专利名称：具有在读取操作期间的交叉耦合补偿的快闪存储器系统的制作方法
技术领域：
本申请一般涉及快闪存储器系统，且更具体地，涉及降低在对被寻址存储器单元的读取期间的交叉耦合影响。
背景技术：
快闪设备由于交叉耦合影响可能呈现读取错误。交叉耦合影响可能由与被读取的被寻址单元进行电场通信的相邻单元的浮置栅极之间的耦合引起。可能在在不同时间被编程的相邻存储器单元的集合之间出现浮置栅极与浮置栅极耦合现象。例如，第一存储器单元可以被编程以将一定水平的电荷添加到与一个或多个位值对应的其浮置栅极。随后，一个或多个相邻存储器单元可以被编程以将一定水平的电荷添加到与一个或多个位值对应的其浮置栅极。在相邻存储器单元中的一个或多个被编程之后，由于相邻存储器单元上的电荷对第一存储器单元具有的交叉耦合影响，因此从第一存储器单元读取的电荷水平可能 看起来与原始被编程的不同。这样，来自相邻存储器单元的交叉耦合可能偏移从第一存储器单元读取的显式(apparent)电荷水平。此偏移可能导致对存储在第一存储器单元中的数据的错误读取。当读取被寻址存储器单元的状态时，可以进行对于被寻址存储器单元以及其相邻单元中的一个或多个之间的交叉耦合的补偿。现有方法是基于根据相邻单元的读取电压和由于来自相邻单元的交叉耦合影响而预期的电压偏移的、对被寻址单元的读取电压(或者其存储的位的估计)的校正。这些预期的电压偏移是基于对于具有相同的相对位置的所有对的相邻和被寻址单元所取得的平均交叉耦合系数。此方法的问题是，由于快闪阵列的制造工艺的变化，在不同对之间的交叉耦合系数中存在变化。这些变化导致基于该平均值的这种交叉耦合补偿技术的准确性下降。随着制造工艺减少快闪存储器设备的尺寸，这些不规则的差异可能增加。
发明内容
一种用于读取存储器系统的存储器晶片中的被寻址单元的方法包括将至少两个不同的电压电平施加到存储器单元的阵列中的存储器单元的控制栅极，其中该存储器单元与被寻址存储器单元相邻并与之进行电场通信。在该至少两个不同的施加电压电平的每个处测量被寻址存储器单元的阈值电压。将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为存储在被寻址存储器单元中的一个或多个位值，其中所述转换所述至少两个测量的电压的转换在存储器晶片之外进行。将该位值提供给该存储器系统的主机。还公开了实现该方法的装置。根据另一方面，公开了一种用于读取存储器系统的存储器晶片中的被寻址存储器单元的方法。该方法包括确定存储器单元的阵列的多个目标存储器单元的参考电压差。将至少两个不同的电压电平施加到与被寻址存储器单元相邻并与之进行电场通信的相邻存储器单元的控制栅极。在至少两个不同的施加电压电平的每个处测量被寻址存储器单元的阈值电压。该方法还包括计算在施加到相邻存储器单元的不同电压电平的两个处测量的被寻址存储器单元的阈值电压之间的具体电压差。使用该具体电压差将被寻址存储器单元的测量的阈值电压的至少一个转换为一个或多个位值，其中该转换依赖于该具体电压差和该参考电压差之间的差。将所述一个或多个位值提供给该存储器系统的主机系统。在查阅以下附图和详细描述之后，其他系统、方法、特征和优点将是或者将变得对本领域技术人员显而易见。意图所有这种另外的系统、方法、特征和优点都被包括在此描述中、在本发明的范围内、并且由以下权利要求保护。
