3D芯片的存储器修复方法及相关设备与流程

3d芯片的存储器修复方法及相关设备
技术领域
1.本发明实施例涉及芯片技术领域，具体地说，涉及一种3d芯片的存储器修复方法及相关设备。


背景技术：

2.在芯片中，dram存储器(dynamic random access memory，动态随机存取存储阵列，简称dram)往往承担着二级缓存以及临时存储的作用，在常规的芯片生产过程中，为了确保芯片的稳定性和可靠性，一般都需要对芯片中dram存储器进行有效性测试，并基于测试结果利用修复资源进行修复，即通过修复资源对失效单元进行修复。
3.目前，常规的修复方式是利用每个芯片中内置的修复资源对自身的失效单元进行修复，如果能够满足失效单元的修复需求，则说明该芯片的存储器能够在修复后正常使用，反之，则说明该芯片的在修复后无法正常使用。而随着芯片堆叠技术的发展，3d芯片的设计工艺也越发成熟。在3d芯片中，一般是由至少两个单芯片进行堆叠构成，也就是说3d芯片中由于存在多个单芯片，也就存在与之对应的多个dram存储器。这样，在利用常规的芯片修复方式对3d芯片进行修复时，当3d芯片中任意一芯片的修复资源不足，则认为该3d芯片不可用，在这种情况下，常规的芯片的dram存储器修复方式将直接因个别的单芯片自身的修复资源不足而导致修复失败的情况，从而影响了整个3d芯片的修复效果，降低了修复率。


技术实现要素：

4.在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请实施例的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
5.本申请实施例通过提供一种3d芯片的存储器修复方法及相关设备，以提高3d芯片的存储器修复率。
6.为至少部分地解决上述问题，第一方面，本申请实施例提供了一种3d芯片的存储器修复方法，包括：
7.根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，得到第一类型芯片及第二类型芯片，其中，所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3d芯片，所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息，所述第一类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足，所述第二类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余；
8.通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复。
9.可选的，所述根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，包括：
10.根据所述失效单元信息确定每个所述单芯片的失效单元数量，并根据所述修复资
源信息确定每个所述单芯片的修复资源数量；
11.当所述失效单元数量大于所述修复资源数量时，确定所述单芯片为所述第一类型芯片；
12.当所述失效单元数量小于所述修复资源数量时，确定所述单芯片为所述第二类型芯片。
13.可选的，在所述根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类之前，所述方法还包括：
14.通过所述芯片信息判断所述单芯片是否执行了初步修复操作，其中，所述初步修复操作用于利用所述单芯片的存储器内全部的修复资源对失效单元进行修复；
15.所述根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，还包括：
16.若确定所述单芯片执行了所述初步修复操作，则根据所述失效单元信息对所述目标芯片中每个所述单芯片进行分类。
17.可选的，所述通过所述芯片信息判断所述单芯片是否执行了初步修复操作包括：
18.判断所述芯片信息中是否包含修复信息，其中，所述修复信息中包含有所述修复资源与所述失效单元之间的地址对应关系；
19.若包含，则确定所述单芯片执行了所述初步修复操作。
20.可选的，所述若确定所述单芯片执行了所述初步修复操作，则根据所述失效单元信息对所述目标芯片中每个所述单芯片进行分类包括：
21.从所述失效单元信息中确定失效单元数量；
22.当确定所述失效单元数量大于零时，确定所述单芯片为所述第一类型芯片。
23.可选的，所述通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复，包括：
24.根据所述第二类型芯片的失效单元信息及所述修复资源信息，确定所述第二类型芯片的待分配资源，其中，所述待分配资源为用于修复所述第二类型芯片自身的失效单元；
