用于极性写入存储器单元的可变极性读取操作的制作方法

用于极性写入存储器单元的可变极性读取操作
1.交叉参考
2.本专利申请案主张2020年2月21日申请的托尔托雷利(tortorelli)等人的名为“用于极性写入存储器单元的可变极性读取操作(varying-polarity read operations for polarity-written memory cells)”的第16/797,432号美国专利申请案的优先权，所述申请案转让给本受让人且所述申请案的全文以引用的方式明确地并入本文中。
技术领域
3.技术领域涉及用于极性写入存储器单元的可变极性读取操作。


背景技术：

4.以下内容大体上涉及一或多个存储器系统，且更具体地涉及用于极性写入存储器单元的可变极性读取操作。
5.存储器装置广泛用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及其类似者的各种电子装置中存储信息。信息通过使存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储。举例来说，二元存储器单元可经编程为通常通过逻辑1或逻辑0指明的两个经支持状态中的一者。在一些实例中，单一存储器单元可支持两个以上状态，所述状态中的任一者可予以存储。为了存取所存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一种所存储状态。为了存储信息，组件可对存储器装置中的状态进行写入或编程。
6.存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫族化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。
附图说明
7.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的系统的实例。
8.图2说明根据如本文中所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的存储器裸片的实例。
9.图3说明根据如本文所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的存储器阵列的实例。
10.图4说明根据如本文所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的时序图的实例。
11.图5说明根据如本文所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的框图的实例。
12.图6展示根据本公开的方面的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的存储器装置的框图。
13.图7到9展示根据如本文中所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的一或多个方法的流程图。
具体实施方式
14.对于一些存储器单元，通过存储器单元存储的逻辑值可至少部分地取决于先前用以对存储器单元进行写入(编程)的电压的极性。此类存储器单元可被称作极性写入或极性可编程存储器单元。举例来说，一些存储器单元，例如一些硫族化合物类存储器单元，可具有存储器单元变得导电(即，存储器单元接通以允许电流流动或至少具有在阈值以下的电阻)所在的阈值电压，且此类存储器单元的阈值电压(例如，如通过感测组件所观测、感测或以其它方式确定)可取决于最近用以对存储器单元进行写入的电压的极性。施加到(例如，横越)存储器单元以对存储器单元进行写入的电压可被称作写入电压，且在一些情况下可经施加作为被称作写入脉冲的电压脉冲。
15.作为一个说明性实例，施加具有正极性的写入电压到存储器单元可致使存储器单元具有可与第一逻辑值(例如，逻辑1)相关联的相对高的阈值电压，且施加具有负极性的写入电压到存储器单元可致使存储器单元具有可与第二逻辑值(例如，逻辑0)相关联的相对低的阈值电压。应理解，在此及本文中的其它实例中，正性及负性到不同极性的任何指派及特定逻辑值到存储器单元的任何不同物理状态的任何指派为非限制性的，且可经变更而不背离本文中的教示内容。
16.为了读取存储器单元，读取电压可施加到存储器单元(例如，作为电压脉冲，其可被称作读取脉冲)，且响应于读取电压(例如，当读取电压经施加时)流过存储器单元的电流的存在或不存在(例如，高于阈值量，或突返事件的存在或不存在)可经使用(例如，感测)以确定先前写入到存储器单元且因此通过存储器单元存储的逻辑值。读取电压可具有介于与不同逻辑值相关联的相对低的阈值电压与相对高的阈值电压之间的量值(例如，幅度)，使得存储器单元仅在低阈值电压状态下响应于读取电压将变成导电的，且相对低的阈值电压与相对高的阈值电压之间的差可被称作读取窗。
17.在一些情况下，存储器单元的经观测(例如，所感测)阈值电压可取决于存储器单元的读取电压的极性与操作性(例如，最近)写入电压的极性之间的关系。举例来说，存储器单元在操作性写入极性不同于读取极性的情况下可被感测为具有高阈值电压，且存储器单元在操作性写入极性与读取极性相同的情况下可被感测为具有低阈值电压。因此，如果例如使用负极性读取电压，那么正极性写入电压可与高阈值电压及对应的逻辑值(例如，逻辑1)相关联，且负极性写入电压可与低阈值电压及对应逻辑值(例如，逻辑0)相关联，如在以上实例中一般。在一些情况下，高阈值电压状态可替代地被称作设定状态，且低阈值电压状态可替代地被称作重设状态。
18.在一些情况下，存储器单元的阈值电压的绝对值经编程为至少一个状态的绝对值可随时间改变，其可被称作漂移。举例来说，存储器单元的经编程为高阈值电压状态的阈值电压可倾向于随时间向下漂移，从而增大读取此类存储器单元时的错误的风险(例如，读取此类存储器单元为具有低阈值电压而不管存储器单元先前已经编程以具有高阈值电压)。在一些情况下，处于所有状态的存储器单元的阈值电压可在一个方向或另一方向上漂移，但编程到高阈值电压状态的存储器单元相较于编程到低阈值电压状态的存储器单元可以
更快速率漂移。具有电压漂移的较高倾向或速率的存储器单元可限制采用那些存储器单元的装置的有用性及性能。
19.在一些情况下，随着存储器阵列经操作，各种子阈值电压可施加到正经写入及读取的存储器单元之间的存储器单元。子阈值电压可在存储器单元的阈值电压以下(例如，相较于写入电压量值较小)，但仍可通过使得存储器单元的阈值电压朝向与子阈值电压的极性相关联的状态漂移而“软编程”存储器单元。作为一个实例，在一些存储器架构中，当存储器阵列中的存储器单元经写入或读取时，存储器阵列中的另一存储器单元可体验到子阈值电压。通过施加到其它存储器单元的写入或读取电压引起的漂移在一些情况下可被称作偏压漂移。作为另一实例，当存储器单元经读取时，如果存储器单元是处于高阈值电压状态，那么读取电压可为施加到存储器单元的子阈值电压的实例。通过施加到存储器单元的读取电压引起的漂移在一些情况下可被称作读取干扰。
20.在一些情况下，对于极性写入存储器单元，如果具有相同极性的读取脉冲经重复(例如，连续)地施加，那么使用具有与读取脉冲相对的极性的写入脉冲先前写入的存储器单元可朝向与读取脉冲极性相关联的状态偏移。在此类情况下，读取窗的大小可减小，且甚至对先前写入逻辑值的非所欲改变可发生。归因于偏压漂移、读取扰乱或其它类似机制的存储器单元状况(例如，状态)的改变可减小存储器装置的总体性能及效率。
21.根据本文中的教示，读取电压的极性可发生变化，以便有时使用正极性读取电压且在其它时间使用负极性电压。在一些实例中，使读取电压的极性发生变化可避免将存储器单元软编程成两个状态中的一者(例如，将存储器单元编程为与给定极性相关联的状态)。在一些情况下，读取脉冲的极性可基于随机确定或型式(例如，交替型式)而发生变化。举例来说，读取脉冲的极性可发生变化，使得一些读取脉冲为一个极性(例如，正)且一些读取脉冲为另一极性(例如，负)。读取脉冲极性的变化可通过存储器装置或主机装置控制(例如，基于主机装置发布极性特定读取命令或以其它方式指示读取极性)。对于读取脉冲的一个极性，所感测逻辑值可经直接输出，且对于读取脉冲的另一极性，所感测逻辑值可经反转以抵消使用具有不同极性的读取脉冲的影响。