附图中的组件不是一定按比例，而是将重点放在例示本发明的原理上。此外，在附图中，具有相同值的参考标记在不同视图中通篇指示相应的部分。图I是存储器系统的框图。图2是可以用在图I的存储器系统中的大容量存储器存储系统的一个例子的框 图。图3A是单个浮置栅极存储器单元的截面图。图3B是存储器单元阵列的多个浮置栅极存储器单元的框图。图4示出可以用于从图3所示的阵列的被寻址存储器单元提取位值的操作。图5示出在被寻址存储器单元以及一个或多个相邻存储器单元之间存在交叉耦合影响时测量被寻址单元的阈值的替换和/或补充方式。图6示出将具体交叉耦合系数与平均交叉耦合系数比较以计算被寻址存储器单元中的位值的操作。图7示出可以用于在计算在存储器阵列中处于相同的相对位置的被寻址存储器单元中存储的数据的位值的同时补偿交叉耦合影响的存在的操作。图8是已经在逻辑上被划分为多个区域以示出存储器阵列的不同区域中的被寻址且相邻的存储器单元之间的相对位置的存储器阵列的一部分的框图。
具体实施例方式在图I中示出大容量存储器存储系统105。存储器系统105可以连接到概括地示出在115的主机系统的系统总线110。主机系统115可以包括一个或多个处理器120、易失性存储器125以及提供与输入/输出设备或电路的连接的输入/输出接口 130。主机系统115可以是个人计算机、照相机或者使用大容量存储存储器系统的任何其他系统。存储器系统105可以包括快闪存储器电路135，该快闪存储器电路135可以包括快闪存储器存储单元的阵列、解码器和控制电路。存储器系统105还可以包括经总线145连接到快闪存储器电路135的控制器140。总线145可以包括地址总线、控制状态总线、串行写入数据线和串行读取数据线。存储器阵列快闪存储器电路135和快闪存储器控制器140以及存储器系统105的其他部分可以被实现在单个单片集成电路芯片上。或者，可以使用两个或多个集成电路芯片或晶片来形成快闪存储器电路135和/或存储器控制器140。另外的快闪存储器电路135可以被包括在在相同存储器控制器140的控制下或者在不同存储器控制器的控制下的分开的集成电路芯片或晶片上。
存储器系统105可以被固定到主机系统115中。另外，或者替换地，存储器系统105可以实现为可以通过例如主机系统输入输出接口 130连接到主机系统115的可移除卡。图2示出图I的大容量存储器存储系统105的一个例子。在图2中，存储器单元的阵列205被组织为行和列。存储器单元的阵列205包括多个浮置栅极晶体管，每个晶体管包括控制栅极、至少一个浮置栅极、源极和漏极。行地址解码器210选择由存储器系统地址总线220上的地址的至少一部分指定的一行或多行(字)线。列地址解码器225选择由地址总线220上的地址的另一部分指定的一列或多列(位)线230。源极开关235连接到阵列205中的存储器单元的源极线。行线215连接到一行存储器单元的控制栅极，并且列线230连接到源极/漏极扩散。在读取操作期间，所选的行和列线被接通到用于被寻址的存储器单元的具体电压集合。通过行和列地址解码器210和225施加并可以通过快闪存储器控制器140控制这些电压。经过被寻址存储器单元的电流被提供给感测放大器250，并且从被寻址单元读取的数据位被提供给缓冲器，在那里它们被数据寄存器240读取。数据寄存器240通过一条或多 条线260从/向快闪存储器控制器140提供读取数据和写入数据。在编程期间，基于由数据寄存器240接收的到来数据来设置所选列线的电压，该到来的数据被临时存储在写入缓冲器245中。编程、读取和擦除操作由控制逻辑265响应于在控制/状态总线270上的信号来控制。控制逻辑265还可以接收来自数据寄存器240的、指示何时已验证到数据块(chunk)的所有位已经被成功编程的一个或多个信号。在205示出存储器单元的阵列。该阵列被构造为字线(例如水平字线)和位线(例如垂直位线)的网格。