一种用于存储器芯片的参考电流高效调整方法、装置及应用与流程

1.本发明涉及存储器术领域，具体涉及一种用于存储器芯片的参考电流高效调整方法、装置及应用。


背景技术：

2.为了验证非易失性存储器产品的正确性，在产品出厂前均会进行一连串的测试流程。最典型的就是快闪存储器flash，实际中，在进行逻辑功能测试、电擦除特性测试和程序码测试之前，需要首先对待测非易失存储器芯片的参考电流进行精确调整。
3.以slc(single level cell)flash memory为例，其读出原理为：对存储单元与参考单元施加相同的栅极端、漏极端电压，比较它们的漏极端电流，如果存储单元电流比参考单元的电流(以下称参考电流)大，则定义为“1”，反之，定义为存“0”。即对存储单元存“1”和存“0”的界定，就是看存储单元电流比参考电流大还是小。因此，参考电流是存储数据的判定点，是整个flash memory读出系统的基础，需要在测试之前进行比较精确地调整。
4.参考电流调整指的是对参考单元进行擦除(erase)或编程(program)，使其参考电流满足系统性评估测试的要求。若参考电流的范围在预设范围内，则可认为参考电流的阈值电压设定已完成，如果不在该范围内，则说明需要继续调整，若小于预设范围的最低值，则需要参考单元执行擦除操作，降低阈值电压，提高参考电流；如果大于预设范围的最大值，则需要参考单元执行编程操作，提高阈值电压，降低参考电流。
5.现有在存储器芯片某个参考单元的电流设定过程中，需要反复根据测试结果确定下一步应该进行的擦除操作和编程操作以及擦除和编程的强度。一般采用先擦除到阈值电压以下，然后用微弱编程方式完成参考单元的阈值电压设定。对于参考电流差值很大的芯片，又需要很长的时间才可以完成阈值电压设定，局限性很高，大大浪费了调整时间。
6.此外当并测数较大时，由于各个芯片的参考单元的不一致性，其具体调整也不一致，无法对同时并测的各个芯片采用相同的操作过程完成参考单元的调整，因此如何能够降低多个存储芯片并测情况下的测试时间，尤其是降低参考单元阈值参数的调整时间成为了亟待解决的问题。


技术实现要素：

7.针对现有技术的不足，本发明提供一种用于存储器芯片的参考电流高效调整方法、装置及应用，能够以最优的速度将参考单元调整到预设的阈值电压，实现并测参考电流调整效率的最大化。
8.本发明解决技术问题采用如下技术方案：
9.本发明提供一种用于存储器芯片的参考电流高效调整方法，所述方法包括：
10.预先采集待测存储器芯片相关数据，按照操作前后参考电流差值
△
i的范围配置若干擦除或编程操作参数；
11.预设目标电流值、目标电流区间和可调电流范围，并依次对擦除或编程操作参数
匹配设置调用触发条件；
12.执行电流验证操作，包括：对存储器芯片中各参考单元执行上电动作，读取各参考单元的测试参考电流，判断其是否在可调电流范围外，是则标记该芯片为缺损状态并退出验证操作，否则判定参考电流是否在目标电流区间中，是则标记该参考单元为完成属性并退出验证操作，否则触发执行电流调整操作，包括：
13.根据测试参考电流与目标电流值对比结果定位所属调用触发条件，调用对应的擦除或编程操作参数对该存储单元执行擦除或编程操作；
14.对各参考单元交替执行上述电流验证操作和电流调整操作直至存储器芯片或所有参考单元退出验证操作。
15.优选地，所述预先采集待测存储器芯片相关数据具体为：
16.预先对等规格的存储器芯片，系统性采集基于不同电压和脉冲强度下擦除或编程效果数据，包括参考电流变化值：
17.将效果数据和对应的电压和脉冲强度匹配存储并形成参考数据库。
18.优选地，所述按照操作前后参考电流差值
△
i的范围配置若干擦除或编程操作参数，具体包括：
19.对应5μa≤
△
i≤50μa配置第一擦除或编程操作参数；
20.对应1μa≤
△
i＜5μa配置第二擦除或编程操作参数；
21.对应0.1μa≤
△
i＜1μa配置第三擦除或编程操作参数。
22.优选地，所述目标电流区间为[i
目
‑
δi
p
,i
目
+δi
p
]，所述可调电流范围为i
