存储器阵列中的峰值电流管理的制作方法

存储器阵列中的峰值电流管理
1.优先权申请案
2.本技术案要求2019年5月1日提交的美国申请案序列号16/400,398的优先权益，所述美国申请案以全文引用的方式并入本文中。


背景技术：

3.存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要功率来维持数据，且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)和同步动态随机存取存储器(sdram)等等。非易失性存储器可通过当未被供电时保持所存储的数据而提供持久的数据，且可包含nand快闪存储器、nor快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)和电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(pcram)、电阻性随机存取存储器(rram)和磁阻随机存取存储器(mram)、3d xpoint
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存储器等等。
4.存储器单元通常布置成矩阵或阵列。多个矩阵或阵列可组合成存储器装置，且多个装置可组合以形成存储器系统的存储容量，例如固态驱动器(ssd)、通用快闪存储(ufs
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)装置、多媒体卡(mmc)固态存储装置、嵌入式mmc装置(emmc
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)等。
5.存储器系统可包含一或多个处理器或其它存储器控制器，其执行逻辑函数以操作存储器装置或与外部系统介接。存储器矩阵或阵列可包含组织成数个物理页面的数个存储器单元块。存储器系统可从与存储器操作相关联的主机接收命令，所述存储器操作例如在存储器装置与主机之间传送数据(例如，用户数据和相关联的完整性数据，例如误差数据和地址数据等)的读取或写入操作、从存储器装置擦除数据的擦除操作，或执行一或多个其它存储器操作。
6.利用存储器作为用于多种多样的电子应用的易失性和非易失性数据存储装置，所述电子应用包含例如个人计算机、便携式存储棒、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器(例如mp3播放器)、电影播放器和其它电子装置。存储器单元可布置成阵列，其中所述阵列在存储器装置中使用。
7.许多电子装置包含数个主要组件：主机处理器(例如，中央处理单元(cpu)或其它主处理器)；主存储器(例如，一或多个易失性或非易失性存储器装置，例如动态ram(dram)、静态ram(sram)、移动或低功率双倍数据速率同步dram(ddr sdram)等)；和存储装置(例如，非易失性存储器(nvm)装置，例如快闪存储器、只读存储器(rom)、ssd、mmc或其它存储卡结构或组合件，或易失性和非易失性存储器的组合等)。在某些实例中，电子装置可包含用户接口(例如，显示器、触摸屏、键盘、一或多个按钮等)、图形处理单元(gpu)、功率管理电路、基带处理器或者一或多个收发器电路等。
附图说明
8.在不一定按比例绘制的图式中，相似标号可在不同视图中描述类似的组件。具有
不同字母后缀的相似标号可表示类似组件的不同实例。图式大体上借助于实例而非限制性地说明本文件中所论述的各种实施例。
9.图1说明根据本文中所描述的一些实例的包含主机和存储器装置的实例系统。
10.图2为根据本文中所描述的一些实例的呈包含非易失性存储器单元的存储器装置形式的设备的框图。
11.图3为根据本文中所描述的一些实例的多裸片装置的操作的实例的时序图。
12.图4为根据本文中所描述的一些实例的操作存储器装置的方法的实例的流程图。
13.图5为根据本文中所描述的一些实例的多裸片装置的操作的另一实例的时序图。
14.图6为根据本文中所描述的一些实例的多裸片装置的操作的再一实例的时序图。
15.图7为根据本文中所描述的一些实例的包含多个存储器裸片的多芯片封装的一个存储器裸片的实例部分的框图。
16.图8为根据本文中所描述的一些实例的与存储器读取操作和存储器编程操作相关联的存取线和数据线的充电时序的图示。
17.图9为根据本文中所描述的一些实例的电流微调电路的部分的实例的框图。
18.图10为与存取线或数据线的充电相关联的波形的图示。
19.图11说明根据本文中所描述的一些实例的实例机器的框图。
具体实施方式
20.存储器装置可包含存储器单元阵列。存储器单元使用存取线和数据线存取。例如存储器读取和存储器编程操作等存储器事件通常涉及对存取线和数据线进行充电。此充电可在操作期间产生供应电流(i
cc
)峰值。存储器装置和系统(用于移动和企业市场两者)可能必须符合低功率消耗要求。作为这些要求的部分，存储器装置和系统可根据特定功率或峰值电流(i
cc
)包络来操作。
21.因此，本文中所描述的一些实例包含用于在低电流模式(其在许多实例中将需要更多时间)或高电流模式(其在许多实例中将更快)中执行存储器事件(例如，读取数据和/或将其写入到存储器单元的群组)的各种结构和方法。在本文中所描述的一些实例中，可相对于对用于多个存储器裸片的功率或峰值电流包络的那些操作的影响来监控多个存储器裸片中的待处理或进行中的操作，其中所述监控用于控制将在高电流模式还是低电流模式下执行实例存储器操作。在一些实例中，电子系统中的多个存储器裸片将各自监控系统中的其它存储器裸片中采用的功率模式以控制在高电流模式或低电流模式下的执行操作。
22.图1说明包含主机105和存储器装置110的实例系统100。主机105可包含主机处理器、中央处理单元、或一或多个其它装置、处理器或控制器。存储器装置110可包含通用快闪存储(ufs)装置、嵌入式mmc(emmc
tm
)装置，或一或多个其它存储器装置。主机105和存储器装置110可使用通信接口(i/f)115(例如，双向并行或串行通信接口)通信。
23.在一实例中，存储器装置110可包含ufs装置，且通信接口115可包含串行双向接口，例如在一或多个联合电子装置工程委员会(jedec)标准(例如，jedec标准d223d(jesd223d)，通常称为jedec ufs主机控制器接口(ufshci)3.0等)中定义的。在另一实例中，存储器装置110可包含emmc
