第一记录单元，进行第一记录处理，通过利用预定记录功率及第一预定删除功率而调制控制的激光，在上述光盘的多个记录层中，将用户数据记录到最靠近上述光拾取器的记录层的第一记录层中的上述数据区域中；第二记录单元，进行第二记录处理，通过利用阶段性变化的多个记录功率而调制控制的激光，在上述第一记录层的上述试写区域中记录上述测试信号；删除单元，进行删除处理，将上述第一删除功率的1.5倍至3倍的第二预定删除功率的激光照射到上述试写区域；以及控制单元，进行以下任意一种控制利用上述第二记录单元最初对初始状态的上述光盘进行上述第二记录处理时，进行控制，使得对至少包括事前进行上述试写区域中的上述第二记录处理的区域的区域，利用上述删除单元进行上述删除处理；或者，利用上述第二记录单元对初始状态的上述光盘仅进行一次上述第二记录处理后，进行控制，使得对上述试写区域中的至少进行了该第二记录处理的区域，利用上述删除单元进行上述删除处理。
(2)一种光盘记录重放装置，利用从光拾取器照射的激光对可改写的光盘进行记录/重放，上述可改写的光盘具有多个记录层，并在各层中设有记录/重放用户数据的数据记录区域、及为了求得最佳记录功率而记录/重放测试信号的试写区域，该光盘记录重放装置的特征在于，具有第一记录单元，进行第一记录处理，通过利用预定记录功率及第一预定删除功率而调制控制的激光，在上述光盘的多个记录层中，将用户数据记录到最靠近上述光拾取器的记录层的第一记录层中的上述数据区域中；第二记录单元，进行第二记录处理，通过利用阶段性变化的多个记录功率而调制控制的激光，在上述第一记录层的上述试写区域中记录上述测试信号；删除单元，进行删除处理，将上述第一删除功率的1.5倍至3倍的第二预定删除功率的激光照射到上述数据记录区域；以及控制单元，进行以下任意一种控制利用上述第一记录单元最初对初始状态的上述光盘进行上述第一记录处理时，进行控制，使得对至少包括事前仅在上述数据区域中的预先确定的内周侧的预定范围内进行上述第一记录处理的区域的区域，利用上述删除单元进行上述删除处理；或者，利用上述第一记录单元对初始状态的上述光盘仅进行一次上述第一记录处理后，进行控制，使得对仅在上述数据区域中的预先确定的内周侧的预定范围内至少进行了上述第一记录处理的区域，利用上述删除单元进行上述删除处理。
(3)根据上述(1)或(2)所述的光盘记录重放装置，其特征在于，具有参考数据重放单元，在上述第一记录层中，重放在上述光盘的制造阶段预先形成的预制凹坑及控制数据区域的两者或任意一者中记录的、与记录到上述第一记录层相关的参考数据，上述删除单元，在由上述参考数据重放单元重放的参考数据中含有用于求得上述第二预定删除功率的1.5至3的系数涉及的信息时，利用该信息确定上述第二预定删除功率，当不含有上述信息时，利用和本装置内部预先设定的上述光盘的第一记录层对应的上述信息，确定上述第二预定删除功率。
(4)一种光记录介质，是通过上述(3)所述的光盘记录重放装置记录或重放信息的、记录层在激光的光轴方向层叠多个的多层结构的可改写的盘状光记录介质，其特征在于，在上述多个层叠的记录层的第一记录层中、在上述光盘的制造阶段预先形成的预制凹坑区域及控制数据区域两者或任意一者中记录的、与记录到上述第一记录层相关的参考数据中，含有上述光盘记录重放装置的上述删除单元使用的、用于求得上述第二预定删除功率的1.5至3的系数涉及的信息。
(5)一种光盘记录重放方法，利用从光拾取器照射的激光对可改写的光盘进行记录/重放，上述可改写的光盘具有多个记录层，并在各层中设有记录/重放用户数据的数据记录区域、及为了求得最佳记录功率而记录/重放测试信号的试写区域，该光盘记录重放方法的特征在于，具有第一记录步骤，进行第一记录处理，通过利用预定记录功率及第一预定删除功率而调制控制的激光，在上述光盘的多个记录层中，将用户数据记录到最靠近上述光拾取器的记录层的第一记录层中的上述数据区域中；第二记录步骤，进行第二记录处理，通过利用阶段性变化的多个记录功率而调制控制的激光，在上述第一记录层的上述试写区域中记录上述测试信号；删除步骤，进行删除处理，将上述第一删除功率的1.5倍至3倍的第二预定删除功率的激光照射到上述试写区域；以及控制步骤，进行以下任意一种控制利用上述第二记录步骤对初始状态的上述光盘最初进行上述第二记录处理时，进行控制，使得对至少包括事前进行上述试写区域中的上述第二记录处理的区域的区域，利用上述删除步骤进行上述删除处理；或者，利用上述第二记录步骤对初始状态的上述光盘仅进行一次上述第二记录处理后，进行控制，使得对上述试写区域中的至少进行了该第二记录处理的区域，利用上述删除步骤进行上述删除处理。
(6)一种光盘记录重放方法，利用从光拾取器照射的激光对可改写的光盘进行记录/重放，上述可改写的光盘具有多个记录层，并在各层中设有记录/重放用户数据的数据记录区域、及为了求得最佳记录功率而记录/重放测试信号的试写区域，该光盘记录重放方法的特征在于，具有第一记录步骤，进行第一记录处理，通过利用预定记录功率及第一预定删除功率而调制控制的激光，在上述光盘的多个记录层中，将用户数据记录到最靠近上述光拾取器的记录层的第一记录层中的上述数据区域中；第二记录步骤，进行第二记录处理，通过利用阶段性变化的多个记录功率而调制控制的激光，在上述第一记录层的上述试写区域中记录上述测试信号；删除步骤，进行删除处理，将上述第一删除功率的1.5倍至3倍的第二预定删除功率的激光照射到上述数据记录区域；以及控制步骤，进行以下任意一种控制利用上述第一记录步骤对初始状态的上述光盘最初进行上述第一记录处理时，进行控制，使得对至少包括事前仅在上述数据区域中的预先确定的内周侧的预定范围内进行上述第一记录处理的区域的区域，利用上述删除步骤进行上述删除处理；或者，利用上述第一记录步骤对初始状态的上述光盘仅进行一次上述第一记录处理后，进行控制，使得对仅在上述数据区域中的预先确定的内周侧的预定范围内至少进行了上述第一记录处理的区域，利用上述删除步骤进行上述删除处理。
(7)根据上述(5)或(6)所述的光盘记录重放方法，其特征在于，具有参考数据重放步骤，在上述第一记录层中，重放在上述光盘的制造阶段预先形成的预制凹坑及控制数据区域的两者或任意一者中记录的、与记录到上述第一记录层相关的参考数据，上述删除步骤，在由上述参考数据重放步骤重放的参考数据中含有用于求得上述第二预定删除功率的1.5至3的系数涉及的信息时，利用该信息确定上述第二预定删除功率，当不含有上述信息时，利用和预先设定的上述光盘的第一记录层对应的上述信息，确定上述第二预定删除功率。
