本发明涉及磁盘用基板以及磁盘。
背景技术：
：：一直以来，使用玻璃基板或铝合金基板作为磁盘用基板。在这些基板中，通过磁性膜形成于基板主表面而形成磁盘。对于磁盘而言，希望表面缺陷少，信息的读取写入没有障碍，能够进行大量信息的读取写入。并且，响应硬盘驱动装置(以下称作hdd)中的存储容量增大的要求而实现了磁记录的高密度化。例如，已知有如下磁盘用玻璃基板的制造方法：在进行磁记录的高密度化时，为了能够使用搭载有dfh(dynamicflyingheight)机构的磁头(dfh头)没有障碍地进行读取以及写入，减小磁盘用玻璃基板的表面粗糙度(算术平均粗糙度ra)(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2014/051153号技术实现要素：发明要解决的课题然而，近年来在硬盘驱动行业，磁盘中的磁性颗粒的微细化接近极限，以往的记录密度的提高速度出现衰退迹象。另一方面，由于大数据分析等原因，对于hdd的存储容量增大化的要求愈发强烈。因此，正在研究增加搭载于1台hdd的磁盘的片数。如上所述的大容量数据的保存通常使用公称3.5英寸型hdd。在通过增大组装到hdd中的磁盘的片数而实现存储容量的增大化的情况下，需要在hdd内的有限空间内减薄磁盘的厚度中占大部分的磁盘用基板的板厚。而且，为了实现存储容量的大容量化，还希望磁盘尺寸的大型化。在此可知：若增大磁盘用基板的直径且减薄板厚，则基板的刚性降低，容易产生大的振动，并且该振动有时难以平息。例如，由于在用于云的数据中心使用了极大量的hdd，因此频繁地进行与故障相伴的hdd的更换。此时可知：新的hdd由于安装到机架时的冲击而发生故障，或者至发生故障为止的时间缩短。进一步详细调査的结果可知：在hdd从外部受到冲击时，由于电源尚未供给到hdd，因此磁盘尽管未旋转也会受到损害。这样由来自外部的冲击所产生的振动不同于由旋转的磁盘及其周围的空气流动所产生的稳定旋转状态下产生的稳定状态的颤振，其随时间衰减。但是，若该振动的振幅大，则容易与hdd内的灯接触，并且与相邻排列的磁盘接触。而且，隔着一定间隔配置的多个磁盘中的位于最上部的磁盘有时与hdd的磁盘收纳容器的顶面接触。通过这样的接触，有时导致磁盘的接触部分破碎而产生颗粒。并且，还有时因摩擦或削去而产生颗粒。在大多情况下，所产生的颗粒在收纳容器内飞散并附着于面积大的磁盘的读写区域(主表面)。这样，通过增大磁盘用基板的直径且减薄板厚，使以往未产生问题的来自外部的冲击所致的振动以及与之相伴产生的颗粒变得不可忽视。尤其在磁盘为公称3.5英寸(例如直径95mm)以上的大的磁盘用基板中，由于因基板的振动所致的上述接触而产生的颗粒问题变得不可忽视。因此，本发明的目的在于提供磁盘用基板以及磁盘，其中，即使增大磁盘用基板的直径并且减薄板厚，也能够抑制因从外部受到的冲击而产生颗粒。用于解决课题的手段本发明的一方式为圆盘形状的磁盘用基板。所述基板的直径d为85mm以上，所述基板的板厚t为0.6mm以下，所述基板中使用杨氏模量e为90gpa以上的材料。优选所述直径d为90mm以上。优选在将所述基板的内周端部进行固定的状态下沿着所述基板的主表面的法线方向以2m秒对所述基板施加70g的冲击时，所述基板的外周端部的板厚方向的振动的最大振幅为0.25mm以下。本发明的其他方式为圆盘形状的磁盘用基板。所述基板的直径d为85mm以上，所述基板的板厚t为0.6mm以下，在将所述基板的内周端部进行固定的状态下沿着所述基板的主表面的法线方向以2m秒对所述基板施加70g的冲击时，所述基板的外周端部的板厚方向的振动所产生的最大振幅为0.25mm以下。优选所述直径d为90mm以上。优选所述基板是由玻化温度为650℃以上的玻璃构成的玻璃基板。优选所述基板的在730℃下加热后的平坦度与所述基板的加热前的平坦度之间的变化量为4μm以下。优选所述基板由线性膨胀系数为70×10-71/k以下的材料构成。优选所述基板的维氏硬度hv为650kgf/mm2以上。优选所述基板的努氏硬度hk为600kgf/mm2以上。优选至少在所述基板的外周端部的面设置有倒角面，所述倒角面的沿所述基板的半径方向的宽度w1与所述基板的半径r的比w1/r为0.0025以下。优选所述倒角面的沿所述基板的板厚方向的宽度w2的2倍与所述板厚t的比(2·w2)/t为0.4以下。优选关于所述基板的杨氏模量e和所述板厚t，e·t3的值为3～18gpa·mm3。优选所述材料的室温下且3000hz时的q值为1500以下。