确定耐久性降低的存储器控制器、存储器系统和操作方法与流程

交叉引用

本申请要求于2018年11月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2018-0141130的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

本发明构思涉及一种存储器控制器，更具体地，涉及一种能够确定耐久性降低的存储器控制器、包括该存储器控制器的存储器系统、以及操作该存储器控制器的方法。

背景技术：

作为非易失性存储器器件，除了闪存之外，诸如相变随机存取存储器(pram)、纳米浮栅存储器(nfgm)、聚合物ram(poram)、磁ram(mram)、铁电ram(feram)，电阻ram(rram)等的电阻性存储器在本领域中是公知的。电阻性存储器具有闪存的非易失性特性，以及动态ram(dram)的高速特性。

当写入和/或读取周期增加时，电阻性存储器可能达到其寿命的终点，然后数据可能不再被写入电阻性存储器中或者存储在电阻性存储器中的数据可能丢失，从而降低可靠性。因为即使已经保持适当的可靠性，当电阻性存储器的耐久性随着写入和/或读取周期的增加而降低时存在数据突然丢失的风险，因此需要准确地确定耐久性是否降低。

技术实现要素：

本发明构思提供了一种能够防止由于耐久性降低导致的数据可靠性降低的存储器控制器、包括存储器控制器的存储器系统、以及操作存储器控制器的方法。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种控制存储器器件上的存储器操作的存储器控制器，该存储器控制器包括：纠错码(ecc)电路，被配置为从读取自存储器器件的数据中检测错误；耐久性确定电路，被配置为检查指示存储器器件上的写入操作的次数的第一计数值和基于从存储器器件读取的数据指示以下中的至少一个的第二计数值：存储器器件的多个第一存储器单元，第一存储器单元中的每一个均具有错误，以及处于特定逻辑状态的存储器器件的多个第二存储器单元，并且被配置为基于检查结果执行用于确定存储器器件的耐久性是否已经降低的第一确定操作。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种存储器系统，包括：存储器器件，包括多个单元块，每个单元块包括多个页，并且每个页包括多个存储器单元；存储器控制器，被配置为：控制存储器器件上的存储器操作，并执行用于对多个单元块的第一单元块的写入操作的计数进行计数的第一计数操作、用于计数第一单元块的第一页中的错误单元的数量和第一页中的第一逻辑状态中的单元的数量中的至少一个的第二计数操作、以及用于基于第一计数操作和第二计数操作的结果确定第一页的耐久性是否已经降低的第一确定操作。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种操作存储器控制器的方法，该存储器控制器控制存储器器件上的存储器操作，该方法包括：执行指示访问存储器器件的第一页或包括第一页的第一单元块的次数的第一计数；基于从第一页读取数据的结果，执行指示第一页的存储器单元中的错误单元的数量或关闭单元(off-cell)的数量的第二计数；基于第一计数和第二计数的结果执行关于第一页的耐久性是否已经降低的第一确定；响应于对具有降低的耐久性的第一页的第一确定的结果，通过使用低于正常写入电流的电平的电平的写入电流在第一页中重写数据；通过使用在第一页中重写的数据来执行关于第一页的耐久性是否已经降低的第二确定；响应于对具有降低的耐久性的所述第一页的第二确定的结果，对所述第一页执行损耗均衡(wear-leveling)处理。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，其中：

图1是根据示例实施例的包括存储器控制器的存储器系统的框图；

图2是根据示例实施例的图示图1的耐久性确定电路的实现示例的框图；

图3a和3b是示出图1的存储器单元阵列的示例的电路图；

图4是示出具有降低的耐久性的存储器单元的电阻分布的示例的示图；

图5是图示应用以页为单位的写入计数和以字线为单位的写入计数的示例的示图；

图6、7、8a和8b是图示根据示例实施例的确定耐久性的方法的示图；

图9a、9b和9c是图示根据示例实施例的执行确定耐久性的操作的各种定时的流程图；

图10至12、13a、13b、14和15是图示根据示例实施例的通过第一和第二确定操作确定耐久性的方法的示图；

图16a和16b是根据示例实施例的执行损耗均衡的存储器系统的框图；

图17是根据特定实施例的存储器控制器的框图；

图18是根据特定实施例的存储器系统的框图；以及

图19是示出根据特定实施例的存储器控制器的实现示例的框图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述本发明构思的示例实施例。

图1是根据示例实施例的包括存储器控制器100的存储器系统10的框图。在一个或多个实施例中，存储器器件200可以被称为电阻性存储器器件，因为其中包括电阻性存储器单元。或者，在一个或多个实施例中，存储器器件200可以包括各种类型的存储器单元。因为存储器单元布置在多个第一信号线和多个第二信号线彼此相交的区域上，所以存储器器件200可以被称为交叉点存储器器件。尽管在下面的示例实施例中假设存储器器件200是电阻性存储器器件，但是实施例可以应用于各种存储器器件，其耐久性在写入和/或读取周期(即，写入操作和/或读取操作次数)增加时可能降低。作为示例，实施例可以应用于各种存储器器件，例如，易失性存储器器件、闪存器件等。

在图1中，存储器器件200可以以各种类型实现。作为示例，存储器器件200可以是包括一个存储器芯片的器件。否则，存储器器件200可以被定义为包括多个存储器芯片的器件；例如，存储器器件200可以是存储器模块，其中多个存储器芯片安装在板(board)上。然而，本发明不限于上述示例，例如，存储器器件200可以实现为各种类型，例如，包括一个或多个存储器管芯的半导体封装。

参考图1，存储器系统10可以包括存储器控制器100和存储器器件200。存储器器件200可以包括存储器单元阵列210、写入/读取电路220和控制逻辑230。此外，存储器控制器100可以包括处理器110、纠错码(ecc)电路120和耐久性确定电路130，并且存储器控制器100可以根据处理器110的控制基于硬件、软件及其组合的方式控制存储器操作。

存储器控制器100可以响应于来自主机的读取请求读取存储在存储器器件200中的数据，或者响应于来自主机的写入请求控制存储器器件200在存储器器件200中写入数据。具体地，存储器控制器100可以向存储器器件200提供地址add、命令cmd和控制信号ctrl，以控制存储器器件200上的编程(或写入)和读取操作。此外，写入数据data和读取数据data可以在存储器控制器100和存储器器件200之间交换。