25.根据所述第二类型芯片的待分配资源及所述第二类型芯片的修复资源确定所述第二类型芯片的剩余修复资源；
26.确定所述第一类型芯片的待修复失效单元，所述待修复失效单元为所述第一类型芯片中的全部失效单元经过自身的修复资源修复后剩余部分；
27.根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复。
28.可选的，所述根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复，包括：
29.当根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复时，记录所述剩余修复资源的地址及所述待修复失效单元的地址；
30.根据剩余修复资源的地址及所述待修复失效单元的地址构建修复关系，所述修复关系用于当检测到控制指令对所述第一类型芯片的所述待修复失效单元执行目标操作时，根据所述修复关系控制对应的所述第二类型芯片的所述剩余修复资源的地址执行所述目标操作。
31.可选的，所述通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复之后，所述方法还包括：
32.当所述目标芯片检测到操作请求时，根据所述操作请求确定目标地址，并根据所述目标地址及所述修复关系确定执行所述操作请求的目标单芯片；
33.所述目标单芯片根据所述操作请求对目标地址执行对应的操作行为，所述目标芯片中目标单芯片之外的其余所述单芯片忽略所述操作请求。
34.可选的，所述当所述目标芯片检测到操作请求时，根据所述操作请求确定目标地址，并根据所述目标地址及所述修复关系确定执行所述操作请求的目标单芯片，包括：
35.控制所述目标芯片中的每个单芯片分别接收所述操作请求；
36.根据所述修复关系，当所述单芯片确定所述操作请求对应的目标地址为所述单芯片的修复资源修复时，则确定所述单芯片为所述目标单芯片。
37.可选的，所述目标芯片至少包括第一芯片及第二芯片；
38.所述当所述目标芯片检测到操作请求时，根据所述操作请求确定目标地址，并根据所述目标地址及所述修复关系确定执行所述操作请求的目标单芯片，包括：
39.控制所述目标单芯片中的每个所述单芯片分别依次接收所述操作请求；
40.当所述第一芯片接收所述操作请求时，根据所述修复关系，执行目标单芯片确定操作，其中，所述目标单芯片确认操作用于根据修复关系确定所述操作请求对应的目标地址是否对饮所述目标单芯片中的修复资源的地址；
41.当确定所述第一芯片并非为所述目标单芯片时，所述第一芯片将所述操作请求发送至所述第二芯片，以便所述第二芯片执行所述目标单芯片确定操作。
42.第二方面，本申请实施例提供了一种3d芯片的存储器修复装置，包括：
43.分类单元，用于根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，得到第一类型芯片及第二类型芯片，其中，所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3d芯片，所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息，所述第一类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足，所述第二类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余；
44.修复单元，用于通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复。
45.可选的，所述分类单元包括：
46.第一确定模块，用于根据所述失效单元信息确定每个所述单芯片的失效单元数量，并根据所述修复资源信息确定每个所述单芯片的修复资源数量；
47.第二确定模块，用于当所述失效单元数量大于所述修复资源数量时，确定所述单芯片为所述第一类型芯片；
48.第三确定模块，用于当所述失效单元数量小于所述修复资源数量时，确定所述单芯片为所述第二类型芯片。
49.可选的，所述装置还包括：
50.判断单元，用于通过所述芯片信息判断所述单芯片是否执行了初步修复操作，其中，所述初步修复操作用于利用所述单芯片的存储器内全部的修复资源对失效单元进行修复；
51.所述分类单元，还用于若确定所述单芯片执行了所述初步修复操作，则根据所述失效单元信息对所述目标芯片中每个所述单芯片进行分类。
52.可选的，所述判断单元包括：
53.判断模块，用于判断所述芯片信息中是否包含修复信息，其中，所述修复信息中包含有所述修复资源与所述失效单元之间的地址对应关系；
54.确定模块，用于若判断所述芯片信息中包含修复信息，则确定所述单芯片执行了所述初步修复操作。