优选在设ρ为所述材料的室温下的密度g/cm3、设q为所述材料的室温下且3000hz时的q值、设e为所述材料的室温下的杨氏模量gpa、设v为所述材料的室温下的泊松比时，所述材料的ρ·(1-v)2·q/e的值小于25g/cm3/gpa。本发明的另一其他方式为在上述磁盘用基板的表面至少具有磁性膜的磁盘。发明效果根据上述的磁盘用基板以及磁盘，即使增大磁盘用基板的直径并且减薄板厚，也能够抑制因从外部受到的冲击而产生颗粒。附图说明图1是示出一实施方式的磁盘用基板的外观形状的一例的图。图2是示出一实施方式的磁盘用基板的振动的一例的图。图3是对一实施方式的磁盘的外周端部的一例进行说明的图。具体实施方式以下，对本发明的磁盘用基板进行详细说明。另外，在以下说明中，利用磁盘用玻璃基板进行说明，但是磁盘用基板除了玻璃基板之外，还可以是非磁性金属制基板。在玻璃基板的情况下，能够使用铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃等作为玻璃。尤其是从能够根据需要实施化学强化并且能够制作主表面的平坦度以及基板的强度优异的磁盘用玻璃基板的方面考虑，能够适宜地使用无定形的铝硅酸盐玻璃。作为金属制基板的材料，例如能够使用铝合金、钛合金以及si单晶等。磁盘通过在该磁盘用基板的表面至少形成磁性膜而制作。图1是示出本实施方式的磁盘用基板的外观形状的图。如图1所示，本实施方式中的磁盘用基板1(下文中简称为基板1)是形成有内孔2的圆盘状的薄板的基板。磁盘在该基板1形成磁性膜、基底膜、软磁性层等膜而制作。基板1的尺寸只要直径d为85mm以上，优选为90mm以上，则无限制，但是基板1例如能够适宜地用于公称直径3.5英寸的磁盘用基板。在公称直径3.5英寸的磁盘用基板的情况下，圆盘形状的直径d(外径)为85mm以上，优选为90mm以上。具体地说，圆盘形状的外径的公称值为95mm或97mm。如上所述，基板1的外径越大，则与颤振不同的由来自外部的冲击所产生的磁盘的振动的振幅越大，与之相伴，越不易衰减。因而，本实施方式的基板1在用于公称3.5英寸规格以上的磁盘的情况下优选。本实施方式的基板1的直径d为85mm以上，优选为90mm以上，基板1的板厚t为0.6mm以下。而且，基板1中使用杨氏模量e为90gpa以上的材料。基板1为与以往相比直径d大且板厚t薄的形状。由此，能够增大组装到hdd中的磁盘的片数，从而能够实现存储容量的增大化。此时，由于基板1的直径d大，板厚t薄，因此通过如上所述那样因设置hdd时的冲击而产生的基板1的振动，磁盘容易与hdd内的灯接触，并且与hdd内相邻排列的磁盘接触。而且，磁盘中的位于最上部的磁盘有时与hdd的磁盘收纳容器的顶面接触。另外，从公称3.5英寸尺寸的hdd的规格尺寸的观点考虑，基板1的直径d的上限例如为100mm。并且，从成膜工序时施加了偏置电压的情况下抑制电弧的观点考虑，基板1的板厚t的下限例如为0.30mm。杨氏模量e的上限无需特别设置，但是从加工容易性的观点考虑，例如为120gpa。图2是示出上述因冲击而产生的基板1的振动的一例的图。这样的振动不同于由旋转的磁盘及其周围的空气流动所致的稳定旋转状态下产生的稳定状态的颤振。由冲击产生的振动是基板1的主表面朝向主表面的面外方向变位的振动。尤其是在hdd内，虽然内周端部固定于主轴，但是外周端部成为自由端而朝向主表面的面外方向变位。通过这样的朝向主表面的面外方向变位的振动(板厚方向的振动)，与hdd内的灯接触，并且与相邻排列的磁盘接触，进而与磁盘收纳容器的顶面接触。通过这样的接触，有时导致磁盘的接触部分破碎而产生颗粒。在大多情况下，所产生的颗粒在收纳容器内飞散并附着于磁盘的读写区域。因此，在本实施方式中，基板1中使用杨氏模量为90gpa以上的材料。在基板1为玻璃基板的情况下，例如能够通过以下玻璃组成而得到杨氏模量为90gpa以上的非晶质的氧化物玻璃。该非晶质的氧化物玻璃的组成如下：(玻璃1)sio2为56～80摩尔％，li2o为1～10摩尔％，b2o3为0～4摩尔％，mgo和cao的合计含量(mgo+cao)为9～40摩尔％。玻璃1的比重为2.75g/cm3以下，玻化温度tg为650℃以上。(玻璃2)sio2为56～80摩尔％，li2o为1～10摩尔％，b2o3为0～4摩尔％，mgo和cao的合计含量(mgo+cao)为9～40摩尔％，sio2和zro2的合计含量与al2o3含量的摩尔比((sio2+zro2)/al2o3)为2～13。玻璃2的玻化温度tg为650℃以上。