尽管在此使用措辞“水平”和“垂直”，但是这些措辞是相对的并且仅描述形成存储器单元的阵列的示例网格。在操作中，每条垂直位线将一个单元的源极连接到其垂直相邻的单元的漏极。每条水平字线连接在例如读取操作等期间要被同时访问的所有单元的控制栅极。这样，每条字线将单元的控制栅极连接到其左侧和右侧相邻单元的控制栅极。该阵列可以被划分为块，这些块被用作用于擦除的基本单位。每块可以包含例如64页，每页对应于一条字线。页通常是用于编程和读取的基本单位。页/字线可以包含例如用于存储信息的64K单元以及用于存储系统开销(例如错误校正码的奇偶校验位)的一些另外的单元。存储器单元的浮置栅极上的电荷量控制经过存储器单元的导电(conduction)。为了读取存储器单元的数据位值，在其源极和漏极之间施加电压，同时以固定电压向其控制栅极施加电压。基于该单元开始导电时所处于的、施加到该单元的控制栅极的电压来确定存储在该单元中的数据。图3A是单个位存储器单元350的例子。存储器单元350包括在掺杂的衬底357、比如P型衬底中形成的源极353和漏极355。控制栅极360和浮置栅极363被封装在多晶石夕层间氧化物(interpoly oxide) 365内。浮置栅极363与源极353、漏极355和衬底357之间隔着隧穿氧化物(tunnel oxide) 367。在编程操作中，在快闪存储器控制器140的控制下的电压被施加到存储器单元350以便通过隧穿氧化层367将电荷放置到浮置栅极363上或者从其移除。在读取操作期间，将电压施加在源极353和漏极355之间，同时将另外的电压施加到浮置栅极363。当浮置栅极363达到阈值电压时，电流在源极353和漏极355之间流动。电流流动时所处于的电压依赖于浮置栅极363上的电荷。浮置栅极363上的电荷又对应于存储在存储器单元数字(memory cell number) 350中的逻辑数据位。该结构也可以用于多位单元,其中多个不同的电荷水平用于在该单元结构中存储离散的位。图3B示出存储器单元阵列205的多个浮置栅极存储器单元。在该阵列205中彼此相邻的存储器单元相互进行电场通信。这样，存储器单元彼此交叉耦合，如存储器单元之间的虚线箭头所示。例如，图3B的存储器单元305可以通过345与相邻存储器单元310交叉耦合。尽管关于从存储器单元305读取数据来讨论交叉耦合补偿，但是可以使用该交叉耦合补偿用于读取阵列205的每个存储器单元。交叉耦合系数根据在被寻址单元已经完成其编程操作之后的相邻单元的阈值电压的改变来确定在被寻址单元的读取电压上引起的电压偏移。从而，为了测量被寻址单元和相邻单元之间的实际交叉耦合系数，可以改变该相邻单元的电压阈值，并且可以测量得到的被寻址单元的阈值电压的改变。但是，该方法可能不适合于交叉耦合系数的在线(on-line)估计，因为改变相邻单元的电压阈值破坏了存储在相邻单元中的信息(因为此信息由该单元的电压阈值表示)。 在此公开的方法和装置适用于被寻址单元及其相邻单元的交叉耦合系数的在线估计。该在线估计是基于如下知识相邻单元的浮置栅极和被寻址单元的浮置栅极之间的交叉耦合系数与相邻单元的控制栅极和被寻址单元的浮置栅极之间的交叉耦合系数高度相关。这是由于单元的控制栅极和浮置栅极紧密靠近。基于此知识，控制栅极与浮置栅极交叉耦合系数的估计可以用作对于浮置栅极与浮置栅极交叉耦合系数的估计。可以按非破坏性方式获得交叉耦合系数的估计，这不破坏存储在相邻单元中的信息。该估计是基于改变施加到相邻单元的控制栅极的电压而不影响存储在其浮置栅极中的电荷(即不改变其阈值电压)。结合图3B在图4中示出了一个实施例。参考图3B，要使用图2所示的电路来寻址存储器单元阵列205的存储器单元305。