NAND温度数据管理的制作方法

文档序号:20788060发布日期:2020-05-19 21:54阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于nand温度数据管理的nand装置,所述nand装置包括:

nand组件;以及

nand控制器,其用以:

接收将数据写入到所述nand组件的命令;

响应于接收到所述命令获得对应于所述nand组件的温度;以及

执行所述命令以将数据写入到所述nand组件并且以写入所述温度的表示,所述数据被写入到用户部分并且所述温度的所述表示被写入到仅可由所述nand控制器存取且与所述用户部分分离的管理部分。

2.根据权利要求1所述的nand装置,其中所述管理部分在所述nand组件上。

3.根据权利要求2所述的nand装置,其中所述nand组件是页。

4.根据权利要求3所述的nand装置,其中所述管理部分是所述页的辅助字节。

5.根据权利要求1所述的nand装置,其中所述温度的所述表示是与所述所获得的温度相比在较低分辨率下的所述温度的量化。

6.根据权利要求1所述的nand装置,其中,为了获得所述温度,响应于接收到所述命令所述nand控制器获得来自温度计的所述温度。

7.根据权利要求1所述的nand装置,其中所述nand控制器进一步从所述nand组件读取所述数据并且读取所述温度的所述表示。

8.根据权利要求7所述的nand装置,其中,响应于接收到读取命令所述nand控制器读取所述数据,并且其中所述温度的所述表示用于校正用于所述数据的读取电压以减少读取错误。

9.根据权利要求8所述的nand装置,其中所述温度的所述表示被提供到调用所述读取命令的主机,并且其中所述主机使用所述温度的所述表示来校正所述读取电压。

10.根据权利要求7所述的nand装置,其中所述nand控制器响应于所述nand装置的通电状况读取所述数据,并且其中所述温度的所述表示高速缓冲存储在易失性存储器中以用于未来读取操作。

11.一种用于nand温度数据管理的方法,所述方法包括:

在nand装置的控制器处接收将数据写入到所述nand装置中的nand组件的命令;

响应于接收到所述命令获得对应于所述nand组件的温度;以及

执行所述命令以将数据写入到所述nand组件并且以写入所述温度的表示,所述数据被写入到用户部分并且所述温度的所述表示被写入到仅可由所述控制器存取且与所述用户部分分离的管理部分。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述管理部分在所述nand组件上。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述nand组件是页。

14.根据权利要求13所述的方法,其中所述管理部分是所述页的辅助字节。

15.根据权利要求11所述的方法,其中所述温度的所述表示是与所述所获得的温度相比在较低分辨率下的所述温度的量化。

16.根据权利要求11所述的方法,其中获得所述温度包含响应于接收到所述命令获得来自温度计的所述温度。

17.根据权利要求11所述的方法,其包括从所述nand组件读取所述数据并且读取所述温度的所述表示。

18.根据权利要求17所述的方法,其中读取所述数据响应于在所述控制器处接收到读取命令,并且其中所述温度的所述表示用于校正用于所述数据的读取电压以减少读取错误。

19.根据权利要求18所述的方法,其中所述温度的所述表示被提供到调用所述读取命令的主机,并且其中所述主机使用所述温度的所述表示来校正所述读取电压。

20.根据权利要求17所述的方法,其中读取所述数据响应于所述nand装置的通电状况,并且其中所述温度的所述表示高速缓冲存储在易失性存储器中以用于未来读取操作。

21.至少一种包含指令的机器可读媒体,所述指令在由处理电路系统执行时,使得所述处理电路系统执行包括以下各项的操作:

在nand装置的控制器处接收将数据写入到所述nand装置中的nand组件的命令;

响应于接收到所述命令获得对应于所述nand组件的温度;以及

执行所述命令以将数据写入到所述nand组件并且以写入所述温度的表示,所述数据被写入到用户部分并且所述温度的所述表示被写入到仅可由所述控制器存取且与所述用户部分分离的管理部分。

22.根据权利要求21所述的机器可读媒体,其中所述管理部分在所述nand组件上。

23.根据权利要求22所述的机器可读媒体,其中所述nand组件是页。

24.根据权利要求23所述的机器可读媒体,其中所述管理部分是所述页的辅助字节。

25.根据权利要求21所述的机器可读媒体,其中所述温度的所述表示是与所述所获得的温度相比在较低分辨率下的所述温度的量化。

26.根据权利要求21所述的机器可读媒体,其中获得所述温度包含响应于接收到所述命令获得来自温度计的所述温度。

27.根据权利要求21所述的机器可读媒体,其中所述操作包括从所述nand组件读取数据并且读取所述温度的所述表示。

28.根据权利要求27所述的机器可读媒体,其中读取所述数据响应于在所述控制器处接收到读取命令,并且其中所述温度的所述表示用于校正用于所述数据的读取电压以减少读取错误。

29.根据权利要求28所述的机器可读媒体,其中所述温度的所述表示被提供到调用所述读取命令的主机,并且其中所述主机使用所述温度的所述表示来校正所述读取电压。

30.根据权利要求27所述的机器可读媒体,其中读取所述数据响应于所述nand装置的通电状况,并且其中所述温度的所述表示高速缓冲存储在易失性存储器中以用于未来读取操作。


技术总结
本文中公开了用于NAND温度数据管理的装置和技术。将数据写入到NAND装置中的NAND组件的命令在所述NAND装置的NAND控制器处被接收到。响应于接收到所述命令获得对应于所述NAND组件的温度。随后执行所述命令以将数据写入到所述NAND组件并且以写入所述温度的表示。所述数据被写入到用户部分并且所述温度的所述表示被写入到仅可由所述控制器存取且与所述用户部分分离的管理部分。

技术研发人员:K·K·姆奇尔拉;S·瑞特南;P·汤姆森;H·R·桑吉迪;辉俊胜;P·S·费利;J·黄
受保护的技术使用者:美光科技公司
技术研发日:2018.08.29
技术公布日:2020.05.19
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