执行修复操作的装置的制作方法

执行修复操作的装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年3月2日提交的申请号为10-2021-0027773的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
3.本公开的实施例总体上可以涉及执行修复操作的装置。


背景技术：

4.半导体器件可以执行用正常存储单元替换发生故障的存储单元的修复操作。当故障的存储单元的地址被储存在器件中时执行修复操作。使用封装后修复(ppr)模式，半导体器件不仅可以在晶片状态下而且可以在封装状态下执行修复操作。


技术实现要素：

5.在一个实施例中，一种装置可以包括：启动控制电路，其被配置为当执行第一启动操作时，通过从熔丝电路接收第一熔丝数据和熔丝信息来锁存第一熔丝数据，以及被配置为当执行第二启动操作时通过基于所述熔丝信息从所述熔丝电路接收第二熔丝数据来锁存第二熔丝数据；以及断裂控制电路，其被配置为通过基于所述熔丝信息使所述熔丝电路断裂来将故障地址储存为所述第二熔丝数据。
6.在一个实施例中，一种装置可以包括：启动控制电路，其被配置为在修复模式下产生第一启动信号和第二启动信号，以及被配置为基于所述第一启动信号和所述第二启动信号通过接收熔丝数据来锁存所述熔丝数据；以及熔丝电路，其被配置为基于所述第一启动信号来输出储存在多个熔丝区域中的熔丝数据，以及被配置为基于所述第二启动信号来输出储存在所述多个熔丝区域之中的一个中的熔丝数据。
附图说明
7.图1是示出根据本公开的实施例的系统的配置的框图。
8.图2是示出包括在图1所示的系统中的装置的实施例的配置的框图。
9.图3是示出图2所示的启动控制电路的实施例的配置的框图。
10.图4是帮助说明在图2所示的装置中执行的修复模式的流程图。
11.图5是帮助说明当在图2所示的装置中进行修复模式时执行的预定操作的时序图。
12.图6是示出图1中示出的系统的另一实施例的配置的框图。
具体实施方式
13.在以下实施例的描述中，术语“预设”和“预定”意指当在过程或算法中使用参数时，提前确定参数的数值。取决于实施例，可以在过程或算法开始时设置参数的数值，或者可以在执行过程或算法的时间段期间设置参数的数值。
14.用于区分各个组件的诸如“第一”和“第二”之类的术语不受组件的限制。例如，第一组件可以被命名为第二组件，并且反过来，第二组件可以被命名为第一组件。
15.当描述一个组件被“耦接”或“连接”到另一组件时，应理解，一个组件可以直接或通过其他组件的媒介耦接或连接至另一组件。另一方面，对“直接耦接”或“直接连接”的描述应被理解为意指一个组件直接耦接或连接至另一组件，而无需其他组件的干预。
[0016]“逻辑高电平”和“逻辑低电平”用于描述信号的逻辑电平。具有“逻辑高电平”的信号区别于具有“逻辑低电平”的信号。例如，当具有第一电压的信号对应于具有“逻辑高电平”的信号时，具有第二电压的信号可以对应于具有“逻辑低电平”的信号。取决于实施例，“逻辑高电平”可以被设置为高于“逻辑低电平”的电压。而且，取决于实施例，可以将信号的逻辑电平设置为不同的逻辑电平或相反的逻辑电平。例如，取决于实施例，可以将具有逻辑高电平的信号设置为具有逻辑低电平，并且可以将具有逻辑低电平的信号设置为具有逻辑高电平。
[0017]
在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例的各种示例。这些实施例仅用于说明本发明，并且本公开的保护范围不受这些实施例限制。
[0018]
各个实施例涉及执行修复操作的装置。
[0019]
根据本公开，当执行用于将从装置的外部施加的故障地址更新到内部电路的修复模式时，先前储存在装置中的故障地址可以提前更新，并且然后，可以仅单独地更新从外部施加的故障地址，从而即使在修复模式进行的时段期间也能够稳定地执行内部操作。
[0020]
图1是示出根据本公开的实施例的系统100的配置的框图。如图1所示，系统100可以包括控制器(controller)110和装置120。装置120可以由半导体器件实现。
[0021]