tm
装置，且通信接口115可包含数个并行双向数据线(例如，dat[7:0])和一或多个命令线，例如在一或多个jedec标准(例如，jedec标准d84-b51
(jesd84-a51)，通常称为jedec emmc标准5.1等)中所定义。在其它实例中，存储器装置110可包含一或多个其它存储器装置，或通信接口115可包含一或多个其它接口，这取决于主机105和存储器装置110。所标识的标准仅作为实例环境提供，在所述实例环境中，可利用所描述的方法和结构；但这类方法和结构可用于所标识标准(或任何实际或所提议标准)外部的多种环境中。
[0024]
主机105和存储器装置110中的每一个可包含配置成经由通信接口115发送或接收信号的数个接收器或驱动器电路，或接口电路(例如，数据控制单元、取样电路或其它中间电路)，所述接口电路系统配置成处理待经由通信接口115传送的数据或以其它方式处理从通信接口115接收的数据以供主机105、存储器装置110或一或多个其它电路或装置使用。
[0025]
存储器装置110可包含存储器阵列(例如，一或多个存储器单元阵列，例如nand快闪存储器阵列，或一或多个其它存储器阵列)、存储器控制单元，且在某些实例中，包含存储器阵列与存储器控制单元之间的接口电路。在某些实例中，存储器阵列可包含数个存储器裸片，其各自具有与存储器控制单元隔开的控制逻辑。存储器控制单元可包含专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、或经布置或经编程以管理到存储器阵列、从存储器阵列或存储器阵列内的数据传送或操作的一或多个其它处理电路。
[0026]
图2展示根据本文中所描述的一些实例的呈包含非易失性存储器单元的存储器装置200(例如，图1中的存储器装置110)形式的设备的框图，所述非易失性存储器单元具有集成在同一集成电路(ic)芯片中的混合存储器单元类型。存储器装置200可包含含有存储器单元210和285的存储器阵列(或多个存储器阵列)201。在存储器装置200的物理结构中，存储器单元210和285可竖直地布置(例如，彼此上下堆叠)在存储器装置200的衬底(例如，包含存储器装置200的ic芯片的半导体衬底)上方。存储器单元210和285可包含非易失性单元。存储器单元210和285可具有不同的非易失性存储器单元类型。举例来说，存储器单元210可包含浮动栅极存储器单元、电荷捕获存储器单元，或其它类型的非易失性存储器单元。存储器单元285可包含铁电存储器单元、相变存储器单元、电阻性存储器单元、导电桥存储器单元，和自旋转移力矩磁性随机存取存储器(stt-mram)单元，或其它类型的非易失性存储器单元。
[0027]
如图2中所展示，存储器单元210和285可布置在块(存储器单元块)中，例如块290和291。块290和291中的每一个可包含子块。举例来说，块290可包含子块2900和290n，且块291可包含子块2910和291n。子块2900、290n、2910和291n中的每一个可包含存储器单元210和285的组合。图2展示存储器装置200作为实例，所述存储器装置200具有两个块290和291以及所述块中的每一个中的两个子块。存储器装置200可具有多于两个块以及所述块中的每一个中的多于两个子块。
[0028]
如图2中所展示，存储器装置200可包含存取线(其可包含字线)250和数据线(其可包含位线)270。存取线250可携载信号(例如，字线信号)wl0到wlm。数据线270可携载信号(例如，位线信号)bl0到bln。存储器装置200可使用存取线250来选择性地存取块290和291的子块2900、290n、2910和291n，且使用数据线270来选择性地与块290和291的存储器单元210交换信息(例如，数据)。
[0029]
存储器装置200可包含地址寄存器207以接收线(例如，地址线)203上的地址信息(例如，地址信号)addr。存储器装置200可包含可对来自地址寄存器207的地址信息进行解
码的行存取电路208和列存取电路209。基于经解码地址信息，存储器装置200可确定将在存储器操作期间存取块290和291的哪些子块的哪些存储器单元210。存储器装置200可执行读取操作以读取(例如，读出)存储器单元210中的信息(例如，预先存储的信息)或写入(例如，编程)操作以存储(例如，编程)存储器单元210中的信息。存储器装置200可使用与信号bl0到bln相关联的数据线270来提供待存储在存储器单元210中的信息或获得从存储器单元210读取(例如，读出)的信息。存储器装置200还可执行擦除操作以擦除来自块290和291的一些或全部存储器单元210的信息。
[0030]
存储器装置200可包含存储器控制单元218(其可包含例如状态机(例如，有限状态机)、寄存器电路的组件和其它组件)，所述存储器控制单元配置成基于线204上的控制信号控制存储器装置200的存储器操作(例如，读取、写入和擦除操作)。线204上的控制信号的实例包含一或多个时钟信号和其它信号(例如，芯片启用信号ce#、写入启用信号we#)以指示存储器装置200可执行哪一操作(例如读取、写入或擦除操作)。
[0031]
存储器装置200可包含感测和缓冲电路220，其可包含例如感测放大器和页面缓冲电路(例如，数据锁存器)等组件。感测和缓冲电路220可响应于来自列存取电路209的信号bl_sel0到bl_seln。感测和缓冲电路220可配置成确定(例如，通过感测)从块290和291的存储器单元210(例如，在读取操作期间)读取的信息的值且将信息的值提供到线(例如，全局数据线)275。感测和缓冲电路220也可配置成使用线275上的信号以基于线275上的信号的值(例如，电压值)(例如，在写入操作期间)确定将存储(例如，编程)于块290和291的存储器单元210的信息的值(例如，在写入操作期间)。
[0032]
存储器装置200可包含输入/输出(i/o)电路217以在块290和291的存储器单元210与线(例如，i/o线)205之间交换信息。线205上的信号dq0到dqn可表示从块290和291的存储器单元210读取或存储在块290和291的存储器单元210中的信息。线205可包含存储器装置200内的节点或其中可驻留存储器装置200的封装上的引脚(或焊球)。存储器装置200外部的其它装置(例如，存储器控制器、存储器控制单元或处理器)可经由线203、204和205与存储器装置200通信。
