专利名称：位图介质、读头和硬盘驱动器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种位图介质(bit patterned medium )、 一种读取在该位图介 质上记录的数据的读头以及一种在该位图介质上记录数据/从该位图介质读 取数据的硬盘驱动器(HDD)。
背景技术：
由于HDD具有大容量和诸如高速存取的特性，所以HDD被广泛地用作 个人电脑(PC)和各类数字设备的数据存储装置。由于近来技术的发展，所 以处理数据(handled data)的量快速增大，因而需要高密度的HDD。
HDD通常采用》兹记录方法来记录/读取数据。i兹记录方法是这样一种方 法，即，通过利用磁场磁化记录介质的磁层来记录数据并借助来自于记录介 质的i兹化的》兹信号来读取Jt据。；兹记录方法可纟皮分为纵向石兹记录方法和垂直 磁记录方法。在其中通过与磁层的表面平行地磁化磁层来记录数据的纵向磁 记录方法中，可以实现100Gb/n^的记录密度，在其中通过与磁层的表面垂直 地^兹化石兹层来记录数据的垂直^兹记录方法中，可以实现大约500Gb/n^的记录 密度，垂直磁记录方法可实现的记录密度高于纵向磁记录方法可实现的记录 密度。
近来，已对利用电场而不是磁场来记录和读取数据的电场记录方法进行 了研究。电场记录方法是这样一种方法，即，通过利用电场极化记录介质的 铁电层来记录数据并借助来自于记录介质的极化的电信号来读取数据。根据 电场记录方法，可实现超过1Tb/n^的记录密度。
在任何一种记录方法中，记录密度的增大都导致位大小(bit size)的减 小，并削弱由记录介质产生的信号的幅度，其中，位是数据的最小记录单元。 为了解决该问题，还对利用图案化介质(patterned medium)通过降低来自于 介质的噪声来保持高的信噪比(SNR)以提高记录密度的方法进行了研究。
图1A示出了位图介质IO的示意性结构。参照图1A,位图介质IO包括 基底20和形成在基底20上的记录层30。记录层30包括多个位单元32的图
案，其中，多个位单元32形成同心圆的轨道并彼此物理地分离。在每个位单 元32中记录有单个位，由于可以根据小的位大小来减小噪声，所以可以有效 地增大记录密度。读头的宽度根据位大小的减小也减小。图1B是示出了位图 介质10的位单元32的结构以及读头40的俯一见图。读头40在沿着轨道相对 运动的同时读取来自于将被读取的轨道的每个位单元32的数据。在这种情况
产生噪声，因此，读头40的宽度以及每个位单元32的宽度是重要的设计要 素。然而，减小读头40的宽度要求制造工艺具有很高程度的精度，因此，增 大了制造成本。
发明内容
缺点。此外，不要求本发明克服上述缺点，本发明的示例性实施例可以不克 服上述任何问题。
本发明提供了 一种具有用于提高读取效率的结构的位图介质、 一种读取 在该位图介质上记录的数据的读头以及一种在该位图介质上记录位图介质数 据并从该位图介质读取位图介质数据的HDD。
根据本发明的一方面，提供了一种位图介质，该位图介质包括基底； 记录层，在基底上，包括多个位单元，其中，多个位单元沿着形成具有不同 半径的同心圓的多个轨道彼此分离，其中，每个轨道包括具有多个子轨道的 超轨道，形成在子轨道中的一个上的位单元与形成在邻近的子轨道上的位单 元沿着记录层的圓周方向布置在不同的位置。
如果多个子轨道的数目为N，那么沿着超轨道的半径方向有N个位单元 彼此邻近地布置，以由N个位单元中的每个位单元的位单元数据来造成再现 信号的干涉，当存储在N个位单元中的位单元数据同时被读取时，确定N个 位单元沿着圓周方向的每两个邻近的位单元之间的间隔X，使得来自于存储 在N个位单元中的数据的组合的2N个再现信号具有不同的值。
可以确定间隔X,使得2N个再现信号具有相同的间隔值。