控制器110可以包括第一控制引脚110_1和第二控制引脚110_2。装置120可以包括第一装置引脚120_1和第二装置引脚120_2。控制器110可以通过耦接在第一控制引脚110_1与第一装置引脚120_1之间的第一传输线130_1来将外部命令cmd和外部地址add传送到装置120。根据实施例，控制器110可以分别通过不同的传输线将外部命令cmd和外部地址add传送到装置120。外部命令cmd的比特位的数量可以根据实施例而改变。外部地址add的比特位的数量可以根据实施例而改变。控制器110可以通过耦接在第二控制引脚110_2与第二装置引脚120_2之间的第二传输线130_2来将数据dq传送到装置120。数据dq的比特位的数量可以根据实施例而改变。
[0022]
装置120可以包括存储器(memory)201和熔丝电路(fuse circuit)203。存储器201可以包括用于储存数据dq的多个存储区域201_1至201_l(参见图2)。“l”可以被设置为等于或大于2的自然数。熔丝电路203可以包括用于储存熔丝数据fzd(参见图2)和熔丝信息fz_en(参见图2)的多个熔丝区域203_1至203_n(参见图2)。“n”可以被设置为等于或大于2的自然数。
[0023]
装置120可以通过从控制器110接收外部命令cmd、外部地址add和数据dq来执行各种内部操作，诸如修复模式、测试模式、行操作和列操作。
[0024]
装置120可以通过接收具有用于执行测试模式的组合的外部命令cmd来执行测试模式。当执行测试模式时，装置120可以将其中已经发生故障的存储区域的地址作为熔丝数据fzd(参见图2)储存在第一熔丝区域203_1至第m熔丝区域203_m中。在测试模式下，可以将已经发生故障的存储区域设置为多个存储区域201_1至201_l之中的至少一个区(参见图
2)。“m”可以被设置为等于或小于“n”的自然数。
[0025]
装置120可以基于接收到的具有用于执行预定操作的组合的外部命令cmd来产生用于执行预定操作的内部命令icmd(参见图2)。当执行预定操作时，装置120可以通过接收外部地址add来产生内部地址iadd(参见图2)。在本实施例中，预定操作可以被设置为行操作和列操作中的一个。行操作可以包括激活操作。列操作可以包括写入操作和读取操作。当预定操作被设置为行操作时，内部地址iadd可以被设置为行地址。当预定操作被设置为列操作时，内部地址iadd可以被设置为列地址。
[0026]
装置120可以基于接收到的具有用于执行修复模式的组合的外部命令cmd来产生用于进入修复模式的修复命令ppr(未示出产生修复命令ppr的内部电路)。当进入修复模式时，装置120可以基于接收到的已经发生故障的存储区域的外部地址add来产生故障地址fa(未示出产生故障地址fa的内部电路)。在修复模式中，可以将已经发生故障的存储区域设置为多个存储区域201_1至201_l(参见图2)之中的一个区。修复模式可以被设置为封装后修复(ppr)模式，在该封装后修复(ppr)模式中，当装置120处于封装状态时，通过使多个熔丝区域203_1至203_n之中的第(m+i)个熔丝区域(在下文中，被称为目标熔丝区域)断裂来将故障地址fa储存为熔丝数据fzd，并且储存在目标熔丝区域203_m+i中的熔丝数据fzd可以被更新到锁存电路225(参见图3)。多个熔丝区域203_1至203_n之中的目标熔丝区域203_m+i可以被设置为在执行修复模式之前还没有执行断裂操作的一个区。“i”可以被设置为装置120进入修复模式的次数。
[0027]
通过进入修复模式，装置120可以顺序地执行第一启动操作、断裂操作和第二启动操作。可以在第一启动操作完成之后执行断裂操作。可以在断裂操作完成之后执行第二启动操作。
[0028]
当执行第一启动操作时，装置120可以根据储存在多个熔丝区域203_1至203_n(参见图2)中的熔丝信息fz_en(参见图2)产生具有与目标熔丝区域203_m+i(参见图2)相对应的信息的资源信息rsc(参见图2)。另外，当执行第一启动操作时，装置120可以将先前储存在多个熔丝区域203_1至203_n中的熔丝数据fzd(参见图2)更新到锁存电路225(参见图3)。当执行第一启动操作时，装置120可以在其中储存的熔丝数据fzd被更新的时段期间去激活(deactivate)用于执行预定操作的内部命令icmd(参见图2)。在第一启动操作结束之后，装置120可以激活(activate)用于执行预定操作的内部命令icmd。