[0033]
存储器装置200可接收供应电压，包含供应电压vcc和vss。供应电压vss可在地面电位(例如，具有大约零伏特的值)下操作。供应电压vcc可包含从例如电池或交流电到直流电(ac-dc)转换器电路等外部电源供应到存储器装置200的外部电压。
[0034]
存储器单元210中的每一个可个别地或共同地编程为一个或数个经编程状态。举例来说，单层级单元(slc)可表示两个经编程状态(例如，1或0)中的一个，从而表示一个数据位。然而，快闪存储器单元还可表示多于两个经编程状态中的一个，从而允许在不增加存储器单元数目的情况下制造较高密度的存储器，因为每个单元可表示多于一个二进制数字(例如，多于一个位)。这类单元可称为多状态存储器单元、多数字单元或多层级单元(mlc)。在某些实例中，mlc可指每单元可存储两个数据位(例如，四个经编程状态中的一个)的存储器单元，三层级单元(tlc)可指每单元可存储三个数据位(例如，八个经编程状态中的一个)的存储器单元，且四层级单元(qlc)可每单元存储四个数据位。mlc在本文中以其广泛情形使用，指代每单元可存储多于一个数据位(即，可表示多于两个经编程状态)的任何存储器单元。
[0035]
在另一实例中，存储器单元210中的每一个可经编程以存储表示多个位的值的信
息，例如两个位的四个可能的值“00”、“01”、“10”和“11”中的一个、三个位的八个可能的值“000”、“001”、“010”、“011”、“100”、“101”、“110”和“111”中的一个，或另一数目的多个位的其它值中的一个。具有存储多个位的能力的单元有时称为多层级单元(或多状态单元)。
[0036]
存储器装置200可包含非易失性存储器装置，使得存储器单元210和285可在断开存储器装置200的电源(例如，电压vcc、vss或两者)时保持存储在其上的信息。举例来说，存储器装置200可为快闪存储器装置，例如，nand闪存(例如，3维(3-d)nand)或nor快闪存储器装置，或另一种类的存储器装置，例如可变电阻存储器装置(例如，相变存储器装置或电阻性随机存取存储器(ram)装置)。所属领域的一般技术人员可认识到，存储器装置200可包含图2中未展示的其它组件，以便不会使本文中所描述的实例实施例模糊不清。
[0037]
在存储器装置200中，存储器单元210可配置成存储信息(例如，用户数据)。存储器单元285可不配置成永久地存储例如用户信息等信息，但其可供存储器装置200在将信息(例如，用户数据)存储在存储器单元210中的操作(例如，写入操作)期间用作临时存储单元以便改进存储器装置200的操作。
[0038]
对于多集成电路(ic)裸片装置，每个ic裸片可在操作期间，特别是(但非排他地)在行存取电路208、列存取电路和感测电路中的一或多个的激活期间产生i
cc
峰值。存储器装置和系统可使用峰值功率管理(ppm)来控制i
cc
包络内的操作。
[0039]
ppm的方法是限制可同时使用高电流执行存储器事件的ic裸片的数目。高电流存储器事件可包含存储器编程操作、存储器读取操作、存储器编程验证操作和存储器擦除操作。当一个ic裸片(或ic裸片的最大计数)正执行高电流存储器事件时，封装或系统的其它裸片必须等待直到第一ic裸片完成高电流存储器事件且高电流模式下的操作随后可用于其它裸片时才开始其高电流存储器事件。当高电流模式变为可供其它ic裸片使用时，其它ic裸片可各自采取轮流(例如，轮选类协议)等待且随后执行高电流存储器事件。此方法的缺点为由ppm协议引入的ic裸片的时延以及协议自身的开销减小总体系统带宽且可能增加系统等待时间。
[0040]
图3为展示由于等待且采取轮流执行高电流存储器事件的裸片的延迟的四个裸片装置的操作的实例的时序图。第一ic裸片(die 1)首先进入高电流模式305以执行高电流存储器事件。其它裸片轮询以查看其是否能够执行其高电流存储器事件。如果不能，那么其它裸片等待且不执行其高电流存储器事件。当第一裸片完成高电流存储器事件时，第一裸片的电路可执行切换(ho)协议320(例如，信令协议或ppm协议)以通知其它ic裸片高电流模式可用。在图3的实例中，在ho协议320之后，第二裸片(die 2)进入高电流模式310且开始执行高电流存储器事件。第二裸片切换到第三裸片(die 3)以执行存储器事件。最后，第四裸片(die 4)可执行存储器事件。从图3中的实例可以看出，在执行高电流存储器事件的n个裸片存储器装置的所有n个裸片中的延迟315可为存储器事件的持续时间的至多(n-1)倍。如果执行切换协议，那么延迟315包含切换协议的持续时间的n倍。
[0041]
图4为操作包含多个存储器裸片的存储器装置的方法的实例的流程图。方法400通过减少执行存储器事件的总体延迟来改进存储器装置的总带宽。存储器装置的存储器裸片中的每一个包含充电电路，所述充电电路可使用高电流电平或低电流电平执行一或多个存储器事件。高电流电平用于高电流模式下且较低电流电平用于低电流模式下。在405处，确定存储器裸片中的一个(例如，第一存储器裸片)是否使用高电流模式执行存储器事件。如
果高电流模式在使用中，那么高电流模式可能不可用于装置的其它存储器裸片。如果当前未使用高电流模式，那么高电流模式可供其它存储器裸片进行选择。替代地，低电流可始终可用于所有ic裸片以保证ppm icc包络内的最大执行并行度。
[0042]
在410处，当高电流模式可用时操作第二存储器裸片以使用高电流电平在高电流模式下执行存储器事件。如果另一存储器裸片使用高电流模式，那么高电流模式不可用于第二存储器裸片。然而，替代等待高电流模式变得可用，在415处，第二存储器裸片使用较低电流电平在低电流模式下执行存储器事件。可使用高电流模式并行地执行的ic裸片的数目取决于系统i
cc
要求，且可为从一个ic裸片的最小值到系统中的几乎所有ic裸片。
[0043]
图5为四个裸片存储器装置的操作的另一实例的时序图。当第一存储器裸片(die 1)在高电流模式505中操作以执行其存储器事件时，第二存储器裸片(die 2)和第三存储器裸片(die 3)展示为在低电流模式下执行存储器事件。die 4比die 2或die 3稍晚开始执行其存储器事件，但高电流模式仍不可用于die 4，因为die 1仍处于高电流模式。因此，除die 1外的所有存储器裸片可在低电流模式下执行其存储器事件，且存储器裸片在执行存储器事件之前不等待高电流模式变得可用。裸片2-4中的任一个的存储器事件的执行速度减缓，但系统层级处的总带宽可由于在低电流模式下执行的ic裸片的轮询和协议切换所导致的等待时间被消除而增加。