根据本发明，即使对记录条件管理较为困难、并且随着再记录次数的增加记录重放特性有发生改变危险的单面双层盘或更多层的盘的第一层记录层，也可总是进行稳定的记录。
图1是表示本发明的一个实施例的结构图。
图2是表示对DVD-RW进行记录/删除时的激光功率的变化的图。
图3是本发明的一个实施方式中的记录状态检测电路的结构图。
图4是表示直流成分被去除的HF信号的形态的图。
图5是表示写入到单面双层DVD-RW的写入功率和调制度的关系的图表。
图6是表示RMD的数据结构的一部分的图。
图7是表示本发明的实施例的动作的流程图。
图8是表示LPP或控制数据区中记录的记录特性改善用DC删除功率系数的内容的图。
图9是表示本发明的一个实施例中的试写形态的图。
图10是表示对进行了记录特性改善用DC删除时的单面双层DVD-RW进行记录的记录次数和β的关系的图表。
图11是表示本发明的一个实施例的动作的流程图。
图12是本发明的一个实施例的动作说明图。
图13是表示现有方法下的对单面双层DVD-RW进行记录的记录次数和β的关系的图表。
图14是单层DVD-R/RW的结构图。
图15是DVD-R/RW的记录层的结构图。
图16是单面双层DVD-R/RW的结构图。
图17是单面双层DVD-R/RW的PCA区域的结构图。
图18是对单面双层DVD-RW进行记录的记录次数和误差率的关系的图表。
图19是表示对单面双层DVD-RW进行写入的写入功率和误差率、及删除功率和误差率的关系的图表。
图20是表示单面双层DVD-RW的OPC时的DC删除功率和β的关系的图表。
具体实施例方式
参照附图对本发明的实施方式进行说明。
(整体结构)图1是表示包括本发明的光信息记录装置的一个实施方式的记录重放系统的框图。
在该图中，记录重放系统由以下构成上位装置10、作为本发明的光信息记录装置的一个实施方式的光盘装置20、以及单面双层盘30。上位装置10指示光盘装置20对于单面双层盘30进行记录或重方。上位装置10例如是个人计算机等。上位装置10和光盘装置20也可收容在同一框体中。这种方式例如在光盘唱盘中采用。单面双层盘30装入在光盘装置20中。
光盘装置20由以下构成控制装置整体的系统控制器21；对单面双层盘30进行记录及重放的记录重放电路22；与记录重放电路22连接、进行光束的放射和反射光束的接受的光拾取器23；存储了系统控制器21执行的控制程序的程序存储器24；暂时保存用于对单面双层盘30进行记录及重放的数据的数据存储器25；连接这各个结构块的内部总线26；进行上位装置10和内部总路线26的接口的IF27；以及记录状态检测电路28。
记录重放电路22及光拾取器23作为用于向单面双层盘30进行OPC的试写、管理信息的记录、及进行用户数据记录的记录单元；以及记录到盘的上述各信息的重放单元而起作用。
记录状态检测电路28作为重放进行了试写的部分时，测定用于计算判断记录状态是否良好的特性参数的单元而起作用。通过记录状态检测电路28测定的测定值通过内部总路线26被传送到系统控制器21。
系统控制器21根据程序存储器24中存储的控制程序的执行步骤，根据由记录状态检测电路28提供的测定值进行运算，计算出特性参数。并且，利用该计算出的特性参数确定记录条件。
单面双层盘30是相变化型的记录介质。相变化型是指以下方式利用向记录层照射激光使该记录层的记录膜在结晶相和非晶相之间可逆可变的特性，进行信息的记录及删除。
(记录方法)以下说明单面双层盘30的信息记录方法及删除方法。
图2表示对上述相变化型的记录介质进行信息记录时的形态。将光束变换为多脉冲列的发光波形并照射到记录层，记录信息。具体而言，例如，对应记录的信息进行NRZI调制并变换为记录数据(NRZI数据)，进一步对该记录数据进行光调制，获得多脉冲列的发光波形，将该发光波形的光束照射到记录层上，记录信息。此外，在该说明中，作为应记录的信息的调制方法示例了使用NRZI调制的例子，但调制方式不限于此，可采用任意的方式。
图2的recording data是记录数据，write pulse是多脉冲列的发光波形。在该write pulse中，Pw是表示写入功率的电平。Pe是表示删除功率的电平。Pb是表示底部功率的电平。并且，T是信道时钟期间，Ttop、Tmp分别是维持写入功率的脉冲期间。
从该图可知，在记录数据的低电平期间，功率电平是删除功率Pe的光束照射到记录层上。另一方面，在记录数据的高电平期间，功率电平是写入功率Pw和底部功率Pb交互变化的光束照射到记录层上。
这样一来，在记录数据的高电平期间，功率电平是写入功率Pw和底部功率Pb交互变化的光束照射到记录层上，通过写入功率Pw引起的加热及底部功率Pb引起的冷却而产生的热变化(急冷)条件，在记录层的记录膜上形成非晶相。
并且，在记录数据的低电平期间，通过电平Pe的删除电平引起的加热的热变化(渐冷)条件，在记录层的记录膜上形成结晶相。
因此，通过上述说明可知，对记录介质的记录数据的记录可以是不取决于记录前的相的状态的、直接覆写记录。
在向图16中的单面双层盘30的数据区域314、324记录用户数据时，不论记录的区域在记录前的状态是结晶相/非晶相的哪一种相，通过上述直接覆写记录来记录用户数据。
另一方面，为了进行OPC，在试写到PCA区域311、321时，使用如下方法在对进行该试写的区域以预定的删除功率进行DC(DirectCurrent)删除后，再进行试写。这是因为，在直接覆写记录中，有时无法正确求得最佳记录功率。DC删除是指通过把一定功率的光束连续照射到记录层，使照射的记录层的记录膜全部成为结晶相(删除数据)。数据的记录通过图2所示的多脉冲列的发光波形的光束来进行，与之相对，DC删除通过一定功率的光束来进行。DC删除时的功率的电平是和图2的删除功率Pe基本相同的功率电平。
(记录状态检测电路)在重放图1所示的单面双层盘30中记录的信息时，光拾取器23将重放用光束照射到单面双层盘30的记录区域，接收该反射光并进行光电变换，获得重放信号。并且，将该重放信号输出到记录重放电路22及记录状态检测电路28。
图3表示记录状态检测电路28的具体例子，对其动作进行说明。
该图中的峰值电平检测电路43检测输入的重放信号(RF信号)的+一侧的峰值电平，并作为A3输出。
高通滤波器40消除输入的RF信号的直流成分，生成如图4所示的信号，输出到后级的峰值电平检测电路41、及底部电平检测电路。
峰值电平检测电路41、底部电平检测电路42分别检测出通过高通滤波口器40被消除了直流成分的RF信号的+一侧的峰值、-一侧的峰值，并作为A1、A2输出。
该A1～A3的各峰值检测信号被输入到系统控制器21.