目
±
δi
a
，其中i
目
为目标电流值，δi
p
为参考电流冗余度，δi
a
为最大可调电流差值。
[0023]
优选地，所述依次对擦除或编程操作参数匹配设置调用触发条件，具体包括：
[0024]
对应第一擦除或编程操作参数配置第一调用触发条件5μa≤|δi
测
|；
[0025]
对应第二擦除或编程操作参数配置第二调用触发条件1μa≤|δi
测
|＜5μa；
[0026]
对应第三擦除或编程操作参数配置第三调用触发条件δi
p
≤|δi
测
|＜1μa；
[0027]
其中δi
测
为测试参考电流与目标电流间的差值。
[0028]
优选地，所述擦除或编程操作参数包括擦除或编程操作起始电压、起始脉冲强度、最大操作次数，预设增压次数和操作电压递增值
△
v。
[0029]
优选地，所述调用对应的擦除或编程操作参数对该存储单元执行擦除或编程操作具体包括：
[0030]
读取本擦除或编程操作参数已调用次数：
[0031]
若超过最大操作次数，则标记该存储单元芯片为缺损状态并退出调整操作，
[0032]
否则判断已调用次数是否到达预设增压次数：
[0033]
是则在上一次擦除或编程操作电压上递增
△
v后执行本次擦除或编程操作，否则按照上一次擦除或编程操作电压执行本次擦除或编程操作；
[0034]
操作结束后更新本擦除或编程操作参数已调用次数值；
[0035]
其中
△
v的值按照递增次数进行动态调整。
[0036]
本发明还提供一种用于存储器芯片的参考电流高效调整装置，包括控制模块、存储模块、测试调整模块，其中，
[0037]
所述控制模块中设置有与存储器芯片中每个参考单元相匹配的控制单元，所述控
制单元用于根据测试调整模块送入的预采集数据处理配置得到若干擦除或编程操作参数，并依次对擦除或编程操作参数匹配设置调用触发条件，进而控制测试调整模块对各参考单元执行相应测试调整动作；
[0038]
所述存储模块中设置有与存储器芯片中每个参考单元相匹配的存储单元和计数单元，所述存储单元用于存储擦除或编程操作参数、预设目标电流值、目标电流区间和可调电流范围，所述计算单元用于实时记录本擦除或编程操作参数已调用次数；
[0039]
所述测试调整模块设置有与存储器芯片中每个参考单元相匹配的测试调整单元，所述测试调整单元配置成用于将预先采集待测存储器芯片相关数据送入控制单元进行处理，并配合控制单元、存储单元和计数单元对参考单元交替执行电流验证操作和电流调整操作，具体包括：
[0040]
执行电流验证操作，包括：测试调整单元对存储器芯片中各参考单元执行上电动作，控制单元读取各参考单元的测试参考电流，判断其是否在可调电流范围外，是则标记该芯片为缺损状态并退出验证操作、断开其与测试调整单元的连接，否则判定参考电流是否在目标电流区间中，是则标记该参考单元为完成属性并退出验证操作、断开其与测试调整单元的连接，否则触发执行电流调整操作，包括：
[0041]
控制单元根据测试参考电流与目标电流值对比结果定位所属调用触发条件，调用存储单元中存储的对应擦除或编程操作参数，控制测试调整单元对该存储单元执行擦除或编程操作；
[0042]
对各参考单元交替执行上述电流验证操作和电流调整操作直至存储器芯片或所有参考单元退出验证操作。
[0043]
优选地，所述预先采集待测存储器芯片相关数据具体包括：
[0044]
测试调整模块预先对等规格的存储器芯片，批量系统性的采集基于不同电压和脉冲强度下擦除或编程效果数据，包括参考电流变化值：
[0045]
将效果数据和对应的电压和脉冲强度匹配存储并形成参考数据库；
[0046]
所述存储单元中存储的擦除或编程操作参数包括擦除或编程操作起始电压、起始脉冲强度、最大操作次数，预设增压次数和操作电压递增值
△
v；
[0047]
所述调用对应的擦除或编程操作参数对该存储单元执行擦除或编程操作具体包括：
[0048]
控制单元读取计数单元中本擦除或编程操作参数已调用次数：
[0049]
若超过最大操作次数，则标记该存储单元芯片为缺损状态并退出调整操作、断开与测试调整单元的连接，
[0050]