(玻璃3)以摩尔％表示，sio2为56～65％，al2o3为5～20％，b2o3为0～4％，mgo为3～28％，li2o为1～10％，sio2和al2o3的合计含量(sio2+al2o3)为65～80％，mgo和cao的合计含量(mgo+cao)为11～30％，mgo、cao、sro以及bao的合计含量(mgo+cao+sro+bao)为12～30％，mgo含量、0.7×cao含量、li2o含量、tio2含量以及zro2含量之和(mgo+0.7cao+li2o+tio2+zro2)为16％以上，5×li2o含量、3×na2o含量、3×k2o含量、2×b2o3含量、mgo含量、2×cao含量、3×sro含量以及bao含量之和(5li2o+3na2o+3k2o+2b2o3+mgo+2cao+3sro+bao)为32～58％，sio2含量、al2o3含量、b2o3含量、p2o5含量、1.5×na2o含量、1.5×k2o含量、2×sro含量、3×bao含量以及zno含量之和(sio2+al2o3+b2o3+p2o5+1.5na2o+1.5k2o+2sro+3bao+zno)为86％以下，而且，sio2含量、al2o3含量、b2o3含量、p2o5含量、na2o含量、k2o含量、cao含量、2×sro含量以及3×bao含量之和(sio2+al2o3+b2o3+p2o5+na2o+k2o+cao+2sro+3bao)为92％以下，cao含量与mgo含量的摩尔比(cao/mgo)为2.5以下，na2o含量与li2o含量的摩尔比(na2o/li2o)为5以下，li2o含量与mgo和cao的合计含量的摩尔比(li2o/(mgo+cao))为0.03～0.4，sio2含量与li2o、na2o以及k2o的合计含量的摩尔比(sio2/(li2o+na2o+k2o))为4～22，sio2和zro2的合计含量与al2o3的摩尔比((sio2+zro2)/al2o3)为2～10，tio2和al2o3的合计含量与mgo和cao的合计含量的摩尔比((tio2+al2o3)/(mgo+cao))为0.35～2，mgo和cao的合计含量与mgo、cao、sro以及bao的合计含量的摩尔比((mgo+cao)/(mgo+cao+sro+bao))为0.7～1，bao含量与mgo、cao、sro以及bao的合计含量的摩尔比(bao/(mgo+cao+sro+bao))为0.1以下，p2o5含量与b2o3、sio2、al2o3以及p2o5的合计含量的摩尔比(p2o5/(b2o3+sio2+al2o3+p2o5))为0.005以下，玻化温度为670℃以上，并且杨氏模量为90gpa以上，比重为2.75以下，100～300℃下的平均线性膨胀系数在40×10-7～70×10-7/℃的范围内。此时，在将基板1的内周端部进行固定的状态下沿着基板1的主表面的法线方向以2m秒对基板1施加70g的冲击(加速度)时，基板1的外周端部的板厚方向的振动所产生的最大振幅优选为0.25mm以下。通过这样将最大振幅设为0.25mm以下，能够防止上述接触。另外，上述冲击试验通过arbrown株式会社的avex-sm-110-mp型试验机而实施。因而，在一实施方式中的基板1中，基板1的直径d为85mm以上，优选为90mm以上，基板1的板厚t为0.6mm以下，在将基板1的内周端部进行固定的状态下沿着基板1的主表面的法线方向以2m秒对基板1施加70g的冲击时，基板1的外周端部的板厚方向的振动所产生的最大振幅为0.25mm以下。根据一实施方式，优选基板1由玻化温度tg为650℃以上的玻璃构成，更优选玻化温度tg为680℃以上。玻化温度tg越高，则耐热性越高，从而能够抑制在对基板1进行热处理时产生的基板的变形例如平坦度。从考虑在基板1形成磁盘的磁性膜等时的热处理而抑制热变形的观点来看，优选将玻化温度tg设为650℃以上。具体地说，在基板1形成30nm左右的包含磁性膜等的金属膜而制作磁盘时，对基板1进行加热。在该加热处理时，基板1容易受到热历程而变形。因此，根据一实施方式，基板1的在730℃下加热后的平坦度与基板1的加热前的平坦度之间的变化量(加热后的平坦度-加热前的平坦度)优选为4μm以下。通过这样限制平坦度的变化量，能够得到平坦的磁盘，进而能够减少磁盘在旋转中的微小振动。根据一实施方式，优选基板1由线性膨胀系数为70×10-71/k以下的材料构成，更优选线性膨胀系数为60×10-71/k以下。基板1的线性膨胀系数的下限例如为40×10-71/k。此处所说的线性膨胀系数是根据100℃与300℃之间的热膨胀的差求出的线性膨胀系数。通过使用这样的线性膨胀系数，能够在形成磁性膜等时的加热处理中抑制热膨胀，在成膜装置的把持部件固定基板1来把持外周端部的面(下文中称作外周端面)时，能够抑制把持部分周围的基板1的热形变。