系统控制器21利用各峰值检测信号进行预定的运算，计算出各种特性参数。
(特性参数)作为特性参数之一，包括表示RF信号的非对称程度的值β。非对称值β通过以下公式1计算求得。
β＝(A1+A2)÷(A1-A2)......(公式1)并且，作为其他特性参数包括表示RF信号的调制度的值m。调制度m通过以下公式2计算求得。
M＝(A1-A2)÷A3......(公式2)一般情况下，调制度m根据记录该重放的数据时的写入功率Pw而改变。图5表示该形态。横轴是写入功率Pw，纵轴是调制度m。
从该图可知，当写入功率Pw较低时，RF信号的振幅较小，因此调制度m较小。随着写入功率Pw变大，RF信号的振幅变大，调制度m也变大。但是，当写入功率Pw变大到一定程度时会饱和。用该开始饱和的写入功率Pw记录数据时，重放误差最少。因此，可知将该开始饱和的写入功率Pw作为最佳写入功率Pwo即可。
作为通过调制度m进行记录状态是否良好的判断的其他方法，包括使用根据调制度m的特性求得的参数γ的方法。γ通过下述公式3的运算求得。该公式3表示γ是用记录功率Pw微分调制度m而获得的。
γ＝(dm/dPw)×(Pw/m)......(公式3)γ也随着记录该重放的数据时的写入功率Pw而改变。图5表示其形态。横轴是写入功率Pw，纵轴是γ。从该图可知，随着写入功率Pw变大，γ减小。
以上说明了写入功率Pw和β、γ的关系，删除功率Pe也具有同样的关系。
(单层盘的OPC)单层盘中，写入功率Pw、删除功率Pe与β、γ的关系按照盘的种类基本是一定的。因此，测定通过重放时的误差率最小的写入功率Pw、删除功率Pe所记录的数据的β、γ，将该β、γ值在制造盘时预先预记录到盘中即可。
光盘装置20在装入预记录了β的盘时，读入该值，作为目标值存储在内部的数据存储器25中。并且，在执行OPC时，以10个阶段改变写入功率Pw、删除功率Pe并进行试写，重放该试写的数据，计算出各写入功率Pw、删除功率Pe的组合的非对称值β。将该β值最接近数据存储器中存储的目标值时的写入功率Pw、删除功率Pe分别确定为最佳写入功率Pwo、最佳删除功率Peo。以γ为指标使用时，也通过同样的处理来确定。
(单面双层盘的OPC)
另一方面，对单面双层盘、特别是该单面双层盘的第一层记录层，难于适用对上述单层盘的OPC。
图13表示反复进行以下处理时的测定结果在单面双层盘的第一层记录层的预定区域中，通过另行求得的最佳写入功率Pwo、最佳删除功率Peo记录数据，重放该记录的数据并测定β的记录处理。横轴是记录重放处理的执行次数，纵轴是测定的β的电平。
从该图可知，虽然利用了同一最佳写入功率Pwo、最佳删除功率Peo进行了记录，但根据记录重放处理的执行次数的不同β值发生变化。该测定结果是通过我们的实验初次得到的，一直以来不被知晓。
在第一次的记录重放处理中，β获得较小的值。之后随着反复进行第二、第三次记录重放处理，β变得较大的值，第四次之后基本为同一值。
根据该测定结果，例如将第四次之后的基本一定的β值作为目标值，预记录到盘中。但是这样一来，在执行第一至第三次的OPC时，可获得接近预记录的β的目标值的写入功率Pw与最佳写入功率Pwo相比是较小的值。另一方面，将第一次的β值作为目标值预记录到盘中。但是，这样一来进行第四次以后的OPC时，可获得接近预记录的β的目标值的写入功率Pw与最佳写入功率Pwo相比为较大的值。
这种情况在删除功率Pe中也一样。
因此，存在以下问题当随着记录重放的次数不同β发生变化时，无法将最佳写入功率Pwo及最佳删除功率Peo确定为一个。
因此，为了对单面双层盘、特别是该单面双层盘的第一层记录层进行良好的记录，需要解决上述问题。
(实施例1)对解决上述问题的本发明的第一实施例进行以下说明。
(盘装入时的动作流程)利用图7的流程图对图1所示的单面双层盘30装入到光盘装置20时的动作进行说明，并且利用各附图在流程图的各步骤的说明中对本实施例的特征部分进行说明。
执行该动作的主体在没有特别声明的情况下是图1所示的系统控制器21。
当单面双层盘30被装入到光盘装置20时(步骤S1)，光盘装置20判断装入的盘的种类(步骤S11)。这通过例如取得导入区域中记录的盘判断信息等来进行。在此设为装入了单面双层DVD-RW盘的装置。
接着，光盘装置20读出单面双层盘30的RMA区域312中记录的最新的(刚记录的)RMD，取得该RMD中含有的记录特性改善用DC已删除区域信息(步骤S2)。
图6(A)表示本实施例的RMD的数据的一部分。在该图中，字节位置m～m+5是作为本实施例的特征的、存储了上述记录特性改善用DC已删除区域信息的字段。字节位置m～m+2中，存储记录特性改善用DC已删除区域的最内周的地址，在字节位置m+3～m+5中，存储记录特性改善用DC已删除区域的最外周的地址。
光盘装置20分别比较步骤S2中取得的记录特性改善用DC已删除区域的最内周的地址及最外周的地址、及第一层记录层PCA区域311的最外周的地址及最内周的地址，判断记录特性改善用DC已删除区域是否为第一层记录层PCA区域311的全体区域(步骤S3)。
当记录特性改善用DC已删除区域的最内周的地址是比第一层记录层PCA区域311的最内周的地址大的值、或记录特性改善用DC已删除区域的最外周的地址是比第一层记录层PCA区域311的最外周的地址小的值时，判断记录特性改善用DC已删除区域比第一层记录层PCA区域311的全体区域小，前进到步骤S4。此外，当是新的盘时，RMD自身未被记录、或RMD已被记录，字节位置m～m+5全部为0。这种情况下也前进到步骤S4。
另一方面，当记录特性改善用DC已删除区域的最内周的地址是和第一层记录层PCA区域311的最内周的地址相同的值、且记录特性改善用DC已删除区域的最外周的地址是比第一层记录层PCA区域311的最外周的地址是相同的值时，判断第一层记录层PCA区域311的全部区域完成记录特性改善用DC删除，前进到步骤S9。
在步骤S4中，重放单面双层盘30的LPP 204、或作为导入区域103的一部分的控制数据区107，读出参考写入功率Pwc、删除功率和写入功率的比εc、记录特性改善用DC删除功率系数μ。该记录特性改善用DC删除功率系数μ是对通常的DC删除使用的DC删除功率Pedc的乘法系数。详情后述。
这些参考写入功率Pwc、删除功率和写入功率的比εc、记录特性改善用DC删除功率系数μ在LPP 204或控制数据区107中，与其他各种信息一同以预先确定的结构被存储。图8(A)表示LPP 204或控制数据区107中存储的格式的例子。在该例中，字节位置N上存储参考写入功率值Pwc，在N+1中存储删除功率Pec和写入功率Pwc的比的参考值εc，在N+2中存储记录特性改善用DC删除功率系数μ。