否则判断已调用次数是否到达预设增压次数：
[0051]
是则在上一次擦除或编程操作电压上递增
△
v后控制测试调整单元执行本次擦除或编程操作，否则按照上一次擦除或编程操作电压执行本次擦除或编程操作；
[0052]
操作结束后更新计数单元中本擦除或编程操作参数已调用次数值；
[0053]
其中
△
v的值按照递增次数进行动态调整。
[0054]
本发明还提供一种多存储器芯片的并行测试系统，包括：
[0055]
若干与各存储器芯片分别匹配设置的如前述的参考电流高效调整装置；
[0056]
其中测试调整模块包括测试机台和探针台，各存储器芯片通过探针台实现与测试
机台连接；
[0057]
总控装置，配置成用于控制各参考电流高效调整装置中的控制模块，从而控制参考电流高效调整装置、测试机台和探针台，按照如前述的参考电流高效调整方法对各存储器芯片并行执行参考电流调整动作。
[0058]
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
[0059]
本发明提出参考电流高效调整方法，通过擦除或编程操作参数的配置和调用触发条件的设置，实现了擦除和编程的强度的动态调整，交替执行的电流验证操作和电流调整操作实现了对存储器芯片中参考电流进行个性化调整，特殊的动态增压操作进一步减少电压阈值调整的次数，能够以最快速度和最低损耗进行参考单元阈值电压的高效调整，调整结果稳定可靠；
[0060]
本发明基于参考电流高效调整方法设计的多存储器芯片的并行测试系统，实现了擦除和编程的完全并行，并根据每颗芯片中各参考单元的不同，针对性的调整擦除和编程强度的值，来实现强度的控制，避免过擦除或过编程导致的时间的增加，也不会为了完全避免过擦除或过编程，选取过弱的条件，导致本身擦除或编程性能弱的芯片，需要很多次的操作才能满足阈值电压设置要求，从而可以以最优的速度达到预设阈值电压，实现并测测试的效率最大化。
[0061]
关于本发明相对于现有技术，其他突出的实质性特点和显著的进步在实施例部分进一步详细介绍。
附图说明
[0062]
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0063]
图1为实施例1中参考电流高效调整方法的流程图；
[0064]
图2为实施例1中擦除或编程操作流程图；
[0065]
图3为实施例2的参考电流高效调整装置结构示意图；
[0066]
图4为实施例3的多存储器芯片的并行测试系统结构示意图。
具体实施方式
[0067]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0068]
需要说明的是，在说明书及权利要求书当中使用了某些名称来指称特定组件。应当理解，本领域普通技术人员可能会用不同名称来指称同一个组件。本技术说明书及权利要求书并不以名称的差异作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的实质性差异作为区分组件的准则。如在本技术说明书和权利要求书中所使用的“包含”或“包括”为一开放式用语，其应解释为“包含但不限定于”或“包括但不限定于”。具体实施方式部分所描述的实施例为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的范围。
[0069]
实施例1
[0070]
请参照图1和2，本实施例提供了一种用于存储器芯片的参考电流高效调整方法，该方法包括：
[0071]
预先采集待测存储器芯片相关数据，具体包括：预先对等规格的存储器芯片，系统性采集基于不同电压和脉冲强度下擦除或编程效果数据，包括参考电流变化值：
[0072]
将效果数据和对应的电压和脉冲强度匹配存储并形成参考数据库；在本实施例中我们可以采用在现有的测试系统上大规模预收集待测存储器芯片的擦除以及编程效果，可以按照预设的程序，逐步增加擦除和编程强度，从而最大可能的获取较多的背景数据；例如可以自动收集整片晶圆的初始参考电流，收集和分析不同调整电压及脉冲宽度对芯片阈值电压的擦除及编程效果，得到初始数据；