[0044]
图6为四个裸片装置的操作的另一实例的时序图。在图6的实例中，如果高电流模式变为可用于存储器裸片，那么存储器裸片的操作可在存储器事件期间从低电流模式改变为高电流模式。如在图5的实例中，当第一存储器裸片(die 1)在高电流模式605中操作时，第二存储器裸片(die 2)、第三存储器裸片(die 3)和第四存储器裸片(die 4)展示为在低电流模式下操作以执行其存储器事件。然而，在610处，当die 1完成其存储器事件且使用切换协议解除高电流模式时，die 2展示为将其操作从低电流模式改变为高电流模式。当die 2完成其存储器事件时，在615处，die 4展示为当die 2解除高电流模式时将其操作从低电流模式改变为高电流模式。die 3在die 2使得高电流可用之前在低电流模式下完成其存储器事件。
[0045]
到目前为止的实例已描述其中允许一个裸片处于高电流模式下的存储器装置。在更一般的情况下，可能存在n个裸片，且n个裸片中的m个裸片能够在高电流模式下执行，但不限于此，其中n和m为整数且m小于或等于n。当m个裸片在高电流模式下时，其余的n-m个裸片不会停止其存储器事件的执行，但改为继续在低功率模式下执行事件。n-m中的任一个的存储器事件的执行速度减缓，但系统层级处的总带宽可由于在低电流模式下执行的ic裸片的轮询和协议切换所导致的等待时间被消除而增加。
[0046]
图7为包含多个存储器裸片的多芯片封装的实例存储器裸片700的部分的框图。存储器裸片700包含充电电路730和存储器控制单元718。充电电路730使用高电流电平在高电流模式下执行一或多个存储器事件，或使用较低电流电平在低电流模式下执行存储器事件。存储器裸片700还可包含存储器阵列701。存储器事件可包含存储器编程操作、存储器读取操作、存储器编程验证操作和存储器擦除操作中的一或多个的部分。箭头展示用于存储器事件的电流的流动。
[0047]
存储器事件可包含存取线750的充电。存取线电路可包含低压降(ldo)电压调节器732、电荷泵电路708(其可包含多个电荷泵)，和电压调节器734电路(其可包含多个调节
器)。存取线可具有高电容性负载。使用较高电流对存取线进行较快充电导致较快的存储器操作。相反地，使用较低电流对存取线进行充电减缓存储器操作。电荷泵电路708可包含具有操作频率的切换电荷泵电路。增加操作频率会增加可用于对存取线进行充电的电流和电荷。降低操作频率会增加对存取线进行充电所需的时间。在高电流模式下操作电荷泵电路可包含增加用于高电流模式的操作频率且降低用于低电流模式的操作频率。
[0048]
存储器事件可包含数据线770的充电。数据线电路可包含连接到供应轨(vcc)的ldo电压调节器732、电流镜电路709和电压调节器734。类似于存取线，较高电流对数据线770进行较快充电。来自电流镜的较低电流电平减缓数据线的充电。在高电流模式下操作电流镜电路可包含启用更多电流镜能够以增加对数据线进行充电的电流，且在低电流模式下操作电流镜电路可包含启用更少数目的电流镜以降低对数据线进行充电的电流。
[0049]
图8为电压波形对与存储器读取操作805和存储器编程操作810相关联的存取线的时间的图示。区820为存储器操作的部分，其中可潜在地存在用于存取线的充电的高电流(取决于待执行的特定操作，通常充电到0v与30v之间的电压)，且阴影区825为存储器操作的部分，其中可潜在地存在用于数据线的充电的高电流(通常充电到0v与通常小于3.6v的vcc之间的电压)。
[0050]
返回到图7，存储器控制单元718控制存储器裸片700的充电电路730的操作。存储器裸片700可包含轮询电路736，其轮询功率状态接口以确定高电流模式何时可用或不可用。如本文中先前所解释，当一或多个其它裸片使用高电流模式执行存储器事件时，高电流模式可能不可用。在一些实施例中，功率状态接口包含高电流(hc)衬垫。在某些实施例中，所有存储器裸片的hc衬垫连接在一起。当存储器裸片进入高电流模式时，其通过例如通过使用驱动电路或下拉电路将信号(例如，逻辑电压电平或电流值)施加到hc衬垫来要求或保留高电流模式。存储器裸片通过轮询hc衬垫确定另一存储器裸片是否已保留高电流模式。存储器裸片的轮询电路736可包含用以轮询hc衬垫的状态且确定是所要求的高电流模式还是当前未要求的高电流模式的逻辑电路和模拟电路中的一或多个。在某些实施例中，多于一个存储器裸片可在高电流模式下操作。存储器裸片可改变hc衬垫上的电压以指示其处于高电流模式。在某些实施例中，功率状态接口包含多个位(例如，寄存器)，且存储器裸片在其正使用高电流模式时设置位。这可适用于本文中先前所描述的实例，其中允许n个存储器裸片中的m个存储器裸片处于高电流模式。功率状态接口将反映多少裸片当前处于高电流模式，且因此反映高电流模式是否可用。
[0051]
存储器控制单元718在轮询电路指示高电流模式可用时在高电流模式下操作充电电路以执行一或多个存储器事件，且在轮询电路指示高电流模式不可用时在低电流模式下操作充电电路以执行一或多个存储器事件。在一些实施例中，存储器控制单元718以高电流模式的第一较高频率操作电荷泵电路708，且降低低电流模式的频率。
[0052]
图9为用于操作图7的电荷泵电路708的微调电路940的框图。微调电路940包含振荡器电路942，其将时钟电路提供到电荷泵电路。增加时钟信号的频率会增加由电荷泵电路(未展示)提供的电流电平。微调电路940包含两个寄存器creg和treg。寄存器保存数字值且振荡器电路942根据在振荡器电路的输入处提供的数字值产生时钟信号。改变提供到振荡器电路的数字值改变时钟信号的频率。低电流微调寄存器creg含有用于在低电流模式下设置电流的操作频率的数字值。高电流微调寄存器treg含有用于在高电流模式下设置电流的
操作频率的数字值。微调电路940包含多路复用器944。存储器控制单元718设置多路复用器944的控制输入以根据充电电路730将在高电流模式还是低电流模式下操作而选择哪一个寄存器值(creg或treg)施加到振荡器电路942。
[0053]
微调电路940可用于设置图7的电流镜电路709的电流电平。creg或treg的数字值由多路复用器944选择以取决于由hc衬垫指示的高电流模式的可用性以启用和停用电流镜电路的组合而产生用于低电流模式和高电流模式的电流电平。在一些实施例中，存储器控制单元718增加高电流模式的活动电流镜的数目，且减少低电流模式的活动电流镜的数目。