55.可选的，所述分类单元还包括：
56.第四确定模块，用于从所述失效单元信息中确定失效单元数量；
57.第五确定模块，用于当确定所述失效单元数量大于零时，确定所述单芯片为所述第一类型芯片。
58.可选的，所述修复单元，包括：
59.第一确定模块，用于根据所述第二类型芯片的失效单元信息及所述修复资源信息，确定所述第二类型芯片的待分配资源，其中，所述待分配资源为用于修复所述第二类型芯片自身的失效单元；
60.第二确定模块，用于根据所述第二类型芯片的待分配资源及所述第二类型芯片的修复资源确定所述第二类型芯片的剩余修复资源；
61.第三确定模块，用于确定所述第一类型芯片的待修复失效单元，所述待修复失效单元为所述第一类型芯片中的全部失效单元经过自身的修复资源修复后剩余部分；
62.修复模块，用于根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复。
63.可选的，所述修复模块，包括：
64.记录模块，用于当根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复时，记录所述剩余修复资源的地址及所述待修复失效单元的地址；
65.构建模块，用于根据剩余修复资源的地址及所述待修复失效单元的地址构建修复关系，所述修复关系用于当检测到控制指令对所述第一类型芯片的所述待修复失效单元执行目标操作时，根据所述修复关系控制对应的所述第二类型芯片的所述剩余修复资源的地址执行所述目标操作。
66.可选的，所述装置还包括：
67.确定单元，用于当所述目标芯片检测到操作请求时，根据所述操作请求确定目标地址，并根据所述目标地址及所述修复关系确定执行所述操作请求的目标单芯片；
68.执行单元，用于所述目标单芯片根据所述操作请求对目标地址执行对应的操作行为，所述目标芯片中目标单芯片之外的其余所述单芯片忽略所述操作请求。
69.可选的，所述确定单元，包括：
70.第一控制模块，用于控制所述目标芯片中的每个单芯片分别接收所述操作请求；
71.确定模块，用于根据所述修复关系，当所述单芯片确定所述操作请求对应的目标地址为所述单芯片的修复资源修复时，则确定所述单芯片为所述目标单芯片。
72.可选的，所述目标芯片至少包括第一芯片及第二芯片；
73.所述确定单元，包括：
74.第二控制模块，用于控制所述目标单芯片中的每个所述单芯片分别依次接收所述操作请求；
75.第一执行模块，用于当所述第一芯片接收所述操作请求时，根据所述修复关系，执行目标单芯片确定操作，其中，所述目标单芯片确认操作用于根据修复关系确定所述操作请求对应的目标地址是否对饮所述目标单芯片中的修复资源的地址；
76.第二执行模块，用于当确定所述第一芯片并非为所述目标单芯片时，所述第一芯片将所述操作请求发送至所述第二芯片，以便所述第二芯片执行所述目标单芯片确定操作。
77.第三方面，本发明实施例还提供了一种电子设备，包括至少一个处理器、以及与处理器连接的至少一个存储器、总线；其中，处理器、存储器通过总线完成相互间的通信；处理器用于调用存储器中的程序指令，以执行所述第一方面中任一项3d芯片的存储器修复方法。
78.第四方面，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现所述第一方面中任一项所述的3d芯片的存储器修复方法。
79.相比现有技术，本发明实施例中提供的3d芯片的存储器修复方法及相关设备至少包括以下有益效果：
80.本发明实施例提供的3d芯片的存储器修复方法及相关设备，其方法包括：根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，得到第一类型芯片及第二类型芯片，其中，所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3d芯片，所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息，所述第一类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足，所述第二类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余；然后，通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复，从而实现针对3d芯片的存储器修复功能。在上述方案中，由于修复过程能够对3d芯片中每个单芯片按照存储器类型进行分类，也就是说能够将3d芯片中每个芯片中的修复资源是否满足自身修复所需进行判断，并从中确定出修复资源富余的芯片，从而可以使在对3d芯片的存储器修复过程中，能够将修复资源富余的芯片为修复资源不足的芯片进行修复，从而使修复过程更为科学灵活，解决了现有常规修复方式仅考虑芯片自身修复资源能否满足失效单元的修复时所导致的修复率较低的问题，提高了3d芯片的修复率。同时，由于上述方案能够实现跨芯片间的修复，也就是说能够确保后续在设计3d芯片时，无需为每个单芯片配置大量的修复资源，从而使3d芯片的设计方式更为灵活。此外，上述方案能够提高3d芯片的修复率，继而在生产3d芯片的角度来看，可以整体上提高3d芯片的生产良率，减少了生产成本。