处理器110可以控制存储器控制器100的整体操作。存储器控制器100可以经由各种协议与主机通信，例如，可以被配置为经由各种接口协议(例如，通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、外围组件快速互连(pci-e)、高级技术附接(ata)、串行ata、并行ata、小型计算机系统接口(scsi)、增强的小型器件接口(esdi)、集成驱动电子(ide)等)中的至少一种与外部(host)通信。

存储器单元阵列210可以包括分别布置在多个第一信号线和多个第二信号线彼此交叉的区域上的多个存储器单元(未示出)。在一个实施例中，多个第一信号线可以是多个位线，多个第二信号线可以是多个字线。另外，多个存储器单元中的每一个可以是存储一比特的单级单元(slc)或存储两比特或更多比特的数据的多级单元(mlc)。根据存储在每个存储器单元中的比特数，多个存储器单元可以具有多个电阻分布。例如，当一比特的数据被写入一个存储器单元时，存储器单元可以具有两个电阻分布，并且当两比特的数据存储在一个存储器单元中时，存储器单元可以具有四个电阻分布。

存储器单元阵列210可以包括电阻性存储器单元，其包括可变电阻器件(未示出)。例如，当可变电阻器件包括其电阻根据温度而改变的相变材料(gst，ge-sb-te)时，电阻性存储器器件可以是pram。作为另一示例，当可变电阻器件包括上电极、下电极和上电极与下电极之间的复合金属氧化物时，电阻性存储器器件可以是rram。作为另一示例，当可变电阻器件包括磁性材料的上电极、磁性材料的下电极和上电极与下电极之间的电介质材料时，电阻性存储器器件可以是mram。

存储器控制器100可以包括ecc电路120，其检测并校正从存储器器件200读取的数据data中的错误，并且可以向主机提供数据data，其错误被校正。根据实施例，ecc电路120可以通过使用来自主机的数据来执行ecc编码处理，并且可以通过使用从存储器器件200读取的数据来执行ecc解码处理。此外，可以基于从ecc电路120检测的错误的结果来检测从存储器单元阵列210的预定区域(例如，页、字线、单元块等)读取的数据中出现的错误的数量。

根据实施例，耐久性确定电路130可以预测或确定耐久性是否随着存储器器件200的寿命耗尽而降低(或随着写入和/或读取周期增加)。例如，耐久性确定电路130可以基于存储器单元阵列210的各种单元来确定耐久性，并且作为示例，耐久性确定电路130可以以存储器单元阵列210的页、字线、单元块等为单位确定耐久性。根据实施例，耐久性确定电路130可以通过使用各种方法来确定存储器器件200的耐久性；例如，耐久性确定电路130可以根据各种计数结果和各种标准来确定存储器器件200的耐久性是否已经降低。在下文中，下面将描述耐久性确定电路130以页为单位确定耐久性的示例，但是耐久性可以以其他各种单位来确定。

作为示例，耐久性确定电路130可以包括写入计数器131、单元计数器132和确定逻辑133，作为用于确定耐久性的各种元件。写入计数器131可以对存储器器件200上的各种存储器操作的写入次数进行计数，并且可以以存储器单元阵列210中的各个区域为单位执行计数操作。图1的写入计数器可以包括多个计数器，用于计数各种存储器操作的数量并对各个区域执行计数操作。

作为示例，关于包括在存储器单元阵列210中的第一单元块，第一单元块可以包括多个页，并且耐久性确定电路130可以执行用于以页为单位确定耐久性的计数操作。例如，当确定包括在第一单元块中的第一页的耐久性时，写入计数器131可以对第一单元块上的写入操作的次数进行计数并输出计数值，并且可以对第一页上的写入操作的次数进行计数并输出计数值。

单元计数器132可以对从存储器单元阵列210读取的数据执行单元计数操作。作为示例，单元计数器132可以包括计数器，用于计数从第一个单元块的第一页读取的数据中发生的错误的数量。另外，单元计数器132可以包括计数器，用于通过计数从第一单元块的第一页读取的数据计数预定逻辑状态的数据来计数第一页的关闭单元(或开启单元)的数量。单元计数器132可以输出错误计数的结果和/或关闭单元计数的结果。

基于写入计数器131和单元计数器132的计数结果，确定逻辑133可以确定第一页的耐久性是否已经降低。作为示例，存储器单元阵列210的耐久性可能随着写入和读取周期增加而降低，并且当包括第一页的第一单元块上的写入操作的次数超过预定的第一参考值并且同时第一页上的写入操作的次数超过预定的第二参考值时，确定逻辑133可以确定第一页的耐久性已经降低。而且，当第一页的耐久性降低时，存储器单元的电阻分布特性可能降低，例如，存储器单元的电阻分布可能在每个电阻分布的方向上移位或者宽度可能增加。根据错误计数的结果和/或关闭计数的结果，当错误单元的数量超过预定的第三参考值或者关闭单元(或开启单元)的数量超过预定的第四参考值时，确定逻辑133可以确定第一页的耐久性降低。

确定逻辑133可以基于各种确定标准确定第一页的耐久性是否降低。例如，上述四个计数结果可以不同地组合以包括至少两个计数结果，并且可以根据上述组合确定耐久性的降低。作为示例，可以通过确定从第一页读取的数据中的错误单元的数量或关闭单元的数量以及对第一单元块的写入操作的次数来确定第一页的耐久性是否降低。作为另一示例，可以通过确定从第一页读取的数据中的错误单元的数量或关闭单元的数量以及第一页上的写入操作的次数来确定第一页的耐久性是否降低。

当确定第一页的耐久性已经降低时，存储器控制器100可以对存储器单元阵列210执行损耗均衡处理以确保数据的可靠性。作为示例，可以通过各种方法执行损耗均衡处理，例如，数据交换、数据复制等。可以例如以单元块或页为单位执行损耗均衡处理。在示例实施例中，可以基于以页为单位执行的损耗均衡处理将具有降级的耐久性的第一页的数据复制到另一页。在示例实施例中，可以根据以单元块为单位执行的损耗均衡处理将包括第一页的第一单元块的数据复制到另一个单元块。在示例实施例中，可以根据以页为单位执行的损耗均衡处理将第一页的数据复制到第一单元块中的另一页或另一单元块中的页。