图8(B)是表示图8(A)的字节位置N+2中存储的字节数据和实际的记录特性改善用DC删除功率系统μ的对应关系的示例图。其示例了以下情况设字节数据为01h时的μ为1.5，之后字节数据每增加1h，μ增加0.1，当字节数据为10h时μ为3.0。此外，字节数据为00h时，表示未存储记录特性改善用DC删除功率系数μ。
将上述Pwc乘以εc值、或比其稍大的值的功率作为通常的DC删除时使用的DC删除功率Pedc来确定。通过将该DC删除功率Pedc的光束402照射到记录层，进行通常的DC删除。
在步骤S41中，将光束402照射到第一层记录层301。即，使物镜401下的光束402的焦点与第一层记录层301对应。
在步骤S5中，对第一层记录层PCA区域311中已经进行了记录特性改善用DC删除的区域以外的区域，利用上述已经说明的、将记录特性改善用DC删除功率系数μ和通常的DC删除所使用的DC删除功率Pedc相乘的值(μ×Pedc)的功率，开始DC删除。将用该μ×Pedc的光束功率进行的DC删除称为记录特性改善用DC删除。以下对记录特性改善用DC删除功率系数μ进行详细说明。
图10表示反复进行以下处理时的测定结果预先对单面双层盘的第一层记录层的预定区域以例如μ＝2.0计算的光功率进行上述记录特性改善用DC删除后，通过另行求得的最佳写入功率Pwo、最佳删除功率Peo记录数据，重放该记录的数据并测定β的记录重放处理。横轴是记录重放处理的执行次数，纵轴是测定的β的电平。比较该图10和表示未进行记录特性改善用DC删除时的结果的图13可知图13的β值随着记录重放次数的增加而变大，与之相对，图10的β值不取决于记录重放次数，而是基本一定的值，不依赖于记录次数。
并且，图20是表示使用另行求得的最佳写入功率Pwo、最佳删除功率Peo、改变进行记录重放前的记录特性改善用DC删除的删除功率的值来进行实验的结果的图。横轴是记录特性改善用DC删除的删除功率、纵轴是β的电平。并且，同图中的ini(菱形标记)绘制的数据线是第一次记录重放后的β测定结果，ROW1(四角标记)绘制的数据线是第二次、DOW10(三角标记)绘制的数据线是第十一次。分别在第一次记录重放前用横轴对应的功率进行记录特性改善用DC删除。此时，最佳删除功率Peo为6.8mW。从同图可知，用从12mW(6.8mW的约1.8倍)到16mW(6.8mW的约2.4倍)范围的删除功率进行记录特性改善用DC删除时，第一次、第二次、第十一次均获得基本相同的值β。在同图中，使用14mW的删除功率时β的变动是最小的。14mW是6.4mW的约2.0倍。即，记录特性改善用DC删除系数μ＝2.0时，β的变动最小。在各种盘中进行试验后发现，通过以μ值约1.5到3.0范围的删除功率进行记录特性改善DC删除，β的记录次数依赖性消失。这一测定结果是通过我们的实验获得的，现有技术中未有公开。
并且也发现，当用μ×Pedc的光束功率反复进行DC删除时，可改写次数减少。因此，通过对各区域仅进行一次记录特性改善用DC删除，可防止可改写次数的减少。
返回到图7的流程图。
在步骤S6中，在确认从上位装置10未发送记录或重放命令、或取出光盘命令的同时，继续进行已经在步骤S5中开始的记录特性改善用DC删除。
对于第一层记录层PCA区域311的全部区域，当记录特性改善用DC删除结束时(步骤S7)，在RMD内的m～m+2的字节位置上，存储和第一层记录层PCA区域311内的最内周的地址相同的值，在m+3～m+5的字节位置上存储和第一层记录层PCA区域311的最外周的地址相同的值，并记录到RMA区域312(步骤S8)。
如果以上处理结束，则进行待机状态(步骤S9)。
结束了以上处理的盘暂时从光盘装置20取下，当该盘再次装入到光盘装置20时(步骤S1)，通过步骤S2、步骤S3的处理，判断记录特性改善用DC已删除的区域为第一层记录层PCA区域311的全部区域，因此直接前进到步骤S9的处理。
并且，在步骤S6中，在记录特性改善用DC删除中，当从上位装置10发送记录或重放命令时，中断记录特性改善用DC删除动作，处理前进到步骤S8，到步骤S6的中断时间为止，将和记录特性改善用DC删除结束的区域的最内周的地址相同的值存储到RMD内的m～m+2的字节位置上，同样将和最外周的地址相同的值存储到m+3～m+5的位置上，并记录到RMA区域312中。
并且，上述各地址从预先存储在LPP 204的地址信息获得。
当光盘装置20判断用户数据的记录或重放结束、没有来自上位装置10的用于进行用户数据的记录或重放的新的命令时，或者取出的盘再次装入到光盘装置20时，再次从步骤S11开始执行。
(OPC动作的流程)在上述步骤S9的待机状态中，当从上位装置10发出执行OPC的命令时，或者光盘装置20自身判断执行OPC时，在通过上述处理进行了记录特性改善用DC删除的区域进行OPC。参照图11对OPC的步骤的流程图进行说明。
此外，执行该动作的主体在没有特别说明时是图1所示的系统控制器21。
当OPC开始时(步骤S21)，首先读取盘的最新的RMD，求得PCA区域311内尚未进行OPC的区域中的最外周的区域(步骤S22)。
在该区域中，将写入功率Pw以10阶段左右改变，进行预定的测试信号的试写(步骤S23)。
图9是进行该试写时的记录重放区域(地址)和写入功率的变化的形态的示意图。纵轴是写入功率的电平，横轴是一次OPC所使用的区域。
此时，对图2所示的写入脉冲的底部功率Pb，固定为预定的值，对删除功率Pe，作为对写入功率Pw乘以预定值ε的值，与写入功率Pw同时改变。ε例如为值0.5。
并且，上述写入功率Pw的变化范围称为OPC范围，此时作为基准的中心功率称为Pdef。OPC范围通过以下方式确定相对于Pdef例如为+40％、-30％的范围，或者相对于Pdef为+5mW、-4mW的范围。并且，在该OPC范围内变化的写入功率的电平不必一定在10个阶段变化，只要是适当的阶段数即可。
接着，在步骤S23中重放试写区域(步骤S24)的同时，利用图1及图3记录状态检测电路28测定的值(A1、A2、A3)计算各写入功率的γ(步骤S25)。
并且，确定计算出的γ值接近预定的设定值的γtarget的写入功率Ptarget，将该Ptarget乘以如下述公式4所示的预定的系数的ρ，将其值确定为最佳写入功率Pwo(步骤S26)。
Pwo＝ρ×Ptarget……(公式4)γtarget例如为1.5，ρ例如为1.22。ε、Pdef、γtarget、ρ可以使用制造盘时预先记录到LPP 204、控制数据区107中的值，或者在光盘装置20内的非易失性存储器(未图示)中预先存储市场销售的各种盘的种类测定结果，并利用该值。
接着，用和步骤S23同样的处理以10个阶段左右改变删除功率Pe，进行预定的测试信号的试写(步骤S27)。该试写使用在步骤S22中求得的区域中尚未进行试写的区域。此时的写入功率Pw为在步骤S26中求得的Pwo，底部功率Pb固定为预定的值。