81.相应地，本发明实施例提供的逻辑芯片和电子设备，也同样具有上述技术效果。
附图说明
82.为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的
附图：
83.图1为本发明实施例提供的一种3d芯片的存储器修复方法的步骤流程图；
84.图2为本发明实施例提供的一种3d芯片的存储器修复方法在执行时具体步骤的流程图；
85.图3
‑
a为本发明实施例提供的一种在3d芯片的存储器修复方法执行之后，芯片对操作请求响应过程的示意图；
86.图3
‑
b为本发明实施例提供的另一种在3d芯片的存储器修复方法执行之后，芯片对操作请求响应过程的示意图；
87.图4为本发明实施例提供的一种3d芯片的存储器修复装置示意性结构框图；
88.图5为本发明实施例提供的另一种3d芯片的存储器修复装置示意性结构框图；
89.图6为本发明实施例提供的一种电子设备的示意性结构框图；
90.图7为本发明实施例提供的一种计算机可读存储介质的示意性结构框图。
具体实施方式
91.下面结合附图以及实施例对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
92.应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不排除一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。
93.除此之外，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连；可以是一体地连接，也可以是两个元件内部的连通。也可以是两个元件之间可以进行信号传递、数据通信。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
94.第一方面，为了解决现有的3d芯片的修复率较低的问题，本申请实施例提供一种3d芯片的存储器修复方法，从而实现了3d芯片中各个单芯片间的跨芯片修复效果，具体方案的实施步骤可以如图1所示，其中包括：
95.101、根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，得到第一类型芯片及第二类型芯片。
96.其中，所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3d芯片，所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息，所述第一类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足，所述第二类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余。
97.102、通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复。
98.在上述方案中，由于3d芯片为基于堆叠技术构建的芯片，其中包含有多个单芯片，因此，每个单芯片都含有对应的dram存储器，因此在上述步骤101中可以基于每个单芯片中的存储器内包含的修复资源和失效单元判断其能够满足自身的修复所需，并以此作为分类的依据。基于判断结果，可以将单芯片分为两类，一类为满足自身修复所需后仍有剩余的修复资源的第一类型芯片，而另一类则为自身的修复资源不足的第二类型芯片。
99.由于步骤101已经确定了目标芯片中每个单芯片的芯片类型，因此在步骤102中可
以利用富余修复资源的第二类型芯片对第一类型芯片进行修复。当然，具体的修复方式在执行过程中，可以对第一类型芯片所需的修复资源数量进行确定，该数量为第一类型芯片在利用自身全部修复资源后的修复资源缺口数量，然后基于该修复资源缺口数量从第二类型芯片中获取对应数量的修复资源对第一类型芯片执行修复操作。
100.示例性的，在具体应用过程中，可以通过失效单元数量和修复资源数量作为判断目标存储器的分类依据，因此在步骤101中，根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类可以包括下述步骤：
101.201、根据所述失效单元信息确定每个所述单芯片的失效单元数量，并根据所述修复资源信息确定每个所述单芯片的修复资源数量；