N个位单元的形成在多个子轨道中的一个上的每个位单元的中心的圓周 方向的位置可以与N个位单元的形成在另一个子轨道上的每个位单元的中心 的圆周方向的位置不同。
在每个子轨道中，N个位单元沿着圓周方向的每两个邻近的位单元之间 的间隔可以相等。
在每个子轨道中，N个位单元的每个位单元的圆周方向的长度可以相等。
如果多个子轨道的数目为N,且圓周方向的长度为A(J),那么N个位单 元沿着半径方向邻近的位单元之间的圓周方向的间隔可以形成为A(J)/N。 记录层可以包括;兹材料或铁电材料。
根据本发明的另 一方面，提供了 一种用于读取记录在位图介质上的数据 的读头，该读头沿着横跨轨道方向的宽度足以读取与多个子轨道的数目相等 的数目的位单元的数据。
读头沿着横跨轨道方向的宽度可以等于或小于超轨道的宽度。 根据本发明的另一方面，提供了一种HDD，该HDD包括位图介质； 头单元，包括写头和读头，其中，在超轨道的基础上，写头在位图介质的超 轨道上记录超轨道数据，在超轨道的基础上，读头读取在位图介质的超轨道 上记录的超轨道数据；头驱动器，驱动头单元；读通道电路，从具有被读头 读取的超轨道的超轨道数据的再现信号中分离地提取多个子轨道中的每个的 子轨道数据。
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特 征将变得更加明了，在附图中
图1A示出了位图介质的示意性结构；
图1B是示出了图1A的位图介质的位单元的结构以及读头的俯视图； 图2A示出了根据本发明示例性实施例的位图介质的示意性结构； 图2B是示出了根据本发明示例性实施例的位单元的结构和用于读取存 储在位单元中的数据的读头的俯视图3A和图3B是分别示出了根据本发明示例性实施例的当两个正数据值 分别被记录在两个邻近的位单元中时，这两个邻近的位单元的再现信号的曲 线图，以及通过将这两个再现信号相加而获得的再现信号的曲线数据值分别^皮记录在两个邻近的位单元中时，这两个邻近的位单元的再现信 号的曲线图，以及通过将这两个再现信号相加而获得的再现信号的曲线图5A和图5B是分别示出了根据本发明示例性实施例的当负数据值和正 数据值分别^皮记录在两个邻近的位单元中时，这两个邻近的位单元的再现信 号的曲线图，以及通过将这两个再现信号相加而获得的再现信号的曲线分别被记录在两个邻近的位单元中时，这两个邻近的位单元的再现信号的曲 线图，以及通过将这两个再现信号相加而获得的再现信号的曲线图7是示出了由位单元的数据的组合获得的多个再现信号的曲线图，以 描述根据本发明示例性实施例的每两个邻近的位单元之间的间隔的设置方 法；
图8示出了根据本发明另一示例性实施例的位图介质和读头的示意性结
构；
图9是根据本发明示例性实施例的HDD的示意性框图。
具体实施例方式
将通过参照附图解释本发明的示例性实施例来详细描述本发明。在附图 中，相同的标号用于表示相同的元件，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度。
图2A示出了根据本发明示例性实施例的位图介质100的示意性结构。 图2B是示出了才艮据本发明示例性实施例的位图介质100的结构和读头150 的俯视图。参照图2A和图2B,根据本发明当前示例性实施例的位图介质100 包括基底120和形成在基底120上的记录层140。基底120可以由诸如Si或 玻璃的材料形成。记录层140可以由磁材料或铁电材料形成。例如，记录层 140可包括具有优良的;兹各向异性特性的含有Co、 Fe、 Pt和Pd中的至少一 种的磁薄膜结构或磁多层薄膜结构，并用作通过磁记录方法在其上记录数据 的记录介质。可选4奪地，记录层140可由4失电材料形成，诸如 PZT(PbZrJVx03)、 PbTi03， PbZr03、 SrBi2Ta209(SBT) 、 KNb03、 LiTa03或 LiNb03，并用作通过电场记录方法在其上记录数据的记录介质。在记录层140 上可包括用于保护记录层140不受外部影响的保护膜(未示出)，还可包括润 滑剂膜(未示出)以减小保护膜的磨损。记录层140包括多个位单元A。和 Bn，多个位单元An和Bn在基底120上形成为同心圓的图案并彼此分离。位 图介质100装配有主轴电动机(未示出)，以记录并再现数据以及沿着(])方向