接着，重放在步骤S27中试写的区域的同时(步骤S28)，利用图1及图3所示的记录状态检测电路28所测定的值(A1、A2、A3)计算各删除功率的β(步骤S29)。
βtarget例如为0.04。该值可以使用制造盘时预先记录到LPP 204、控制数据区107中的值，或者在光盘装置20内的非易失性存储器(未图示)中预先存储市场销售的各种盘的种类测定结果，并利用该值。
在以上处理结束后，将此次处理所使用的PCA区域内的试写区域的地址信息存储到RMD中并记录到RMA区域312中(步骤S211)。
利用以上说明的动作流程的OPC所确定的Pwo、Peo，将用户数据记录到数据区域等中。
执行数次OPC后，PCA区域内的可试写区域减少，最终消失。这种情况下，DC删除试写完成的PCA区域，并返回到可再次试写的状态。此时的DC删除不是上述记录特性改善用DC删除，而是通常的DC删除。该通常的DC删除所使用的删除功率Pedc是将Pwc乘以εc的值，或比其略大的值。
并且，在本实施例中，从第一层记录层PCA区域311的最外周到最内周进行记录特性改善用DC删除。
如在背景技术中所述，在图17所示的单面双层盘30的情况下，对第一层记录层PCA区域311的OPC是从外周侧的区域边界向内周侧进行，对第二层记录层PCA区域321的OPC是从内周侧的区域边界向外周侧进行的。并且，对第二层记录层PCA区域321的OPC确定为，位于用于进行该OPC的光束入射的区域的第一层记录层PCA区域311保持未记录的状态。
因此，第一层记录层PCA区域311中，越靠近内周侧的区域用于OPC的可能性越小。因此不对第一层记录层PCA区域301内的全部区域进行记录特性改善用DC删除，仅对从外周侧的区域边界开始适当设定的区域进行记录特性改善用DC删除。这样一来，可缩短用于第一层记录层301的OPC的记录特性改善用DC删除所需时间。
并且存在以下情况，在装入了新的盘之后立即从上位装置10发出记录用户数据的命令。但是，在用户数据记录前需要进行OPC处理。这种情况下，可以仅对从第一层记录层PCA区域311的外周侧的区域边界开始到第一次OPC所使用的区域进行记录特性改善用DC删除，在该区域中执行OPC处理。之后，当判断上位装置10不发出记录或重放用户数据的命令时，进行剩余的区域的记录特性改善用DC删除。这样一来，在装入了新盘之后立即从上位装置10发出记录用户数据的命令的情况下，也可进行记录特性改善用DC删除，且可防止从盘装入开始到开始记录用户数据为止的所需时间变长。
如上所述，在第一实施例中，将第一层记录层PCA区域311用与通常的DC删除用功率Pedc不同的特别的功率事先进行DC删除(记录特性改善用DC删除)，可消除OPC中使用的重放信号的调制度m、非对称值β对记录次数的依赖性。其结果是，不依赖于记录次数也可确定最佳的记录功率Pwo及删除功率Peo。通过该确定的最佳记录功率Pwo及删除功率Peo，记录到数据区域314的用户数据在重放该用户数据时可实现重放误差最少的良好的重放。
(实施例2)以下说明本发明的第二实施例。
第一实施例是在新品状态的盘的第一层记录层PCA区域311中进行OPC前、预先对该第一层记录层PCA区域311进行记录特性改善用DC删除时的示例。根据该第一实施例，通过第一次OPC，在没有记录次数依赖性的状态下可求得最佳记录条件。但是，在OPC前需要进行在现有技术中不存在的处理的、记录特性改善用DC删除。
而在第二实施例中，对新品状态的盘的第一层记录层PCA区域311不象实施例1一样预先进行记录特性改善用DC删除，对该第一层记录层PCA区域311的各个区域如现有技术一样进行第一次OPC。并且，当可进行该第一次OPC的PCA区域311消失、为了向相同的PCA区域311进行第二次OPC，在删除第一次OPC产生的试写数据时的DC删除中，进行记录特性改善用DC删除。此外，用于进行第三次之后的OPC的DC删除不是记录特性改善用DC删除，而进行通常的DC删除。因此除了进行第二次OPC时的DC删除的删除功率不同外，在光盘装置的动作上和现有的方法是完全相同的。
此外，上述第一次、第二次不只是反复进行OPC的次数，而是在反复进行OPC并向PCA区域311内的多个区域进行了试写后，再次使用该试写的区域的、再使用的次数。
以下详述第二实施例的动作。并且对于和第一实施例相同的部分省略其说明。
此外，执行该动作的主体如无特别说明是指图1所示的系统控制器21。
图12是表示由单面双层盘30的PCA区域311、321和RMA区域312、312构成的R信息区域的图。
图12(A)表示对新品状态的单面双层盘30的PCA区域311、312进行和现有技术相同的OPC的试写，PCA区域311、312内的多个区域变为已记录的状态。图中的斜线部分表示已记录的区域。
其表示了在背景技术中所说明的、第一层记录层PCA区域311的已记录区域和第二层记录层PCA区域312的已记录区域靠近、PCA区域311的未记录部分无法进一步使用、或者最近无法使用的状态。
在变为这种状态后，进一步在PCA区域311中进行OPC时，需要对PCA区域311的已记录区域进行DC删除使已记录区域返回到未记录区域。
在开始DC删除时，首先读出RMA区域312中记录的最新的RMD。如图6(A)所示，RMD的字节位置m～m+5中存储了记录特性改善用DC已删除区域信息。当单面双层盘30未从新品状态进行一次记录特性改善用DC删除时，在m～m+5的字节位置上存储00h。
上述情况下，由于读出的RMD的字节位置m～m+5中存储了00h，因此可判断该单面双层盘30尚未进行记录特性改善用DC删除。
当判断了未进行记录特性改善用DC删除时，重放LPP 204或控制数据区107，取得参考写入功率Pwc、删除功率和写入功率的比εc、记录特性改善用DC删除功率系数μ。并且根据这些信息，利用上述计算方法计算出记录特性改善用DC删除的删除功率，通过该删除功率对第一层记录层PCA区域311的已记录区域开始记录特性改善用DC删除。此时，DC删除从已记录区域的内周侧向外周方向进行。已记录区域中的最内周区域的地址在通常情况下从RMA区域312的RMD取得。但是也存在RMD中未存储实际进行了试写的最新的已记录区域的信息的情况，因此在从RMD获得已记录区域的信息后，进一步确定在其内周侧有无已记录区域。
在此以最内周的已记录区域的地址为图12(A)所示的地址B来进行以下说明。
记录特性改善用DC删除在第一层记录层PCA区域311的最外周结束时，在RMD的m～m+5的字节位置上存储记录特性改善用DC已删除区域的最内周的地址(地址B)和最外周的地址(地址S)，并记录到RMA区域312。图6(B)是表示在该RMD中存储上述各地址的格式的例子的图。在m～m+2中存储地址B，在m+3～m+5中存储地址S。
在进行了记录特性改善用DC删除后，在该删除的PCA区域311中可再次进行用于OPC的试写。
