一种适应宽电压供电的存储电路、工作方法及存储介质与流程

本发明涉及半导体存储电路，特别是一种适应宽电压供电的存储电路、工作方法及存储介质。

背景技术：

目前flash存储芯片的工作电压范围比较小，工作电压范围的上下限通常只有零点几伏的差距，因此flash的产品都要求将接入电压转换成较低的工作电压并且要防止电压波动超出范围，导致存储芯片烧坏。

技术实现要素：

为解决上述问题，本发明提供了一种适应宽电压供电的存储电路、工作方法及存储介质，可以适应较宽的工作电压范围，降低电路的电压要求。

本发明解决其问题所采用的技术方案是：

一种适应宽电压供电的存储电路，包括用于监测存储芯片的电源电压的vcc＿detect模块、电路切换模块和存储矩阵，所述vcc＿detect模块的输入引脚包括基准电压输入端和实时电压输入端，所述vcc＿detect模块的输出引脚包括第一控制端和第二控制端，所述电路切换模块的输入引脚包括第一电压输入端、第二电压输入端、第三电压输入端，以及由所述vcc＿detect模块引出的所述第一控制端和第二控制端，所述电路切换模块的输出引脚vpower连接到所述存储矩阵，所述电路切换模块根据所述第一控制端和第二控制端的电平变化切换到所述第一电压输入端、第二电压输入端、第三电压输入端中的一个作为输出连接到所述输出引脚vpower。

进一步，还包括用于生成所述第一电压输入端的电压值的pump模块、用于生成所述第二电压输入端的电压值的ldo模块和用于生成所述第三电压输入端的电压值的vcc传递模块，所述pump模块、ldo模块和vcc传递模块各自的输出端分别连接到所述第一电压输入端、第二电压输入端和第三电压输入端上。

进一步，所述pump模块包括作为输入端的vcc输入引脚和作为输出端的vpump引脚，所述vpump引脚连接到所述第一电压输入端，所述ldo模块包括作为输入端的vcc输入引脚和作为输出端的ldo引脚，所述ldo引脚连接到所述第二电压输入端，所述vcc传递模块包括作为输入端的vcc输入引脚和作为输出端的vout引脚，所述vout引脚连接到所述第三电压输入端。

进一步，还包括用于生成偏置电流和基准电压的基准模块，所述基准模块的输入引脚包括vcc输入引脚和gnd引脚，输出引脚包括偏置电流输出引脚和基准电压输出引脚。

进一步，还包括用于输出存储芯片数据的芯片接口模块，所述芯片接口模块的输入引脚连接所述存储矩阵的数据引脚。

一种存储器，包括有如上述任一所述一种适应宽电压供电的存储电路。

一种应用上述任一所述的一种适应宽电压供电的存储电路的工作方法，包括以下步骤：

所述实时电压输入端接收作为存储芯片的电源电压的vcc的值；

当vcc的值高于上限基准值时，所述第一控制端变成高电平，当vcc的值高于下限基准值时，所述第二控制端变成高电平；

所述第一控制端处于高电平时，所述第一电压输入端将电压传递到所述输出引脚vpower，所述第二控制端处于高电平时，所述第二电压输入端将电压传递到所述输出引脚vpower，其他情况下，所述第三电压输入端将电压传递到所述输出引脚vpower。

进一步，上限基准值为2.2v，下限基准值为1.8v，所述第一电压输入端的电压值为2v，所述第二电压输入端的电压值为2v，所述第三电压输入端的电压值与vcc的值相同。

一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行上述任一一种应用适应宽电压供电的存储电路的工作方法。

本发明的有益效果是：本发明的应用场景基于mos管的存储电路，里面的器件由mos管和相应的电压电源器件组成，因此所述电路切换模块也由mos管的开关进行控制切换，按照其工作方法，由所述第一控制端和第二控制端的电平变化使所述电路切换模块中不同的mos管导通，使所述第一电压输入端、第二电压输入端和第三电压输入端中其中一个输出到vpower，相当于对较宽的电压范围进行判断再转换成内部vpower的稳定电压，来给存储电路供电，因此应用本发明对外部电压电路的要求相应降低，减小开发难度。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。