在示例实施例中，当第一页的数据降低时，第一页的地址可以与损耗均衡处理中的第二页的地址交换。

在示例实施例中，当包括在第一单元块中的第一页的数据降低时，第一单元块的地址可以与损耗均衡处理中的第二块的地址交换。

根据图1所示的实施例，可以以页为单位对写入操作的次数进行计数。但是本发明不限于此。作为示例，单元块可以包括多个字线，每个字线包括配置多个页的存储器单元，并且当确定第一页的耐久性时可以对连接到第一页的第一字线上的写入操作的次数进行计数。

此外，在参考图1所示的实施例中，描述了在确定耐久性时对单元块和页(或字线)上的写入操作的次数进行计数，但是本发明不限于此。作为示例，存储器单元阵列210可以包括电阻性存储器，相对于该电阻性存储器可以以页为单位执行写入、擦除和读取操作，并且可以通过计数单元块和页(或字线)上的写入或擦除操作的数量来执行上述确定耐久性的操作。

另外，在参考图1所示的示例实施例中，耐久性确定电路130包括各种计数器，但是存储器控制器100可以以各种类型实现。作为示例，可以在ecc电路120中提供用于对单元计数器132中的错误单元进行计数的计数器，并且ecc电路120可以向耐久性确定电路130提供对错误单元进行计数的结果。或者，存储器系统10可以被配置使得在耐久性确定电路130中提供的各种计数器中的至少一些可以被提供在存储器器件200中，并且存储器器件200向存储器控制器100提供计数结果。

在上述实施例中，描述了确定页的耐久性是否已经降低，但是可以不同地定义术语。作为示例，根据实施例的确定，可以输出指示在页中发生耐久性故障的结果。

存储器控制器100和存储器器件200可以被提供为单独的半导体器件。否则，存储器控制器100和存储器器件200可以集成为一个半导体器件。例如，存储器控制器100和存储器器件200可以集成为一个半导体器件以配置存储器卡。例如，存储器控制器100和存储器器件200可以集成为一个半导体器件，并且可以配置pc卡，诸如个人计算机存储卡国际协会(pcmcia)卡、紧凑型闪存(cf)卡、智能媒体卡(sm/smc)、记忆棒、多媒体卡(例如mmc、rs-mmc或mmcmicro)、sd卡(例如sd、minisd或microsd)、通用闪存(ufs)器件，等等。

图2是根据示例实施例图示图1的耐久性确定电路130的实现示例的框图。在下面的一个或多个实施例中，将描述计数用于确定耐久性的写入操作的次数以及以页为单位计数的写入操作的次数的示例，但是可以以字线为单位执行计数或者根据一个或多个实施例可以计算读取操作的数量。此外，将提供计数读取数据中的关闭单元的数量的操作的示例作为单元计数操作的示例，但是可以通过对开启单元的数量进行计数来确定耐久性。

参考图1和2，耐久性确定电路130包括写入计数器131和单元计数器132，并且写入计数器131可以包括块单位计数器131_1和页单位计数器131_2。单元计数器132可以包括错误单元计数器132_1和关闭单元计数器132_2(或，开启单元计数器)。此外，耐久性确定电路130还可以包括确定逻辑133。确定逻辑133可以从写入计数器131接收第一计数信息info_cnt1，并且从单元计数器132接收第二计数信息info_cnt2，并且可以输出指示确定通过处理所接收的信息获得的耐久性的结果的确定信息det_endur。

块单位计数器131_1和页单位计数器131_2可以分别包括多个计数器，用于对相应区域上的写入操作的次数进行计数。作为示例，存储器单元阵列210可以包括多个单元块，并且块单位计数器131_1可以包括与多个单元块对应的多个计数器。每个单元块包括多个页，并且页单位计数器131_2可以包括分别与多个页对应的多个计数器。

存储器控制器100可以通过与主机的通信来接收用于存储器操作的命令cmd和地址add，并且写入计数器131可以基于命令cmd和地址add来执行计数操作。作为示例，写入计数器131可以基于请求数据写入的命令cmd执行计数操作，并且块单位计数器131_1和页单位计数器131_2可以对由地址add指示的单元块或页上的写入操作的次数进行计数。

单元计数器132可以接收从执行耐久性确定的预定单元(例如，页)读取的数据data，并且可以使用数据data执行单元计数操作。例如，错误单元计数器132_1可以对通过对预定单元的数据的错误检测操作所检测的存储器单元的数量进行计数，并且关闭单元计数器132_2可以从来自读数据data的具有预定逻辑状态(例如，逻辑0或逻辑1)的数据data确定关闭单元的数量。根据实施例，错误单元计数器132_1可以通过计数ecc电路120的错误检测结果来产生计数结果。作为示例，错误单元计数器132_1可以包括在ecc电路120中并且可以将来自ecc电路120的错误单元计数结果提供给耐久性确定电路130。

可以通过确定错误单元的数量来预测存储器单元的电阻分布宽度的变化，并且可以通过确定关闭单元的数量来预测存储器单元的电阻分布的移位程度。例如，可以基于写入操作的计数操作来确定是否在作为耐久性确定的目标的页上执行超过参考数量的写入操作，并且通过确定页中的存储器单元的电阻分布特性可以最终确定页的耐久性是否降低。

图3a和3b是示出图1的存储器单元阵列210的示例的电路图。图3a和3b示出了电阻性存储器单元是pram并且在存储器单元阵列210中示出一个单元块的示例。

存储器单元阵列210可以是具有水平结构的二维存储器单元阵列，并且可以包括多个字线wl1至wln、多个位线bl1至blm、以及多个存储器单元mc。字线wl的数量、位线bl的数量和存储器单元mc的数量可以根据实施例而变化。然而，本发明不限于此，例如，在另一实施例中，存储器单元阵列210可以是具有垂直结构的三维(3d)存储器单元阵列。

根据示例实施例，多个存储器单元mc中的每一个可以包括可变电阻器件r和开关器件sw。可变电阻器件r可以被称为可变电阻材料，并且开关器件sw可以被称为选择器件。

在一个实施例中，可变电阻器件r可以连接在多个位线bl1至blm中的一个与开关器件sw之间，并且开关器件sw可以连接在可变电阻器件r与多个字线wl1至wln中的一个之间。然而，本发明不限于此，例如，开关器件sw可以连接在多个位线bl1至blm中的一个与可变电阻器件r之间，并且可变电阻器件r可以连接在开关器件sw与多个字线wl1至wln中的一个之间。