22.如本文所描述的此类技术可通过避免越过相同存储器单元的具有同一极性的连续或其它经重复子阈值电压来减轻电压漂移及读取扰乱的影响连同可由所属领域的技术人员了解的其它益处。举例来说，位错误率可经减小，或存储器装置的性能可以其它方式来改进。另外，在一些情况下，与用于减轻电压漂移及读取干扰的效应(例如，基于从操作性写入电压起的经过时间调整读取电压的量值)的其它技术的相关联的复杂度可经有益地减小或被完全避免。
23.本公开的特征最初在如参看图1到3所描述的存储器系统、裸片及单元的内容背景中加以描述。本公开的特征在如参看图4及5描述的时序图及框图的内容背景中描述。本公开的这些及其它特征进一步通过设备图及流程图说明，且参看所述设备图及流程图来描述，所述设备图及流程图涉及如参看图6到9描述的针对极性写入存储器单元的可变极性读取操作。
24.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110及耦合主机装置105与存储器装置110的多个通道115。系统100可包含一或多个存储器装置，但一或多个存储器装
置110的方面可在单一存储器装置(例如，存储器装置110)的内容背景下进行描述。
25.系统100可包含电子装置的部分，电子装置例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、载具或其它系统。举例来说，系统100可说明以下各者的方面：计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝电话、可穿戴式装置、互联网连接的装置、载具控制器或其类似者。存储器装置110可为系统的可操作以存储系统100的一或多个其它组件的数据的组件。
26.系统100的至少数个部分可为主机装置105的实例。主机装置105可为在使用存储器来执行过程的装置内，例如在以下各者内的处理器或其它电路的实例：计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝电话、可穿戴式装置、互联网连接的装置、载具控制器，或某其它静止或便携式电子装置，以及其它实例。在一些实例中，主机装置105可指实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可被称作主机或主机装置105。
27.存储器装置110可为可操作以提供物理存储器地址/空间的独立装置或组件，物理存储器地址/空间可由系统100使用或参考。在一些实例中，存储器装置110可为可配置的以与一或多种不同类型的主机装置105一起起作用。主机装置105与存储器装置110之间的信令可操作以支持以下各者中的一或多者：用以调制信号的调制方案、用于传达信号的各种引脚配置、用于主机装置105及存储器装置110的物理封装的各种外观尺寸、主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令及同步、时序定则或其它因素。
28.存储器装置110可操作以存储主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当对主机装置105的从属类型装置(例如，对由主机装置105经由外部存储器控制器120提供的命令做出响应并执行所述命令)。此类命令可包含以下各者中的一或多者：用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令，或其它命令。
29.主机装置105可包含以下各者中的一或多者：外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(bios)组件130，或其它组件，例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器。主机装置的组件可使用总线135彼此耦合。
30.处理器125可操作以为系统100的至少数个部分或主机装置105的至少数个部分提供控制或其它功能性。处理器125可为通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些组件的组合。在这些实例中，处理器125可为中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、通用gpu(gpgpu)或片上系统(soc)的实例，以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可通过处理器125的部分来实施或为所述处理器的部分。
31.bios组件130可为包含作为固件而操作的bios的软件组件，所述软件组件可初始化且执行系统100或主机装置105的各种硬件组件。bios组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各种组件之间的数据流。bios组件130可包含存储于只读存储器(rom)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多者中的程序或软件。
32.存储器装置110可包含装置存储器控制器155及一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持所要容量或指定容量用于数据存储。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器
165-n)及存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-n)。存储器阵列170可为存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个存储单元、一或多个贴块、一或多个区段)，其中每一存储器单元可操作以存储至少一个位的数据。包含两个或多于两个存储器裸片的存储器装置110可被称作多裸片存储器或多裸片封装或多芯片存储器或多芯片封装。
33.装置存储器控制器155可包含可操作以控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含硬件、固件或指令，前述各者使得存储器装置110能够执行各种操作且可操作以接收、传输或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可操作以与外部存储器控制器120、一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多者通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中描述的存储器装置110的操作。
34.在一些实例中，存储器装置110可从主机装置105接收数据或命令或两者。举例来说，存储器装置110可接收指示存储器装置110存储针对主机装置105的数据的写入命令或指示存储器装置110提供存储于存储器裸片160中的数据到主机装置的读取命令。
35.在一些情况下，主机装置105可控制通过存储器装置110使用的读取电压的极性。举例来说，主机装置105可通过发布不同类型的读取命令来控制读取电压的极性，所述读取命令是例如使用第一极性读取电压读取存储器单元的第一命令(例如，读取正命令)，及使用第二极性读取电压读取存储器单元的第二命令(例如，读取负命令)。在一些此类情况下，每一读取命令包含一或多个关联读取电压的极性的指示，或以其它方式与所述指示相关联。主机装置105可使读取电压的极性随机化，或根据某型式(例如，交替型式)使读取电压的极性发生变化。