[0029]
此后，当执行断裂操作时，装置120可以通过基于资源信息rsc(参见图2)使目标熔丝区域203_m+i(参见图2)断裂来将故障地址fa(参见图2)储存为熔丝数据fzd(参见图2)。
[0030]
最后，当执行第二启动操作时，装置120可以将基于资源信息rsc(参见图2)而储存在目标熔丝区域203_m+i(参见图2)中的熔丝数据fzd(参见图2)更新到锁存电路225(参见图3)。
[0031]
为了在修复模式进行的时段期间稳定地执行预定操作，装置120可以接收具有与故障地址fa的组合不同的组合的外部地址add(参见图2)。
[0032]
结果，当执行修复模式以将从外部施加的故障地址fa(参见图2)更新到锁存电路225(参见图3)时，装置120可以提前更新预先储存在多个熔丝区域203_1至203_n(参见图2)中的熔丝数据fzd(参见图2)，并且然后，装置120可以单独地仅更新从外部施加的故障地址fa(参见图2)。因此，即使在修复模式进行的时段期间，也可以稳定地执行内部操作。
[0033]
图2是示出图1所示的装置120的实施例的配置的框图。如图2所示，装置120可以包括存储器(memory)201、熔丝电路(fuse circuit)203、开始信号发生电路(init gen)205、启动控制电路(boot-up ctr)207、断裂控制电路(rupture ctr)209和数据输入/输出控制电路(data i/o ctr)211。
[0034]
存储器201可以包括输入和输出数据dq的多个存储区域201_1至201_l。多个存储区域201_1至201_l可以包括在执行行操作时基于行地址的组合而被激活的相应字线。多个存储区域201_1至201_l可以包括在执行列操作时基于列地址的组合而被激活的相应位线。
[0035]
熔丝电路203可以包括储存熔丝数据fzd和熔丝信息fz_en的多个熔丝区域203_1至203_n。熔丝数据fzd可以包括第一熔丝数据至第n熔丝数据fzd《1:n》。熔丝信息fz_en可以包括第一熔丝信息至第n熔丝信息fz_en《1:n》。多个熔丝区域203_1至203_n可以分别储存第一熔丝数据至第n熔丝数据fzd《1:n》以及第一熔丝信息至第n熔丝信息fz_en《1:n》。例如，第一熔丝区域203_1可以储存第一熔丝数据fzd《1》和第一熔丝信息fz_en《1》。第二熔丝区域203_2可以储存第二熔丝数据fzd《2》和第二熔丝信息fz_en《2》。
[0036]
熔丝数据fzd可以被设置为在测试模式或修复模式下已经发生故障的存储区域的地址。可以将已经发生故障的存储区域的地址设置为行地址和列地址中的一个。熔丝信息fz_en可以包括关于是否已经在多个熔丝区域203_1至203_n中执行了断裂操作的信息。例如，第一熔丝区域203_1可以在测试模式下储存第一熔丝数据fzd《1》和第一熔丝信息fz_en《1》。第一熔丝数据fzd《1》可以被设置为在测试模式下已经发生故障的存储区域的地址。第一熔丝信息fz_en《1》可以包括关于是否已经在第一熔丝区域203_1中执行了断裂操作的信息。第二熔丝区域203_2可以在修复模式下储存第二熔丝数据fzd《2》和第二熔丝信息fz_en《2》。第二熔丝数据fzd《2》可以被设置为在修复模式下已经发生故障的存储区域的地址。第二熔丝信息fz_en《2》可以包括关于是否已经在第二熔丝区域203_2中执行了断裂操作的信息。
[0037]
当在修复模式下执行第一启动操作时，熔丝电路203可以基于第一启动信号boot_cnt1顺序输出储存在多个熔丝区域203_1至203_n中的熔丝数据fzd。当在修复模式下执行断裂操作时，熔丝电路203可以通过基于断裂信号rup_cnt使多个熔丝区域203_1至203_n之中的目标熔丝区域203_m+i断裂来将故障地址fa储存为第(m+i)熔丝数据fzd《m+i》。当在修复模式下执行第二启动操作时，熔丝电路203可以基于第二启动信号boot_cnt2来输出储存在多个熔丝区域203_1至203_n之中的目标熔丝区域203_m+i中的第(m+i)熔丝数据fzd《m+i》。