开关器件sw可以连接在多个字线wl1至wln中的一个与可变电阻器件r之间，并且可以根据施加到连接的字线和位线的电压来控制向可变电阻器件r的电流供应。在图3a中，开关器件sw被示为二极管，但是本发明不限于此，例如，根据另一实施例，开关器件sw可以包括能够切换的另一器件。

参考图3b，存储器单元mc可以包括可变电阻器件r和开关器件sw。开关器件sw可以包括各种器件，诸如晶体管、二极管等。可变电阻器件r可以包括包括锗、锑和碲(gst，ge-sb-te)的混合物的相变层11、相变层11上的上电极12以及相变层11下的下电极13。

上电极12和下电极13可以包括各种金属、金属氧化物或金属氮化物。相变层11可以包括双极电阻存储器材料或单极电阻存储器材料。双极电阻存储器材料根据所施加的电流的极性被编程为置位状态或复位状态，并且可以包括基于钙钛矿的材料。单极电阻存储器材料通过具有相同极性的电流被编程为置位状态或复位状态，并且可以包括诸如niox或tiox的过渡金属氧化物。

在图3b中，当写入电流i施加到存储器单元mc时，写入电流i流过下电极13。当写入电流i被施加到存储器单元mc很短的时间段时，与下电极13相邻的施加的写入电流i仅由焦耳热加热。这里，由于加热曲线的变化，相变层11可以部分地处于结晶状态(或置位状态)或非结晶状态(或复位状态)。

图4是示出耐久性降低的存储器单元的电阻分布的示例的示图。在图4中，横轴表示电阻水平，纵轴表示存储器单元的数量，并且示出了根据写周期的增加的电阻分布的变化的示例。

参考图4，在包括多个存储器单元的页中写入数据，并且可以根据写入周期的增加将存储器单元的电阻分布切换到降低数据可靠性的状态。例如，多个存储器单元可以被编程为具有相对小的电阻水平的置位状态和具有相对大的电阻水平的复位状态。随着写入周期的增加，存储器单元的电阻分布可以在一个方向(例如，降低电阻水平的方向)上移位并且置位状态下的电阻分布的宽度以及复位状态下的电阻分布的宽度可以分别增加。根据该实施例，确定作为目标的区域中的存储器单元的电阻分布(其耐久性被确定)是否具有由耐久性降低引起的电阻分布，如图4所示，并且因此，可以准确地确定区域的耐久性是否已经降低。

作为示例，可以基于上述实施例中的错误单元计数操作来预测置位状态和复位状态中的电阻分布的宽度的变化，并且当错误单元的数量超过预定的参考时，可以确定由于耐久性的降低而生成错误单元。此外，可以基于关闭单元计数操作来预测置位状态和复位状态中的电阻分布的移位程度，并且当关闭单元的数量(或被确定为置位状态的单元的数量)超过预定的参考值时，可以确定存储器单元的电阻分布由于耐久性的降低而移位。例如，根据示例实施例，可以基于对写入操作的次数和单元计数结果进行计数的结果的各种组合来提高确定存储器单元阵列的耐久性是否降低的准确度。

图5是图示应用以页为单位的写入计数和以字线为单位的写入计数的示例的示图。

参考图5，存储器单元阵列包括多个单元块，每个单元块包括多个字线wl1至wln。而且，多个存储器单元可以连接到多个字线wl1至wln中的每一个。

每个单元块可以包括多个单元区域单元区域1到单元区域k。作为示例，假设以预定页为单位写入或读取数据，该页可以是在单元区域1到单元区域k的每一个中包括一个存储器单元的单位。例如，从单元块读取的一个页单位的数据可以包括从单元区域单元区域1到单元区域k读取的k个数据data1到datak。

根据示例实施例，用于确定耐久性的计数操作可以以字线为单位或以页为单位执行。作为示例，当以字线为单位执行计数操作时，可以分别对应于n个字线wl1至wln提供n个计数器。否则，假设一个字线包括l个页，当以页为单位执行计数操作时，可以相对于一个字线提供l个计数器。

假设确定包括在单元块中的第一字线wl1中的第一页的耐久性，在根据上述实施例确定第一页的耐久性降低的情况下，可以在各种处理单元中执行损耗均衡操作。作为示例，可以以页为单位，以包括第一页的字线为单位，或以包括第一页的单元块为单位来执行损耗均衡。

图6和7是图示根据示例实施例的操作存储器控制器的方法的流程图。

参考图6，在包括存储器控制器的存储器系统中，存储器控制器可以响应于来自主机的读取请求从存储器器件的区域(例如，第一页)读取数据。存储器控制器可以对第一页执行读取操作，并且同时可以相对于包括第一页的单元块以块为单位识别写入计数值(s11)。此外，存储器控制器可以以第一页的页(或字线的单位)为单位识别写入计数值(s12)。

在示例实施例中，存储器控制器可以通过将包括第一页的块或第一页的块的写入计数值与相应的参考值进行比较来识别写入计数值。

可以基于所识别的计数值来确定第一页的耐久性是否降低(s13)。作为示例，可以将计数值分别与对应的预定参考值进行比较，并且可以根据比较结果确定第一页的耐久性是否降低。每个计数值可以指示第一页的耐久性降低水平，并且可以确定耐久性降低水平是否超过预定参考。作为示例，当单元块单位的计数值和页单位的计数值两者都大于分别对应的参考值时，可以最终确定第一页的耐久性已经降低。

当确定耐久性已经降低时，可以执行用于确保来自第一页或包括第一页的单元块的数据的可靠性的损耗均衡处理(s14)。否则，当确定耐久性已经降低时，可以执行控制操作以改变在第一页或包括第一页的单元块上执行损耗均衡处理的标准。例如，可以以预定时段(或预定写入/读取循环)执行损耗均衡。例如，可以针对每页每500k写入周期执行损耗均衡。当确定第一页的耐久性已经降低时，可以减少相对于第一页或包括第一页的单元块的损耗均衡处理的时段，从而提高数据的可靠性。例如，可以针对第一页每100k写入周期执行损耗均衡。