[0054]
如先前关于图6所解释，在一些实施例中，在低电流模式下操作时，当高电流模式变得可用时，存储器控制单元718可将充电电路730的操作从低电流模式改变为高电流模式。
[0055]
图10为存取线或数据线(例如，图2的电路的存取线250或数据线270)的充电的图示，且所述存取线或数据线的充电可在图7的存储器控制单元718的控制下。波形1005表示高电流模式下的存取线或数据线上升时间。如果功率状态接口指示高电流模式立即可用，那么存取线或数据线在高电流模式下充电，具有波形1005的上升时间。在图6中，die 1的存取线或数据线将根据波形1005充电。如果当存储器裸片700开始执行存储器事件时功率状态接口指示高电流模式不可用，那么存取线或数据线使用较低电流进行充电，具有波形1010所展示的较慢上升时间。在图6中，die 2将根据波形1010在低电流模式下开始对存取线或数据线充电。
[0056]
如果在低电流模式下的存取线或数据线的充电期间，die 2的电路检测到高电流模式已变得可用，那么die 2的控制单元可将其充电电路的操作从低电流模式改变为高电流模式。在图6中，die 2变为在高电流模式下使用波形1015对存取线或数据线进行充电。在图10中，波形1015具有与波形1005基本上相同的斜率，因为充电电流是相同的，即，在高电流模式下的较高电流电平。
[0057]
在一些实施例中，充电电路可在追赶模式下操作，其中所述电流高于默认较高电流电平。如果增大的电流电平并不违反总峰值电流包络，那么可允许在追赶的高电流模式下进行此充电。在图10中，波形1020表示在追赶的高电流模式下的存取线或数据线的充电。波形1020的斜率比波形1005的斜率更陡，因为在追赶的高电流模式下的电流电平比在默认的高电流模式下的电流电平更高。
[0058]
所描述的方法、装置和系统可改进总带宽且减少在执行高电流时的总体时延，同时保持在系统功率包络内以满足系统功率消耗要求。
[0059]
图11说明实例机器1100的框图，可在所述实例机器1100上执行本文中所论述的技术(例如，方法)中的任何一或多种，例如所描述的用于极端操作温度的更精细微调编程操作。在替代实例中，机器1100可用作独立装置或者可连接(例如，联网)到其它机器。在联网部署中，机器1100可以在服务器-客户端网络环境中以服务器机器、客户端机器或这两者的能力操作。在实例中，机器1100可充当对等(p2p)(或其它分布式)网络环境中的对等机器。机器1100可为个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)移动电话、网络器具、iot装置、汽车系统，或能够(依序或以其它方式)执行指定将由所述机器采取的动作的指令的任何机器。另外，虽然仅说明单个机器，但术语“机器”也应被视为包含个别地或共同地执行指令集(或多个集合)以执行本文中所论述的方法中的任一或多者(例如，云计算、
软件即服务(saas)、其它计算机集群配置)的任何机器集合。
[0060]
如本文中所描述，实施例和实例可包含逻辑、组件、装置、封装或机构或可由逻辑、组件、装置、封装或机构操作。电路是在包含硬件(例如，简单电路、栅极、逻辑等)的有形实体中实施的电路的总集(例如，集合)。电路系统成员可随时间推移和基础硬件变化而为灵活的。电路包含当操作时可单独或组合地执行特定任务的部件。在实例中，电路系统的硬件可被永恒地设计为进行特定操作(例如，硬接线)。在实例中，电路系统的硬件可包含可变地连接的物理组件(例如执行单元、晶体管、简单电路等)，所述物理组件包含以物理方式修改(例如，不变集中式粒子的磁性、电气可移动放置等)以对特定操作的指令进行编码的计算机可读媒体。在连接物理组件时，硬件构成的基础电性质例如从绝缘体改变成导体，或反之亦然。指令使得参与的硬件(例如，执行单元或负载机构)能够经由可变连接以硬件创建电路系统的部件以当在操作中时进行特定任务的部分。因此，在装置操作时计算机可读媒体以通信方式耦合到电路系统的其它组件。在实例中，物理组件中的任一个可用于多于一个电路系统中的多于一个部件中。举例来说，在操作下，执行单元可以在一个时间点用于第一电路系统的第一电路，且由第一电路系统中的第二电路重新使用，或在不同时间由第二电路系统中的第三电路重新使用。
[0061]
机器(例如，计算机系统)1100(例如，图1的主机105、存储器装置110等)可包含处理装置1102(例如，硬件处理器、中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、硬件处理器核心或其任何组合，例如存储器装置110的存储器控制单元等)、主存储器1104(例如，只读存储器(rom)、快闪存储器、例如同步dram(sdram)或rambus dram(rdram)等动态随机存取存储器(dram)等)、静态存储器1106(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(sram)等)，和数据存储系统1118，其中的一些或全部可经由链接(例如，总线)1130彼此通信。
[0062]
处理装置1102可表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更具体地说，处理装置1102可为复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器，或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置1102也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器等。处理装置1102可配置成执行指令1126以用于执行本文中所论述的操作和步骤。机器1100可进一步包含网络接口装置1108以经由网络1120通信。
[0063]
数据存储系统1118可包含机器可读存储媒体1124(也称为计算机可读媒体)，在所述机器可读存储媒体上存储有指令1126的一或多个集合或者体现本文中所描述的方法或功能中的任何一或多种的软件。指令1126还可在由机器1100执行期间完全或至少部分地驻存在主存储器1104内或处理装置1102内，主存储器1104和处理装置1102也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体1124、数据存储系统1118或主存储器1104可对应于图1的存储器装置110。在一个实施方案中，指令1126包含用以实施对应于使用高电流模式或低电流模式执行存储器事件的功能(例如，图4中执行存储器事件的操作)的指令1111。