[0038]
开始信号发生电路205可以基于修复命令ppr来顺序地产生第一启动开始信号boot_init1、断裂开始信号rup_init和第二启动开始信号boot_init2。可以基于具有用于执行修复模式的组合的外部命令cmd(参见图1)来产生修复命令ppr。修复命令ppr可以被激活以进入修复模式。第一启动开始信号boot_init1可以在修复模式下被激活以进入第一启动操作。断裂开始信号rup_init可以在修复模式下被激活以进入断裂操作。第二启动开始信号boot_init2可以在修复模式下被激活以进入第二启动操作。当修复命令ppr被激活时，开始信号发生电路205可以激活第一启动开始信号boot_init1。当在修复模式下第一启动操作完成时，开始信号发生电路205可以接收激活的第一启动结束信号boot_end1。当第一启动结束信号boot_end1被激活时，开始信号发生电路205可以激活断裂开始信号rup_
init。当在修复模式下断裂操作完成时，开始信号发生电路205可以接收激活的断裂结束信号rup_end。当断裂结束信号rup_end被激活时，开始信号发生电路205可以激活第二启动开始信号boot_init2。当在修复模式下第二启动操作完成时，开始信号发生电路205可以接收激活的第二启动结束信号boot_end2。
[0039]
当基于第一启动开始信号boot_init1进入第一启动操作时，启动控制电路207可以产生用于执行第一启动操作的第一启动信号boot_cnt1。第一启动信号boot_cnt1的比特位的数量可以根据实施例而改变。第一启动信号boot_cnt1的组合可以分别对应于多个熔丝区域203_1至203_n。例如，第一启动信号boot_cnt1的第一组合可以对应于第一熔丝区域203_1。第一启动信号boot_cnt1的第n组合可以对应于第n熔丝区域203_n。启动控制电路207可以在以修复模式执行第一启动操作的时段期间对第一启动信号boot_cnt1进行计数。在以修复模式执行第一启动操作的时段期间，启动控制电路207可以顺序地移换(transition)分别与多个熔丝区域203_1至203_n相对应的第一启动信号boot_cnt1的第一组合至第n组合。
[0040]
当在修复模式下执行第一启动操作时，启动控制电路207可以基于第一启动信号boot_cnt1从熔丝电路203顺序地接收熔丝数据fzd和熔丝信息fz_en。启动控制电路207可以基于第一启动信号boot_cnt1的组合来接收储存在多个熔丝区域203_1至203_n中的熔丝数据fzd和熔丝信息fz_en。例如，启动控制电路207可以基于第一启动信号boot_cnt1的第一组合来接收储存在第一熔丝区域203_1中的第一熔丝数据fzd《1》和第一熔丝信息fz_en《1》。启动控制电路207可以基于第一启动信号boot_cnt1的第二组合来接收储存在第二熔丝区域203_2中的第二熔丝数据fzd《2》和第二熔丝信息fz_en《2》。
[0041]
当在修复模式下执行第一启动操作时，启动控制电路207可以通过基于第一启动信号boot_cnt1从熔丝电路203接收熔丝数据fzd来产生锁存数据fzd_lat。当在修复模式下执行第一启动操作时，启动控制电路207可以通过锁存熔丝数据fzd来顺序输出锁存数据fzd_lat。例如，当在修复模式下执行第一启动操作时，启动控制电路207可以通过锁存第一熔丝数据fzd《1》来输出第一锁存数据fzd_lat《1》。当在修复模式下执行第一启动操作时，启动控制电路207可以通过锁存第二熔丝数据fzd《2》来输出第二锁存数据fzd_lat《2》。
[0042]
启动控制电路207可以通过基于第一启动信号boot_cnt1从熔丝电路203接收熔丝信息fz_en来产生资源信息rsc。启动控制电路207可以通过基于第一启动信号boot_cnt1从多个熔丝区域203_1至203_n顺序地接收第一熔丝信息至第n熔丝信息fz_en《1:n》来产生资源信息rsc。资源信息rsc可以被设置为与目标熔丝区域203_m+i相对应的信息。当在修复模式下第一启动操作完成时，启动控制电路207可以激活第一启动结束信号boot_end1。