图1是本发明实施例的电路模块图。

具体实施方式

参照图1，本发明的一个实施例提供了一种适应宽电压供电的存储电路，包括用于监测存储芯片的电源电压的vcc＿detect模块、电路切换模块和存储矩阵，所述vcc＿detect模块的输入引脚包括基准电压输入端和实时电压输入端，所述vcc＿detect模块的输出引脚包括第一控制端和第二控制端，所述电路切换模块的输入引脚包括第一电压输入端、第二电压输入端、第三电压输入端，以及由所述vcc＿detect模块引出的所述第一控制端和第二控制端，所述电路切换模块的输出引脚vpower连接到所述存储矩阵，所述电路切换模块根据所述第一控制端和第二控制端的电平变化切换到所述第一电压输入端、第二电压输入端、第三电压输入端中的一个作为输出连接到所述输出引脚vpower。

其中图1中的comp＿1p8为所述第一控制端，comp＿2p2为所述第二控制端，第一电压输入端为vpump引脚，第二电压输入端为ldo引脚，第三电压输入端为vout引脚，所有模块中相同名称的引脚相连接。

本实施例利用mos管的开关切换电路使不同的电压输入端接通到所述输出引脚vpower，其中需要规定所述第一控制端和第二控制端两者同一时间内只能有一个是处于高电平，实现方法是由所述vcc＿detect模块对存储芯片的电源电压进行判定，不同的电压值下降两个控制端中的其中一个转变成高电平或者两个都处于低电平，在所述第一控制端和第二控制端的其中一个输出高电平后，即导通所述电路切换模块中相应的通路，接到所述vpower进行输出。本实施例的所述vcc＿detect模块可以适应较宽的电压范围，并利用所述电路切换模块将其转换到flash电路的正常工作电压，因此相比传统的flash供电电路的要求更低，外部工作电压范围更宽。

优选地，本发明的另一个实施例提供了一种适应宽电压供电的存储电路，还包括用于生成所述第一电压输入端的电压值的pump模块、用于生成所述第二电压输入端的电压值的ldo模块和用于生成所述第三电压输入端的电压值的vcc传递模块，所述pump模块、ldo模块和vcc传递模块各自的输出端分别连接到所述第一电压输入端、第二电压输入端和第三电压输入端上。

本实施例表明所述第一电压输入端、第二电压输入端、第三电压输入端中输出的电压均由其他模块生成，在由mos管构成的存储电路中，基本上只有vcc电压，因此要获得不同的电压需要加入对电压进行调整的模块，其中pump模块是电压泵模块，ldo模块是低压差线性稳压模块，所述vcc传递模块即用于直接输出vcc电压的模块，上述三个模块能够恒定提供电压到所述电路切换模块的输入引脚，为电路的电压切换做好准备。

基于上述实施例，本发明的另一个实施例提供了一种适应宽电压供电的存储电路，所述pump模块包括作为输入端的vcc输入引脚和作为输出端的vpump引脚，所述vpump引脚连接到所述第一电压输入端，所述ldo模块包括作为输入端的vcc输入引脚和作为输出端的ldo引脚，所述ldo引脚连接到所述第二电压输入端，所述vcc传递模块包括作为输入端的vcc输入引脚和作为输出端的vout引脚，所述vout引脚连接到所述第三电压输入端。

本实施例的所述pump模块和ldo模块的输出电压均由vcc转化而来，根据mos管转换电压的特性，输出电压通常与vcc电压值成比例关系，例如vcc电压为4v，所述ldo模块输出2v，又如vcc电压为0.9v，所述pump模块输出1.8v。

优选地，本发明的另一个实施例提供了一种适应宽电压供电的存储电路，还包括用于生成偏置电流和基准电压的基准模块，所述基准模块的输入引脚包括vcc输入引脚和gnd引脚，输出引脚包括偏置电流输出引脚和基准电压输出引脚。