图7是图示进一步应用于确定耐久性的单元计数和错误计数的示例的流程图。将不再详细描述图7中的操作，它们与图6中的相同。

参考图7，存储器控制器可以响应于来自主机的读取命令从存储器器件的第一页读取数据，并且可以识别单元计数(即，开启单元或关闭单元的数量)和/或用于确定耐久性的错误计数(即，具有错误的单元的数量)(s15)。

参考图6和7，存储器控制器可以响应于来自主机的读取命令从存储器器件的第一页读取数据，可以识别用于确定耐久性的块单位的写入计数值(s11)，并且可以识别页单位(或字线单位)的写入计数值(s12)。另外，可以如上所述确定第一页的耐久性是否降低(s13)，并且可以执行用于确保从第一页读取的数据的可靠性的损耗均衡处理(s14)。

根据示例实施例，可以进一步使用单元计数结果和错误单元计数结果来确定第一页的耐久性是否降低。作为示例，关于从第一页读取的数据，可以预测第一页中的存储器单元的电阻分布将通过关闭单元计数或开启单元计数来移位，并且可以通过错误单元计数来预测第一页中的存储器单元的电阻分布的宽度。另外，当第一页的电阻分布对应于因为单元计数结果和错误单元计数结果超过预定参考值而具有降低的耐久性的页中的电阻分布时，可以最终确定第一页的耐久性已经降低。

图8a和8b是图示根据示例实施例的用于确定耐久性的各种条件的框图。

参考图8a，确定逻辑133可以根据上述实施例接收各种计数值，并且可以确定页的耐久性是否降低，例如，可以基于以关于包括页和关闭单元计数值和/或错误单元计数值的单元块的块为单位的写入计数值来确定页的耐久性是否降低。

参考图8b，确定逻辑133可以基于以页(或字线)为单位的写入计数值以及关于页(或包括页的字线)的关闭单元计数值和/或错误单元计数值来确定页的耐久性是否降低，作为确定耐久性的各种条件。另外，根据示例实施例，可以基于除参考图8a和8b所示的方法之外的其他各种条件的组合来确定耐久性。

图9a、9b和9c是图示根据示例实施例的执行确定耐久性的操作的各种定时的流程图。

参考图9a，存储器控制器从主机接收存储器操作请求(s21)，并且可以确定从主机发送的请求是否对应于对存储器器件的写入请求还是读取请求(s22)。作为确定的结果，当从主机提供写入请求或读取请求时，存储器控制器可以执行根据上述实施例的确定耐久性的操作。否则，对于请求写入或读取操作的页，可以识别单元块的写入计数值和页(或包括页的字线)的写入计数值。另外，对于请求写入操作的页，包括页的单元块上的写入计数值可以增加，并且页(或包括页的字线)上的写入计数值可以增加。此外，可以从请求写入或读取操作的页读取数据，并且可以从读取的数据计算出错误单元计数值和/或关闭单元计数值。

存储器控制器可以基于各种计数值来执行耐久性的确定(s23)。作为示例，可以将计数值(例如，写入计数值，开/关单元计数值和/或错误单元计数值)与相应的预定参考值进行比较，并且当根据上述实施例确定页的耐久性已经降低时，可以执行损耗均衡处理或者可以改变损耗均衡处理的标准(s24)。

图9b示出了根据示例实施例的当单元块的写入计数值达到预定参考值时执行耐久性的确定的示例。参考图9b，存储器控制器可以从主机接收写入请求，并且可以增加包括请求写入的页的单元块上的写入计数值(s31)。

确定单元块的写入计数值是否对应于预定参考值nref(s32)，并且当写入计数值对应于预定参考值nref时，可以执行根据上述实施例的用于确定耐久性的操作。例如，当接收到关于包括在单元块中的多个页的写入请求时，单元块的写入计数值可以增加，并且当单元块的写入计数值达到参考值nref时，可以确定单元块中页的耐久性是否已经降低。

存储器控制器可以从请求写入的页读取数据，并且可以计算关于读取的数据错误单元计数值和/或关闭单元计数值(s33)。另外，存储器控制器可以识别页(或包括页的字线)的写入计数值，并且可以基于各种计数值执行耐久性的确定(s34)。此外，当确定页的耐久性已经降低时，可以执行损耗均衡处理或者可以改变用于执行损耗均衡处理的标准(s35)。

图9c示出了根据示例实施例的在存储器系统处于后台模式的状态下执行耐久性的确定的示例。参考图9c，存储器控制器控制存储器器件上的存储器操作(s41)，并且可以根据预定周期或者当存储器操作未执行预定时间段时进入后台模式(s42)。

存储器控制器可以在后台模式下执行根据上述实施例的确定耐久性的操作。根据实施例，存储器控制器确定用于确定耐久性的定时是否已经到来(s43)。当是确定耐久性的定时时，存储器控制器可以确定包括在存储器器件中的一个或多个页的耐久性是否已经降低，而不管从主机提供的地址。作为示例，可以对多个页顺序地执行关于耐久性的确定。否则，识别单元块的写入计数值和/或页(或包括页的字线)的写入计数值，然后可以对页(其写入计数值超过预定的参考值)执行耐久性的确定。

存储器控制器从执行耐久性确定的区域(例如，一个或多个页)读取数据(s44)，并且可以从读取的数据计算错误单元计数值和/或关闭单元计数值。另外，可以基于各种计数值执行对耐久性的确定(s45)，并且当确定页的耐久性已经降低时，可以执行损耗均衡处理或者执行损耗均衡处理的标准(s46)。

图10是根据示例实施例的存储器控制器300的框图。

参考图10，存储器控制器300可以包括处理器310、ecc电路320、功率控制器330和耐久性确定电路340。根据示例实施例，耐久性确定电路340可以包括写入计数器341、单元计数器342、第一确定逻辑343和第二确定逻辑344。写入计数器341和单元计数器342可以执行根据上述实施例的用于确定存储器器件的耐久性的各种计数操作，并且第一确定逻辑343可以基于各种计数值主要确定存储器器件的耐久性的降低。

当根据第一确定操作的结果确定耐久性已经降低时，存储器控制器300可以执行第二确定操作以重新确定耐久性的降低。根据实施例，存储器控制器300可以通过使用具有比正常写入操作更低的电平(例如，低写入电流)的写入电流来重写在被确定为具有降低的耐久性的区域(例如，页)上的数据，并且功率控制器330可以输出功率控制信号ctrl_vi，其包括用于降低存储器器件的写入电流的电平的控制操作。另外，存储器控制器300可以控制通过使用低写入电流来读取(或重新读取)重写的数据的操作，并且可以将读取的数据提供给耐久性确定电路340。可以在产品规格中预先确定正常的写入电流。