旋转。因此，形成具有不同半径R的同心圓的多个轨道形成在位图介质100 上，位单元An和Bn沿着轨道形成。在当前的示例性实施例中，每个轨道包
括超轨道(super track) 130，超轨道130包括第一子轨道131和第二子轨道 132,其中，第一子轨道131包括位单元An，第二子轨道132包括位单元Bn。 形成在第一子轨道131上的位单元An与形成在第二子轨道132上的位单元 Bn被不同地布置。即，形成在第一子轨道131上的每个位单元An的中心在圆 周方向轴(([)轴)上的坐标值与形成在第二子轨道132上的每个位单元Bn的
中心在())轴上的坐标值不同。详细地讲，每个轨道上的位单元A,，和B。的位置 可以用小轴上的坐标来表示，第二子轨道132上的每个位单元Bn的中心的(()轴 坐标值与第一子轨道131上的每个位单元An的中心的([)轴坐标值不同。例如，
当第一子轨道131上的每个位单元An的中心的(j)轴坐标值可以为0、2、4.......
时，第二子轨道132上的每个位单元Bn的中心的(J)轴坐标值可以为0.5、 2.5、
4.5.......，其中，(J)轴坐标值仅用于任意单位的相对位置的比较。第一子轨
道131上的每个位单元An在(f)轴上的长度和第二子轨道132上的每个位单元
Bn在(j)轴上的长度中的每个均可以为1。第一子轨道131上沿着(f)轴方向邻近 的每两个位单元An的中心之间的间隔和第二子轨道132上沿着())轴方向邻近 的每两个位单元Bn的中心之间的间隔中的每个均可以为2。沿着半径方向 (即，R轴方向)邻近的位单元Ai和Bi之间的(j)轴间隔可以为0.5。可以将 该规律公式化，使得当形成超轨道130的子轨道131和132的数目为N,且 子轨道131和132的位单元An和Bn的长度为A小时，沿着半径方向邻近的位 单元A!和B!之间的圆周方向的间隔为A())/N,第一子轨道131上沿着圓周方 向的每两个位单元An的中心之间的间隔以及第二子轨道132上沿着圆周方向 的每两个位单元Bn的中心之间的间隔为2A(j)。然而，对于子轨道131和132 上的数据的分离来说，该规则的构造是相对有利的，但是不限于此。例如， 沿着圆周方向邻近的位单元At和A2或和B2之间的间隔可以大于2A(|)。
该布置是这样一种规律的示例，即，由属于不同的子轨道并沿着半径方 向邻近的位单元An和Bn中存储的数据获得的再现信号彼此干涉，且来自于 存储在位单元An和Bn的每个中的数据的各种组合的再现信号具有用于分辨 的不同的值。下面将参照图3A至图7来描述得到该布置的过程。
读头150在位图介质IOO上方保持与位图介质IOO分开预定距离的状态 下进行相对运动的同时，读取记录在位图介质100上的数据。在当前示例性
实施例中，读头150的特征在于横跨轨道方向的宽度。图2B是仅示出了面对 位图介质100的读头150的截面的俯视图，以将读头150的宽度与位图介质 100的轨道宽度进行比较。读头150沿着横跨轨道方向的宽度被形成为其大 小为同时读取与多个子轨道的数目对应的位单元的数据。这里，横跨轨道方 向是横跨轨道的方向，即，半径(R)方向，读头150的宽度等于通过将第一 子轨道131的宽度与第二子轨道132的宽度相加而获得的宽度，即，超轨道 130的宽度。然而，这仅是示例，因为位单元A。和Bn的宽度小于第一子轨道 131和第二子轨道132的组合宽度，所以只要读头150可以同时读取记录在 第一子轨道131的位单元An中的数据和记录在第二子轨道132的位单元Bn 中的数据，读头150的宽度就可以小于超轨道130的宽度。读头150可以具 有利用磁记录/再现方法或电场记录/再现方法来读取数据的结构。例如，可以 在读头150中使用MR、 GMR或TMR装置，其中，所述MR、 GMR或TMR 装置利用电阻因记录层的磁化产生的磁场信号而变化的特征来读取记录在记 录介质上的数据。也可以在读头150中使用半导体装置，所述半导体装置利