本实施例中加入所述基准模块主要用于产生存储芯片电路需要的偏置电流和基准电压源，用于对所述vcc＿detect模块进行稳定控制。

优选地，本发明的另一个实施例提供了一种适应宽电压供电的存储电路，还包括用于输出存储芯片数据的芯片接口模块，所述芯片接口模块的输入引脚连接所述存储矩阵的数据引脚。所述存储矩阵的数据引脚提供相应的数据到所述芯片接口模块，从而完成数据输出。

一种存储器，包括有如上述任一所述一种适应宽电压供电的存储电路。

参照图1，本发明的一个实施例提供了一种适应宽电压供电的存储电路，包括下列模块：

vcc＿detect模块，用于监测存储芯片的电源电压vcc；

电路切换模块，用于切换不同电压输入端的作为输出；

存储矩阵，用于存储数据；

pump模块，用于当vcc低于下限基准值时，输出vpump电压；

ldo模块，用于当vcc高于上限基准值时，输出ldo电压

vcc传递模块，用于直接将vcc电压进行输出；

基准模块，用于生成偏置电流和基准电压；

芯片接口模块，用于输出存储芯片数据；

其中，所述vcc＿detect模块的输入引脚包括基准电压输入端和实时电压输入端，所述vcc＿detect模块的输出引脚包括第一控制端和第二控制端，所述电路切换模块的输入引脚包括第一电压输入端、第二电压输入端、第三电压输入端，以及由所述vcc＿detect模块引出的所述第一控制端和第二控制端，所述电路切换模块的输出引脚vpower连接到所述存储矩阵，所述电路切换模块根据所述第一控制端和第二控制端的电平变化切换到所述第一电压输入端、第二电压输入端、第三电压输入端中的一个作为输出连接到所述输出引脚vpower。

所述pump模块、ldo模块和vcc传递模块各自的输出端分别连接到所述第一电压输入端、第二电压输入端和第三电压输入端上。

所述pump模块包括作为输入端的vcc输入引脚和作为输出端的vpump引脚，所述vpump引脚连接到所述第一电压输入端，所述ldo模块包括作为输入端的vcc输入引脚和作为输出端的ldo引脚，所述ldo引脚连接到所述第二电压输入端，所述vcc传递模块包括作为输入端的vcc输入引脚和作为输出端的vout引脚，所述vout引脚连接到所述第三电压输入端。

所述基准模块的输入引脚包括vcc输入引脚和gnd引脚，输出引脚包括偏置电流输出引脚和基准电压输出引脚，所述芯片接口模块的输入引脚连接所述存储矩阵的数据引脚

一种应用上述任一实施例所述的一种适应宽电压供电的存储电路的工作方法，包括以下步骤：

所述实时电压输入端接收作为存储芯片的电源电压的vcc的值；

当vcc的值高于上限基准值时，所述第一控制端变成高电平，当vcc的值高于下限基准值时，所述第二控制端变成高电平；

所述第一控制端处于高电平时，所述第一电压输入端将电压传递到所述输出引脚vpower，所述第二控制端处于高电平时，所述第二电压输入端将电压传递到所述输出引脚vpower，其他情况下，所述第三电压输入端将电压传递到所述输出引脚vpower。

优选地，上限基准值为2.2v，下限基准值为1.8v，所述第一电压输入端的电压值为2v，所述第二电压输入端的电压值为2v，所述第三电压输入端的电压值与vcc的值相同。

本实施例给出了具体的工作方法，并且举出了相应的电压值例子，由此可知工作电压可以大于2.2v，小于1.8v，至于范围的两端点值是多少，则是根据所述pump模块和ldo模块的性能决定。

一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行上述任一一种应用适应宽电压供电的存储电路的工作方法。

本发明基于mos管的存储电路，按照其工作方法，由所述第一控制端和第二控制端的电平变化使所述电路切换模块中不同的mos管导通，使所述第一电压输入端、第二电压输入端和第三电压输入端中其中一个输出到vpower，相当于对较宽的电压范围进行判断再转换成内部vpower的稳定电压，来给存储电路供电，因此应用本发明对外部电压电路的要求相应降低，减小开发难度。

以上所述，只是本发明的较佳实施例而已，本发明并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本发明的技术效果，都应属于本发明的保护范围。