36.在一些情况下，存储器装置110(例如，存储器装置110内的控制器)可控制读取电压的极性。举例来说，存储器装置110可控制读取电压极性，其中读取脉冲的极性为随机的。在此类情况下，存储器装置110可基于随机确定来确定使用读取电压的给定极性。在其它实例中，存储器装置110可控制读取电压极性，其中读取电压的极性并非随机的。在此类情况下，存储器装置110可基于先前读取电压的极性(例如，根据某型式，例如交替型式，其中下一读取电压极性为因此基于型式及一或多个先前读取电压极性确定的极性)来确定将给定极性用于读取电压。
37.本地存储器控制器165(例如，对于存储器裸片160为本地的)可操作以控制存储器裸片160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155通信(例如，接收或传输数据或命令或两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含装置存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器120可执行本文中所描述的各种功能。因而，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155通信、与其它本地存储器控制器165通信，或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。可包含于装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或两者中的组件的实例可包含用于接收信号(例如，从外部存储器控制器120)的接收器、用于传输信号(例如，到所述外部存储器控制器120)的发射器、用于解码或解调接收的信号的解码器、用于编码或调制待传输的信号的编码器，或用于支持装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或两者的所描述操作的各种其它电路或控制器。
38.外部存储器控制器120可操作以启用信息、数据或命令中的一或多者在系统100或主机装置105的组件(例如，处理器125)与存储器装置110之间的通信。外部存储器控制器120可转换或转译在主机装置105的组件与存储器装置110之间所交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或者系统100或主机装置105的其它组件，或其在本文中描述的功能可通过处理器125来实施。举例来说，外部存储器控制器120可为硬件、固件或软件，或通过处理器125或者系统100或主机装置105的其它组件实施的某组合。尽管外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或其在本文中描述的功能可通过存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，或反之亦然。
39.主机装置105的组件可使用一或多个通道115与存储器装置110交换信息。通道115可操作以支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每一通道115可为在主机装置105与存储器装置之间携载信息的传输媒体。每一通道115可包含在与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。信号路径可为可操作以携载信号的导电路径的实例。举例来说，通道115可包含第一端子，所述第一端子包含在主机装置105处的一或多个引脚或衬垫，及存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可为系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可操作以充当通道的部分。
40.通道115(及关联信号路径及端子)可专用于传达一或多种类型的信息。举例来说，通道115可包含一或多个命令及地址(ca)通道186、一或多个时钟信号(ck)通道188、一或多个数据(dq)通道190、一或多个其它通道192或其组合。在一些实例中，信令可使用单一数据速率(sdr)信令或双数据速率(ddr)信令在通道115上传达。在sdr信令中，信号的一个调制符号(例如，信号电平)可经注册历时每一时钟循环(例如，在时钟信号的上升或下降边缘上)。在ddr信令中，信号的两个调制符号(例如，信号电平)可经注册历时每一时钟循环(例如，在时钟信号的上升边缘及下降边缘两者上)。
41.图2说明根据如本文中所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的存储器裸片200的实例。存储器裸片200可为参看图1所描述的存储器裸片160的实例。在一些实例中，存储器裸片200可被称作存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可包含一或多个存储器单元205，所述一或多个存储器单元可各自为编程的以存储不同逻辑值(例如，一组两个或两个以上可能状态中的经编程逻辑值)。举例来说，存储器单元205可操作以每次存储一个位的信息(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元205(例如，多层级存储器单元205)可操作以每次存储一个以上位的信息(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。在一些实例中，存储器单元205可布置成阵列，例如参看图1描述的存储器阵列170。
42.存储器单元205可使用可配置材料存储逻辑值，所述可配置材料可被称作存储器元件、存储器存储元件、材料元件、材料存储器元件、材料部分，或极性写入材料部分，等。存储器单元205的可配置材料可指硫族化合物类存储组件，如参看图3更详细地描述。在一些情况下，可配置材料可基于先前施加到可配置材料(例如，施加到包含可配置材料的存储器单元205)的电压(例如，写入电压)的极性显现不同阈值电压。在一些情况下，通过可配置材料显现的阈值电压可进一步是基于可操作以感测阈值电压的读取电压的极性(例如，读取电压具有与先前施加写入电压相同还是不同的极性)。
43.存储器裸片200可包含以型式，例如类栅格型式布置的存取线(例如，行线210及列线215)。存取线可由一或多个导电材料形成。在一些实例中，行线210可被称作字线。在一些实例中，列线215数字线或或位线。对存取线、行线、列线、字线、数字线或位线或其类似物的参考是可互换的，而不会损害理解或操作。存储器单元205可定位于行线210与列线215的交叉点处。
44.例如读取及写入的操作可通过激活或选择存取线，例如行线210或列线215中的一或多者对存储器单元205执行以便施加所要电压到存储器单元205。通过使行线210及列线215偏压(例如，施加电压到行线210或列线215)，单一存储器单元205可在其所要交叉点处存取。二维或三维配置中行线210与列线215的交叉点可被称作存储器单元205的地址。存取线可为与存储器单元205耦合的导线，且可用以对存储器单元205执行存取操作。
45.可经由行解码器220或列解码器225控制存取存储器单元205。举例来说，行解码器220可从本地存储器控制器260接收行地址且基于所接收的行地址激活行线210。列解码器225可从本地存储器控制器260接收列地址且可基于所接收的列地址激活列线215。