102.202、当所述失效单元数量大于所述修复资源数量时，确定所述单芯片为所述第一类型芯片；
103.203、当所述失效单元数量小于所述修复资源数量时，确定所述单芯片为所述第二类型芯片。
104.其中，在步骤201中，所述失效单元信息以及修复资源信息均可以通过测试设备获取，该测试设备可以为ate测试设备，其中，ate(automatic test equipment，自动化芯片测试设备，简称ate)。经该ate测试设备检测后可以得到包含有全部失效地址的失效单元信息以及包含冗余资源的修复资源信息，其中冗余资源为用于对失效地址进行修复的修复资源。由此，在本步骤中可以通过该失效单元信息进行统计，得到失效单元数量，同时根据修复资源信息可以统计出修复资源数量。
105.当前述步骤201确定了失效单元数量和修复资源数量后，基于修复资源和失效单元之间在修复时是一对一的，也就是说一个修复资源可以修复一个失效单元，因此，可以基于失效单元数量和修复资源数量进行对比，其中，基于对比可以得到三种结果，一种是修复资源数量等于失效单元数量，这种情况下说明该单芯片的存储器能够满足自身的修复需求，在本示例中可以无需考虑。另外两种分别为失效单元数量大于修复资源数量，以及失效单元数量小于修复资源数量。
106.基于对比结果，当所述失效单元数量大于所述修复资源数量时可以执行步骤202。这种情况下说明当前失效单元较多，修复资源难以满足修复需求，继而可以确定该单芯片为第一类型芯片；反之，当所述失效单元数量小于所述修复资源数量时，则可以执行步骤203。这种情况下说明当前失效单元较少，修复资源能够满足自身的修复需求，继而可以确定该单芯片为第二类型芯片。
107.由此，根据所述失效单元信息确定每个所述单芯片的失效单元数量，并根据所述修复资源信息确定每个所述单芯片的修复资源数量，并通过失效单元数量及修复资源数量之间比较来确定芯片为第一类型芯片还是第二类型芯片，可以以数量的形式确定芯片类型，使判断方式更为简单、直接，提高了芯片类型的确定效率，继而整体上提高了3d芯片的存储器修复效率。
108.示例性的，本示例所述的方法在对芯片进行分类时，由于还可能存在ate测试设备在测试后已经利用单芯片中各自的存储器内的修复资源进行了初步修复的情况，基于此，在步骤101根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类之前，所述方法还可以包括：
109.通过所述芯片信息判断所述单芯片是否执行了初步修复操作。
110.其中，所述初步修复操作用于利用所述单芯片的存储器内全部的修复资源对失效单元进行修复。
111.基于此，由于芯片已经执行了修复操作，也就是说当芯片内的存储器还有失效单元时，则可以确定该芯片在修复后仍未满足其修复需求，这样可以直接基于失效单元信息直接确定芯片类型。由此，步骤101根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，可以具体为：
112.若确定所述单芯片执行了所述初步修复操作，则根据所述失效单元信息对所述目标芯片中每个所述单芯片进行分类。
113.通过在确定已经执行初步修复操作后，直接利用失效单元信息来对单芯片进行分类，可以使判断过程中无需考虑修复资源信息，使判断过程更为简便，提高了判断效率。
114.示例性的，通常当芯片已经执行了修复操作后，都会保存由对应的修复文件或修复信息，因此在前述示例中通过所述芯片信息判断所述单芯片是否执行了初步修复操作可以包括：判断所述芯片信息中是否包含修复信息。
115.其中，所述修复信息中包含有所述修复资源与所述失效单元之间的地址对应关系。
116.若包含，则确定所述单芯片执行了所述初步修复操作。
117.由于修复信息中包含了修复资源与失效单元之间的地址对应关系，因此通过修复信息判断是否执行了初步修复操作，能够准确判断出芯片是否执行了初步修复操作，从而确保后续直接基于失效单元信息进行芯片分类的准确性。
118.示例性的，前述示例中若确定所述单芯片执行了所述初步修复操作，则根据所述失效单元信息对所述目标芯片中每个所述单芯片进行分类，在执行时可以具体按照下述方式执行，其中包括：
119.首先，从所述失效单元信息中确定失效单元数量。
120.然后，当确定所述失效单元数量大于零时，确定所述单芯片为所述第一类型芯片。
121.这样，直接通过失效单元数量作为判断单芯片是否为第一类型芯片，能够以数量形式确定单芯片类型，使判断方式较为便捷、高效。
122.示例性的，前述示例102中，通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复，可以按照下述方式执行：
123.首先，根据所述第二类型芯片的失效单元信息及所述修复资源信息，确定所述第二类型芯片的待分配资源，其中，所述待分配资源为用于修复所述第二类型芯片自身的失效单元。