上的数据。
如上所述，如果位图介质100的轨道被构造为包括具有第一子轨道131 和第二子轨道132的超轨道130,那么即使读头150的宽度形成为对应于超 轨道130的宽度(与第一子轨道131和第二子轨道132的组合宽度对应)，在 每个子轨道的位单元An或Bn中记录的数据也可被再现。这将参照图3A至图 7进行描述。图3A示出了分别显示仅来自于位单元Ai或B,的再现信号的曲 线图。即，再现信号A(+)和B(+)是假设读头150的宽度等于第一子轨道131 和第二子轨道132的宽度时的再现信号。图3B示出了根据本发明示例性实施 例的读头150的再现信号。参照图3B,可以通过将图3A中所示的两个再现 信号相加来获得由根据本发明示例性实施例的读头150 (即，宽度与超轨道 130的宽度对应的读头150 )产生的再现信号。如果用f(小)表示再现信号A(+)， 那么可以用f(小-X)表示再现信号B(+)，因此，可以用f(小)+f((j)-X)表示图3B中 示出的再现信号。同样，图4A示出了根据本发明示例性实施例的当正数据 值和负数据值分别记录在第一子轨道131的位单元Ai和第二子轨道132的位 单元Bi中时，位单元At和Bi的两个再现信号，图4B示出了通过将这两个 再现信号相加而获得的再现信号，用f((j))-f((j)-X)表示图4B中示出的再现信号。
图5A和图5B是分别示出了根据本发明示例性实施例的当负数据值和正数据 值分别记录在第一子轨道131的位单元A,和第二子轨道132的位单元B,中 时，位单元A!和B,的再现信号的曲线图，以及通过将这两个再现信号相加 而获得的再现信号的曲线图，用-f(小)+f((j)-X)表示图5B中示出的再现信号。图 6A和图6B是分别示出了根据本发明示例性实施例的当两个负数据值分别记 录在第一子轨道131的位单元A!和第二子轨道132的位单元B,中时，位单 元A,和B,的再现信号的曲线图，以及通过将这两个再现信号相加而获得的 再现信号的曲线图，用-f(c())-f((t)-X)表示图6B中示出的再现信号。参照所述曲 线图，读头150示出了用于将记录在位单元A,和B!中的不同组的数据值彼 此区分开的不同的再现信号图案。具体地讲，参照图3B、图4B、图5B和图 6B，这四种情况中在(()轴坐标值为0的点的再现信号值是不同的，即，分别为 3、 1、 -1和-3。即，确定检测位置小p (曲线图中的0)和属于不同的子轨道并 沿着半径方向邻近的位单元A!和B,之间的圓周方向间隔X,使得从位单元 A！和B！的四组数据值获得的再现信号值具有用于区分的不同的值，具体地 讲，确定检测位置小p (曲线图中的0)和属于不同的子轨道并沿着半径方向邻 近的位单元A!和B,之间的圆周方向间隔X,使得这四个再现信号具有易于 数据分离的相同的间隔值。即，参照图7 (其中，图7将图3B、图4B、图 5B和图6B的四张曲线图一起示出)，可以用等式1来表示上述条件。
<formula>formula see original document page 11</formula>如果将等式1简化，则可得到等式2。 f(小p一2f(小p-X) (等式2)