当执行第二确定操作时，单元计数器342可以从读取数据执行错误单元计数和/或关闭单元计数操作，并且可以基于单元计数值二次确定存储器器件的耐久性。作为示例，第二确定逻辑344可以将错误单元计数值与预定参考值进行比较，或者将关闭单元计数值与预定参考值进行比较，并且根据比较结果，可以二次确定存储器器件的耐久性的降低。当在第一和第二确定操作中都确定耐久性已经降低时，耐久性确定电路340可以最终确定存储器器件中的页的耐久性已经降低。当确定耐久性已经降低时，可以基于处理器310的控制来执行损耗均衡处理。

根据实施例，可以准确地确定存储器器件的可靠性的降低是否是由通过第一和第二确定操作的耐久性降低引起的，并且可以对具有由于耐久性降低而导致可靠性降低的页的数据执行损耗均衡处理。例如，可以防止在读取过程中对仅具有一次性错误的数据执行损耗均衡处理，并且可以仅对具有降低的耐久性的页的数据适当地执行损耗均衡处理以提高数据的可靠性。

在参考图10所示的实施例中，可以通过各种方法执行第二确定。作为示例，存储器单元可以根据编程状态具有置位状态或复位状态，并且可以对来自存储器单元中的置位状态下的存储器单元执行使用低置位写入电流(即，低于正常置位写入电流)的置位写入操作。否则，可以对存储器单元中的复位状态的存储器单元执行使用低复位写入电流(即，低于正常复位写入电流)的复位写入操作。可以通过使用相应的低写入电流在上述存储器单元上一起执行置位写入操作和复位写入操作。

图11是图示当使用低写入电流执行写入操作时根据存储器单元的耐久程度的电阻分布的示图。图11示出了当存储器单元的耐久性降低时根据低复位写入电流的电平的复位状态下的电阻分布的示例。例如，图11示出了使用可变复位写入电流的写入操作产生的各种电阻分布。

参考图10和11，当对存储器单元的写入操作的次数足够大以降低耐久性时，并且当通过使用低复位写入电流执行复位写入操作时，电阻分布可能具有可能导致降低的分布特性在数据的可靠性。例如，当通过使用正常写入电流对具有降低的耐久性的存储器单元执行复位写入操作时，复位状态中的电阻分布可以类似于存储器单元的耐久性不降低的情况的电阻分布或者分布的变化宽度可以类似于存储器单元的耐久性不降低的情况的变化宽度。然而，当通过使用低写入电流对具有降低的耐久性的存储器单元执行复位写入操作时，复位状态中的电阻分布可以具有比存储器单元的耐久性不降级的情况更大的变化宽度。

当耐久性确定电路340执行根据实施例的第二确定操作时，读取使用低写入电流写入的数据。然后，对读取的数据执行单元计数操作以分析存储器单元的电阻分布，并且可以准确地确定存储器单元的耐久性是否已经降低。例如，通过使用低写入电流，可以清楚地区分存储器单元的耐久性没有降低的情况的电阻分布与存储器单元的耐久性降低的情况的电阻分布，并且因此可以基于使用低写入电流的数据写入来执行第二确定操作。

图12、13a、13b、14和15是示出根据示例实施例的在应用第二确定操作的情况下确定耐久性的方法的示例的流程图。

参考图12，可以执行第一确定操作以根据上述实施例在各种定时处确定存储器器件的耐久性。作为示例，当写入计数值超过预定参考值时当从主机提供写入请求或读取请求或者处于后台模式时，可以执行第一确定操作。

假设确定第一页的耐久性，可以在第一确定操作中识别以单元块为单位和/或以页为单位的写入计数值(s51)，并且可以从第一页读取的数据识别单元计数值(s52)。根据识别计数值的结果，可以确定耐久性是否主要降低(s53)，并且当在第一确定操作中确定第一页的耐久性已经降低时，可以执行第二确定操作。

在第二确定操作中，可以通过使用具有比根据上述实施例的正常写入电流的电平更低的电平的写入电流来执行写入操作(s54)，作为示例，可以使用低复位电流在第一页上写入复位状态的数据。另外，可以执行通过使用低复位电流写入的数据的读取操作(s55)，并且可以经由对读取数据的单元计数操作来识别错误单元的数量和/或关闭单元的数量(s56)。

可以基于读取数据的结果来其次地确定耐久性是否已经降低(s57)。当在第二确定操作中还确定第一页的耐久性已经降低时，可以最终确定第一页的耐久性已经降低。当确定第一页的耐久性已经降低时，可以执行用于确保来自第一页或包括第一页的单元块的数据的可靠性的损耗均衡处理(s58)。

参考图13a和13b，可以执行图12中所示的操作s51至s58，并且还可以通过在第二确定中使用低写入电流(即，低复位电流)对在其上写入数据的第一数据执行使用正常写入电流的写入操作(s59)。图13a示出仅当在第二确定操作中确定第一页的耐久性已经降低时进一步执行使用正常写入电流的写入操作的示例，图13b示出即使在第二确定操作中确定第一页的耐久性没有降低时进一步执行使用正常写入电流的写入操作的示例。例如，在图13a中，当确定第一页的耐久性已经降低时，可以通过使用正常写入电流来进一步执行写入操作，以便改善第一页的电阻分布。在图13b中，即使当确定第一页的耐久性没有降低时，也可以通过使用正常写入操作来进一步执行写入操作，从而确保数据可靠性。

图14示出了当执行关于第一页的耐久性的第二确定时可以进一步识别读取/写入中是否存在干扰的示例。在图14的示例中，为了便于描述，省略了关于耐久性的第一确定的描述。

执行确定第一页的耐久性是否已经降低的第一操作(s61)，并且当确定第一页的耐久性已经降低(即，耐久性主要降低)时，可以执行根据上述实施例的第二确定操作。因此，可以执行使用低写入电流的写入操作(s63)、通过使用低写入电流读取写入的数据的操作(s64)、以及错误单元计数和/或关闭单元计数操作(s65)。另外，可以基于s65中的计数操作的结果来确定第一页的耐久性是否已经降低(s66)。当在第二确定操作中还确定第一页的耐久性已经降低时，可以对第一页执行损耗均衡处理，或者可以执行包括第一页的单元块(s67)。