图12(B)表示上述处理后再次对PCA区域311、312进行OPC下的试写，PCA区域311、312内的多个区域变为已记录的状态。图中的斜线部分表示已记录的区域。该图还表示第一层记录层PCA区域311到地址C的区域为止变为已记录的状态。
在变为这种状态后，进一步在PCA区域311进行OPC时，需要对PCA区域311的已记录区域进行DC删除并使已记录区域返回到未记录区域。
在开始DC删除时，首先读出RMA区域312中记录的最新的RMD，取得存储在图6(A)所示的字节位置m～m+5的、记录特性改善用DC已删除区域的最内周的地址(地址B)和最外周的地址(地址S)。并且，分别比较该取得的记录特性改善用DC已删除区域的最外周的地址(地址S)及最内周的地址(地址B)、及此次新进行了用于OPC的试写的已记录区域的最外周的地址(地址S)及最内周的地址(地址C)。当比较的结果是地址S到地址C的此次已记录区域的范围包含在地址S到地址B的记录特性改善用DC已删除区域的范围内时，可判断此次需要DC删除的地址S到地址C的范围已经进行了记录特性改善用DC删除。因此此次的DC删除以通常的DC功率Pedc进行。
另一方面，当此次的已记录区域的范围存在未包含在记录特性改善用DC已删除区域的范围内的区域时，例如如图12(C)所示，地址C比地址B靠近内周侧、地址C到地址B的范围的区域未包含在记录特性改善用DC已删除区域的范围内时，对从地址C到地址B的区域执行记录特性改善用DC删除。
当判断为上述图12(C)的情况时，重放LPP 204或控制数据区107，取得参考写入功率Pwc、删除功率和写入功率的比εc、记录特性改善用DC删除功率系数μ。并且根据这些信息，利用上述计算方法计算出记录特性改善用DC删除的删除功率，通过该删除功率对第一层记录层PCA区域311的地址C到地址B的范围的区域进行记录特性改善用DC删除。接着将功率变更为通常的DC删除功率Pedc，对从地址B开始到最外周的地址S为止的范围的区域进行通常的DC删除。
第二实施例中，向第一层记录层PCA区域311进行第一次OPC时，未进行记录特性改善用DC删除，因此如现有技术一样在存在次数依赖性的状态下来进行。因此作为非对称值β的目标值，除了通过记录特性改善用DC删除消失次数依赖性的状态下的目标值(βtarget)外，将第一次OPC执行时使用的目标值(βtarget1)预先记录到单面双层盘30的LPP 204、控制数据区107中。并且，在执行第一次OPC时，利用βtarget1确定最佳写入功率Pwo，执行第二次OPC时利用βtarget确定最佳写入功率Pwo。删除功率Peo也同样。
如上所述，在本第二实施例中，记录特性改善用DC删除代替对第一层记录层PCA区域311进行第二次OPC前必要的通常的DC删除，因此无需第一实施例中必须的、用于记录特性改善用DC删除的独立的处理。
并且，与第一实施例一样，可消除进行记录特性改善用DC删除后的第二次以后的OPC所使用的重放信号的调制度m、非对称值β对记录次数的依赖性。从而可不依赖于记录次数而确定最佳记录功率Pwo及删除功率Peo。通过该确定的最佳记录功率Pwo及删除功率Peo记录到数据区域314的用户数据在重放该用户数据时，可实现重放误差少的良好的重放。
进一步，通过将记录特性改善用DC删除的功率相关的数据在制造盘时预先记录，即使是刚开始市场销售的新的盘，也可重放并利用该数据，提高了便利性。
(实施例3)接着对本发明的第三实施例进行以下说明。
在第一实施例及第二实施例中，说明了对第一层记录层PCA区域311进行记录特性改善用DC删除的例子。在该第三例中，进一步说明对第一层记录层301的数据区域314也进行记录特性改善用DC删除的例子。
光盘装置20在装入了单面双层盘30的状态下从上位装置10接收对第一层记录层数据区域314进行记录特性改善用DC删除的命令。该命令可以是对第一层记录层区域314内的全部区域进行的命令，也可以是对内周侧的一部分区域进行的命令。
仅对内周侧的一部分区域进行记录特性改善用DC删除的原因如下。
在第一层记录层区域314的内周侧中很多情况下记录了单面双层盘30的文件系统信息等重要的数据。
另一方面，对第一层记录层数据区域314的全部区域进行记录特性改善用DC删除时，其处理所需时间较长。
因此，通过仅对至少记录了该重要数据的内周侧的区域进行记录特性改善用DC删除来改善记录重放特性，从而可缩短记录特性改善用DC删除所需的时间，同时可避免文件系统变得不可重放、盘整体记录数据无法读取这样的严重事态。
光盘装置20接收到对第一层记录层数据区域314进行记录特性改善用DC删除的命令后，首先从RMA区域312读出最新的RMD。RMD的字节位置k～k+5中存储第一层记录层数据区域314的记录特性改善用DC已删除区域信息。当装入的单面双层盘30为新品时，或者未记录RMD自身，或者即使记录了在k～k+5中也仅存储了00h。
并且，该RMD的k～k+5的数据存储格式是与图6所示的存储了PCA区域311的记录特性改善用DC已删除区域信息的m～m+5同样的格式。
当判断字节位置k～k+5上存储了00h时，接着重放LPP 204或控制数据区107，取得参考写入功率Pwc、删除功率和写入功率的比εc、记录特性改善用DC删除功率系数μ。并且根据这些信息，利用上述计算方法计算出记录特性改善用DC删除的删除功率，通过该删除功率从第一层记录层数据区域314的最内周向外周方向执行记录特性改善用DC删除。
此时，对预先确定的预定量的区域每进行一次记录特性改善用DC删除，就更新RMD的字节位置k～k+5的内容，并记录到RMA区域315。字节位置k～k+2中存储对第一层记录层数据区域314开始记录特性改善用DC删除的位置的地址，在k+3～k+5中存储各个预定量的区域的位置的地址。进行这种处理的原因在于对第一层记录层数据区域314的记录特性改善用DC删除消耗时间，因此在该处理的中途因故光盘装置20的电源切断时，可至少保存之前执行的DC已删除区域的信息。
由上位装置10命令的、到第一层记录层数据区域314的预定区域为止完成了记录特性改善用DC删除时，将开始记录特性改善用DC删除的第一层记录层数据区域314的区域的地址存储到RMD的字节位置k～k+2中，将结束的区域的地址存储到字节位置k+3～k+5中，并将该RMD记录到RMA区域314中。最后对上位装置10通知以下内容所命令的第一层记录层数据区域314的预定区域的记录特性改善用DC删除结束。