线性膨胀系数例如在以往的铝合金制基板中为242×10-71/k，在以往的玻璃制基板中为95×10-71/k以上，而一实施方式的玻璃制基板1中的线性膨胀系数为51×10-71/k。另一方面，基板1的线性膨胀系数的下限无需特别设置，但是若基板1的线性膨胀系数过小，则在hdd内部的温度上升时，有时导致主轴膨胀而接触/压迫基板的圆孔部，使基板发生变形。由此，进一步优选例如将线性膨胀系数的下限设为20×10-71/k。根据一实施方式，优选基板1的维氏硬度hv为650kgf/mm2以上。并且，根据一实施方式，优选基板1的努氏硬度hk为600kgf/mm2以上。通过提高维氏硬度hv或者努氏硬度hk，即使基板1因来自外部的冲击所产生的振动而与其他基板1接触或者与其他部件接触，也能够抑制基板1破碎而产生颗粒。并且，在磁性膜等的成膜时，在成膜装置的把持部件把持外周端面时，能够防止外周端面的一部分通过把持而破碎并产生颗粒，进而该颗粒附着于基板1的主表面。维氏硬度hv例如在铝合金制基板中为128kgf/mm2，在以往的玻璃制基板中为620kgf/mm2，而在一实施方式的玻璃制基板1中为741kgf/mm2。图3是放大说明磁盘的端部的一例的图。图3示出了在hdd内相邻的2个磁盘。在图3中，与基板1的板厚相比，磁性膜等的膜厚压倒性地小，达到数10nm左右，因此省略了磁性膜等的图示。基板1具有：一对主表面3；沿着与一对主表面3垂直的方向配置的侧壁面4；以及配置在一对主表面3与侧壁面4之间的一对倒角面5。侧壁面4以及倒角面5分别各自形成于基板1的外周端部以及内周端部。如图3所示，在基板1的表面形成未图示的磁性膜等而成的磁盘10相邻配置在hdd内。在此，当磁盘10沿着主表面3的法线方向振动而与相邻的磁盘10接触时，位于外周端部的作为主表面3与倒角面5的连接点的角6容易相接触。通过该接触，角6附近的倒角面5受到大的冲击。可知，倒角面5在通过成型磨石进行磨削之后，使用刷等进行端面研磨而形成，但是在由杨氏模量e为90gpa以上的玻璃材料制作的基板的情况下，与以往的杨氏模量低的玻璃的基板相比，潜在龟裂或者微细龟裂大量存在于倒角面5的表面。其原因尚不明确，但是推测其原因在于：例如高杨氏模量的玻璃通常为高硬度，因此在磨削加工中负荷变大，因此产生比以往深的龟裂，这些龟裂中的一部分在研磨之后作为潜在龟裂或者微细龟裂残留。在这样的状态下，若上述角6通过与灯部件等之间的接触而受到冲击，则潜在龟裂或者微细龟裂发展，其结果是，有时在磁盘10中基板1的角6或倒角面5的一部分破碎，与位于其上层的磁性膜一起产生颗粒。在这样的情况下，后述的宽度w1越大，则角6或倒角面5的一部分越容易破碎。在大多情况下，在角6或倒角面5中产生的颗粒在hdd收纳容器内飞散，并附着于磁盘10的读写区域。因此，根据一实施方式，在倒角工序中，优选减小形成倒角面5时的加工余量。在磁盘10的直径大到85mm以上、优选90mm以上且板厚薄到0.600mm以下的情况下，角6容易通过振动而接触，因此优选减小形成倒角面5时的加工余量，减少潜在龟裂或微细龟裂的数量。通过这样，即使在磁盘10的角6通过大的振动而与灯部件等接触的情况下，也能够抑制颗粒的产生等。在此，形成倒角面5时的加工余量是指后述的宽度w1的值。此外，有时在磨石加工的初期将外周削去某一定量而调整外径，但是根据本案发明人的研究，这样的初期的加工余量不会影响潜在龟裂等。推测其原因在于：由初期的加工余量产生的潜在龟裂等通过最终加工余量的影响而消失。具体地说，至少在基板1的外周端面设置有倒角面5。此时，优选倒角面5的沿基板1的半径方向的宽度w1(参照图3)为120μm以下。更优选宽度w1为90μm以下。通过以宽度w1成为120μm以下的方式对形成倒角面5时的加工余量进行调整，即使在使用高杨氏模量玻璃基板的磁盘10的直径大且板厚薄从而导致角6容易通过振动而接触的情况下，也能够减少倒角面5的潜在龟裂或者微细龟裂的数量。因此，即使有角6接触的情况，也能够抑制角6或倒角面5的一部分破碎而产生颗粒。另外，宽度w1的下限例如为20μm。在宽度w1小于20μm的情况下，倒角面5过小，有可能在形状加工后的基板制造工序或成膜工序等中产生崩边。如图3所示，倒角面5除了在通过磁盘10的中心并沿着半径方向切割的截面具有直线形状的形态之外，还可以是具有朝向外侧凸出的圆弧或曲线形状的形态。在该情况下，倒角面5是指各位置处的切线相对于侧壁面4以及主表面3的倾角度为5～85度的部分。图3中示出了相对于主表面3的倾角度θ1一定的倒角面5。根据一实施方式，优选基板1的外周中的倒角面5的沿基板1的板厚方向的宽度w2(参照图3)的2倍与板厚t的比(2·w2)/t为0.4以下。