在图4的405，使用控制器140来控制解码器210和225将至少两个不同的电压电平施加到与被寻址存储器单元相邻的存储器单元的控制栅极。在410，在两个不同的施加电压处测量被寻址存储器单元的阈值电压。在415，将测量的阈值电压中的至少两个转换为与被寻址存储器单元中存储的数据对应的一个或多个位值。在一个实施例中，控制器140位于被寻址存储器单元所存在于的存储器晶片之外，并且将测量的阈值中的至少两个转换为在存储器晶片之外的一个或多个位值。在420，该位值被提供给存储器系统的主机。该位值可以被提供给主机系统可访问的缓冲器和/或沿着数据总线直接传输以用于由主机系统立即使用。可以再次重复该处理以验证该估计和/或对被寻址存储器单元的实际阈值电压实现更佳的估计，或者在需要时在其他时间进行。在一个实施例中，所有的该至少两个测量的阈值电压被用于一起产生位值的仅一个集合。在图3B中，与被寻址存储器单元305相邻并与之进行电场通信的存储器单元包括存储器单元310到345。可以结合每个存储器单元310到345应用在图4的405和410处示出的操作。或者，可以选择存储器单元310到345中的一个或多个用于应用在405和410处示出的操作。例如，可以选择已知对被寻址存储器单元305具有最显著的交叉耦合影响的一个或多个相邻存储器单元用于应用这些操作。为此，选择可以基于在存储器存储系统135的制造期间进行的交叉耦合测量。另外，或者替换地，选择可以基于对快闪存储器135的具体结构共同的已知交叉耦合影响。也可以采用其他选择标准。在图4中示出用于估计被寻址存储器单元和位于与该被寻址存储器单元的字线相邻的字线中的邻近存储器单元之间的交叉耦合系数的一组操作。假设被寻址存储器单元是单元305，则这些操作可以用于估计与存储器单元310、315或320的交叉耦合系数。但是，其不一定可应用于估计与位于与被寻址存储器单元相同的字线上的单元325或345的交叉耦合系数。这是因为，现有存储器阵列结构中的电压不能独立地施加在相邻单元345的控制栅极上以及被寻址单元305的控制栅极上，因为这两个单元的控制栅极通过公共字线连接。在410处示出的操作可以按多种不同的方式实现。例如，被寻址存储器单元的控制栅极上的电压可以按小的步长递增或者以在其源极和漏极之间的给定电压持续斜升。在按此方式更改控制栅极上的电压时，感测流经被寻址存储器单元的电流。当流经被寻址存储器单元的电流达到预定水平时该被寻址存储器单元的控制栅极上的电压构成在施加到相邻存储器单元的电压电平处的该被寻址存储器单元的阈值电压。该读取处理可能是实时处理，其中被寻址存储器单元以及一个或多个相邻存储器 单元包含用户数据。因而，可能希望在读取被寻址存储器单元时防止对存储在相邻存储器单元中的数据的更改。在这样的情况下，在读取处理期间，施加到相邻单元的电压电平被施加到相邻存储器单元的控制栅极而不施加到相邻存储器单元的浮置栅极，并且电压电平可以被限制为不干扰存储在相邻存储器单元中的数据的范围。可以在线或者离线地计算存储器单元对之间的具体交叉耦合系数。在在线处理中，基本每次存储器单元被寻址时由快闪存储器控制器140计算存储器单元对之间的交叉耦合系数。在离线处理中，可以更不频繁地或者单次地由快闪存储器控制器140计算交叉耦合系数。在任一情况下，可以由快闪存储器控制器140在存储器系统105中本地(临时或者永久地)存储交叉耦合系数。这些系数在被存储之前可以被压缩。为了简化的原因，用于说明本方法的模型仅考虑了一个相邻单元对目标单元的影响。但是，此模型可以推广到多个相邻单元。假设目标单元被编程到Vt的初始阈值电压，而其相邻单元处于被擦除状态。