[0073]
按照操作前后参考电流差值
△
i的范围配置若干擦除或编程操作参数；具体包括：
[0074]
对应5μa≤
△
i≤50μa配置第一擦除或编程操作参数；
[0075]
对应1μa≤
△
i＜5μa配置第二擦除或编程操作参数；
[0076]
对应0.1μa≤
△
i＜1μa配置第三擦除或编程操作参数；
[0077]
在本实施例中擦除或编程操作参数包括擦除或编程操作起始电压、起始脉冲强度、最大操作次数，预设增压次数和操作电压递增值
△
v，这些参数可以按照擦除和编程分别设置，不做赘述；
[0078]
预设目标电流值、目标电流区间和可调电流范围，并依次对擦除或编程操作参数匹配设置调用触发条件；在目标电流区间为[i
目
‑
δi
p
,i
目
+δi
p
]，所述可调电流范围为i
目
±
δi
a
，其中i
目
为目标电流值，δi
p
为参考电流冗余度，δi
a
为最大可调电流差值，需要说明的是参考电流也就是漏极和源极间电流，一般我们选取目标电流值i
目
为12μa，参考电流冗余度δi
p
为0.3μa，最大可调电流差值δi
a
为50μa，也即若参考电流值与目标电流值差值在50μa以内，我们对其进行调整动作，超过50μa直接认定其为缺陷芯片，如果参考电流值在12μa
±
0.3μa范围内，则可认为参考电流的阈值电压设定已完成，如果不在该范围内，若大于12.3μa或小于11.7μa，则说明需要继续调整参考单元的阈值电压以达到调整参考电流的效果，若小于11.7μa，则需要参考单元执行擦除操作，降低阈值电压，提高参考电流值；如果大于12.3μa，则需要参考单元执行编程操作，提高阈值电压，降低参考电流值；
[0079]
本实施例的调用触发条件具体包括：
[0080]
对应第一擦除或编程操作参数配置第一调用触发条件5μa≤|δi
测
|；
[0081]
对应第二擦除或编程操作参数配置第二调用触发条件1μa≤|δi
测
|＜5μa；
[0082]
对应第三擦除或编程操作参数配置第三调用触发条件δi
p
≤|δi
测
|＜1μa；
[0083]
其中δi
测
为测试参考电流与目标电流间的差值。
[0084]
在实际对存储器芯片进行测试调整时，在测试参考电流与目标电流间的差值过大的情况下触发选用第一擦除或编程操作参数执行擦除过编程操作能够较快将参考电流进行调整，在测试参考电流与目标电流间的差值变小后，继续触发选用第二擦除或编程操作参数或第三擦除或编程操作参数，进行阈值电压微调，避免了过擦除或过编程引起的阈值电压强变化导致参考电流波动幅度过大，从而减少了调整时间，提高了调整效率；
[0085]
执行电流验证操作，包括：对存储器芯片中各参考单元执行上电动作，读取各参考单元的测试参考电流，判断其是否在可调电流范围外，是则标记该芯片为缺损状态并退出验证操作，否则判定参考电流是否在目标电流区间中，是则标记该参考单元为完成属性并
退出验证操作，否则触发执行电流调整操作，包括：
[0086]
根据测试参考电流与目标电流值对比结果定位所属调用触发条件，调用对应的擦除或编程操作参数对该存储单元执行擦除或编程操作，具体包括：
[0087]
读取本擦除或编程操作参数已调用次数：
[0088]
若超过最大操作次数，则标记该存储单元芯片为缺损状态并退出调整操作，
[0089]
否则判断已调用次数是否到达预设增压次数：
[0090]
是则在上一次擦除或编程操作电压上递增
△
v后执行本次擦除或编程操作，否则按照上一次擦除或编程操作电压执行本次擦除或编程操作；
[0091]
操作结束后更新本擦除或编程操作参数已调用次数值；
[0092]
举例说明，若设置第一擦除或编程操作参数中的最大操作次数为3次，预设增压次数为0，第二擦除或编程操作参数中的最大操作次数为10次，预设增压次数为5，第二擦除或编程操作参数中的最大操作次数为30次，预设增加次数为3，若测试参考电流与目标电流间的差值满足5μa≤|δi
测