[0043]
启动控制电路207可以基于第二启动开始信号boot_init2和资源信息rsc来产生第二启动信号boot_cnt2。当在修复模式下执行第二启动操作时，启动控制电路207可以产生具有与资源信息rsc相对应的组合的第二启动信号boot_cnt2。第二启动信号boot_cnt2的比特位的数量可以根据实施例而改变。第二启动信号boot_cnt2的组合可以对应于多个熔丝区域203_1至203_n之中的目标熔丝区域203_m+i。启动控制电路207可以通过基于第二启动信号boot_cnt2锁存储存在多个熔丝区域203_1至203_n之中的目标熔丝区域203_m+i中的第(m+i)熔丝数据fzd《m+i》来产生第(m+i)锁存数据fzd_lat《m+i》。当在修复模式下第二启动操作完成时，启动控制电路207可以激活第二启动结束信号boot_end2。稍后将参考
图3描述启动控制电路207的更详细的配置和操作。
[0044]
当基于断裂开始信号rup_init和资源信息rsc来执行断裂操作时，断裂控制电路209可以产生断裂信号rup_cnt。断裂信号rup_cnt的比特位的数量可以根据实施例而改化。断裂信号rup_cnt的组合可以对应于多个熔丝区域203_1至203_n之中的目标熔丝区域203_m+i。断裂控制电路209可以通过基于资源信息rsc使目标熔丝区域203_m+i断裂来将故障地址fa储存为第(m+i)熔丝数据fzd《m+i》。当在修复模式下断裂操作完成时，断裂控制电路209可以激活断裂结束信号rup_end。
[0045]
数据输入/输出控制电路211可以基于内部命令icmd而通过将内部地址iadd与锁存数据fzd_lat进行比较来控制向存储器201输入数据dq以及从存储器201输出数据dq的路径。内部命令icmd可以根据具有用于执行预定操作的组合的外部命令cmd(参见图1)来产生。内部命令icmd可以在以修复模式来执行第一次启动操作的时段期间被去激活。在修复模式下在第一启动操作结束之后，内部命令icmd可以被激活。当执行预定操作时，可以从外部地址add(参见图1)产生内部地址iadd。在修复模式被执行的时段期间，可以根据具有与故障地址fa的组合不同的组合的外部地址add(参见图1)来产生内部地址iadd。当执行预定操作时，通过将内部地址iadd与锁存数据fzd_lat进行比较，数据输入/输出控制电路211可以控制向多个存储区域201_1至201_l输入数据dq和从多个存储区域201_1至201_l输出数据dq的路径。例如，当在预定操作中内部地址iadd的组合与锁存数据fzd_lat的组合相同时，数据输入/输出控制电路211可以将输入和输出数据dq的路径从已经发生故障的存储区域改变到正常存储区域。
[0046]
图3是示出图2所示的启动控制电路207的实施例的配置的框图。如图3所示，启动控制电路207可以包括第一启动信号发生电路(boot_cnt1 gen)221、第二启动信号发生电路(boot_cnt2 gen)223、锁存电路(latch circuit)225和资源信息发生电路(rsc gen)227。
[0047]
第一启动信号发生电路221可以基于第一启动开始信号boot_init1来产生第一启动信号boot_cnt1和第一启动结束信号boot_end1。第一启动信号发生电路221可以在以修复模式执行第一启动操作的时段期间对第一启动信号boot_cnt1进行计数。在以修复模式执行第一启动操作的时段期间，第一启动信号发生电路221可以顺序地移换分别与多个熔丝区域203_1至203_n(参见图2)对应的第一启动信号boot_cnt1的第一组合至第n组合。第一启动信号发生电路221可以在对第一启动信号boot_cnt1进行计数之后激活第一启动结束信号boot_end1。
[0048]
第二启动信号发生电路223可以基于第二启动初始信号boot_int2和资源信息rsc来产生第二启动信号boot_cnt2和第二启动结束信号boot_end2。第二启动信号发生电路223可以在以修复模式执行第二启动操作的时段期间对与资源信息rsc相对应的第二启动信号boot_cnt2进行计数。第二启动信号发生电路223可以在对第二启动信号boot_cnt2进行计数之后激活第二启动结束信号boot_end2。