124.然后，根据所述第二类型芯片的待分配资源及所述第二类型芯片的修复资源确定所述第二类型芯片的剩余修复资源。
125.之后，确定所述第一类型芯片的待修复失效单元，所述待修复失效单元为所述第一类型芯片中的全部失效单元经过自身的修复资源修复后剩余部分。
126.最后，根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复。
127.这样，通过上述方式能够确保在修复过程中可以确保第二类型芯片对第一类型芯
片修复时，首先满足自身的修复需求，从而避免当第二类型芯片修复第一类型芯片后修复资源不足以修复自身失效单元的问题，从而使第一类型芯片和第二类型芯片之间能够跨芯片间修复，提高了修复率。
128.示例性的，基于本示例所述的方法能够实现以第二类型芯片中的修复资源对第一类型芯片的失效单元进行修复的效果，为了确保后续被第二类型芯片修复的第一类型芯片中的失效单元能够正确相应，还可以在修复过程中对芯片间地址关系进行记录。基于此，前述示例中根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复在执行时可以包括：
129.当根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复时，记录所述剩余修复资源的地址及所述待修复失效单元的地址；
130.根据剩余修复资源的地址及所述待修复失效单元的地址构建修复关系，所述修复关系用于当检测到控制指令对所述第一类型芯片的所述待修复失效单元执行目标操作时，根据所述修复关系控制对应的所述第二类型芯片的所述剩余修复资源的地址执行所述目标操作。
131.由于修复关系中包含有被跨芯片修复的失效单元与修复资源之间的对应关系，从而可以确保当这部分失效单元被操作时，利用另一个芯片的修复资源进行响应，从而避免被修复的失效单元无法响应操作指令的问题。
132.示例性的，由于修复后的存储单元实际分为两种情况，一种是被同一个单芯片内的修复资源修复，即芯片内修复，另一种是被该芯片外的第二类型芯片的修复资源所修复，即跨芯片修复，因此，当单芯片接收到操作请求时，如读取，写入等操作请求，还需要确定操作请求对应的目标地址是否是需要当前单芯片的，若是，则执行对应的请求操作，若不是，还需要进一步确定哪一个单芯片是需要进行响应的，基于不同的修复方式响应该操作的芯片也会随之变化，基于此，在前述实施例步骤102中通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复之后，所述方法还可以包括：
133.当所述目标芯片检测到操作请求时，根据所述操作请求确定目标地址，并根据所述目标地址及所述修复关系确定执行所述操作请求的目标单芯片；
134.所述目标单芯片根据所述操作请求对目标地址执行对应的操作行为，所述目标芯片中目标单芯片之外的其余所述单芯片忽略所述操作请求。
135.这样，通过在执行操作请求的过程中，通过目标地址和修复关系来确定目标芯片中的每个单芯片中哪一个是需要执行该操作请求的目标单芯片，并基于此由该目标单芯片按照操作请求进行对应的操作行为，同时其他单芯片则无需响应该操作请求并将之忽略，实现了修复后的单芯片在接到操作请求时能够选择出正确的单芯片进行响应，从而确保了操作请求能够在正确的地址进行执行。
136.进一步的，作为上述示例的具体执行方式，前述步骤中当所述目标芯片检测到操作请求时，根据所述操作请求确定目标地址，并根据所述目标地址及所述修复关系确定执行所述操作请求的目标单芯片，在执行时可以分别按照下述两种方式执行，其中包括：
137.一方面，可以在接收操作请求时，由多个单芯片分别均进行该操作请求的接收，以确定具体的目标单芯片是哪一个，可结合图3
‑
a所示，具体步骤为：
138.控制所述目标芯片中的每个单芯片分别接收所述操作请求；
139.根据所述修复关系，当所述单芯片确定所述操作请求对应的目标地址为所述单芯片的修复资源修复时，则确定所述单芯片为所述目标单芯片。
140.这样，通过分别均接收操作请求，实现了多个单芯片并行确定是否为自身需要执行该操作请求的目标单芯片的确定，提高了判断效率，从而整体上实现了对操作请求的准确执行的同时，能够提高响应速度。
141.另一方面，可以在接收操作请求时，由多个单芯片依次进行该操作请求的接收，当第一个单芯片确定不是目标芯片时，将该操作请求传递到下一个单芯片，从而依次判断具体的目标单芯片是哪一个，可结合图3
‑
b所示，具体步骤为：
142.假设当前目标芯片至少包括第一芯片及第二芯片；
143.首先，控制所述目标单芯片中的每个所述单芯片分别依次接收所述操作请求；