更优选比(2·w2)/t设为0.3以下。在比(2·w2)/t超过0.4的情况下，侧壁面4变得过小，因此有时因形成磁性膜等时的把持或偏置电压fci20jp6918的施加而导致外周端部破碎或产生裂纹。而且，根据一实施方式，关于杨氏模量egpa和板厚tmm，优选e·t3的值为3～18gpa/mm3，更优选为3～16gpa/mm3，尤其优选为5～15gpa/mm3。通过e·t3的值在这样的范围内，能够抑制因振动所产生的磁盘10的接触。在e·t3的值小于3gpa/mm3的情况下，容易引起因振动所产生的磁盘10的接触。在e·t3的值超过18gpa/mm3的情况下，无法为了确保内置于hdd中的磁盘10的片数而加大板厚，因此增大杨氏模量e。在该情况下，随着杨氏模量e的增大，基板1容易不必要地变硬，主表面3的研磨时间变长，在磁盘用基板1的生产效率这一点上不优选。并且，根据一实施方式，关于杨氏模量egpa和密度ρg/cm3，优选根据e/ρ计算的比弹性模量的值为36gpa·cm3/g以上。即使在杨氏模量高的情况下，若密度高，则也有时因基板自身的重量而使振动变大。比弹性模量的值的上限无需特别设置，但是从生产率的观点考虑，例如也可以设为41gpa·cm3/g。在将这样的基板1搭载于hdd的情况下，搭载于hdd的基板1的搭载片数取决于基板1的板厚t。形成于基板1的磁性膜等的膜厚为数10nm，薄到相对于基板1的板厚t不可忽视的程度。例如，在基板1的板厚t为0.635mm的情况下，能够搭载9片以上的基板1，在基板1的板厚t为0.5mm的情况下，能够搭载10片以上的基板1，在基板1的板厚t为0.38mm的情况下，能够搭载12片以上的基板1。这样，基板1的搭载片数根据基板1的板厚t而发生变化。因而，通过减薄基板1的板厚t而增加搭载片数，能够实现存储容量的增大。此时，如上所述，在本实施方式的基板1中，即使减薄板厚t，也不易发生因振动所致的与其他基板1或部件之间的接触。并且，根据一实施方式，优选基板1在以重现磁盘的卡紧的方式固定基板1的内周端部并以2m秒对基板1施加600g的冲击的冲击试验中不破损。关于这样的基板1，即使对hdd施加大的冲击，基板1也不会破损，因此从提高耐久性的观点来看是优选的。该基板1例如能够使用上述的玻璃1～3而实现。根据一实施方式，优选基板1的材料的室温(25℃)下且3000hz时的q值(质量系数(qualityfactor))为1500以下。q值将在1个周期内振动的蓄积在基板1中的振动能量除以从振动的基板1散逸的能量而得到，该值越小，则振动的衰减越大。因此，越使用q值小的材料，则越能够使振动快速衰减。因而，能够减少与hdd内的相邻的基板1或灯等之间的接触次数，并且缓和接触时的冲击，因此能够抑制因接触所致的颗粒的产生等不良影响。另外，室温下且3000hz时的上述q值更优选为1300以下。另外，3000hz时的q值是如下得到的。首先，使用激光多普勒振动仪(ldv)使通过自旋支架旋转的基板1产生振动，使激光接触该基板1的大致外周端部来测量振动，对所得到的数据适当地进行傅里叶变换，得到了频率响应函数(横轴：频率(单位：hz)、纵轴：nrro(nonrepeatablerunout非重复跳动)amplitude(单位：nm))。接着，关于在频率响应函数中观察到的各个峰，利用半峰宽法(使用与从nrro的峰值起低3db的值对应的频率f1、f2(＞f1)和与该峰值对应的频率f0(谐振频率)计算的方法)求出q值(＝f0/(f2-f1))。将所得到的测量结果绘制在横轴为频率、纵轴为q值的xy平面，进行基于最小二乗法的直线近似，求出近似直线。在求出的近似直线上或者根据需要对近似直线进行外插而得到3000hz时的q值。另外，在通过激光多普勒振动仪进行的评价中所使用的基板1统一成外径95mm、内径25mm、板厚0.635mm。并且，在室温下测量基板的转速为6900rpm，将距离基板中心为46.5mm(距离外周端1mm的内侧)的半径位置作为测量位置。根据一实施方式，在设ρ为基板1的材料的室温下的密度g/cm3、设q为基板1的材料的3000hz时的室温下的q值、设e为基板1的材料的室温下的杨氏模量gpa、设v为所述材料的室温下的泊松比时，优选基板1的材料的ρ·(1-v)2·q/e的值小于25g/cm3/gpa。基板1的外周端部中的振幅与ρ·(1-v)2/e/ξ(ξ为基板1的材料的衰减比)成比例，衰减比ξ表示为1/(2·q)(q为q值)，因此上述振幅与2·ρ·(1-v)2·q/e成比例。