一种存储芯片的低电压保护电路的制作方法

本实用新型涉及数据读取与存储技术领域，尤其涉及一种存储芯片的低电压保护电路。

背景技术：

随着人民生活水平的提高，汽车进入到千家万户，汽车导航产品也越来越普及，由于车载导航产品大都是使用nandflash作为主机的存储芯片，存储芯片里面会存储操作系统文件、应用程序文件、用户设置数据文件等，由于车载产品的供电特殊性，汽车在启动点火的过程中，会导致蓄电池电压跌落，进而影响到nandflash存储芯片的供电电压也同时跌落，出现nandflash供电低电压的情况，如果此时外部控制芯片正在对nandflash存储芯片做读写操作，就会导致nandflash存储芯片内的操作系统文件损坏，导致系统不能正常开机，引起终端客户投诉和抱怨。

如图1所示，1为cpu控制器芯片，主要用于控制nandflash内部数据的读取和存储，2为nandflash芯片，主要用于储存操作系统文件、应用程序文件、用户设置数据等文件，nandflash芯片的wp引脚为芯片的写保护控制脚，wp脚为高电平时，会自动打开内部数据通讯端口，允许外部cpu控制器芯片1向nandflash2写入数据，wp为低电平时，会自动关闭数据通讯端口，禁止外部cpu控制器芯片1向nandflash2写入数据。

在正常工作时，nandflash的wp控制脚通过电阻r1连接vdd，使wp置于高电平，nandflash内部数据端口处于打开状态，允许外部cpu控制器随时写入数据，vdd电压由车身电源提供，由于vdd电压易受车身电源电压波动影响，当vdd电压低于nandflash的供电电压时，会影响nandflash存储芯片2工作的不稳定性，如果此时cpu控制器芯片1正在对nandflash存储芯片2做读写数据操作，就会导致nandflash存储芯片2内的文件损坏。

技术实现要素：

本实用新型提供一种存储芯片的低电压保护电路，解决的技术问题是，在存储器的供电电压低于其最低工作电压时，存储芯片工作不稳定，如果此时cpu控制器芯片正在对存储芯片做读写数据操作，容易导致存储芯片内的文件被损坏。

为解决以上技术问题，本实用新型提供一种存储芯片的低电压保护电路，1、一种存储芯片的低电压保护电路，所述存储芯片连接在供电电源与地之间，设有写控制引脚，所述低电压保护电路包括连接所述写控制引脚、供电电源的电压检测模块；

当所述电压检测模块检测到所述供电电源低于预设电压阈值后，所述电压检测模块自动输出第一电平信号至所述存储芯片的写控制引脚，所述存储芯片关闭自身连接控制芯片的通讯数据端口。

具体地，所述预设电压阈值根据所述存储芯片的最低电压而定。

具体地，所述预设电压阈值等于所述存储芯片的最低电压。

优选地，所述电压检测模块通过自身的高低电平输出端口连接所述存储芯片，当所述电压检测模块检测到所述供电电源不低于预设电压阈值后，所述电压检测模块自动输出第二电平信号至所述存储芯片的写控制引脚，所述存储芯片开启自身连接控制芯片的通讯数据端口。

优选地，所述第一电平信号为低电平信号，所述第二电平信号为高电平信号。

优选地，所述存储芯片为nandflash芯片。

具体地，所述存储芯片的写控制引脚与所述供电电源之间连接有上拉电阻。

本实用新型提供的一种存储芯片的低电压保护电路，在存储芯片的供电电源与存储芯片之间增加电压检测模块，并根据存储芯片的最低工作电压来选定电压检测模块的检测电压阈值，从而能够在电压检测模块检测到存储芯片的工作电压低于其设定的电压阈值时，自动输出一个低电平信号至存储芯片的写保护控制脚，存储芯片在接收到低电平信号后，会自动关闭内部的数据通讯端口，有效阻止外部数据的写入，保护其内部数据不会被擦写。

本实用新型设计的电压检测模块采用普通的电压检测芯片，实现起来简单有效，可以有效避免存储芯片在低电压异常情况下的可靠性，保护内部数据安全，使整机稳定性进一步提升，减少售后退机风险。

附图说明

图1是本实用新型背景技术提供的现有存储芯片与其供电电源、cpu控制器芯片的连接关系图；

图2是本实用新型实施例提供的一种存储芯片的低电压保护电路的电气连接图。

具体实施方式

下面结合附图具体阐明本实用新型的实施方式，实施例的给出仅仅是为了说明目的，并不能理解为对本实用新型的限定，包括附图仅供参考和说明使用，不构成对本实用新型专利保护范围的限制，因为在不脱离本实用新型精神和范围基础上，可以对本实用新型进行许多改变。

本,实用新型实施例提供的一种存储芯片的低电压保护电路，如图2所示，参见图1，本实施例在图1的基础上增设了电压检测模块3，该电压检测模块3多采用集成的电压检测芯片31，比如通用的xc61fn2712mr系列电压检测芯片。

如图2所示，1为cpu控制器芯片，主要用于控制nandflash内部数据的读取和存储；2为nandflash芯片(存储芯片)，主要用于储存操作系统文件，应用程序文件，用户设置数据等文件；3为电压检测模块，采用电压检测芯片31，主要用于实时检测vdd电压波动，nandflash芯片2的wp引脚为芯片的写保护控制脚，wp脚为高电平时，会自动打开内部数据通讯端口，允许外部cpu控制器芯片1向nandflash2写入数据，wp为低电平时，会自动关闭数据通讯端口，禁止外部cpu控制器芯片1向nandflash2写入数据。r1为上拉电阻，在供电电源供电正常时，将使wp置于高电平，使得nandflash2正常工作。

电压检测芯片31具有电源端(vdd)、接地端(gnd)和高低电平输出端口(out)，该电源端连接存储芯片2的供电电源，用于检测该供电电源并将其与预设电压阈值做比较，该预设电压阈值等于存储芯片2的最低工作电压，当检测到供电电源小于存储芯片2的最低工作电压时，电压检测芯片31通过自身的高低电平输出端口输出一个低电平信号至存储芯片2，存储芯片2的写保护控制脚收到该低电平信号后，关闭其对cpu控制器芯片1的数据通讯端口，来有效阻止外部数据的写入，保护其内部数据不会被擦写。

反之，在正常的供电电源输出下(供电电源不小于存储芯片2的最低工作电压时)，电压检测芯片31的高低电平输出端口(out)输出一个高电平信号至存储芯片2，存储芯片2的写保护控制脚收到该低电平信号后，打开其对cpu控制器芯片1的数据通讯端口，从而接收外部数据的写入。

需要说明的是，如图2所示，本实施例的存储芯片2采用的是landflash，其具有高电平开启数据通讯端口，低电平关闭的特点，电压检测芯片31也是基于此进行设计。其他的实施例可以采用其他的存储芯片2，基于存储器的数据通讯端口开启与关闭的条件，设计电压检测芯片31检测到正常工作电压和低工作电压时的输出信号。

本实用新型实施例设计的电压检测模块采用普通的电压检测芯片，实现起来简单有效，可以有效避免存储芯片在低电压异常情况下的可靠性，保护内部数据安全，使整机稳定性进一步提升，减少售后退机风险。

上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。