等式1和等式2用于N:2的情况，将相同的原理应用于任意自然数N。 即，当子轨道的数目为N,且读头的宽度形成为其大小用于同时读取N个位 单元的数据时，可以确定沿着半径方向邻近的位单元之间的圆周方向间隔X 和取样位置小p，使得从N个位单元的成组的数据获得的2N个再现信号值具有 不同的值，并且可以确定沿着半径方向邻近的位单元之间的圓周方向间隔X 和取样位置(j)p，使得再现信号具有相同的间隔值。
如上所述，区分地检测根据位单元A！和B,的成组的数据的再现信号，
因此，可以分离地读耳又记录在第一子轨道131的位单元At中的数据和记录在
第二子轨道132的位单元B,中的数据。此外，由于两个位单元的数据被同时 读取，所以再现速率为相同记录密度状态下的传统读头的再现速率的两倍。
图8是根据本发明另一示例性实施例的位图介质200和读头250的俯视 图。参照图8，位图介质200包括含有第一子轨道231、第二子轨道232和第 三子轨道233的超轨道230。第一子轨道231上沿着圓周方向(小轴方向)邻 近的每两个位单元An的中心之间的间隔、第二子轨道232上沿着(j)轴方向邻 近的每两个位单元Bn的中心之间的间隔以及第三子轨道233上沿着(()轴方向
邻近的每两个位单元Cn的中心之间的间隔为8。此外，位单元An、 Bn和Cn
中的每个的圓周方向长度为4。沿着半径方向邻近的每两个位单元(例如， A,和B！或B！和C,)之间的圓周方向间隔为1 。然而，这种布置仅是一种示 例，只要满足分离属于第一子轨道231、第二子轨道232和第三子轨道233
的位单元An、 Bn和Cn的数据的条件，就满足该布置，即，如果从存储在位 单元A。、 Bn和Cn中的数据获得的再现信号彼此干涉，且来自于存储在位单
的值，那么满足该布置。此外，可以布置位单元An、 Bn和Cn,使得由于位单 元An+1和位单元Bn引起的信号之间的干涉不发生或被最小化。
读头250的宽度与第一子轨道231、第二子轨道232和第三子轨道233 的组合宽度对应。然而，本发明不限于此，只要读头250可以同时读取记录 在第一子轨道231上的位单元A!中的数据、记录在第二子轨道232上的位单 元B！中的数据和记录在第三子轨道233上的位单元d中的数据，读头250 的宽度就可以较小。由于这种读头250同时读取三个位单元的三部分数据， 所以再现速率为相同记录密度状态下的传统读头的再现速率的三倍。
在上面的描述中，虽然位图介质IOO或位图介质200已被描述为超轨道 130包括第一子轨道131和第二子轨道132或超轨道230包括第 一子轨道231 、 第二子轨道232和第三子轨道233的情况，但是可以增大子轨道的数目。然 而，随着子轨道数目的增大，再现速率增加，但是从由读头从超轨道读取的 数据分离出每个子轨道的数据的过程会变复杂，因此，鉴于此，可形成适量 的子轨道。
图9是才艮据本发明示例性实施例的HDD 300的示意性框图。参照图9, 根据本发明当前示例性实施例的HDD 300包括记录介质310;记录介质驱
动器370,驱动记录介质310;头单元，包括记录头320和读头330，其中， 记录头320在记录介质310上记录数据，读头330读耳又存储在记录介质310 中的数据；头驱动器350，将头单元驱动至记录介质310上方的预定的位置； 记录通道电路340，对将被记录头320记录的数据进行编码；读通道电路360, 对被读头330读取的数据进行解码。
记录介质310是具有多个超轨道的位图介质，记录介质310可以是图2A 至图8中所示的位图介质100或位图介质200,子轨道的数目可以为2、 3或 自然数N。这不再进行描述。记录介质驱动器370可以利用例如主轴电动机。 头单元可以根据磁记录/再现方法或电场记录/再现方法来进行构造。在任何情 况下，面对记录介质310的读头330的截面的宽度对应于超轨道的宽度。当 执行记录或再现时，头驱动器350将头单元驱动至记录介质310上方的预定 的位置，头驱动器350可以利用例如音圈电动^/L (VCM)。具体地讲，当执 行再现时，头驱动器350驱动头单元，使得读头330沿着记录介质310的超 轨道的中心线相对运动。当执行记录时，记录通道电3各340对将被记录的数 据进行编码，在执行再现时，读通道电路360从由读头330从超轨道中读取 的数据分离出每个子轨道的数据，并对分离后的数据进行解码。如果在超轨 道基础上读取的数据为N个位单元的数据，那么读通道电路360从取样位置 处的再现信号分离出每个位单元的数据，其中，在取样位置处，从存储在N