在目标存储器单元的编程之后，相邻存储器单元被编程到Vn的阈值电压，其中该相邻存储器单元与该目标单元电f禹合。当在相邻存储器单元已被编程到Vn后读取该目标单元时，该目标单元的阈值的新读取将是^^由于Vn的电压偏移是Vtln-Vt,并且由S表示。假设交叉耦合的线性建模，则该偏移由S=a · Vn以及Vt=Vt|n-S=vt|n-α · νη给出，其中α是具体被寻址单元及其相邻单元之间的交叉耦合系数。用于交叉耦合补偿的现有技术方法使用平均交叉耦合系数以便校正电压偏移，其中可以对在阵列内具有相同的相对位置的被寻址和相邻单元的所有对取平均。因此，根据现有技术，给出了 vt|n和νη，可以计算Vt和S的估计为Vf =Vm-S
ΛS = 5'Vn( I )其中泛是来自单个相邻单元的平均交叉耦合系数。因此，在线性交叉耦合模型下，可以确定电压偏移S的估计中的误差为
权利要求
1.一种用于读取存储器系统的存储器晶片中的被寻址存储器单元的方法，该方法包括 将至少两个不同的电压电平施加到存储器单元的阵列中的存储器单元的控制栅极，其中该存储器单元与被寻址存储器单元相邻并与之进行电场通信； 在该至少两个不同的施加电压电平的每个处测量被寻址存储器单元的阈值电压；将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为一个或多个位值，其中所述将至少两个测量的电压转换为位值的转换在存储器晶片之外进行；以及将所述一个或多个位值提供给该存储器系统的主机。
2.如权利要求I的方法，其中转换测量的阈值电压中的至少两个包括 将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为被寻址存储器单元的调整后的阈值电压；以及 将该调整后的阈值电压转换为一个或多个位值。
3.如权利要求I的方法，其中该相邻存储器单元具有在该至少两个不同的电压电平的施加期间基本保持不变的阈值电压。
4.如权利要求I的方法，还包括在该至少两个不同的电压电平的施加期间将一个或多个数据位存储在该相邻存储器单元中。
5.如权利要求2的方法，其中所述将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为调整后的阈值电压值包括 计算在两个不同的施加电压电平处测量的阈值电压之间的差； 使用该差计算被寻址存储器单元的调整后的阈值电压值。
6.如权利要求5的方法，还包括计算交叉耦合系数，其中所述计算被寻址存储器单元的调整后的阈值电压值还使用该交叉耦合系数。
7.如权利要求I的方法，其中所述将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为一个或多个位值包括 计算该存储器单元的阵列的多个存储器单元的每个的交叉耦合系数，其中给定存储器单元的交叉耦合系数对应于在施加到与该给定单元相邻并与之进行电场通信的存储器单元的两个不同的电压电平处测量的该给定存储器单元的阈值电压之间的差； 使用该存储器单元的阵列的所述多个存储器单元的测量的交叉耦合系数来确定该存储器单元的阵列的所述多个存储器单元的平均交叉耦合系数； 对于被寻址存储器单元，计算与在施加到与该被寻址单元相邻并与之进行电场通信的存储器单元的两个不同的电压电平处测量的阈值电压之间的差对应的具体交叉耦合系数； 比较该平均交叉耦合系数和该具体交叉耦合系数以确定校正因子；以及 使用该校正因子产生所述一个或多个位值。