|，则调用第一擦除或编程操作参数按照起始电压、起始脉冲强度对参考单元执行擦除或编程操作，操作完成后执行验证操作，若验证的测试参考电流与目标电流间的差值满足5μa≤|δi
测
|则调用第一擦除或编程操作参数按照起始电压、起始脉冲强度对参考单元执行擦除或编程操作，若验证后的测试参考电流与目标电流间的差值满足1μa≤|δi
测
|＜5μa，则调用第二擦除或编程操作参数按照起始电压、起始脉冲强度对参考单元执行擦除或编程操作，操作完成后执行验证操作，若验证后的测试参考电流与目标电流间的差值满足δi
p
≤|δi
测
|＜1μa，调用第三擦除或编程操作参数按照起始电压、起始脉冲强度对参考单元执行擦除或编程操作，操作完成后执行验证操作，若验证后的测试参考电流与目标电流间的差值还是满足δi
p
≤|δi
测
|＜1μa，则重复执行擦除或编程操作，若已经重复执行到第三次，则对起始电压增加
△
v后继续对参考单元执行擦除或编程操作，当然起始脉冲强度也可以按比例增加，在这里不做赘述，若执行到第30次，验证后的测试参考电流与目标电流间的差值还是满足δi
p
≤|δi
测
|＜1μa则标记该存储器芯片为缺损状态并退出调整操作，若执行到第5次验证后的测试参考电流与目标电流间的差值满足|δi
测
|≤δi
p
，则标记该存储单元为完成状态并退出调整操作；
[0093]
其中
△
v的值按照递增次数进行动态调整，例如可以设置
△
v按照递增次数增加呈线性增加，也可以按照递增次数的增加逐渐降低
△
v的变化值，这些不做赘述；
[0094]
在这里需要说明的是一般先调节电压，只有电压到了预定范围在调整脉冲强度，其中脉冲强度的调节可以参照电压调节进行步骤设置，在这里不做赘述；
[0095]
在本实施例中对触发条件进行多挡设置，通过调整擦除编程的操作参数，针对存储器芯片之间参考单元的差异性匹配进行电流调整动作，以减少测试调整时间；
[0096]
同时针对可能出现的存储器芯片缺陷，设置了缺陷认定条件，在擦除或编程操作连续最大操作次数无效果时，则判定该芯片存在缺陷，进一步的在同等调整触发条件下，按照相同调用触发条件下操作每增加预设增压次数，则进行擦除或编程操作电压上递增
△
v执行擦除或编程操作，一方面增加了调整的成功率，节约了调整时间，另一方面在也实现了在相同调用触发条件下调整操作的动态可变性，也在越接近目标电流区间时，实现了参考电流的精确快速调整；
[0097]
对各参考单元交替执行上述电流验证操作和电流调整操作直至存储器芯片或所
有参考单元退出验证操作。
[0098]
实施例2
[0099]
请参照图3，本实施例提供一种用于存储器芯片的参考电流高效调整装置，包括控制模块、存储模块、测试调整模块，其中
[0100]
所述控制模块中设置有与存储器芯片中每个参考单元相匹配的控制单元，所述控制单元用于根据测试调整模块送入的预采集数据处理配置得到若干擦除或编程操作参数，并依次对擦除或编程操作参数匹配设置调用触发条件，进而控制测试调整模块对各参考单元执行相应测试调整动作；
[0101]
在本实施例中预先采集待测存储器芯片相关数据具体包括：
[0102]
测试调整模块预先对等规格的存储器芯片，批量系统性的采集基于不同电压和脉冲强度下擦除或编程效果数据，包括参考电流变化值：
[0103]
将效果数据和对应的电压和脉冲强度匹配存储并形成参考数据库；
[0104]
在本实施例中若干擦除或编程操作参数，具体包括：
[0105]
对应5μa≤
△
i≤50μa配置第一擦除或编程操作参数；
[0106]
对应1μa≤
△
i＜5μa配置第二擦除或编程操作参数；
[0107]
对应0.1μa≤
△
i＜1μa配置第三擦除或编程操作参数；
[0108]
在本实施例中配置的调用触发条件，具体包括：
[0109]
对应第一擦除或编程操作参数配置第一调用触发条件5μa≤|δi
测
|；
[0110]
对应第二擦除或编程操作参数配置第二调用触发条件1μa≤|δi
测
|＜5μa；
[0111]
对应第三擦除或编程操作参数配置第三调用触发条件δi
p
≤|δi
测
|＜1μa；
[0112]
其中δi
测
为测试参考电流与目标电流间的差值。