[0064]
尽管在实例实施方案中将机器可读存储媒体1124展示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被认为包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储供机器执行的指令集或对其进行编码且使机器执行本公开的方法中的任何一或多个的任何媒体。因此应认为术语“机器可读存储媒体”包含但不
限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。在实例中，集中式机器可读媒体包括具有多个粒子的机器可读媒体，所述粒子具有不变(例如，静止)质量。因此，集中式机器可读媒体并非是暂时性传播信号。集中式机器可读媒体的特定实例可包含：非易失性存储器，例如半导体存储器装置(例如，电可编程只读存储器(eprom)或电可擦除可编程只读存储器(eeprom))和快闪存储器装置；磁盘，例如内部硬盘和可移动磁盘；磁光盘；及cd-rom和dvd-rom磁盘。
[0065]
机器1100可进一步包含显示单元、字母数字输入装置(例如，键盘)和用户接口(ui)导航装置(例如，鼠标)。在实例中，显示单元、输入装置或ui导航装置中的一或多个可为触摸屏显示器。机器信号产生装置(例如，扬声器)，或一或多个传感器，例如全球定位系统(gps)传感器、指南针、加速计或一或多个其它传感器。机器1100可包含输出控制器，例如串行(例如，通用串行总线(usb)、并行或其它有线或无线(例如，红外(ir)、近场通信(nfc)等)连接，以与一或多个外围装置(例如，打印机、读卡器等)通信或控制所述一或多个外围装置。
[0066]
指令1126(例如，软件、程序、操作系统(os)等)或存储在数据存储装置1118上的其它数据可由主存储器1104存取以供处理装置1102使用。主存储器1104(例如，dram)通常快速但易失，且因此是不同于适用于长期存储(包含在处于“关断”条件中时)的数据存储装置1118(例如，ssd)的类型的存储装置。供用户或机器1100使用的指令1126或数据通常加载在主存储器1104中以供处理装置1102使用。在主存储器1104已满时，可分配来自数据存储装置1118的虚拟空间以补充主存储器1104；然而，因为数据存储装置1118装置通常比主存储器1104慢，且写入速度通常比读取速度慢至少两倍，所以虚拟存储器的使用由于存储装置延时(相较于主存储器1104，例如dram)而可能极大地降低用户体验。此外，用于虚拟存储器的数据存储装置1118的使用可极大地减少数据存储装置1118的可用的使用寿命。
[0067]
相较于虚拟存储器，虚拟存储器压缩(例如，linux
tm
内核特征“zram”)使用存储器的一部分作为压缩块存储装置以避免对数据存储装置1118的分页。在压缩块中进行分页，直到有必要将此类数据写入到数据存储装置1118为止。虚拟存储器压缩增大了主存储器1104的可用大小，同时减少了对数据存储装置1118的磨损。
[0068]
针对移动电子装置或移动存储而优化的存储装置传统上包含mmc固态存储装置(例如，微安全数字(microsd
tm
)卡等)。mmc装置包含与主机(例如，主机装置)的数个并行接口(例如，8位并行接口)，且通常是从主机可拆卸和分离的组件。相比之下，emmc
tm
装置附接到电路板且视为主机的组件，其读取速度堪比基于串行ata
tm
(串行高级技术(at)附接，或sata)的ssd装置。然而，对移动装置性能的需求继续增大，以便完全启用虚拟或扩增现实装置，利用提高的网络速度等。响应于这一需求，存储装置已从并行移位到串行通信接口。包含控制器和固件的通用快闪存储(ufs)装置使用具有专用读取/写入路径的低电压差分信令(lvds)串行接口与主机通信，从而进一步推进了更高的读取/写入速度。
[0069]
指令1124可以进一步利用数个传送协议中的任一个(例如，帧中继、因特网协议(ip)、传输控制协议(tcp)、用户数据报协议(udp)、超文本传送协议(http)等)经由网络接口装置1108使用发射媒体在网络1120上发射或接收。实例通信网络可包含局域网(lan)、广域网(wan)、分组数据网络(例如，因特网)、移动电话网络(例如，蜂窝网络)、普通老式电话(pots)网络，和无线数据网络(例如，称为的电气电子工程师协会(ieee)802.11系列标准，称为的ieee 802.16系列标准)、ieee 802.15.4系列标准、对等(p2p)网络
等。在实例中，网络接口装置1108可包含一或多个物理插口(例如以太网、同轴或手机插口)或一或多个天线以连接到网络1120。在实例中，网络接口装置1108可包含多个天线以使用单收多发(simo)、多入多出(mimo)或多入单出(miso)技术中的至少一种进行无线通信。术语“传输媒体”应被认为包含能够存储、编码或携载指令以由机器1100执行的任何无形媒体，且包含数字或模拟通信信号或其它无形媒体以有助于此类软件的通信。
[0070]
以上详细描述包含对随附图式的参考，所述随附图式形成详细描述的部分。所述图式藉助于说明展示可实践本发明的特定实施例。这些实施例在本文中也称为“实例”。此类实例可包含除了所展示或描述的那些元件之外的元件。然而，本发明人还设想其中仅提供所展示或所描述的那些元件的实例。此外，本发明人还考虑使用关于特定实例(或其一或多个方面)或关于本文所展示或描述的其它实例(或其一或多个方面)而展示或描述的那些元件的任何组合或排列的实例(或其一或多个方面)。
[0071]
在本文件中，如专利文件中常见，使用术语“一”以包含一个或多于一个，这与“至少一个”或“一或多个”的任何其它实例或使用无关。在本文档中，除非另有指示，否则术语“或”用于指代非排它性或，使得“a或b”可包含“a而非b”、“b而非a”和“a和b”。在所附权利要求书中，术语“包含”和“在其中(in which)”用作对应术语“包括”和“其中(wherein)”的简明等效术语。另外，在所附权利要求书中，术语“包含”和“包括”为开放式的。在权利要求书中除了在此类术语之后列出的元件之外还包含元件的系统、装置、物品或过程仍视为属于所述权利要求的范围。此外，在以下权利要求书中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅用作标记，且并不意图对其对象施加数字要求。