[0049]
锁存电路225可以通过基于第一启动信号boot_cnt1和第二启动信号boot_cnt2锁存熔丝数据fzd来产生锁存数据fzd_lat。当进入第一启动操作时，基于复位信号rst锁存电路225可以将所有锁存数据fzd_lat初始化为逻辑低电平或逻辑高电平。当进入第一启动操作时，复位信号rst可以被激活以执行初始化操作。当执行第一启动操作时，锁存电路225可
以依据第一启动信号boot_cnt1的组合来接收熔丝数据fzd。当执行第一次启动操作时，锁存电路225可以通过锁存基于第一启动信号boot_cnt1而接收到的熔丝数据fzd来产生锁存数据fzd_lat。当执行第二启动操作时，锁存电路225可以基于第二启动信号boot_cnt2的组合来接收熔丝数据fzd。当执行第二启动操作时，锁存电路225可以通过锁存基于第二启动信号boot_cnt2而接收到的熔丝数据fzd来产生锁存数据fzd_lat。
[0050]
资源信息发生电路227可以基于熔丝区域信号fz_reg和熔丝信息fz_en来产生资源信息rsc。当执行第一启动操作时，熔丝区域信号fz_reg可以包括关于多个熔丝区域203_1至203_n(参见图2)之中的熔丝体区域(未示出)的信息。例如，可以将第一熔丝体区域设置为多个熔丝区域203_1至203_n(参见图2)的一部分，并且可以将第二熔丝体区域设置为多个熔丝区域203_1至203_n(参见图2)的另一部分。资源信息发生电路227可以通过检测熔丝信息fz_en和包括在熔丝区域信号fz_reg中的信息来产生与目标熔丝区域203_m+i(参见图2)相对应的资源信息rsc。
[0051]
图4是帮助说明在图2中所示的装置120中执行的修复模式的流程图。
[0052]
在步骤s101中，装置120可以通过从控制器110(参见图1)接收用于执行修复模式的外部命令cmd(参见图1)来产生用于进入修复模式的修复命令ppr。当进入修复模式时，装置120可以通过从控制器110(参见图1)接收其中已经发生故障的存储区域的外部地址add(参见图1)来产生故障地址fa。
[0053]
在步骤s103中，开始信号发生电路205可以基于修复命令ppr来产生用于进入第一启动操作的第一启动开始信号boot_init1。
[0054]
在步骤s105中，当进入第一启动操作时，启动控制电路207可以初始化锁存数据fzd_lat。启动控制电路207可以基于第一启动开始信号boot_init1来产生用于执行第一启动操作的第一启动信号boot_cnt1。熔丝电路203可以基于第一启动信号boot_cnt1来输出储存在多个熔丝区域203_1至203_n中的熔丝数据fzd和熔丝信息fz_en。启动控制电路207可以通过基于第一启动信号boot_cnt1锁存熔丝数据fzd来产生锁存数据fzd_lat。启动控制电路207可以基于第一启动信号boot_cnt1从熔丝信息fz_en产生资源信息rsc。当第一启动操作完成时，启动控制电路207可以产生第一启动结束信号boot_end1。
[0055]
在步骤s107中，开始信号发生电路205可以基于第一启动结束信号boot_end1来产生用于进入断裂操作的断裂开始信号rup_init。
[0056]
在步骤s109中，断裂控制电路209可以基于断裂开始信号rup_init来产生与资源信息rsc对应的断裂信号rup_cnt。熔丝电路203可以通过基于断裂信号rup_cnt使多个熔丝区域203_1至203_n之中的目标熔丝区域203_m+i断裂来将故障地址fa储存为熔丝数据fzd。当断裂操作完成时，断裂控制电路209可以产生断裂结束信号rup_end。
[0057]
在步骤s111中，开始信号发生电路205可以基于断裂结束信号rup_end来产生用于进入第二启动操作的第二启动开始信号boot_init2。
[0058]
在步骤s113中，启动控制电路207可以基于第二启动开始信号boot_init2来产生与资源信息rsc对应的第二启动信号boot_cnt2。熔丝电路203可以基于第二启动信号boot_cnt2来输出储存在多个熔丝区域203_1至203_n之中的目标熔丝区域203_m+i中的熔丝数据fzd。启动控制电路207可以通过基于第二启动信号boot_cnt2锁存熔丝数据fzd来产生锁存数据fzd_lat。当第二启动操作完成时，启动控制电路207可以产生第二启动结束信号boot_