[0113]
所述存储模块中设置有与存储器芯片中每个参考单元相匹配的存储单元和计数单元，所述存储单元用于存储擦除或编程操作参数、预设目标电流值、目标电流区间和可调电流范围，所述计算单元用于实时记录本擦除或编程操作参数已调用次数；
[0114]
在本实施例中目标电流区间为[i
目
‑
δi
p
,i
目
+δi
p
]，所述可调电流范围为i
目
±
δi
a
，其中i
目
为目标电流值，δi
p
为参考电流冗余度，δi
a
为最大可调电流差值；
[0115]
在本实施例中存储单元中存储的擦除或编程操作参数包括擦除或编程操作起始电压、起始脉冲强度、最大操作次数，预设增压次数和操作电压递增值
△
v；
[0116]
所述测试调整模块设置有与存储器芯片中每个参考单元相匹配的测试调整单元，所述测试调整单元配置成用于将预先采集待测存储器芯片相关数据送入控制单元进行处理，并配合控制单元、存储单元和计数单元对参考单元交替执行电流验证操作和电流调整操作，具体包括：
[0117]
执行电流验证操作，包括：测试调整单元对存储器芯片中各参考单元执行上电动作，控制单元读取各参考单元的测试参考电流，判断其是否在可调电流范围外，是则标记该芯片为缺损状态并退出验证操作、断开其与测试调整单元的连接，否则判定参考电流是否在目标电流区间中，是则标记该参考单元为完成属性并退出验证操作、断开其与测试调整单元的连接，否则触发执行电流调整操作，包括：
[0118]
控制单元根据测试参考电流与目标电流值对比结果定位所属调用触发条件，调用存储单元中存储的对应擦除或编程操作参数，控制测试调整单元对该存储单元执行擦除或
编程操作；
[0119]
在本实施例中调用对应的擦除或编程操作参数对该存储单元执行擦除或编程操作具体包括：
[0120]
控制单元读取计数单元中本擦除或编程操作参数已调用次数：
[0121]
若超过最大操作次数，则标记该存储单元芯片为缺损状态并退出调整操作、断开与测试调整单元的连接，
[0122]
否则判断已调用次数是否到达预设增压次数：
[0123]
是则在上一次擦除或编程操作电压上递增
△
v后控制测试调整单元执行本次擦除或编程操作，否则按照上一次擦除或编程操作电压执行本次擦除或编程操作；
[0124]
操作结束后更新计数单元中本擦除或编程操作参数已调用次数值；
[0125]
其中
△
v的值按照递增次数进行动态调整。
[0126]
对各参考单元交替执行上述电流验证操作和电流调整操作直至存储器芯片或所有参考单元退出验证操作。
[0127]
实施例3
[0128]
请参照图4本实施例提供一种多存储器芯片的并行测试系统，包括：
[0129]
若干与各存储器芯片分别匹配设置的如实施例2所述的参考电流高效调整装置；
[0130]
其中测试调整模块包括测试机台和探针台，各存储器芯片通过探针台实现与测试机台连接；
[0131]
总控装置，配置成用于控制各参考电流高效调整装置中的控制模块，从而控制参考电流高效调整装置、测试机台和探针台，按照如实施例1所述的参考电流高效调整方法对各存储器芯片并行执行参考电流调整动作。
[0132]
本系统用在整片晶圆的并行测试过程中，为每个待测参考单元配置了一个存储单元和控制单元，控制单元用来生成下一步对参考单元的具体操作指令，擦除还是编程，存储单元用来存当操作以及判断所需的各类数据，通过该系统实现了擦除和编程的完全并行，可以通过根据每颗芯片中参考单元所需擦除跟编程强度的不同，针对性的调整存储单元的值，来实现强度的控制，避免过擦除/过编程导致的时间的增加，也不会因为为了完全避免过擦除/过编程，选取过弱的条件，导致本身擦除/编程性能弱的芯片中的参考单元，需要很多次的操作才能满足阈值电压设置要求，从而可以以最优的速度达到阈值电压，实现并测测试的效率最大化。
[0133]
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0134]
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。