如果存在多个取样位置，那么读通道电路360可被构造为，基于通过适当地 对在多个取样位置处的再现信号进行运算而获得的值，来分离出每个位单元 的数据。
如上所述，才艮据本发明示例性实施例的位图介质具有这样的结构，即， 超轨道包括多个子轨道，每个子轨道的位单元被不同地设置；根据本发明示 例性实施例的读头具有这样的结构，即，读头的宽度足以同时读取多个子轨 道的数据。与本发明相关的所有其它的描述都是出于示出的目的；例如，记 录/再现方法不4又可以为^兹记录/再现方法或电场记录/再现方法，也可以为任 何记录/再现方法，只要该记录/再现方法可以被应用于根据本发明的位图介质 和读头。
根据本发明示例性实施例的位图介质具有这样的结构，即，包括含有多 个子轨道的超轨道，且每个子轨道的位单元被不同地设置。根据该构造，存
储在多个位单元中的数据可被同时读取并可被分离，位图介质适于用作用于 实现高密度记录的记录介质。
此外，由于与具有相同的记录密度的传统读头的宽度相比，根据本发明 示例性实施例的读头的宽度大，所以该读头的制造工艺相对简单，从而降低
了制造成本；由于以超轨道(其中，每个超轨道包括多个子轨道)为单位进
行数据再现，所以再现速率高。
此外，在记录密度相同的条件下，根据本发明示例性实施例的HDD利 用用于降低制造成本的读头，在根据本发明示例性实施例的HDD被驱动时该 HDD可降低功诔毛。
虽然已参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领 域普通技术人员应该理解，在不脱离本发明的由权利要求限定的精神和范围 的情况下，可在此作出各种形式和细节的改变。
权利要求
1、一种位图介质，包括:基底；记录层，在基底上，包括多个位单元，其中，多个位单元沿着形成具有不同半径的同心圆的多个轨道彼此分离，其中，每个轨道包括具有多个子轨道的超轨道，形成在子轨道中的一个上的位单元与形成在邻近的子轨道上的位单元沿着记录层的圆周方向布置在不同的位置。
2、 如权利要求1所述的位图介质，其中，如果多个子轨道的数目为N, 那么沿着超轨道的半径方向有N个位单元4皮此邻近地布置，以由N个位单元中的每个位单元的位单元数据来造成再现信号的干涉，当存储在N个位单元中的位单元数据同时^皮读取时，确定N个位单元沿 着圓周方向的每两个邻近的位单元之间的间隔X,使得来自于存储在N个位 单元中的位单元数据的组合的2N个再现信号具有不同的值。
3、 如权利要求2所述的位图介质，其中，确定间隔X，使得2~个再现 信号具有相同的间隔值。
4、 如权利要求3所述的位图介质，其中，当N为2时，间隔X满足等式f(小"2f(小-X)，其中，f((j))为由存储在N个位单元中的一个位单元中的位单元数据产生 的再现信号，作为坐标值小的函数，其中，坐标值(j)表示沿着圆周方向的位置。
5、 如权利要求1所述的位图介质，其中，在每个子轨道中，沿着圓周方 向的每两个邻近的位单元之间的间隔相等。
6、 如权利要求5所述的位图介质，其中，在每个子轨道中，每个位单元 的圓周方向的长度相等。
7、 如权利要求6所述的位图介质，其中，如果多个子轨道的数目为N， 且圓周方向的长度为Af那么沿着半径方向邻近的位单元之间的圆周方向的间隔形成为A小/N。
8、 如权利要求7所述的位图介质，其中，沿着圆周方向邻近的位单元之 间的圆周方向的间隔等于或大于2A(j)。