在此发现了如下情况：通过将2·ρ(1-v)2·q/e设为小于25g/cm3/gpa，能够高效地降低特定频带的振动的振幅，即能够将1000～4000hz时的颤振的rss(颤振量的总和：rootofsumofsquares)设为小于80nm。1000～4000hz时的rss具体为1000hz至4000hz的颤振的振幅的平方的累积值的平方根。即，通过将2·ρ(1-v)2·q/e设为小于25g/cm3/gpa，能够降低1000hz至4000hz的区域的rss。通过将2·ρ(1-v)2·q/e设为20g/cm3/gpa以下，能够将1000hz至4000hz的区域的rss设为68nm以下，因此进一步优选。另外，关于小于1000hz的频带的颤振，其影响随着近来的头伺服技术的进步而逐渐变小，另一方面，关于超过4000hz的频带，颤振原来就小。因而，降低关于1000～4000hz的频带的颤振显得重要。本实施方式的基板1具有这样的特征。这样的基板1例如如下制作。在此，作为一例记述将玻璃基板用作基板1的情况。首先，进行成为具有一对主表面的板状的磁盘用基板的原材料的玻璃坯板的成型处理。接着，进行该玻璃坯板的粗磨削。之后，对玻璃坯板实施形状加工以及端面研磨。之后，在由玻璃坯板得到的基板的主表面进行使用固定磨粒的精磨削。之后，实施主表面的第1研磨、化学强化以及主表面的第2研磨。另外，在本实施方式中，按照上述流程进行基板的制作，但是无需始终进行上述处理，也可以适当地更换这些处理的顺序，或者适当地省略。例如，也可以不实施上述中的精磨削、第1研磨、化学强化。以下，对各处理进行说明。(a)玻璃坯板的成型在玻璃坯板的成型中，例如能够使用冲压成型法。通过冲压成型法，能够得到圆形状的玻璃坯板。而且，能够使用下拉法、重新引下法、熔融法等公知的制造方法制造。通过对利用这些公知的制造方法制作的板状玻璃坯板适当地进行形状加工，能够得到成为磁盘用基板的基础的圆板状的基板。(b)粗磨削在粗磨削中，进行玻璃坯板的两侧的主表面的磨削。作为磨削材料，例如使用游离磨粒。在粗磨削中，玻璃坯板被磨削成大致接近目标的板厚尺寸以及主表面的平坦度。另外，粗磨削按照成型出的玻璃坯板的尺寸精度或者表面粗糙度而进行，也可以根据情况不进行粗磨削。(c)形状加工接着，进行形状加工。在形状加工中，首先，在玻璃坯板的成型之后，利用公知的加工方法形成圆孔和外周，由此得到开出圆孔的圆盘形状的基板(圆孔形成工序)。其次，实施基板的端面的倒角(倒角工序)。由此，在基板的端面形成与主表面3垂直的侧壁面4以及在侧壁面4与两侧的主表面3之间相对于主表面3倾斜的倒角面5。在倒角工序中，也可以通过使用成型磨石对基板的端面进行磨削，同时形成侧壁面4和2个倒角面5。(d)端面研磨接着，进行基板的端面研磨。端面研磨例如是在研磨刷与基板的外周端面(侧壁面4和倒角面5)以及内周端面(侧壁面4和倒角面5)之间供给包含游离磨粒的研磨液并使研磨刷和基板相对移动来进行研磨的处理。在端面研磨中，将基板的内周端面以及外周端面作为研磨对象，将内周端面以及外周端面设成镜面状态。(e)精磨削接着，对基板的主表面实施精磨削。例如，使用行星齿轮机构的双面磨削装置对基板的主表面3进行磨削。在该情况下，例如将固定磨粒设置于定盘来进行磨削。或者，还能够进行使用游离磨粒的磨削。另外，也可以根据情况不进行精磨削。(f)第1研磨接着，对基板的主表面3实施第1研磨。第1研磨使用游离磨粒，并使用贴附于定盘的研磨垫。第1研磨例如去除在通过固定磨粒实施精磨削的情况下残留在主表面3的龟裂或形变。在第1研磨中，能够防止主表面3的端部的形状过度下陷或突出，并且能够降低主表面3的表面粗糙度、例如算术平均粗糙度ra。第1研磨中所使用的游离磨粒并无特别限制，但是例如能够使用氧化铈磨粒或者氧化锆磨粒等。另外，也可以根据情况不进行第1研磨。(g)化学强化根据一实施方式的基板1，也可以适当地进行化学强化。在进行化学强化的情况下，作为化学强化液，例如能够使用硝酸钾、硝酸钠或对它们的混合物进行加热而得到的溶化液。然后，将基板浸渍在化学强化液中，由此位于基板的表层的玻璃组成中的锂离子或钠离子分别被置换成化学强化液中的离子半径相对大的钠离子或钾离子，从而在表层部分形成压缩应力层，基板被强化。进行化学强化的时机能够适当地决定，但是若在化学强化之后进行研磨，则能够去除随着表面的平滑化而通过化学强化粘贴于基板的表面的异物，因此尤其优选。(h)第2研磨(镜面研磨)接着，对化学强化后的基板实施第2研磨。第2研磨以主表面3的镜面研磨为目的。在第2研磨中，也使用与第1研磨相同的结构的研磨装置进行研磨。在第2研磨中，相对于第1研磨改变游离磨粒的种类以及颗粒尺寸，将树脂抛光材料的硬度柔软的材料用作研磨垫来进行镜面研磨。