一种修复nandflash颗粒损伤的方法与流程

本发明属于存储设备技术领域，特别是涉及一种修复nandflash颗粒损伤的方法。

背景技术：

在大数据时代，对数据的读写速率要求日益增加，而固态硬盘相对于传统硬盘的低延迟越来越受到数据中心和企业存储的青睐。

然而，由于固态硬盘的主要组成部分nandflash颗粒的擦写次数有限，导致固态硬盘的寿命不高，这就影响了固态硬盘的可靠性和普及程度。

技术实现要素：

为解决上述问题，本发明提供了一种修复nandflash颗粒损伤的方法，能够增加固态硬盘的寿命，降低使用成本。

本发明提供的一种修复nandflash颗粒损伤的方法，包括：

对损伤的nandflash颗粒进行定位；

对所述损伤的nandflash颗粒进行快速热退火，修复其损伤。

优选的，在上述修复nandflash颗粒损伤的方法中，

所述对所述损伤的nandflash颗粒进行快速热退火为：

利用安装在固态硬盘上的加热装置对所述损伤的nandflash颗粒进行快速热退火。

优选的，在上述修复nandflash颗粒损伤的方法中，

所述快速热退火的温度范围为900℃至1000℃。

优选的，在上述修复nandflash颗粒损伤的方法中，

所述快速热退火的时间范围为5秒至15秒。

优选的，在上述修复nandflash颗粒损伤的方法中，

所述对损伤的nandflash颗粒进行定位之后，还包括：

将所述损伤的nandflash收集到一起。

优选的，在上述修复nandflash颗粒损伤的方法中，

所述加热装置为红外加热装置。

通过上述描述可知，本发明提供的上述修复nandflash颗粒损伤的方法，由于包括对损伤的nandflash颗粒进行定位；对所述损伤的nandflash颗粒进行快速热退火，修复其损伤，因此能够增加固态硬盘的寿命，降低使用成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种修复nandflash颗粒损伤的方法的示意图；

图2为nandflash存储单元结构的示意图。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种修复nandflash颗粒损伤的方法，能够增加固态硬盘的寿命，降低使用成本。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请实施例提供的第一种修复nandflash颗粒损伤的方法如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种修复nandflash颗粒损伤的方法的示意图，该方法包括如下步骤：

s1：对损伤的nandflash颗粒进行定位；

参考图2，图2为nandflash存储单元结构的示意图，其中，floatinggate层2与衬底1之间的绝缘层3，在nandflash进行擦写时，电子会击穿该绝缘层3进入或离开floatinggate层2，不断的擦写也意味着不断的击穿绝缘层，碰撞绝缘层的原子脱离原本的位置，对绝缘层不断造成损伤，最终可能会导致其失效。

s2：对所述损伤的nandflash颗粒进行快速热退火，修复其损伤。

需要说明的是，半导体工艺中具有向体硅中注入掺杂的离子的工艺，而这个工艺过程会对体硅表面造成一定的损伤，所以会通过一步快速热退火的工艺对离子注入造成损伤进行修复，即通过高温使粒子返回到正确的位置。该实施例于是引入半导体工艺中的快速热退火工艺，可使原子在退火作用下回到相应晶格的位置，以恢复nandflash颗粒的损伤，从而增加nandflash颗粒的寿命。

通过上述描述可知，本申请实施例提供的上述第一种修复nandflash颗粒损伤的方法，由于包括对损伤的nandflash颗粒进行定位；对所述损伤的nandflash颗粒进行快速热退火，修复其损伤，因此能够增加固态硬盘的寿命，降低使用成本。

本申请实施例提供的第二种修复nandflash颗粒损伤的方法，是在上述第一种修复nandflash颗粒损伤的方法的基础上，还包括如下技术特征：

所述对所述损伤的nandflash颗粒进行快速热退火为：

利用安装在固态硬盘上的加热装置对所述损伤的nandflash颗粒进行快速热退火。

需要说明的是，该加热装置可以固定在固态硬盘上，利用ssd软件检测出损伤的nandflash颗粒之后，就能立刻对其定点加热进行快速热退火，以修复损伤，避免对固态硬盘工作造成不利影响，增加其寿命。

本申请实施例提供的第三种修复nandflash颗粒损伤的方法，是在上述第二种修复nandflash颗粒损伤的方法的基础上，还包括如下技术特征：

所述快速热退火的温度范围为900℃至1000℃。

需要说明的是，该快速热退火的温度可以进一步优选为950℃，这样足以保证造成损伤的原子回复到原来的晶格位置。

本申请实施例提供的第四种修复nandflash颗粒损伤的方法，是在上述第二种修复nandflash颗粒损伤的方法的基础上，还包括如下技术特征：

所述快速热退火的时间范围为5秒至15秒。

进一步的，该快速热退火的时间可以优选为10秒，足以保证造成损伤的原子回复到原来的晶格位置，当然退火时间越长越好，但是超过了一定时间再退火就会造成浪费。

本申请实施例提供的第五种修复nandflash颗粒损伤的方法，是在上述第一种至第四种修复nandflash颗粒损伤的方法中任一种的基础上，还包括如下技术特征：

所述对损伤的nandflash颗粒进行定位之后，还包括：

将所述损伤的nandflash收集到一起。

也就是说，可以回收nandflash颗粒，将所述损伤的nandflash收集到一起进行损伤修复，达到颗粒批量修复再利用的目的。

本申请实施例提供的第六种修复nandflash颗粒损伤的方法，是在上述第二种修复nandflash颗粒损伤的方法的基础上，还包括如下技术特征：

所述加热装置为红外加热装置。

需要说明的是，红外加热的方式效率更高，因此这里优选为这种方式，但是还可以应用其他种类的加热装置，此处并不构成限制。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。