144.当所述第一芯片接收所述操作请求时，根据所述修复关系，执行目标单芯片确定操作，其中，所述目标单芯片确认操作用于根据修复关系确定所述操作请求对应的目标地址是否对饮所述目标单芯片中的修复资源的地址；
145.当确定所述第一芯片并非为所述目标单芯片时，所述第一芯片将所述操作请求发送至所述第二芯片，以便所述第二芯片执行所述目标单芯片确定操作。
146.这样，通过第一芯片与第二芯片之间传递操作请求并判断自身是否为需要执行该操作请求的目标单芯片，确保了执行过程中无需所有的单芯片参与判断过程，而是依次每个进行判断，在确保了操作请求能够顺利执行的同时还减少了执行该操作请求的参与判断的单芯片数量，从而整体上减少了目标芯片的功耗。
147.第二方面，基于上述该方法的同一发明构思，本说明书实施例还提供一种3d芯片的存储器修复装置，其实现的功能和效果如前述第一方面该的方法，其执行的过程在此不再一一赘述，示例性的，该装置如图4所示，其中包括：
148.分类单元41，可以用于根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，得到第一类型芯片及第二类型芯片，其中，所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3d芯片，所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息，所述第一类型芯片可以用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足，所述第二类型芯片可以用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余；
149.修复单元42，可以用于通过所述分类单元41分类得到的第二类型芯片的剩余修复资源对所述分类单元41分类得到的第一类型芯片进行修复。
150.可选的，如图5所示，所述分类单元41包括：
151.第一确定模块411，可以用于根据所述失效单元信息确定每个所述单芯片的失效单元数量，并根据所述修复资源信息确定每个所述单芯片的修复资源数量；
152.第二确定模块412，可以用于当所述第一确定模块411确定的失效单元数量大于所述第一确定模块411确定的修复资源数量时，确定所述单芯片为所述第一类型芯片；
153.第三确定模块413，可以用于当所述第一确定模块411确定的失效单元数量小于所述第一确定模块411确定的修复资源数量时，确定所述单芯片为所述第二类型芯片。
154.可选的，如图5所示，所述装置还包括：
155.判断单元43，可以用于通过所述芯片信息判断所述单芯片是否执行了初步修复操作，其中，所述初步修复操作可以用于利用所述单芯片的存储器内全部的修复资源对失效
单元进行修复；
156.所述分类单元41，还可以用于若判断单元43判断后确定所述单芯片执行了所述初步修复操作，则根据所述失效单元信息对所述目标芯片中每个所述单芯片进行分类。
157.可选的，如图5所示，所述判断单元43包括：
158.判断模块431，可以用于判断所述芯片信息中是否包含修复信息，其中，所述修复信息中包含有所述修复资源与所述失效单元之间的地址对应关系；
159.确定模块432，可以用于若判断模块431判断所述芯片信息中包含修复信息，则确定所述单芯片执行了所述初步修复操作。
160.可选的，如图5所示，所述分类单元41还包括：
161.第四确定模块414，可以用于从所述失效单元信息中确定失效单元数量；
162.第五确定模块415，可以用于当确定所述第四确定模块414确定失效单元数量大于零时，确定所述单芯片为所述第一类型芯片。
163.可选的，如图5所示，所述修复单元42，包括：
164.第一确定模块421，可以用于根据所述第二类型芯片的失效单元信息及所述修复资源信息，确定所述第二类型芯片的待分配资源，其中，所述待分配资源为可以用于修复所述第二类型芯片自身的失效单元；
165.第二确定模块422，可以用于根据所述第一确定模块421确定的第二类型芯片的待分配资源及所述第二类型芯片的修复资源确定所述第二类型芯片的剩余修复资源；
166.第三确定模块423，可以用于确定所述第一类型芯片的待修复失效单元，所述待修复失效单元为所述第一类型芯片中的全部失效单元经过自身的修复资源修复后剩余部分；
167.修复模块424，可以用于根据所述第二确定模块422确定的第二类型芯片的剩余修复资源对所述第三确定模块423确定的第一类型芯片的待修复失效单元进行修复。
168.可选的，如图5所示，所述修复模块424，包括：
169.记录模块4241，可以用于当根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复时，记录所述剩余修复资源的地址及所述待修复失效单元的地址；