[0072]
在不同实例中，本文中所描述的组件、控制器、处理器、单元、引擎或表可尤其包含存储在物理装置上的物理电路系统或固件。如本文中所使用，“处理器”意味任何类型的计算电路，例如但不限于微处理器、微控制器、图形处理器、数字信号处理器(dsp)或任何其它类型的处理器或处理电路，包含处理器或多核心装置的群组。
[0073]
如本文所使用，操作存储器单元包含从存储器单元读取、对存储器单元写入或擦除存储器单元。使存储器单元置于既定状态中的操作在本文中被称作“编程”，且可包含对存储器单元写入或从存储器单元擦除(例如，存储器单元可编程为擦除状态)。
[0074]
根据本公开的一或多个实施例，位于存储器装置内部或外部的存储器控制器(例如，处理器、控制器、固件等)能够确定(例如，选择、设置、调整、计算、改变、清除、传达、调适、导出、限定、利用、修改、施加等)一定数量的磨损周期或磨损状态(例如，记录磨损周期、当发生存储器装置的操作时对所述操作进行计数、跟踪其发起的存储器装置的操作、评估对应于磨损状态的存储器装置特性等)。
[0075]
根据本公开的一或多个实施例，存储器存取装置可配置成为存储器装置提供每一存储器操作的损耗循环信息。存储器装置控制电路系统(例如，控制逻辑)可经编程以补偿对应于磨损循环信息的存储器装置性能变化。存储器装置可接收损耗循环信息且响应于损耗循环信息而确定一或多个操作参数(例如，值、特性)。
[0076]
本文中描述的方法实例可以至少部分地由机器、装置或计算机实施。一些实例可包含编码有指令的计算机可读媒体、装置可读媒体或机器可读媒体，所述指令可用于配置电子装置以执行如以上实例中描述的方法。此类方法的实施方案可包含代码，例如微码、汇编语言代码、高级语言代码等。这类代码可包含用于执行各种方法的计算机可读指令。代码
可形成计算机程序产品的各部分。此外，代码可如在执行期间或在其它时间有形地存储在一或多个易失性或非易失性有形计算机可读媒体上。这些有形计算机可读媒体的实例可包含但不限于：硬盘、可移动磁盘、可移动光盘(例如，压缩光盘和数字视频光盘)、盒式磁带、存储器卡或棒、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、固态驱动器(ssd)、通用快闪存储(ufs)装置、嵌入式mmc(emmc)装置等。
[0077]
额外描述和实例
[0078]
实例1包含包括多芯片封装的标的物(例如，电子装置)，所述多芯片封装包含多个存储器裸片。多个存储器裸片的每个存储器裸片包含：存储器阵列；充电电路，其配置成使用高电流电平在高电流模式下或使用较低电流电平在低电流模式下执行一或多个存储器事件；轮询电路，其配置成轮询多个存储器共有的功率状态节点以确定高电流模式的可用性；以及控制单元。控制单元配置成当轮询电路指示高电流模式可用时在高电流模式下操作充电电路以执行一或多个存储器事件，且当轮询电路指示高电流模式不可用时在低电流模式下操作充电电路以执行一或多个存储器事件。
[0079]
在实例2中，实例1的标的物任选地包含控制单元，其配置成当轮询电路指示高电流模式已在存储器事件期间变得可用时，将充电电路的操作从低电流模式改变为在存储器事件期间可用的高电流模式。
[0080]
在实例3中，实例1和实例2中的一个或两个的标的物任选地包含充电电路，其包含可操作地耦合到存储器阵列且且配置成在高电流模式和低电流模式下操作的存取线电路。控制单元任选地配置成当轮询电路指示高电流模式可用时在高电流模式下操作存取线电路，且当轮询电路指示高电流模式不可用时在低电流模式下操作存取线电路。
[0081]
在实例4中，实例1和实例2中的一个或两个的标的物任选地包含充电电路，其包含可操作地耦合到存储器阵列且配置成在高电流模式和低电流模式下操作的数据线电路。控制单元任选地配置成当轮询电路指示高电流模式可用时在高电流模式下操作数据线电路，且当轮询电路指示高电流模式不可用时在低电流模式下操作数据线电路。
[0082]
在实例5中，实例1-4中的一个或任何组合的标的物任选地包含每个存储器裸片的充电电路进一步包含配置成将电荷泵电路的操作频率从高电流模式降低到低电流模式的电荷泵电路。
[0083]
在实例6中，实例5的标的物任选地包含高电流微调寄存器和低电流微调寄存器。充电电路任选地配置成当高电流模式可用时根据高电流微调寄存器的值设置电荷泵电路的操作频率以设置高电流电平，且当高电流模式不可用时根据低电流微调寄存器的值设置电荷泵电路的操作频率以设置低电流电平。
[0084]
在实例7中，实例1-6中的一个或任何组合的标的物任选地包含每个存储器裸片的充电电路包含电流镜电路和控制单元，所述控制单元配置成当执行一或多个存储器事件且轮询电路指示高电流模式已变得可用时将电流镜电路中的电流从低电流模式增加到高电流模式。
[0085]
在实例8中，实例7的标的物任选地包含高电流微调寄存器和低电流微调寄存器。充电电路任选地配置成当高电流模式可用时根据高电流微调寄存器的值设置电流镜电路的电流电平，且当高电流模式不可用时根据低电流微调寄存器的值设置电流镜电路的电流电平。
[0086]
实例9包含标的物(例如操作包括多个存储器裸片的存储器装置的方法，或包含使得存储器装置执行动作的指令的非暂时性计算机可读存储媒体)，或可任选地与实例1-8中的一个或任何组合进行组合以包含此类标的物，包括使用高电流模式使用多个存储器裸片的第一存储器裸片执行一或多个存储器事件，其中可使用高电流电平在高电流模式下或使用较低电流电平在低电流模式下执行存储器事件；通过功率状态接口指示第一存储器裸片何时在高电流模式下操作且高电流模式不可用于多个存储器裸片的其它存储器裸片，和指示第一存储器裸片何时未使用高电流模式且高电流模式可用于其它存储器裸片；响应于轮询功率状态接口当轮询指示高电流模式可用于第二存储器裸片时操作第二存储器裸片以使用高电流电平在高电流模式下执行一或多个存储器事件；和当轮询指示高电流模式不可用于第二存储器裸片时操作第二存储器裸片以使用较低电流电平在低电流模式下执行一或多个存储器事件。
[0087]