通过这样，能够防止主表面3的端部的形状过度下陷或突出，并且能够降低主表面3的粗糙度。关于主表面3的粗糙度，优选算术平均粗糙度ra(jisb06012001)为0.2nm以下。之后，通过清洗基板而能够得到基板1。(实施例、比较例、以往例)为了考察基板1的效果，制作各种基板(以往例1、2、比较例1、2以及实施例1～12、实施例61～67、实施例81～84、实施例111～114、实施例121～124)。基板使用了玻璃基板或者铝合金基板。以往例1以及比较例1的基板中使用了以下组成的玻璃4。实施例1、2的基板1中使用了上述的玻璃1，实施例3～5的基板1中使用了上述的玻璃2，实施例6～10的基板1中使用了上述的玻璃3，实施例11、12的基板1中使用了与玻璃1～4不同的组成且杨氏模量e为100gpa以上的作为无定形的铝硅酸盐玻璃的玻璃5、6，实施例61～67以及实施例81～84的基板1中使用了上述的玻璃3。并且，实施例111～114的基板1中使用了玻璃5，实施例121～124的基板1中使用了玻璃6。另外，在任一基板中均未实施化学强化。并且，玻璃1～3、5、6的比弹性模量的值为36gpa·cm3/g以上。玻璃4的比弹性模量的值小于36。(玻璃4)一种非晶质的玻璃，其包含：sio2、al2o3；选自由li2o、na2o以及k2o构成的组中的一种以上的碱金属氧化物；选自由mgo、cao、sro以及bao构成的组中的一种以上的碱土金属氧化物；以及选自由zro2、hfo2、nb2o5、ta2o5、la2o3、y2o3以及tio2构成的组中的一种以上的氧化物，sio2为50摩尔％以上，al2o3为3摩尔％以上，并且，sio2和al2o3的合计含量为70～85摩尔％，含有li2o以及na2o，li2o为4.3摩尔％以上，na2o为5摩尔％以上，并且，li2o和na2o的合计含量为24摩尔％以下，所述碱金属氧化物和所述碱土金属氧化物的合计含量为8摩尔％以上，所述氧化物的合计含量与所述碱金属氧化物和所述碱土金属氧化物的合计含量的摩尔比((zro2+hfo2+nb2o5+ta2o5+la2o3+y2o3+tio2)/(li2o+na2o+k2o+mgo+cao+sro+bao))为0.035以上，包含mgo以及cao，mgo小于3摩尔％，cao为4摩尔％以下，并且，mgo的含量与cao的含量的摩尔比(mgo/cao)为0.130～0.700。制作出的基板的尺寸为外径(直径)85mm～97mm、内径(圆孔直径)25mm。关于该倒角面的规格，沿半径方向的宽度w1为60μm～150μm，沿板厚方向的宽度w2为60μm～150μm。具体地说，关于板厚超过0.6mm的以往例1、2，将倒角面的沿半径方向的宽度w1设为150μm，沿板厚方向的宽度w2设为150μm。而且，关于板厚为0.6mm以下的比较例1、2、实施例1～12，将宽度w1设为100μm，将宽度w2设为100μm。实施例61～67以及81～84的宽度w1以及宽度w2示于下述表3a～3d中。因而，在宽度w1与宽度w2相等的情况下，倾斜角度θ1(参照图3)为45度。另外，在形状加工中，在形成基板的外周时，使用金刚石划线器垂直放入切口，使切口发展至相反面来进行了切割。在之后的倒角工序中，使用成型磨石形成了倒角面。(实验1)将制作出的以往例1、2、比较例1、2以及实施例1～12的基板安装于具有高速度照相机的评价装置来求出最大振幅。在该评价装置中，能够施加任意大小的外部冲击(加速度)，能够以动画形式拍摄与之相伴产生的基板的外周端部的运动(振动)。然后，通过分析其动画，能够测量主表面的法线方向上的外周端部的变位。使用该评价装置进行沿着基板的主表面的法线方向以2[m秒]对基板施加70[g]的冲击的冲击试验，测量了外周端部的朝向主表面的法线方向的振动。测量结果作为如图2所示的波形数据来表示。根据该波形数据，相对于基板的外周端部的变位量0的中心，求出法线方向中的任一方向上的最大变位量作为最大振幅。另外，在实际的hdd中组装有磁头的斜坡加载机构用的灯，在安装有各磁盘时，从两个主表面空出0.25mm的间隙。即，灯之间的磁盘所进入的间隙为磁盘的厚度+0.5mm。在实际的hdd中，被设计成即使基板的厚度发生变化，其间隙也一定。另一方面，在评价装置中未设置有该灯。因而，关于是否因基板的振动而在实际的hdd中与灯等其他部件(相邻的基板、灯或者hdd的收纳容器)接触的判断，利用基板的振动的最大振幅进行判断，只要最大振幅为0.25mm以下，则能够判断为不会引起与灯之间的接触。在最大振幅超过0.25mm的情况下，与其他部件接触的可能性极高。对3片基板考察最大振幅，使用各最大振幅的平均值。