170.构建模块4242，可以用于根据记录模块4241记录的剩余修复资源的地址及所述待修复失效单元的地址构建修复关系，所述修复关系可以用于当检测到控制指令对所述第一类型芯片的所述待修复失效单元执行目标操作时，根据所述修复关系控制对应的所述第二类型芯片的所述剩余修复资源的地址执行所述目标操作。
171.可选的，如图5所示，所述装置还包括：
172.确定单元44，可以用于当所述目标芯片检测到操作请求时，根据所述操作请求确定目标地址，并根据所述目标地址及所述修复关系确定执行所述操作请求的目标单芯片；
173.执行单元45，可以用于所述确定单元44确定的目标单芯片根据所述操作请求对目标地址执行对应的操作行为，所述目标芯片中目标单芯片之外的其余所述单芯片忽略所述操作请求。
174.可选的，所述确定单元44，包括：
175.第一控制模块441，可以用于控制所述目标芯片中的每个单芯片分别接收所述操作请求；
176.确定模块442，可以用于根据所述修复关系，当所述单芯片确定所述操作请求对应的目标地址为所述单芯片的修复资源修复时，则确定所述单芯片为所述目标单芯片。
177.可选的，所述目标芯片至少包括第一芯片及第二芯片；
178.所述确定单元44，包括：
179.第二控制模块443，可以用于控制所述目标单芯片中的每个所述单芯片分别依次接收所述操作请求；
180.第一执行模块444，可以用于当所述第二控制模块443控制第一芯片接收所述操作请求时，根据所述修复关系，执行目标单芯片确定操作，其中，所述目标单芯片确认操作可以用于根据修复关系确定所述操作请求对应的目标地址是否对饮所述目标单芯片中的修复资源的地址；
181.第二执行模块445，可以用于当第一执行模块444执行后确定所述第一芯片并非为所述目标单芯片时，所述第一芯片将所述操作请求发送至所述第二芯片，以便所述第二芯片执行所述目标单芯片确定操作。
182.示例性的，图6示出的是与本发明实施例提供的3d芯片的存储器修复装置的部分结构的示意图。该3d芯片的存储器修复装置的装置包括存储器601，该存储器601用于存储执行前述第一实施例中该方法的程序。该3d芯片的存储器修复装置的装置还包括处理器602，与该存储器601连接，该处理器602被配置为用于执行该存储器601中存储的程序。
183.该处理器602执行该计算机程序时实现上述第一实施例中3d芯片的存储器修复装置的方法中的步骤。或者，该处理器执行该计算机程序时实现上述第二实施例的3d芯片的存储器修复装置的装置中各模块/单元的功能。
184.示例性的，本实施例还提供了一种计算机可读存储介质，如图7所示，其上存储有计算机程序701，该计算机程序701被处理器执行时实现前述第一方面该的实施例中任一项该的3d芯片的存储器修复方法。
185.本实施例提供了一种3d芯片的存储器修复方法及相关设备，其方法包括：根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，得到第一类型芯片及第二类型芯片，其中，所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3d芯片，所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息，所述第一类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足，所述第二类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余；然后，通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复，从而实现针对3d芯片的存储器修复功能。在上述方案中，由于修复过程能够对3d芯片中每个单芯片按照存储器类型进行分类，也就是说能够将3d芯片中每个芯片中的修复资源是否满足自身修复所需进行判断，并从中确定出修复资源富余的芯片，从而可以使在对3d芯片的存储器修复过程中，能够将修复资源富余的芯片为修复资源不足的芯片进行修复，从而使修复过程更为科学灵活，解决了现有常规修复方式仅考虑芯片自身修复资源能否满足失效单元的修复时所导致的修复率较低的问题，提高了3d芯片的修复率。同时，由于上述方案能够实现跨芯片间的修复，也就是说能够确保后续在设计3d芯片时，无需为每个单芯片配置大量的修复资源，从而使3d芯片的设计方式更为灵活。此外，上述方案能够提高3d芯片的修复率，继而在生产3d芯片的角度来看，可以整体上提高3d芯片的生产良率，减少了生产成本。
186.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
187.尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节与这里示出与描述的图例。