技术总结
公开了一种存储电路和操作存储电路的方法。在各种实施例中，提供了一种存储电路。存储电路可以包括：沿着多个行和多个列被布置在电可编程非易失性存储单元阵列中的多个电可编程存储单元；多个字线，每个字线与多个存储单元的多个字部耦接，其中每个字部被配置成存储数据字；以及与多个重叠部耦接的至少一个重叠字线，每个重叠部包括多个重叠存储单元，其中多个重叠部中的每一个包括重叠字，其中存储电路被配置成：针对多个字线中的每一个，从每个字部与多个重叠部中的一个重叠部同时进行读取，从而提供对数据字和重叠字执行的逻辑运算的结果作为读取操作的输出。 1
技术研发人员：简·奥特斯泰特;罗宾·博赫;格尔德·迪舍尔;贝恩德·迈尔;克里斯蒂安·彼得斯;斯特芬·索纳卡尔布
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2017.12.01
技术公布日：2018.06.15