end2。
[0059]
图5是帮助说明当在图2所示的装置120中进行修复模式时执行的预定操作的时序图。
[0060]
在时间点t11，装置120可以通过从控制器110(参见图1)接收用于执行修复模式的外部命令cmd(参见图1)来产生用于进入修复模式的修复命令ppr。装置120可以通过从控制器110(参见图1)接收外部地址add(参见图1)来产生具有组合“a1”的故障地址fa。开始信号发生电路205可以基于修复命令ppr来产生用于进入第一启动操作的第一启动开始信号boot_init1。在执行第一启动操作的时段td11期间，启动控制电路207可以顺序地从熔丝电路203接收第一熔丝数据至第m熔丝数据fzd《1:m》。启动控制电路207可以通过在第一启动操作被执行的时段td11期间锁存第一熔丝数据至第m熔丝数据fzd《1:m》来顺序地产生第一锁存数据至第m锁存数据fzd_lat《1:m》。
[0061]
在时间点t13，启动控制电路207可以产生第一启动结束信号boot_end1。开始信号发生电路205可以基于第一启动结束信号boot_end1来产生用于进入断裂操作的断裂开始信号rup_init。断裂控制电路209可以通过在断裂操作被执行的时段td13期间使目标熔丝区域203_m+i断裂来将具有逻辑电平组合“a1”的故障地址fa储存为第(m+i)熔丝数据fzd《m+i》。
[0062]
在时间点t15，断裂控制电路209可以产生断裂结束信号rup_end。开始信号发生电路205可以基于断裂结束信号rup_end来产生第二启动开始信号boot_init2。在第二启动操作被执行的时段td15期间，启动控制电路207可以接收储存在目标熔丝区域203_m+i中的第(m+i)熔丝数据fzd《m+i》。在第二启动操作被执行的时段td15期间，启动控制电路207可以通过锁存第(m+i)熔丝数据fzd《m+i》来产生第(m+i)锁存数据fzd_lat《m+i》。当执行预定操作时，数据输入/输出控制电路211可以将具有组合“a2”的内部地址iadd与锁存数据fzd_lat进行比较。
[0063]
在时间点t17，当修复模式完成时，开始信号发生电路205可以产生第二启动结束信号boot_end2。
[0064]
从以上描述显而易见的是，在本公开中，当执行用于将从装置的外部施加的故障地址更新到内部电路的修复模式时，预先储存在装置中的故障地址可以提前更新，并且于是，从外部施加的故障地址可以仅被单独更新，从而即使在修复模式进行的时段期间，也可以稳定地执行内部操作。
[0065]
图6是示出图1中示出的系统100的另一实施例的配置的框图。如图6所示，系统1000可以包括主机1100、控制器1200和电子器件1300《1:k》。控制器1200可以由图1所示的控制器110来实现。电子器件1300《1:k》中的每一个可以由图1所示的装置120来实现。
[0066]
主机1100和控制器1200可以通过使用接口协议来彼此传送信号。主机1100与控制器1200之间使用的接口协议的示例可以包括mmc(多媒体卡)、esdi(增强型小磁盘接口)、ide(集成驱动电子设备)、pci-e(外围组件快速互连)、ata(先进技术附件)、sata(串行ata)、pata(并行ata)、sas(串行连接的scsi)和usb(通用串行总线)。
[0067]
控制器1200可以控制电子器件1300《1:k》，使得每个电子器件1300《1:k》执行各种内部操作，包括修复模式、测试模式、行操作和列操作。
[0068]
根据实施例，电子器件1300《1:k》可以利用dram(动态随机存取存储器)、pram(相
变随机存取存储器)、rram(电阻式随机存取存储器)、mram(磁性随机存取存储器)和fram(铁电随机存取存储器)来实现。
[0069]
尽管上面已经描述了各种实施例，但是本领域技术人员将理解，仅通过示例的方式来描述实施例。因此，不应基于所描述的实施例来限制执行本文描述的修复操作的装置。