在实例10中，实例9的标的物任选地包含当高电流模式已变得可用于第二存储器裸片时，从操作第二存储器裸片以在低电流模式下执行存储器事件改变为在高电流模式下执行存储器事件。
[0088]
在实例11中，实例9和10中的一个或两个的标的物任选地包含当高电流模式可用时操作存储器裸片的存取线电路以在高电流模式下存取存储器装置的存储器阵列，且当高电流模式不可用时操作存取线电路以在低电流模式下存取存储器阵列。
[0089]
在实例12中，实例9-11中的一个或任何组合的标的物任选地包含当高电流模式可用时操作存储器裸片的数据线电路以在高电流模式下存取存储器装置的存储器阵列，且当高电流模式不可用时操作数据线电路以在低电流模式下存取存储器阵列。
[0090]
在实例13中，实例9-12中的一个或任何组合的标的物任选地包含当高电流模式可用时以第一操作频率操作存储器装置的电荷泵电路以在高电流模式下执行一或多个存储器事件，且当高电流模式不可用时以第二较低操作频率操作存储器装置的电荷泵电路以在低电流模式下执行一或多个存储器事件。
[0091]
在实例14中，实例13的标的物任选地包含当高电流模式可用时根据存储在高电流微调寄存器中的值设置第一操作频率，且当高电流模式不可用时根据存储在低电流微调寄存器中的值设置第二较低操作频率。
[0092]
在实例15中，实例9-14中的一个或任何组合的标的物任选地包含当高电流模式可用时以第一电流电平操作存储器装置的电流镜电路以在高电流模式下执行一或多个存储器事件，且当高电流模式不可用时以第二较低电流电平操作存储器装置的电流镜电路以在低电流模式下执行一或多个存储器事件。
[0093]
在实例16中，实例15的标的物任选地包含当高电流模式可用时根据存储在高电流微调寄存器中的值设置第一电流电平，且当高电流模式不可用时根据存储在低电流微调寄存器中的值设置第二较低电流电平。
[0094]
实例17包含标的物(例如，存储器装置)或可任选地与实例1-16中的一个或任何组合进行组合以包含此类标的物，其包括多个存储器裸片。多个存储器裸片的每个存储器裸片包含：存储器阵列，其包含存储器单元；充电电路，其配置成使用高电流电平在高电流模式下或使用较低电流电平在低电流模式下执行一或多个存储器事件；高电流模式输入-输出(i/o)衬垫；以及存储器控制单元，其可操作地耦合到存储器阵列、充电电路和高电流模
式i/o衬垫。存储器控制单元配置成轮询高电流模式i/o衬垫以确定高电流模式何时可用，当高电流模式可用时在高电流模式下操作充电电路以执行一或多个存储器事件，且使用高电流模式i/o衬垫来指示高电流模式的使用，和当高电流模式不可用时在低电流模式下操作充电电路以执行一或多个存储器事件。
[0095]
在实例18中，实例17的标的物任选地包含充电电路，其配置成执行作为存储器事件的存储器编程验证操作和存储器读取操作。
[0096]
在实例19中，实例17和18中的一个或两个的标的物任选地包含充电电路，其配置成执行作为存储器事件的存储器编程操作。
[0097]
在实例20中，实例17-19中的一个或任何组合的标的物任选地包含存储器控制单元，其配置成当高电流模式在低电流模式的操作期间变得可用时将充电电路的操作从低电流模式改变为高电流模式。
[0098]
实例21包含标的物(例如，多芯片封装)或可任选地与实例1-20中的一个或任何组合进行组合以包含此类标的物，其包括包含存储器阵列、功率状态接口和控制单元的多个存储器裸片。功率状态接口在多个存储器裸片之间共享，功率状态接口配置成提供可用功率的指示。控制单元与功率状态接口通信且配置成接收对裸片的存储器阵列的至少一部分的存储器事件的请求；对于可使用高电流电平在高电流模式下或使用较低电流电平在低电流模式下执行的所请求的存储器事件，轮询功率状态接口以标识用于所请求的存储器事件的可用功率；当轮询指示高电流模式可用时，在高电流模式下执行第一所请求的存储器事件；以及当轮询指示高电流模式不可用时，在低电流模式下执行第二所请求的存储器事件。
[0099]
在实例22中，实例21的标的物任选地包含功率状态接口，其包含高电流模式输入-输出(i/o)衬垫，且控制单元配置成轮询高电流模式i/o衬垫以确定高电流模式何时可用。
[0100]
在实例23中，实例21和22中的一个或两个的标的物任选地包含功率状态接口，其包含多个位，且当存储器裸片正使用高电流模式时，多个存储器裸片的存储器设置位，且控制单元配置成轮询多个位以确定高电流模式何时可用。
[0101]
实例24包含标的物(例如，电子系统)或可任选地与实例1-23中的一个或任何组合进行组合以包含此类标的物，其包括包含存储器阵列、功率状态接口和控制单元的多个存储器裸片。功率状态接口在多个存储器裸片之间共享，功率状态接口配置成提供可用功率的指示。控制单元与功率状态接口通信且配置成接收对裸片的存储器阵列的至少一部分的存储器事件的请求；对于可使用高电流电平在高电流模式下或使用较低电流电平在低电流模式下执行的所请求的存储器事件，轮询功率状态接口以标识用于所请求的存储器事件的可用功率；当轮询指示高电流模式可用时，在高电流模式下执行第一所请求的存储器事件；以及当轮询指示高电流模式不可用时，在低电流模式下执行第二所请求的存储器事件。
[0102]
在实例25中，实例24的标的物任选地包含功率状态接口，其包含高电流模式输入-输出(i/o)衬垫，且控制单元配置成轮询高电流模式i/o衬垫以确定高电流模式何时可用。
[0103]
在实例26中，实例24和25中的一个或两个的标的物任选地包含功率状态接口，其包含多个位，且当存储器裸片正使用高电流模式时，多个存储器裸片的存储器设置位，且控制单元配置成轮询多个位以确定高电流模式何时可用。
[0104]
这些非限制性实例可以任何排列或组合进行组合。以上描述意图为说明性的而非限制性的。举例来说，上述实例(或其一或多个方面)可彼此组合地使用。例如所属领域的一
般技术人员在查阅以上描述之后可以使用其它实施例。应理解，所述实施例将不被用于解释或限制权利要求书的范围或含义。而且，在以上详细描述中，可将各种特征分组在一起以简化本公开。不应将这一情况解释为希望未主张的公开特征对于任何权利要求来说是必需的。相反地，本发明的标的物可在于比特定所公开实施例的所有特征要少。因此，特此将所附权利要求书并入到详细描述中，其中每一权利要求作为一单独实施例而独立存在，且经考虑此类实施例可以各种组合或排列彼此组合。本发明的范围应该通过参考所附权利要求书以及此权利要求书所授权的等效物的完整范围来确定。