46.感测组件230可操作以检测存储器单元205的状态(例如，材料状态、电阻、阈值电压状态)，且基于检测到的状态确定存储器单元205的逻辑值。感测组件230可包含一或多个感测放大器以放大或以其它方式转换由存取存储器单元205产生的信号。感测组件230可比较从存储器单元205检测的信号与参考信号235(例如，参考电压)。存储器单元205的所检测逻辑值可经提供为感测组件230的输出端(例如，到输入/输出端240)，且可指示检测到的逻辑值到包含存储器裸片200的存储器装置的另一组件。在一些情况下，感测组件230可位于存储器单元205与列解码器225之间，如图2的实例中所展示。在其它状况下，列解码器225可位于存储器阵列的存储器单元205与感测组件230之间。另外，感测组件230在一些情况下可包含少于存储器阵列包含列线215的感测放大器，其在一些此类情况下可通过位于存储器阵列的存储器单元205与感测组件230之间的列解码器225支持。
47.本地存储器控制器260可控制透过各种组件(例如，行解码器220、列解码器225、感测组件230)存取对存储器单元205。本地存储器控制器260可为参看图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些实例中，行解码器220、列解码器225及感测组件230中的一或多者可与本地存储器控制器260共置。本地存储器控制器260可操作以从一或多个不同存储器控制器(例如，与主机装置105相关联的外部存储器控制器120、与存储器裸片200相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多者，将命令或数据(或两者)转译成可由存储器裸片200使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，且基于执行一或多个操作而将数据从存储器裸片200传达到主机装置105。本地存储器控制器260可产生行信号及列地址信号以激活目标行线210及目标列线215。本地存储器控制器260还可产生及控制在存储器裸片200的操作期间使用的各种电压或电流。大体上，本文所论述的所施加电压或电流的幅值、形状或持续时间可予以变化，且针对操作存储器裸片200中所论述的各种操作而可不同。
48.本地存储器控制器260可操作以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行一或多个存取操作。存取操作的实例可包含写入操作、读取操作、刷新操作、预充电操作或激活操作等。在一些情况下，与存取操作相关联的存取命令可接收自主机装置(图中未示)且通过存储器阵列上的存储器装置来执行。在一些实例中，存取操作可响应于各种存取命
令(例如，从主机装置105)通过本地存储器控制器260执行或通过本地存储器控制器以其它方式协调。本地存储器控制器260可操作以执行此处未列出的其它存取操作或与存储器裸片200的操作相关的其它操作，所述其它操作并非与存取存储器单元205直接相关。
49.本地存储器控制器260可操作以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器单元205可经编程以存储所要逻辑值。本地存储器控制器260可识别执行写入操作所针对的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可识别目标行线210及与目标存储器单元205(例如，目标存储器单元205的地址)耦合的目标列线215。本地存储器控制器260(例如，经由行解码器220及列解码器225的控制)可使得目标行线210及目标列线215具有特定电压，且由此在写入操作期间施加特定信号(例如，具有所要极性的写入脉冲或其它写入电压)到存储器单元205以将特定状态存储于存储器单元205的存储元件中。用作写入操作的部分的脉冲可包含持续时间上的一或多个电压电平。
50.本地存储器控制器260还可操作以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行读取操作(例如，感测操作)。在读取操作期间，可确定存储于存储器裸片200的存储器单元205中的逻辑值。本地存储器控制器260可识别执行读取操作所针对的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可识别目标行线210及与目标存储器单元205(例如，目标存储器单元205的地址)耦合的目标列线215。本地存储器控制器260(例如，经由行解码器220及列解码器225的控制)可使得目标行线210及目标列线215具有特定电压，且由此施加特定信号(例如，具有所要极性的读取脉冲或其它读取电压)到存储器单元205。感测组件230可检测接收自存储器单元205的信号，所述信号是基于施加到存储器单元205的读取电压，例如指示存储器单元205的电阻或阈值特性的信号。感测组件230可放大信号。本地存储器控制器260可激活感测组件230(例如，锁存感测组件)，且由此比较接收自存储器单元205的信号与参考信号235。基于所述比较或以其它方式，感测组件230可确定通过存储器单元205存储的逻辑值。用作读取操作的部分的脉冲可包含持续时间上的一或多个电压电平。
51.读取电压作为读取操作的部分可被称作分界电压。在一些情况下，响应于施加读取电压，如果存储器单元205是处于低阈值电压，那么存储器单元205可咬合(snap)(例如，通过使通过存储器单元205的电流增大同时越过存储器单元205的电压减小而显现负电阻，其也可被称作显现或经历突返事件)，且如果存储器单元205是处于高阈值电压，那么存储器单元205可避免被咬合。
52.包含存储器裸片200的存储器系统可使读取电压的极性发生变化以避免软编程或以其它方式使得存储器单元205不当地漂移朝向或漂移到任何特定状态(例如，与写入电压的特定极性相关联的阈值电压)。读取电压极性的变化可为随机的，或是根据一些预定义型式(例如，交替以便翻转读取极性历时每一读取脉冲)。使读取极性变化(例如，翻转)可具有各种益处。举例来说，经编程以存储一或多个逻辑值的存储器单元的阈值电压分布的基于时间的漂移可减小(例如，被消除)。另外或替代地，可增大读取窗，且可改进存储器系统的总体性能。另外或替代地，例如，单一读取电压量值可予以使用(例如，而非使用读取电压的两个或两个以上不同幅值以虑及阈值电压随时间的漂移)，此情形例如提供复杂度或成本相关益处。
53.图3说明根据如本文所公开的实例的支持针对极性写入存储器单元的可变极性读
取操作的存储器阵列300的实例。存储器阵列300可为如参看图1及2描述的存储器阵列或存储器裸片的部分的实例。存储器阵列300可包含定位于衬底(图中未示)上方的存储器单元的第一盖板305及在第一阵列或盖板305的顶部上的存储器单元的第二盖板310。尽管存储器阵列300的实例包含两个盖板305、310，但存储器阵列300可包含任何数量个盖板(例如，一个或两个以上)。
54.存储器阵列300还可包含行线210-a、行线210-b、行线210-c、行线210-d、列线215-a，及列线215-b，前述各者可为行线210及列线215的实例，如参看图2所描述。第一盖板305及第二盖板310的存储器单元可各自包含存取线之间的导柱中的一或多种硫族化物类材料。举例来说，存取线之间的单一堆叠可包含以下各者中的一或多者：第一电极、第一硫族化物材料(例如，选择器组件)、第二电极、第二硫族化物类材料(例如，存储元件)或第三电极。尽管包含于图3中的一些元件以数字指示符标记，但其它对应元件未被标记，但在努力提高所描绘特征的可视性及清晰度的过程中，所述元件相同或将理解为类似的。
55.第一盖板305的存储器单元可包含电极325-a、存储元件320-a或电极325-b中的一或多者。第二盖板310的存储器单元可包含电极325-c、存储元件320-b及电极325-d。存储元件320可为可配置(例如，硫族化物)材料，例如相变存储元件或自选择存储元件的实例。在一些实例中，第一盖板305及第二盖板310的存储器单元具有共同导线，使得一或多个盖板305及一或多个盖板310的对应存储器单元可共享列线215或行线210。举例来说，第二盖板310的第一电极325-c及第一盖板305的第二电极325-b可与列线215-a耦合，使得列线215-a可由垂直相邻的存储器单元共享。