通过以上处理，在RMA区域314中记录了RMD的盘暂时从光盘装置20取出后，再次装入到光盘装置20，从上位装置10接收到对第一层记录层数据区域314进行记录特性改善用DC删除的命令时，光盘装置20首先从RMA区域314读出最新的RMD，取得该RMD的字节位置k～k+5中存储的、第一层记录层数据区域314的记录特性改善用DC已删除区域信息。该记录特性改善用DC已删除区域信息中存储了上述处理产生的、记录特性改善用DC已删除区域的头地址及结束地址。比较各地址、此次由上位装置10命令的进行记录特性改善用DC删除的区域的头地址及结束地址。当其比较的结果为此次命令的头地址及结束地址之间的区域包含在从RMD取得的头地址和结束地址的区域内时，将这一信息通知上位装置。
另一方面，当判断此次命令的头地址及结束地址之间的区域不包含在从RMD取得的头地址和结束地址的区域内时，对未包含在从RMD取得的头地址和结束地址的区域执行记录特性改善用DC删除。
并且，通过实施例1或实施例2的方法对第一层记录层PCA区域311执行记录特性改善用DC删除。
之后在第一层记录层PCA区域311中执行OPC，确定最佳写入功率Pwo、最佳删除功率Peo，对第一层记录层数据区域314进行用户数据的记录。
并且，当对记录了用户数据的数据区域314进行DC删除时，使用通常的DC删除功率Pedc。
当未对第三实施例所示的数据记录区域314进行记录特性改善用DC删除时，如图19(A)(B)所示，在第一次的记录重放和第二次的记录重放中，最佳记录功率Pwo、最佳删除功率Peo不同。进一步，虽然未图示，但第三次以后的记录也是不同的最佳记录功率Pwo、最佳删除功率Peo。另一方面，当对第三实施例所示的数据记录区域314进行记录特性改善用DC删除时，上述记录次数依赖性消失，因此可不依赖记录次数，总是以相同的最佳记录功率Pwo、最佳删除功率Peo在数据区域314中进行记录。
如上所述，根据第三实施例，不仅对第一层记录层PCA区域311，而且对数据区域314也进行记录特性改善用DC删除，从而可消除将用户数据记录到数据区域314时对记录特性的记录次数的依赖性，因此可不依赖记录次数地进行良好的记录。其结果是，当重放记录的用户数据时，可实现重放误差少的、良好的重放。
(第一至第三实施例的共同方面)在以上说明的第一至第三实施例中，预先将记录特性改善用DC删除功率系数μ记录在盘中，通过将该值与通常的DC删除功率Pedc相乘，确定记录特性改善用DC删除所使用的光束的功率，当时不限与此。也可以预先将记录特性改善用DC删除所使用的光束的功率自身记录在盘中。
在以上说明的第一至第三实施例中，仅进行一次记录特性改善用DC删除，也可是进行2到3次。在该次数范围内，可改写的次数基本不减少。
并且，在第一至第三实施列中，通过预先记录在盘中的、参考写入功率Pwc、删除功率及写入功率的比的参考值εc，来确定通常的DC删除功率Pedc，但不限于此。对于市场销售的盘，也可将根据盘的种类的测量结果求得的写入功率Pwc、删除功率和写入功率的比εc、或DC删除功率Pedc直接预先存储到盘装置20内的非易失性存储器中，并使用该值。并且这种情况下，按盘种类存储了上述各数据后，当是新上市的盘种类、且非易失性器中不存在对应的数据时，使用盘的LPP204、或导入区域103内的控制数据区107中预先作为信息记录的值。
并且，在第一至第三实施列中，利用预先记录在盘中的记录特性改善用DC删除功率系数μ求得记录特性改善用DC删除用的光束的照射功率，但不限于此。对于市场销售的盘，将根据盘种类的测定结果求得的记录特性改善用DC删除功率系数μ、或记录特性改善用DC删除功率预先直接存储到盘装置20内的非易失性存储器中，并直接使用该值。并且，这种情况下，按盘种类存储了上述各数据后，当是新上市的盘种类、且非易失性器中不存在对应的数据时，使用盘的LPP 204、或导入区域103内的控制数据区107中预先作为信息记录的值。
并且，在第一至第三实施列中，将执行了记录特性改善DC删除的区域的开始地址和结束地址存储到RMD中，对于第一层记录层PCA区域311中的确定的范围，也可将是否执行了记录特性改善DC删除的信息存储到RMD中。其中，确定的范围可以是第一层记录层PCA区域311的全部区域，也可以是外周侧一部分区域。盘被取出并再次装入到光盘装置20时，光盘装置20读取最新的RMD，取得是否执行了记录特性改善DC删除的信息。其结果是，如果执行完成的话则不执行新的记录特性改善DC删除。如果是未执行，则执行记录特性改善DC删除。
并且，在第一至第三实施列中，以通过作为一组的、参考写入功率值Pwc、删除功率和写入功率的比的参考值εc来计算记录特性改善DC删除功率为例进行了说明。但如DVD Specifications forRe-recordable Disc(DVD-RW)part1(Ver.1.X)、Optional Specifications6x-SPEED DVD-RW Revision 3.0 September 2004，DVD Forum所述，一张盘中可存储多个线速度下的参考写入功率值Pwc、删除功率和写入功率的比的参考值εc。这是因为例如如特开2000-155945所述，根据记录时的线速度，最佳写入记录功率、删除功率不同。因此，在记录特性改善DC删除中，可根据线速度利用多组的、参考写入功率值Pwc、删除功率和写入功率的比的参考值εc，来计算多个记录特性改善DC删除功率。记录特性改善用DC删除功率系数μ可作为不依赖于线速度的一个值记录在盘中。或者也可对应于多个线速度将多个记录特性改善用DC删除功率系数μ分别记录到盘中。
而在DVD-RW盘中，为了向数据区域314记录新的用户数据，存在RMA区域312中记录的信息与记录到数据区域314中记录的用户数据同时被删除的情况。在这种情况下，对于记录特性改善用DC已删除区域信息的各数据，可暂时将该数据存储到光盘装置20内的数据存储器25中，在信息删除后将该存储的数据重新记录到RMA区域312中。
并且，本发明不限于上述实施方式及实施例，例如适用本发明的记录介质也可适用于层叠了三层以上的记录层的改写型光盘。
并且，本发明包括通过计算机执行上述实施方式及实施例的光盘装置的各结构的计算机程序。这种情况下，计算机程序可以是从记录介质计算机的程序，也可是通过通信网络发送并下载到计算机的程序。
权利要求
1.一种光盘记录重放装置，利用从光拾取器照射的激光对可改写的光盘进行记录/重放，上述可改写的光盘具有多个记录层，并在各层中设有记录/重放用户数据的数据记录区域、及为了求得最佳记录功率而记录/重放测试信号的试写区域，该光盘记录重放装置的特征在于，具有第一记录单元，进行第一记录处理，通过利用预定记录功率及第一预定删除功率而调制控制的激光，在上述光盘的多个记录层中，将用户数据记录到最靠近上述光拾取器的记录层的第一记录层中的上述数据区域中；第二记录单元，进行第二记录处理，通过利用阶段性变化的多个记录功率而调制控制的激光，在上述第一记录层的上述试写区域中记录上述测试信号；删除单元，进行删除处理，将上述第一删除功率的1.5倍至3倍的第二预定删除功率的激光照射到上述试写区域；以及控制单元，进行以下任意一种控制利用上述第二记录单元最初对初始状态的上述光盘进行上述第二记录处理时，进行控制，使得对至少包括事前进行上述试写区域中的上述第二记录处理的区域的区域，利用上述删除单元进行上述删除处理；或者，利用上述第二记录单元对初始状态的上述光盘仅进行一次上述第二记录处理后，进行控制，使得对上述试写区域中的至少进行了该第二记录处理的区域，利用上述删除单元进行上述删除处理。