根据示例实施例，还可以将附加标识应用于第二确定操作。作为示例，可以基于第一确定中的各种计数值来确定第一页的耐久性是否已经降低，并且可以执行用于基于计数值识别第一确定的准确性的附加识别操作。

例如，可以基于错误单元和/或关闭单元计数值来预测第一页中的存储器单元的电阻分布，并且可以检查第一页的电阻分布的变化是否由相邻存储器单元上的写入或读取操作的干扰引起(s62)。例如，第一页中的存储器单元的电阻分布可能受到对相邻存储器单元的写入或读取操作的干扰，因此，即使第一页中的存储器单元的耐久性尚未降低，也可以确定耐久性由于电阻分布而降低。

根据示例实施例，可以通过各种方法识别是否存在干扰。作为示例，检查与第一页相邻的一个或多个存储器单元上的写入和/或读取操作的数量，并且当在与第一页相邻的一个或多个存储器单元上检查的写入和/或读取操作的数量等于或小于预定参考值时，则可以确定第一页的耐久性已经降低。然后，存储器控制器100可以在步骤s67中对第一页或包括第一页的单元块执行损耗均衡处理。然而，当在与第一页相邻的一个或多个存储器单元上的检查的写入和/或读取操作的数量超过预定参考值时，可以在步骤s63中通过使用低写入电流来执行写入操作。

在图14中所示的实施例中，描述了根据确定是否存在干扰的结果来执行使用低写入电流的确定操作，但是本发明不限于此。作为示例，执行使用低写入电流的确定操作，然后可以执行确定是否存在干扰的操作。否则，可以一起执行使用低写入电流的确定操作和确定是否存在干扰的操作，并且当在至少一个确定操作中确定第一页的耐久性已经降低时，可以最终确定第一页的耐久性已经降低。

在图14中所示的实施例中，描述了在第二确定操作中执行关于是否存在干扰的确定，但是本发明不限于此。作为示例，可以与在第一确定操作中识别错误单元计数值和/或关闭单元计数值的操作一起执行干扰确定。或者，当在第一确定操作中基于错误单元和/或关闭单元计数值识别出第一页的耐久性已经降低时，可以另外确定是否存在由于对与第一页的存储器单元相邻的存储器单元的写入和读取操作引起的干扰。

图15示出了将时间延迟应用于第二确定操作的示例。关于图15的操作的描述，,省略了与前述实施例类似或相同的部分，并且为了便于描述，将省略关于第一确定操作的详细描述。

参考图15，执行关于第一页的耐久性是否已经降低的第一确定操作(s71)。当确定第一页的耐久性已经降低时，可以执行包括使用低写入电流的写入操作的第二确定操作(s72)、通过使用低写入电流读取写入的数据的操作(s74)、以及错误单元计数操作和/或关闭单元计数操作(s75)。可以基于上述计数结果其次地确定耐久性是否已经降低(s76)，并且根据确定结果，可以对第一页或包括第一页的单元块执行损耗均衡处理(s77)。

当通过使用低写入电流将数据写入具有降低的耐久性的存储器单元时，存储器单元的电阻分布可具有与在完成写入操作之后立即使用正常写入电流的情况类似的分布，但是当经过预定时间段时，分布特性可能降低，如图11的曲线图所示。根据示例实施例，在使用低写入电流执行写入操作之后可以进一步添加施加预定延迟时间的操作(s73)，并且在应用时间延迟之后在第一页上执行读取操作时，可以进一步改进第二确定操作的准确度。

此外，可以在存储器系统中预先设置各种值的时间延迟。作为示例，可以执行包括使用低写入电流的写入操作的测试和通过使用读取数据预测电阻分布的操作，并且根据测试结果，可以计算用于确定具有降低的耐久性的存储器单元的适当延迟值。而且，时间延迟可以根据写入操作中使用的低写入电流的电平而变化。例如，存储器控制器100可以包括计时器，该计时器被配置为生成从写入操作的结束时间(s72)到读取操作的开始时间(s74)的时间延迟。

图16a和16b是根据示例实施例的执行损耗均衡的存储器系统400的框图。

参考图16a，存储器系统400包括存储器控制器和存储器器件440，并且存储器控制器可以包括地址交织器410、热数据过滤器420和热数据高速缓存430。另外，图16a示出了作为包括多个单元块的存储器器件440的pram。每个单元块可以包括多个页。

存储器系统400可以将存储在存储器器件440中的数据的一部分复制到热数据高速缓存430，并且存储器系统400可以响应于来自主机的访问请求将存储在热数据高速缓存430中的数据提供给主机。地址交织器410可以对来自主机的地址add执行交织(interleaving)，使得请求被写入的数据可以在被分布在存储器器件440的多个单元块中之后被存储，并且热数据过滤器420可以从存储器器件440中的写入的数据中过滤具有高访问频率的热数据。热数据高速缓存430可以临时存储从存储器器件440访问的数据的一部分。

根据示例实施例，可以在执行确定耐久性的操作之后对具有降低的耐久性的区域(例如，页、字线、单元块等)中的数据执行损耗平衡处理。根据上述实施例，可以以页为单位或以单元块为单位执行损耗均衡处理，因此可以在损耗均衡处理之后改变指示数据的地址。改变的地址信息存储在映射表450中，并且热数据高速缓存430使用映射表450的改变的地址信息来访问存储器器件440。

参考图16b，可以通过使用具有随机值的密钥(key)将地址转换为重映射地址。在图16b的一个示例中，基于先前地址ma和密钥的xor运算生成重映射地址rma，并且可以将先前地址ma和重映射地址rma之间的映射信息提供给热数据高速缓存430。

图17是根据特定实施例的存储器控制器500的框图。图17示出通过软件实现确定耐久性的功能的示例。

存储器控制器500可以包括处理器510和工作存储器520，并且用于实现上述实施例的功能的元件可以作为固件加载在工作存储器520上。作为示例，可以在工作存储器520上加载根据经由固件、损耗均衡模块521、坏块管理模块522、地址映射表523和确定模块524实现的功能。