9、 如权利要求1所述的位图介质，其中，记录层包括磁材料。
10、 如权利要求9所述的位图介质，其中，记录层还包括含有Co、 Fe、 Pt和Pd中的至少 一种的材料。
11、 如权利要求1所述的位图介质，其中，记录层包括铁电材料。
12、 一种位图介质的位单元布置方法，其中，所述位图介质包括基底和 在基底上的记录层，所述记录层具有多个位单元，其中，多个位单元沿着形 成具有不同半径的同心圓的多个轨道彼此分离，其中，每个轨道包括具有多 个子轨道的超轨道，形成在子轨道中的一个上的位单元与形成在邻近的子轨 道上的位单元沿着记录层的圆周方向布置在不同的位置，所述方法包括如果多个子轨道的数目为N,那么在超轨道中沿着半径方向彼此邻近地 布置N个位单元，以由每个位单元的数据来造成再现信号的干涉，当存储在N个位单元中的数据同时被读耳又时，确定沿着圓周方向的每两 个邻近的位单元之间的间隔X,使得来自于存储在N个位单元中的数据的组 合的2"个再现信号具有不同的值。
13、 一种读头，所述读头读取记录在如权利要求1所述的位图介质上的 位图介质数据，其中，所述读头沿着横跨轨道方向的宽度足以同时读取与多 个子轨道的数目相等的数目的位单元的位单元数据。
14、 如权利要求13所述的读头，其中，读头沿着横跨轨道方向的宽度等 于或小于超轨道的宽度。
15、 如权利要求13所述的读头，其中，读头被构造为利用磁场来记录并 再现位图介质数据。
16、 如权利要求13所述的读头，其中，读头被构造为利用电场来记录并 再现位图介质数据。
17、 一种硬盘驱动器，包括 如权利要求1所述的位图介质；头单元，包括记录头和读头，其中，在超轨道的基础上，记录头在位图 介质的超轨道上记录超轨道数据，在超轨道的基础上，读头读取在位图介质 的超轨道上记录的超轨道数据；头驱动器，驱动头单元； 离地提取多个子轨道中的每个的子轨道数据。
18、 如权利要求17所述的硬盘驱动器，其中，读头沿着横跨轨道方向的 宽度等于或小于超轨道的宽度。
19、 如权利要求17所述的硬盘驱动器，其中，头单元被构造为利用磁场来记录并再现超轨道数据。
20、 如权利要求17所述的硬盘驱动器，其中，头单元被构造为利用电场 来记录并再现超轨道数据。
21、 如权利要求17所述的硬盘驱动器，其中，头驱动器驱动头单元，使 得读头沿着超轨道的中心线读取超轨道数据。
22、 如权利要求17所述的硬盘驱动器，其中，如果从超轨道读取的超轨 道数据包括N个位单元的位单元数据，那么读通道电路从取样位置处的再现 信号中分离出N个位单元中的每个位单元的位单元数据，其中，在取样位置 处，来自于存储在N个位单元中的位单元数据的组合的2"个再现信号具有相 同的间隔值。
23、 如权利要求22所述的硬盘驱动器，其中，当存在多个取样位置时， 从通过对多个取样位置处的再现信号进行运算而获得的值中分离出N个位单元中的每个位单元的位单元数据。
全文摘要
本发明提供了一种具有超轨道的位图介质、一种读取记录在该位图介质上的数据的读头以及一种用于在该位图介质上记录数据/从该位图介质读取数据的硬盘驱动器(HDD)。该位图介质包括基底；记录层，在基底上，形成有多个位单元，其中，位单元沿着形成具有不同半径的同心圆的多个轨道彼此分离，其中，每个轨道包括含有多个子轨道的超轨道，形成在子轨道中的一个上的位单元与形成在邻近的子轨道上的位单元沿着记录层的圆周方向布置在不同的位置。读取记录在位图介质上的数据的读头沿着横跨轨道方向的宽度足以读取与多个子轨道的数目相等的数目的位单元的数据。
文档编号G11B5/82GK101383158SQ20081009866
公开日2009年3月11日 申请日期2008年6月5日 优先权日2007年9月7日
发明者孙镇昇, 李丙圭, 洪承范, 闵桐基 申请人:三星电子株式会社