56.在一些实例中，存储元件320的材料可包含硫族化物材料或其它合金，包含硒(se)、碲(te)、砷(as)、锑(sb)、碳(c)、锗(ge)、硅(si)或铟(in)，或者其各种组合。在一些实例中，主要具有硒(se)、砷(as)及锗(ge)的硫族化物材料可被称作sag合金。在一些实例中，sag合金还可包含硅(si)，且此类硫族化物材料可被称作sisag合金。在一些实例中，sag合金可包含硅(si)或铟(in)或其组合，且此类硫族化物材料可分别被称作sisag合金或insag合金，或其组合。在一些实例中，硫族化物玻璃可包含各自呈原子或分子形式的额外元素，例如氢(h)、氧(o)、氮(n)、氯(cl)或氟(f)。
57.在一些实例中，例如对于对存储器单元定限或自选择存储器单元，所述一组状态(例如，可辨别的阈值电压或阈值电压范围)中的一些或所有及通过存储器阵列300的存储器单元支持的关联逻辑值可与存储元件320的非晶态相关联。在这些实例中，用于存储元件320中的材料可为合金(例如，上文列举的合金)，且可经操作以便在存储器单元的正常操作期间不经受相变(例如，可能不经受相对结晶状态与相对非晶态之间的相变)。举例来说，存储元件320的材料可为包含例如砷的化学元素的硫族化物材料，所述化学元素禁止硫族化物改变状态。
58.在存储器阵列300的存储器单元的编程(写入)操作期间，用于写入操作的极性可影响(确定、设定、编程)存储器单元的存储元件320的特定行为或特性，例如材料的阈值电压。存储元件320的材料的取决于通过存储元件320的材料存储的逻辑值的阈值电压差(例如，当材料正存储逻辑0对逻辑1时，阈值电压之间的差)可对应于存储元件320的读取窗。
59.在一些实例中，存储器阵列300的架构可被称作交叉点架构，其中存储器单元形成于行线210与列线215之间的拓朴交叉点处。与其它存储器架构相比，此交叉点架构可运用
较低生产成本提供相对高密度数据存储装置。举例来说，交叉点架构可具有具减小面积的存储器单元，且因而与至少某其它架构相比可具有增大的存储器单元密度。举例来说，相较于具有6f2存储器单元区域的其它架构，例如三端子选择器元件的那些，架构可具有4f2存储器单元区域，其中f为最小特征大小。
60.虽然图3的实例展示两个存储器盖板，但其它配置为可能的。在一些实例中，存储器单元的单个存储器盖板可经建构在衬底上方，其可被称作二维存储器。在一些实例中，存储器单元的两个或两个以上盖板可以类似方式经配置于三维交叉点架构中。另外，在一些情况下，展示在图3中且参看图3描述的元件可如所展示或描述彼此电耦合，且物理上予以重新布置(例如，存储元件320及可能选择元件或电极325可电串联于行线210与列线215之间，但不必处于柱配置或堆叠配置)。
61.在交叉点架构中，因为共同行线210及列线215，对各种存储器单元进行读取或写入可导致存储器阵列300中的其它存储器单元具有越过其施加的电压。举例来说，子阈值电压可越过非目标存储器单元放置，所述子阈值电压可影响非目标存储器单元的阈值电压。在一些情况下，当读取存储器单元时，如果施加针对两个逻辑值的阈值电压之间的读取电压，那么存储器单元的状态可被冲击(例如，使得偏移)朝向与读取电压相同的极性的写入电压相关联的阈值电压。为了减轻这些及其它效应，用以读取存储器阵列300的存储器单元的读取脉冲的极性可发生变化。举例来说，读取脉冲的极性可通过主机装置或通过存储器装置而发生变化。另外，读取脉冲的极性可随机地或根据型式而发生变化。在此类情况下，施加到存储器阵列300的存储器单元的具有第一极性的读取脉冲(例如，具有第一极性的软写入)的影响可通过具有第二极性的读取脉冲来取消或减轻(例如，运用第二极性的刷新)。
62.图4说明根据如本文所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的时序图400的实例。时序图400包含可施加到同一存储器单元的写入脉冲410及读取脉冲415的实例。每一写入脉冲410可具有相应持续时间420及相应量值425。每一读取脉冲415可具有相应持续时间430及相应量值435。在一些实例中，读取脉冲415-a、415-c及415-e可为各自具有相同(例如，负)极性的读取脉冲415的第一子集的实例，且读取脉冲415-b、415-d及415-f可为各自具有相同(例如，正)极性的读取脉冲415的第二子集的实例。
63.存储器装置可接收与各种逻辑值相关联的写入命令，且响应于每一写入命令，存储器装置可施加对应写入脉冲以写入(存储、编程)关联逻辑值到存储器单元。对应写入脉冲的极性可基于关联逻辑值(例如，正写入脉冲极性可用以写入逻辑1，且负写入脉冲极性可用以写入逻辑0)。一旦任何逻辑值通过存储器单元存储，逻辑值便可使用具有任一极性的读取脉冲415来确定。写入脉冲410或读取脉冲415可为电压脉冲的实例，且可替代地被视为写入电压或读取电压。
64.因此，作为一系列写入及读取命令以及关联的写入及读取脉冲的一个说明性实例，存储器装置可接收与存储器单元的第一逻辑值相关联的第一写入命令。响应于第一写入命令，存储器装置可施加具有第一极性的写入脉冲410-a(例如，写入电压)到存储器单元。举例来说，写入脉冲410-a可具有正极性。存储器单元可基于写入脉冲410-a的极性来存储第一逻辑值。举例来说，基于写入脉冲410-a的正极性，存储器单元可在使用具有负(不同)极性的读取脉冲随后感测的情况下经感测为具有高阈值电压，且在使用具有正(相同)极性的读取脉冲随后感测的情况下经感测为具有低的阈值电压。
65.在接收第一写入命令之后的某时间，存储器装置可接收存储器单元的第一读取命令。响应于第一读取命令，存储器装置可施加读取脉冲415-a。读取脉冲415-a的极性可为负的，且因此存储器单元可被感测为具有高阈值电压。
66.在接收第一读取命令之后的某时间，存储器装置可接收存储器单元的第二读取命令。响应于第二读取命令，存储器装置可施加读取脉冲415-b。读取脉冲415-b可具有正极性，且因此存储器单元可被感测为具有低阈值电压。
67.在接收到第二读取命令之后的某时间，存储器装置可接收存储器单元的第三读取命令。响应于第三读取命令，存储器装置可施加读取脉冲415-c。读取脉冲415-c的极性可为负的，且因此存储器单元可被感测为具有高阈值电压。
68.在接收第三读取命令之后的某时间，存储器装置可接收与存储器单元的第二逻辑值相关联的第二写入命令。响应于第二写入命令，存储器装置可施加具有第二极性的写入脉冲410-b(例如，写入电压)到存储器单元。举例来说，写入脉冲410-b可具有负极性。存储器单元可基于写入脉冲410-b的极性来存储第二逻辑值。举例来说，基于写入脉冲410-b的负极性，存储器单元在使用具有负(相同)极性的读取脉冲随后感测的情况下可经感测为具有低阈值电压，且在使用具有正(不同)极性的读取脉冲随后感测的情况下感测为具有高的阈值电压。
69.在接收第二写入命令之后的某时间，存储器装置可接收存储器单元的第四读取命令。响应于第四读取命令，存储器装置可施加读取脉冲415-d。读取脉冲415-d的极性可为正的，且因此存储器单元可被感测为具有高阈值电压。
70.在接收第四读取命令之后的某时间，存储器装置可接收存储器单元的第五读取命令。响应于第五读取命令，存储器装置可施加具有负极性的读取脉冲415-e，且因此存储器单元可被感测为具有低阈值电压。
71.在接收到第五读取命令之后的某时间，存储器装置可接收存储器单元的第六读取命令。响应于第六读取命令，存储器装置可施加具有正极性的读取脉冲415-f，且因此存储器单元可被感测为具有高阈值电压。