在功能模块方面描述并在附图中示出了实施例。这些模块可以通过电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立元件、微处理器、硬连线电路、存储元件、布线连接等)物理地实现，使用半导体制造技术和/或其他制造技术，它们可以在单个集成电路中一起形成(例如，作为单个半导体芯片)或作为单独的集成电路和/或分立元件(例如，在印刷电路板上连接在一起的若干半导体芯片)。这些模块可以由处理器(例如，微处理器、控制器、cpu、gpu)或使用软件(例如，微代码)编程的处理器来实现，以执行本文所讨论的各种功能。每个模块可以由专用硬件实现，或者作为执行某些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器的组合来实现。而且，实施例的每个模块可以通过物理上分离的电路来实现，并且不需要形成为单个集成电路。

损耗均衡模块521防止存储器单元随着在特定位置处的单元块或页上的写入和/或读取操作的数量增加而磨损，其中单元块或页包括存储器单元。作为示例，在根据上述公开的实施例确定由于在单元块或特定位置处的页上的写入和/或读取操作的数量而使耐久性降低的情况下，处理器510运行损耗均衡模块521，以单元块为单位或以页为单位执行损耗均衡处理。此外，坏块管理模块522对具有缺陷的单元块执行管理操作，并且作为示例，当在特定位置处的单元块上的写入和/或读取操作的数量超过临界值时，坏块管理模块522可以将单元块处理为坏块。根据示例，当根据上述实施例确定特定页的耐久性已经降低时，可以将包括该页的单元块处理为坏块。例如，可以在执行损耗均衡处理之前确定坏块。

地址映射表523可以通过地址转换操作在从主机提供的地址和指示实际存储数据的物理位置的地址之间存储转换信息。作为示例，可以根据损耗均衡处理以页为单位或以单元块为单位传送数据，并且可以将根据传送的地址转换信息存储在地址映射表523中。确定模块524可以根据上述公开的实施例，基于写入计数值和/或单元计数值，执行确定耐久性的第一和第二操作。

图18是根据特定实施例的存储器系统600的框图。图18示出存储器系统600包括存储器控制器610和对应于存储器模块620的存储器器件的示例。存储器控制器610可以包括ecc电路611和耐久性确定电路612，并且存储器模块620可以包括安装在模块板上的第一至第n存储器芯片621_1至621_n。

ecc电路611可以通过对数据data的ecc编码操作生成校验数据parity，包括数据data和校验数据parity的码字可以存储在第一至第n存储器芯片621_1至621_n中，并且可以从第一存储器芯片621_1至第n存储器芯片621_n读取码字。耐久性确定电路612可以通过使用从第一至第n存储器芯片621_1至621_n读取的每个数据data和校验数据parity来执行根据上述公开的实施例的确定耐久性的操作。此外，可以根据确定耐久性的结果来执行各种方式的损耗均衡处理，例如，可以以各种类型(例如，以页为单位、以单元块为单位、以存储器芯片为单位等)执行损耗均衡处理。

在示例实施例中，存储器模块620可以实现为单列直插式存储器模块(simm)或双列直插式存储器模块(dimm)。存储器模块620可以对应于各种dimm，例如fb-dimm、lr-dimm等。或者，存储器模块620可以对应于非易失性dimm(nvdimm)，其上具有非易失性存储器(例如，闪存，未示出)以便处理易失性存储器的问题，其数据在电源关闭时丢失。

作为各种模块，当存储器模块620包括pram作为电阻性存储器时，存储器模块620可以被称为p_dimm。一个或多个实施例可以应用于各种模块，作为示例，当存储器模块620包括具有三维(3d)电阻性存储器单元的交叉点存储器芯片时，存储器模块620可以被称为xpointdimm(或3dxpointdimm)。

图19是示出根据特定实施例的存储器控制器700的实现示例的框图。

参考图19，存储器控制器700可以包括处理器710、ram720、主机接口730、存储器接口740、ecc电路750和耐久性确定电路760。作为实施例，存储器控制器700可以是包括在可以实现为片上系统的应用程序进程(ap，未示出)中的器件。另外，耐久性确定电路760可以包括写入计数器761、单元计数器762和确定逻辑763。

处理器710可以包括中央处理单元或微处理器，并且可以控制存储器控制器700的整体操作。例如，处理器710可以被配置为驱动用于控制存储器控制器700的软件或固件，并且软件或固件可以加载到ram720上以进行操作。ram720可以用作处理器710的操作存储器、高速缓冲存储器或缓冲存储器。ram720可以临时存储要写入存储器器件的数据或者从存储器器件读取的数据。

主机接口730与主机接口以从主机接收对存储器操作的请求。例如，主机接口730从主机host接收各种请求，诸如读取请求、数据写入请求等，并且可以响应于请求生成用于对存储器器件执行存储器操作的各种内部信号。

存储器接口740可以提供存储器控制器700和存储器器件(未示出)之间的接口，例如，写入数据和读取数据可以经由存储器接口740发送到存储器器件和从存储器器件接收。另外，存储器接口740可以向存储器器件提供命令和地址，并且可以从存储器器件接收各种信息以将信息提供给存储器控制器700的内部。

ecc电路750可以通过上述实施例中所述的ecc解码处理来检测读取数据的错误，并且检测错误的结果可以用于确定耐久性确定电路760中的耐久性的操作。耐久性确定电路760可以执行根据上述公开实施例的确定耐久性的操作，例如，写入计数器761可以以单元块为单位和/或以页为单位执行写入计数操作，并且单元计数器762可以对读取数据执行错误单元计数操作和/或的关闭单元计数操作。确定逻辑763可以基于各种计数值执行确定操作。如上所述，当耐久性确定包括第一和第二确定操作时，单元计数器762对从页读取的数据执行错误单元计数和/或关闭单元计数操作，其中使用低写入电流来写入数据，确定逻辑763可以通过进一步使用计数结果来执行确定。

耐久性确定电路760可以执行的各种功能可以经由硬件或软件、或硬件和软件的组合来实现。作为示例，当经由硬件实现用于将各种计数值与参考值进行比较的确定操作时，可以通过布置在耐久性确定电路760中的硬件电路来执行确定操作。或者，当经由软件实现用于将各种计数值与参考值进行比较的确定操作时，在耐久性确定电路760内部或外部提供的程序被加载到ram720上，并且处理器710可以运行程序以执行确定操作。

尽管已经参考其实施例具体示出和描述了本发明构思，但是应当理解，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。