8.一种用于读取存储器系统的存储器晶片中的被寻址存储器单元的方法，包括 确定所述存储器单元的阵列的多个目标存储器单元的参考电压差； 将至少两个不同的电压电平施加到与被寻址存储器单元进行电场通信的相邻存储器单元的控制栅极； 在至少两个不同的施加电压电平的每个处测量被寻址存储器单元的阈值电压；计算在施加到所述相邻存储器单元的两个不同电压电平处测量的被寻址存储器单元的阈值电压之间的具体电压差； 使用该具体电压差将被寻址存储器单元的测量的阈值电压的至少一个转换为一个或多个位值，其中该转换依赖于该具体电压差和该参考电压差之间的差；以及将所述一个或多个位值提供给该存储器系统的主机系统。
9.如权利要求8的方法，其中将被寻址存储器单元的测量的阈值电压的至少一个转换为一个或多个位值包括当该具体电压差和该参考电压差之间的差大于第一量值但小于第二量值时使用第一计算规则，以及当该具体电压差和该参考电压差之间的差大于该第二量值时使用不同于该第一计算规则的第二计算规则。
10.一种用于操作存储器系统的方法，包括 计算指示第一存储器单元对第二存储器单元的交叉耦合影响的第一交叉耦合系数，其中该第一存储器单元在存储器单元的阵列中与该第二存储器单元相邻并与之进行电场通信； 测量该第二存储器单元的阈值电压； 计算指示第三存储器单元对第四存储器单元的交叉耦合影响的第二交叉耦合系数，其中该第三存储器单元在该存储器单元的阵列中与该第四存储器单元相邻并与之进行电场通信，其中该第二交叉耦合系数不同于该第一交叉耦合系数； 测量该第四存储器单元的阈值电压； 使用该第一交叉耦合系数将该第二存储器单元的测量的阈值转换为存储在该第二存储器单元中的一个或多个位值； 使用该第二交叉耦合系数将该第四存储器单元的测量的阈值转换为存储在该第四存储器单元中的一个或多个位值； 将该第二和第四存储器单元的一个或多个位值提供给该存储器系统的主机； 其中该第一和第二存储器单元在该存储器单元的阵列中具有与第三和第四存储器单元在该存储器单元的阵列中的相对几何位置相同的相对几何位置。
11.如权利要求10的方法，其中该第二和第四存储器单元位于相同字线上的该存储器单元的阵列中。
12.如权利要求10的方法，还包括 计算该存储器单元的阵列中的相邻存储器单元的多个具体交叉耦合系数值； 压缩所述多个交叉耦合系数值以提供系数值的压缩集；以及 将该系数值的压缩集存储在该存储器系统中。
13.如权利要求10的方法，其中计算该第一交叉耦合系数包括 在向该第一存储器单元的控制栅极施加第一电压电平时，采取该第二存储器单元的阈值电压的第一读数； 在向该第一存储器单元的控制栅极施加第二电压电平时，采取该第二存储器单元的阈值电压的第二读数；以及 使用该第二存储器单元的第一和第二阈值电压读取的至少一个阈值电压读取来计算该第一交叉耦合系数。
14.如权利要求13的方法，其中计算该第一交叉耦合系数包括计算该第二存储器单元的第一和第二阈值电压读取之间的差值；以及 使用该差值计算该第一交叉耦合系数。
15.如权利要求13的方法,其中该第一存储器单兀具有在第一和第二电压电平向第一存储器单元的控制栅极的施加期间基本保持不变的阈值电压。
16.—种存储器系统,包括 被组织为行和列的存储器单元的阵列，其中每个存储器单元包括控制栅极； 字线解码器，适配为选择该存储器单元的阵列的一个或多个行； 列解码器，适配为选择该存储器单元的阵列的一个或多个列，其中该字线解码器和该列解码器接通该存储器单元的阵列的电线用于读取所选的存储器单元； 感测电路，与该列解码器通信以检测流过该存储器单元的阵列的所选存储器单元的电流； 处理器，与该字线解码器、该列解码器和该感测电路通信； 其中该处理器、该字线解码器、该列解码器和该感测电路合作以执行包括以下的操作 将至少两个不同的电压电平施加到该存储器单元的阵列中的存储器单元的控制栅极，其中该存储器单元与被寻址存储器单元相邻并与之进行电场通信； 在该至少两个不同的施加电压电平的每个处测量被寻址存储器单元的阈值电压；将测量的阈值电压中的至少一个和施加的电压电平中的两个转换为存储在被寻址单元中的一个或多个位值；以及 将所述一个或多个位值提供给该存储器系统的主机。