72.在一些实例中，为了支持使用具有任何极性的读取脉冲415感测与具有任何极性的写入脉冲410相关联的逻辑状态，读取脉冲的一个极性可界定为“默认”读取极性，且读取脉冲的另一极性可界定为“替代”或“经反转”读取极性。存储器装置可基于读取脉冲415的量值435是否超出存储器单元的阈值电压而感测存储器单元的逻辑值——举例来说，存储器装置可确定超出阈值量的电流量是否在读取脉冲415予以施加同时流过存储器单元，存储器单元的电阻在读取脉冲415予以施加同时是否低于阈值电阻，存储器单元在读取脉冲415予以施加同时显现突返事件，或其任何组合。
73.存储器单元可基于所感测的逻辑值及用以感测(检测、确定、获得)所感测逻辑值的读取脉冲415的极性来确定且输出所存储逻辑值的指示。举例来说，如果读取脉冲415为默认读取极性，那么所存储逻辑值可经确定为等于与读取脉冲415相关联的所感测逻辑值，且如果读取脉冲415为替代读取极性，那么所存储逻辑值可确定为等于与读取脉冲415相关联的所感测逻辑值的反数(或某其它映射或转换)。
74.在图4的实例中，负读取极性可定义为默认读取极性，且正读取极性可定义为替代读取极性。另外，存储器单元的高阈值电压可定义为逻辑1，且存储器单元的低阈值电压可
定义为逻辑0。因此，因为当读取脉冲415为与先前写入脉冲410相反的极性时可感测到高阈值电压，那么——其中默认读取极性为负——正写入脉冲410可用以写入逻辑1，且负写入脉冲410可用以写入逻辑0。
75.因此，例如，归因于写入脉冲410-a的正极性，响应于随后施加负读取脉冲415(例如，读取脉冲415-a或读取脉冲415-c)，存储器装置可确定存储器单元具有高阈值电压，且因此所感测逻辑值可为逻辑1，且所存储逻辑值归因于已使用的默认读取极性也可确定逻辑1。且响应于随后施加正读取脉冲415(例如，读取脉冲415-b)，存储器装置可确定存储器单元具有低阈值电压，且因此所感测逻辑值可为逻辑0，但所存储逻辑值归因于已使用的替代读取极性而可确定为逻辑1。
76.类似地，例如，归因于写入脉冲410-b的负极性，响应于随后施加负读取脉冲415(例如，读取脉冲415-e)，存储器装置可确定存储器单元具有低阈值电压，且因此所感测逻辑值可为逻辑0，且所存储逻辑值归因于已使用的默认读取极性而也可确定为逻辑0。且响应于随后施加正读取脉冲415(例如，读取脉冲415-d或读取脉冲415-f)，存储器装置可确定存储器单元具有高阈值电压，且因此所感测逻辑值可为逻辑1，但所存储逻辑值归因于已使用的替代读取极性而可确定为逻辑0。
77.因此，通过存储器单元存储的逻辑状态(例如，操作性写入脉冲410的极性)可基于存储器单元的阈值电压(其可对应于所感测逻辑状态)且基于用以确定阈值电压的读取脉冲的极性来确定。另外，存储器单元可使用具有任一极性的读取脉冲415来读取，而无关于通过存储器单元存储的状态(例如，操作性写入脉冲410的极性)。
78.时序图400展示说明性实例，其中每一读取脉冲415具有相同量值435及持续时间430，且其中每一写入脉冲410具有相同量值425及持续时间420。然而，在一些情况下，具有不同极性的读取脉冲415可具有不同量值435(例如，以虑及单元行为中的不对称性)。另外或替代地，具有不同极性的写入脉冲410可具有不同量值435(例如，以虑及单元行为中的不对称性)。在一些情况下，每一读取脉冲415可具有大于对应于一个逻辑值的低阈值电压且小于对应于另一逻辑值的高阈值电压的量值，如至少使用给定读取脉冲415的极性所感测。另外，在一些情况下，写入脉冲410至少从写入脉冲410的极性的透视图可具有大于高阈值电压的量值425，以便能够在其不同于与写入脉冲410相关联的一者的情况下盖写先前所存储逻辑状态。因此，写入脉冲410可各自具有量值425，所述量值大于任何读取脉冲415的量值435或至少大于具有给定写入脉冲410相同的极性的任何读取脉冲415的量值435。
79.在一些情况下，每一写入脉冲410的持续时间420可与每一读取脉冲415的持续时间430相同。在一些情况下，写入脉冲的持续时间420可不同于读取脉冲415的持续时间430。另外，具有不同极性的写入脉冲410或读取脉冲415的持续时间420、430可相同或不同(例如，以虑及单元行为中的不对称性)。
80.时序图400展示读取脉冲415极性交替的说明性实例——即，每一读取脉冲415具有与紧接连续读取脉冲相对的极性。举例来说，读取脉冲415-a的极性可为负的，读取脉冲415-b的极性可为正的，且读取脉冲415-c的极性可为负的。然而，应理解，读取脉冲415可根据任何固定(例如，预定义)型式使极性发生变化。且替代地，在一些情况下，读取脉冲415可随机地发生变化(例如，基于随机数产生算法或其它随机化组件)。
81.读取脉冲415的极性可通过存储器装置或通过存储器装置的主机装置而控制(确
定)。举例来说，主机装置可传输读取命令，所述读取命令可指示读取脉冲415的极性的指示或与所述指示相关联(例如，与所述指示同时或相对于所述指示根据另一时序接收)。举例来说，读取命令可包含旗标或变量，或者与所述旗标或变量相关联，所述旗标或变量是与极性相关联，且指示读取命令的极性。在一些此类情况下，主机装置可响应于读取命令基于读取脉冲415的哪一极性将通过存储器装置使用而发布不同命令。举例来说，主机装置可发布指示存储器装置将正极性用于读取脉冲415的读取正命令，或指示存储器装置将负极性用于读取脉冲415的读取负命令。
82.在其它实例中，存储器装置可经由随机数产生器或与存储器装置相关联的其它随机化组件控制读取脉冲415的极性。存储器装置可基于随机确定来确定读取脉冲415的极性。在一些情况下，如通过存储器装置所控制使读取脉冲415的极性随机地发生变化可有助于防止对存储器装置的恶意攻击，由此增大装置的安全性。
83.且在其它实例中，存储器装置可包含计数器或跟踪器以跟踪一或多个先前读取脉冲415的极性以便使读取脉冲415的极性根据型式(例如，交替型式)发生变化。在此类情况下，存储器装置可基于一或多个先前读取脉冲415(例如，最近读取脉冲415)的极性来确定读取脉冲415的极性。
84.另外或替代地，存储器装置可包含计数器(例如，一(1)位奇偶校验计数器)或跟踪器以跟踪一或多个先前写入脉冲410的极性，且基于一或多个先前写入脉冲410的极性确定读取脉冲415的极性。举例来说，读取脉冲415的极性可基于最近写入脉冲410的极性来确定。在此类情况下，存储器装置可基于写入数据极性的变化的本质实现读取脉冲415的极性的变化。
85.不管受存储器装置还是主机装置控制，且不管是经随机化还是基于型式，读取脉冲415的极性变化可在装置层级、裸片层级、阵列层级、子阵列层级或横越存储器单元的任何其它分组来实施。举例来说，为了说明假定交替型式，施加到存储器单元的读取脉冲415可为最近施加到以下各者的先前读取脉冲415的相反极性：存储器装置内的任何存储器单元、同一裸片内的任何存储器单元、同一阵列内的任何存储器单元等。
86.使用具有可变极性的读取脉冲415归因于具有相同极性的经重复读取脉冲可防止存储器单元随时间朝向存储一逻辑值或朝向另一逻辑值漂移。举例来说，在写入到一逻辑值的存储器单元可以不同于写入到另一逻辑值的存储器单元的速率随时间漂移之处，使用具有可变极性的读取脉冲415可减轻(例如，消除)此类基于时间的漂移，由此增大读取窗且改进存储器装置的可靠性及精确性。作为另一实例，使读取脉冲415的极性发生变化可改进位错误率。所属领域的技术人员可了解这些或其它益处。
87.时序图400为一系列写入及读取命令的仅一个说明性实例，且与写入脉冲410及读取脉冲415相关联。任何数目个写入命令及读取命令可被接收到，且与施加到给定存储器单元的写入脉冲410及读取脉冲415相关联且呈任何次序。
88.图5说明根据如本文所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的框图500的实例。框图500的操作可通过存储器装置或其如本文中所描述的组件来实施。
89.在框505处，存储器装置可确定用于感测的读取脉冲的极性。举例来说，存储器装置可确定读取脉冲的极性为第一极性还是第二极性。存储器装置可根据本文中所描述的技