2.一种光盘记录重放装置，利用从光拾取器照射的激光对可改写的光盘进行记录/重放，上述可改写的光盘具有多个记录层，并在各层中设有记录/重放用户数据的数据记录区域、及为了求得最佳记录功率而记录/重放测试信号的试写区域，该光盘记录重放装置的特征在于，具有第一记录单元，进行第一记录处理，通过利用预定记录功率及第一预定删除功率而调制控制的激光，在上述光盘的多个记录层中，将用户数据记录到最靠近上述光拾取器的记录层的第一记录层中的上述数据区域中；第二记录单元，进行第二记录处理，通过利用阶段性变化的多个记录功率而调制控制的激光，在上述第一记录层的上述试写区域中记录上述测试信号；删除单元，进行删除处理，将上述第一删除功率的1.5倍至3倍的第二预定删除功率的激光照射到上述数据记录区域；以及控制单元，进行以下任意一种控制利用上述第一记录单元最初对初始状态的上述光盘进行上述第一记录处理时，进行控制，使得对至少包括事前仅在上述数据区域中的预先确定的内周侧的预定范围内进行上述第一记录处理的区域的区域，利用上述删除单元进行上述删除处理；或者，利用上述第一记录单元对初始状态的上述光盘仅进行一次上述第一记录处理后，进行控制，使得对仅在上述数据区域中的预先确定的内周侧的预定范围内至少进行了上述第一记录处理的区域，利用上述删除单元进行上述删除处理。
3.根据权利要求1或2所述的光盘记录重放装置，其特征在于，具有参考数据重放单元，在上述第一记录层中，重放在上述光盘的制造阶段预先形成的预制凹坑及控制数据区域的两者或任意一者中记录的、与记录到上述第一记录层相关的参考数据，上述删除单元，在由上述参考数据重放单元重放的参考数据中含有用于求得上述第二预定删除功率的1.5至3的系数涉及的信息时，利用该信息确定上述第二预定删除功率，当不含有上述信息时，利用和本装置内部预先设定的上述光盘的第一记录层对应的上述信息，确定上述第二预定删除功率。
4.一种光记录介质，是通过权利要求3所述的光盘记录重放装置记录或重放信息的、记录层在激光的光轴方向层叠多个的多层结构的可改写的盘状光记录介质，其特征在于，在上述多个层叠的记录层的第一记录层中、在上述光盘的制造阶段预先形成的预制凹坑区域及控制数据区域两者或任意一者中记录的、与记录到上述第一记录层相关的参考数据中，含有上述光盘记录重放装置的上述删除单元使用的、用于求得上述第二预定删除功率的1.5至3的系数涉及的信息。
5.一种光盘记录重放方法，利用从光拾取器照射的激光对可改写的光盘进行记录/重放，上述可改写的光盘具有多个记录层，并在各层中设有记录/重放用户数据的数据记录区域、及为了求得最佳记录功率而记录/重放测试信号的试写区域，该光盘记录重放方法的特征在于，具有第一记录步骤，进行第一记录处理，通过利用预定记录功率及第一预定删除功率而调制控制的激光，在上述光盘的多个记录层中，将用户数据记录到最靠近上述光拾取器的记录层的第一记录层中的上述数据区域中；第二记录步骤，进行第二记录处理，通过利用阶段性变化的多个记录功率而调制控制的激光，在上述第一记录层的上述试写区域中记录上述测试信号；删除步骤，进行删除处理，将上述第一删除功率的1.5倍至3倍的第二预定删除功率的激光照射到上述试写区域；以及控制步骤，进行以下任意一种控制利用上述第二记录步骤对初始状态的上述光盘最初进行上述第二记录处理时，进行控制，使得对至少包括事前进行上述试写区域中的上述第二记录处理的区域的区域，利用上述删除步骤进行上述删除处理；或者，利用上述第二记录步骤对初始状态的上述光盘仅进行一次上述第二记录处理后，进行控制，使得对上述试写区域中的至少进行了该第二记录处理的区域，利用上述删除步骤进行上述删除处理。
6.一种光盘记录重放方法，利用从光拾取器照射的激光对可改写的光盘进行记录/重放，上述可改写的光盘具有多个记录层，并在各层中设有记录/重放用户数据的数据记录区域、及为了求得最佳记录功率而记录/重放测试信号的试写区域，该光盘记录重放方法的特征在于，具有第一记录步骤，进行第一记录处理，通过利用预定记录功率及第一预定删除功率而调制控制的激光，在上述光盘的多个记录层中，将用户数据记录到最靠近上述光拾取器的记录层的第一记录层中的上述数据区域中；第二记录步骤，进行第二记录处理，通过利用阶段性变化的多个记录功率而调制控制的激光，在上述第一记录层的上述试写区域中记录上述测试信号；删除步骤，进行删除处理，将上述第一删除功率的1.5倍至3倍的第二预定删除功率的激光照射到上述数据记录区域；以及控制步骤，进行以下任意一种控制利用上述第一记录步骤对初始状态的上述光盘最初进行上述第一记录处理时，进行控制，使得对至少包括事前仅在上述数据区域中的预先确定的内周侧的预定范围内进行上述第一记录处理的区域的区域，利用上述删除步骤进行上述删除处理；或者，利用上述第一记录步骤对初始状态的上述光盘仅进行一次上述第一记录处理后，进行控制，使得对仅在上述数据区域中的预先确定的内周侧的预定范围内至少进行了上述第一记录处理的区域，利用上述删除步骤进行上述删除处理。
7.根据权利要求5或6所述的光盘记录重放方法，其特征在于，具有参考数据重放步骤，在上述第一记录层中，重放在上述光盘的制造阶段预先形成的预制凹坑及控制数据区域的两者或任意一者中记录的、与记录到上述第一记录层相关的参考数据，上述删除步骤，在由上述参考数据重放步骤重放的参考数据中含有用于求得上述第二预定删除功率的1.5至3的系数涉及的信息时，利用该信息确定上述第二预定删除功率，当不含有上述信息时，利用和预先设定的上述光盘的第一记录层对应的上述信息，确定上述第二预定删除功率。
全文摘要
提供一种对具有多个记录层的可改写型光信息记录介质可进行稳定的记录的光盘记录重放装置，其中，光信息记录装置由系统控制器(21)、进行记录/重放的记录重放电路(22)、光拾取器(23)、存储了系统控制器(21)的控制程序的程序存储器(24)、暂时保存记录及重放到DVD－RW盘(30)的数据的数据存储器(25)、内部总线(26)、进行上位装置(10)和内部总线(26)的接口IF(27)、记录状态检测电路(28)构成，在记录前用通常的DC删除的约1.5～3倍的删除功率进行DC删除，从而可进行稳定的记录。
文档编号G11B7/004GK1941105SQ20061015438
公开日2007年4月4日 申请日期2006年9月25日 优先权日2005年9月26日
发明者寺西康彦, 加藤知之, 田畑浩, 常盤和典 申请人:日本胜利株式会社