在本案的评价中，基板未旋转，在静止状态下进行了评价。另外，在介质工序中形成的磁性膜等的厚度在主表面中为100nm以下左右，因此实质上可以忽视。在下述表1、2a、2b中示出最大振幅的评价结果。以往例2以及比较例2的铝合金(“al合金”)为具有以下组成的al-mg合金。以质量％计，mg：3.5～5％；si：0～0.05％；fe：0～0.1％；cu：0～0.12％；mn：0～0.3％；cr：0～0.1％；zn：0～0.5％；ti：0～0.1％；剩余部分为al。而且，在al-mg合金制基板的表面以通过非电解镀覆而覆盖基板的表面整体的方式形成ni-p合金(p：10质量％、剩余部分ni)的膜。形成有镀覆膜的基板的板厚是指包含膜在内的板厚。[表1]以往例1以往例2比较例1比较例2实施例1实施例2材料玻璃4铝合金玻璃4铝合金玻璃1玻璃1杨氏模量e[gpa]837183719595板厚t[mm]0.6350.6350.50.50.550.5最大振幅[mm]0.150.210.290.350.200.24根据表1，在板厚t超过0.6mm的以往例1、2中，即使杨氏模量小于90gpa，由于板厚t厚，因此最大振幅也小，基板不会与其他部件接触。但是，如比较例1、2所示，在板厚t为0.6mm以下的情况下，最大振幅超过0.25mm，基板与其他部件接触的可能性极高。与此相对，在实施例1、2中，即使板厚t为0.6mm以下，由于杨氏模量为90gpa以上，因此最大振幅也为0.25mm以下。[表2a][表2b]与实施例1、2同样地，在实施例3～12中，即使板厚t为0.6mm以下，由于杨氏模量为90[gpa]以上，因此最大振幅也为0.25mm以下。通过以上，根据表1以及表2a、2b，即使基板1的直径d为85mm以上且基板1的板厚t为0.6mm以下，在基板1的材料的杨氏模量e为90gpa以上的情况下，最大振幅也为0.25mm以下，因此基板1不会因从外部受到的冲击所产生的振动而与其他部件接触。因此，能够在hdd内抑制产生颗粒。(实验2)而且，以实施例6、实施例8、实施例11、实施例12的基板1为基准，使用对倒角面5的宽度w1、w2进行各种变更的基板1(实施例61～67、实施例81～84、实施例111～114、实施例121～124)，进行了实施冲击试验之后的基板1的质量评价。另外，通过对使用成型磨石实施倒角加工时的磨石形状或加工条件进行各种变更，来对宽度w1、w2进行了各种变更。实施例61～67对实施例6的基板1的宽度w1、w2进行了变更，实施例81～84对实施例8的基板1的宽度w1、w2进行了变更，实施例111～114对实施例11的基板1的宽度w1、w2进行了变更，实施例121～124对实施例12的基板1的宽度w1、w2进行了变更。因而，实施例61～67的材料、杨氏模量e、板厚以及外径与实施例6相同，实施例81～84的材料、杨氏模量e、板厚以及外径与实施例8相同，实施例111～114的材料、杨氏模量e、板厚以及外径与实施例11相同，实施例121～124的材料、杨氏模量e、板厚以及外径与实施例12相同。制作出的基板1的质量评价以如下方式取得：分解市售的hdd，将各实施例的基板1和间隔件安装于主轴，而且将工程塑料制的模拟灯部件突出到基板表面。关于灯部件与基板之间的间隙，空出0.25mm的间隙。然后，进行了在将基板1进行固定的状态下沿着基板1的主表面的法线方向以2m秒施加200g的冲击的冲击试验。该试验是使基板1的外周端部和灯部件碰撞数次以上的加速试验。之后，对基板1表面的与灯部件接触的周边的颗粒分布进行了观察。另外，由于很难数值化，因此进行了相对评价。等级1：几乎没有颗粒等级2：颗粒的数量为中等程度等级3：颗粒的数量较多在下述表3a～3d中示出其评价结果。等级的值越小，则表示质量评价越优良，等级1表示最高评价。[表3a][表3b][表3c][表3d]根据表3a～3d可知，通过将宽度w1设为120μm以下，能够减少颗粒的数量。而且可知，通过将宽度w1设为90μm以下，进一步减少颗粒的数量。因而，在基板1的直径d为85mm以上、基板1的板厚t为0.6mm以下、并且基板1中使用杨氏模量e为90gpa以上的材料的情况下，通过将宽度w1设为120μm以下，能够更加进一步抑制hdd内的附着于基板1的主表面的颗粒数量。以上，对本发明的磁盘用基板以及磁盘进行了详细说明，但是本发明并不限定于上述实施方式以及实施例等，显然也可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种改良或变更。符号说明1磁盘用基板2内孔3主表面4侧壁面5倒角面6角10磁盘当前第1页12当前第1页12