术(例如，自控地、基于来自主机装置的命令或其它指示、随机、基于型式等)来确定读取脉冲的极性。
90.在框510处，存储器装置可基于施加读取脉冲到存储器单元(例如，基于确定所施加读取脉冲是否超出存储器单元的阈值电压且因此存储器单元的阈值电压是高还是低)来感测存储器单元的逻辑值。框510处所感测(识别)的逻辑值可被称作感测逻辑值。
91.在一些情况下，极性中的一者(例如，第二极性的任一第一极性、负极性或正极性)可识别(界定)为“默认”读取极性，且另一极性可被识别为“替代”或“经反转”读取极性。在此类情况下，使用默认读取极性感测的逻辑值可如框520处所感测来输出(例如，不需要在框515处反转)，但使用替代读取极性感测的逻辑值可在框515处反转，使得所感测逻辑值的反数(相对数)可在框520处输出。
92.在图5的实例中，第一极性可表示默认读取极性。因此，例如，如果存储器装置在框505处确定读取脉冲的极性为第二极性，那么存储器装置可使框515处感测的逻辑值反转，此情形可抵消替代(例如，经反转、相反)读取极性的使用。在框520处，存储器装置可输出经反转的所感测逻辑值，所述所感测逻辑值可为所存储逻辑值(例如，在框510处施加的读取脉冲之前通过最近施加到存储器单元的写入脉冲410在存储器单元处所存储的逻辑值)。
93.然而，如果存储器装置在框505处确定读取脉冲的极性为第二极性，那么存储器装置在框520处直接输出所感测逻辑值(例如，无针对反转的需要)。所感测逻辑值可为所存储逻辑值(例如，在框510处施加的读取脉冲之前通过最近施加到存储器单元的写入脉冲410在存储器单元处存储的逻辑值)。
94.因此，存储器装置可基于施加读取电压(例如，以确定所感测阈值电压且因此所感测逻辑值)且基于所施加读取电压的极性来确定在框520处输出的所存储逻辑值。
95.图6展示根据如本文所公开的实例的支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作的存储器装置605的框图600。存储器装置605可为如参考图1及2所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置605可包含命令组件610、写入组件615、读取组件620、输出组件625、读取极性组件630及存储组件635。这些模块中的每一者可直接地或间接地(例如，经由一或多个总线)彼此通信。
96.在一些实例中，命令组件610可在存储器装置605处接收存储器单元的第一读取命令。读取组件620可至少部分地基于第一读取命令来施加具有第一极性的第一读取电压到存储器单元。命令组件610在第一读取命令之后可接收存储器单元的第二读取命令。读取组件620可至少部分地基于第二读取命令来施加具有第二极性的第二读取电压到存储器单元。
97.在一些实例中，命令组件610在接收第一读取命令之前可接收与存储器单元的第一逻辑值相关联的写入命令。写入组件615可基于写入命令施加具有第一极性的写入电压到存储器单元，其中存储器单元可操作以基于具有第一极性的写入电压来存储第一逻辑值。读取组件620可响应于第一读取命令确定，存储器单元基于施加第一读取电压而存储第一逻辑值。读取组件620还可响应于第二读取命令来确定存储器单元基于施加第二读取电压而存储第一逻辑值。
98.在一些实例中，存储器单元可操作以存储第一逻辑值或第二逻辑值中的一者，且读取组件620可基于施加第二读取电压而感测存储器单元的第二逻辑值。在一些实例中，输
出组件625可通过存储器装置605基于所感测到的第二逻辑值及具有第二极性的第二读取电压而输出第一逻辑值的指示。举例来说，读取组件620可在感测第二逻辑值之后基于第二读取电压具有第二极性而确定第二逻辑值的反数，其中第一逻辑值为第二逻辑值的反数且其中输出是基于确定。
99.在一些实例中，读取组件620可基于施加第一读取电压来感测存储器单元的第一逻辑值。输出组件625可通过存储器装置605基于所感测到的第一逻辑值及具有第一极性的第一读取电压来输出第一逻辑值的额外指示。
100.在一些实例中，第一读取命令可指示将第一极性用于第一读取电压。在一些实例中，第二读取命令可指示将第二极性用于第二读取电压。
101.在一些实例中，读取极性组件630可基于第一随机确定来确定将第一极性用于第一读取电压。在一些实例中，读取极性组件630可基于第二随机确定来确定将第二极性用于第二读取电压。
102.在一些实例中，读取极性组件630可基于第一读取电压具有第一极性来确定将第二极性用于第二读取电压。
103.在一些实例中，第一读取电压及第二读取电压具有相同量值。在其它实例中，第一读取电压及第二读取电压具有不同量值。
104.在一些实例中，存储组件635可在存储器装置605处在一组存储器单元处存储一组逻辑值。命令组件610可在存储器装置605处接收一或多个读取命令。读取组件620可基于一或多个读取命令施加一组读取脉冲到所述一组存储器单元，其中所述一组读取脉冲的第一子集各自具有第一极性，且所述一组读取脉冲的第二子集各自具有第二极性。输出组件625可通过存储器装置605且至少部分地基于施加所述一组读取脉冲来传输信令，所述信令指示所述一组所存储逻辑值。
105.在一些实例中，读取组件620可基于施加所述一组读取脉冲来感测所述一组逻辑值。所述一组所存储逻辑值中的每一者可对应于相应所感测逻辑值。对于与所述一组读取脉冲的第一子集相关联的所感测逻辑值，信令可指示相应所感测逻辑值。对于与所述一组读取脉冲的所述第二子集相关联的所感测逻辑值，信令可指示相应所感测逻辑值的反数。
106.在一些实例中，第一子集的读取脉冲可在第二子集的第一读取脉冲之后且第二子集的第二读取脉冲之前施加。
107.在一些实例中，一或多个读取命令中的每一者可与所述一组读取脉冲中的对应一或多个读取脉冲具有第一极性还是第二极性的指示相关联。
108.在一些实例中，对于一或多个读取命令中的每一者，所述一组读取脉冲中的对应一或多个读取脉冲是具有第一极性还是第二极性可为随机的。
109.图7展示根据本公开的方面的说明一或多个方法700的流程图，所述一或多个方法支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作。方法700的操作可通过如本文所描述的存储器装置或其组件来实施。举例来说，方法700的操作可通过如参看图6所描述的存储器装置来执行。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件来执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。
110.在705处，存储器装置可在存储器装置处接收存储器单元的第一读取命令。705的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，705的操作的方面可通过如参看第6
图所描述的命令组件来执行。
111.在710处，存储器装置可基于第一读取命令施加具有第一极性的第一读取电压到存储器单元。710的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，710的操作的方面可通过如参看图6描述的读取组件来执行。
112.在715处，存储器装置可在第一读取命令之后接收存储器单元的第二读取命令。715的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，815的操作的方面可通过如参看第6图所描述的命令组件来执行。
113.在720处，存储器装置可基于第二读取命令施加具有第二极性的第二读取电压到存储器单元。720的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，720的操作的方面可通过如参看图6描述的读取组件来执行。