17.如权利要求16的系统，其中该相邻存储器单元具有在该至少两个不同的电压电平的施加期间基本保持不变的阈值电压。
18.如权利要求16的系统，其中该存储器单元的阵列的存储器单元包括每单元多位的存储器单元。
19.如权利要求18的系统，其中该存储器单元的阵列的每个存储器单元存储N位，以及其中所述测量该存储器单元的阵列中的被寻址存储器单元的阈值电压的操作包括将至少2~N-1个电压电平施加到该存储器单元的阵列中的被寻址存储器单元的控制栅极。
20.—种存储器系统,包括 被组织为行和列的存储器单元的阵列，其中每个存储器单元包括控制栅极； 字线解码器，适配为选择该存储器单元的阵列的一个或多个行； 列解码器，适配为选择该存储器单元的阵列的一个或多个列，其中该字线解码器和列解码器接通该存储器单元的阵列的电线用于读取和编程所选的存储器单元； 感测电路，与该列解码器通信以检测流过该存储器单元的阵列的存储器单元的电流； 处理器，与该字线解码器、该列解码器和该感测电路通信； 其中该处理器、该字线解码器、该列解码器和该感测电路被配置为合作以执行包括以下的操作 计算指示第一存储器单元对第二存储器单元的交叉耦合影响的第一交叉耦合系数，其中该第一存储器单元在存储器单元的阵列中与该第二存储器单元相邻并与之进行电场通in ；测量该第二存储器单元的阈值电压； 使用该第一交叉耦合系数来将该第二存储器单元的测量的阈值电压转换为一个或多个位值； 计算指示第三存储器单元对第四存储器单元的交叉耦合影响的第二交叉耦合系数，其中该第三存储器单元在该存储器单元的阵列中与该第四存储器单元相邻并与之进行电场通信，其中该第二交叉耦合系数不同于该第一交叉耦合系数； 测量该第四存储器单元的阈值电压； 使用该第二交叉耦合系数将该第四存储器单元的测量的阈值电压转换为一个或多个位值；以及 其中该第一和第二存储器单元在该存储器单元的阵列中具有与第三和第四存储器单 元在该存储器单元的阵列中的相对几何位置相同的相对几何位置。
21.如权利要求20的系统，其中该第二和第四存储器单元位于相同的字线上的该存储器单元的阵列中。
22.如权利要求20的系统，其中该处理器、该字线解码器、该列解码器和该感测电路合作以进一步执行包括以下的操作 计算该存储器单元的阵列中的相邻存储器单元的多个交叉耦合系数值； 压缩所述多个交叉耦合系数值以提供系数值的压缩集；以及 将该系数值的压缩集存储在该存储器系统中。
全文摘要
一种用于读取存储器系统的被寻址单元的方法，包括将至少两个不同的电压电平施加到存储器单元的阵列中的存储器单元的控制栅极，其中该存储器单元与被寻址存储器单元相邻并与之进行电场通信。在该至少两个不同的施加电压电平的每个处测量被寻址存储器单元的阈值电压。将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为存储在被寻址存储器单元中的一个或多个位值。将这些位值提供给该存储器系统的主机。还公开了实现该方法的装置。
文档编号G11C16/26GK102884583SQ201080064970
公开日2013年1月16日 申请日期2010年12月21日 优先权日2009年12月30日
发明者E.沙伦, I.阿尔罗德 申请人:桑迪士克以色列有限公司