114.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法700。设备可包含用于进行以下操作的特征、构件或指令(例如，存储由处理器可执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：在存储器装置处接收存储器单元的第一读取命令；基于第一读取命令施加具有第一极性的第一读取电压到存储器单元；在第一读取命令之后接收存储器单元的第二读取命令；及基于第二读取命令施加具有第二极性的第二读取电压到存储器单元。
115.本文所描述的方法700及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下各者的操作、特征、构件或指令：在接收第一读取命令之前接收与存储器单元的第一逻辑值相关联的写入命令；基于写入命令施加具有第一极性的写入电压到存储器单元，其中存储器单元可操作以基于写入电压具有第一极性而存储第一逻辑值；响应于第一读取命令基于施加第一读取电压来确定存储器单元存储第一逻辑值；及响应于第二读取命令基于施加第二读取电压来确定存储器单元存储第一逻辑值。
116.在本文中所描述的方法700及设备的一些实例中，存储器单元可操作以存储第一逻辑值或第二逻辑值中的一者。本文所描述的方法700及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下各者的操作、特征、构件或指令：基于施加第二读取电压感测存储器单元的第二逻辑值；及通过存储器装置基于所感测到的第二逻辑值及具有第二极性的第二读取电压来输出第一逻辑值的指示。
117.本文所描述的方法700及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下各者的操作、特征、构件或指令：在感测到第二逻辑值之后基于第二读取电压具有第二极性确定第二逻辑值的反数，其中第一逻辑值可为第二逻辑值的反数，且其中输出可基于确定。
118.本文所描述的方法700及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下各者的操作、特征、构件或指令：基于施加第一读取电压而感测存储器单元的第一逻辑值；及通过存储器装置基于所感测到的第一逻辑值及具有第一极性的第一读取电压而输出第一逻辑值的额外指示。
119.在本文所描述的方法700及设备的一些实例中，第一读取命令指示将第一极性用于第一读取电压，且第二读取命令指示将第二极性用于第二读取电压。
120.本文所描述的方法700及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下各者的操作、特征、构件或指令：基于第一随机确定来确定将第一极性用于第一读取电压；及基于第二随机确定来确定将第二极性用于第二读取电压。
121.本文所描述的方法700及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下各者的操
作、特征、构件或指令：基于第一读取电压具有第一极性来确定将第二极性用于第二读取电压。
122.在本文所描述的方法700及设备的一些实例中，第一读取电压及第二读取电压可具有相同量值。在本文所描述的方法700及设备的一些实例中，第一读取电压及第二读取电压具有不同量值。
123.图8展示根据本公开的方面的说明一或多个方法800的流程图，所述一或多个方法支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作。方法800的操作可通过如本文所描述的存储器装置或其组件来实施。举例来说，方法800的操作可通过如参看图6所描述的存储器装置来执行。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件来执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。
124.在805处，存储器装置可在存储器装置处接收存储器单元的第一读取命令。805的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，805的操作的方面可通过如参看图6所描述的命令组件来执行。
125.在810处，存储器装置可基于第一读取命令施加具有第一极性的第一读取电压到存储器单元。810的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，810的操作的方面可通过如参看图6描述的读取组件来执行。
126.在815处，存储器装置可基于施加第一读取电压而感测存储器单元的第一逻辑值。815的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，815的操作的方面可通过如参看图6描述的读取组件来执行。
127.在820处，存储器装置可通过存储器装置基于所感测到的第一逻辑值及具有第一极性的第一读取电压来输出第一逻辑值的指示。820的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，820的操作的方面可通过如参看图6描述的输出组件来执行。
128.在825处，存储器装置可在第一读取命令之后接收存储器单元的第二读取命令。825的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，825的操作的方面可通过如参看图6所描述的命令组件来执行。
129.在830处，存储器装置可基于第二读取命令施加具有第二极性的第二读取电压到存储器单元。830的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，830的操作的方面可通过如参看图6描述的读取组件来执行。
130.在835处，存储器装置可至少部分地基于施加第二读取电压来感测存储器单元的第二逻辑值。835的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，835的操作的方面可通过如参看图6描述的读取组件来执行。
131.在840处，存储器装置可在感测到第二逻辑值之后至少部分地基于具有第二极性的第二读取电压来确定第二逻辑值的反数，其中第一逻辑值为第二逻辑值的反数，且其中输出是至少部分地基于确定。840的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，845的操作的方面可通过如参看图6描述的读取组件来执行。
132.在845处，存储器装置可至少部分地基于所感测到的第二逻辑值及具有第二极性的第二读取电压而通过存储器装置输出第一逻辑值的指示(例如，第二指示、额外指示)。840的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，840的操作的方面可通过如参看图6描述的输出组件来执行。
133.图9展示根据本公开的方面的说明一或多个方法900的流程图，所述一或多个方法支持极性写入存储器单元的可变极性读取操作。方法900的操作可通过如本文所描述的存储器装置或其组件来实施。举例来说，方法900的操作可通过如参看图6所描述的存储器装置来执行。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件来执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。
134.在905处，存储器装置可在存储器装置处将一组逻辑值存储于一组存储器单元处。905的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，905的操作的方面可通过如参看图6描述的存储组件执行。
135.在910处，存储器装置可在存储器装置处接收一或多个读取命令。910的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，910的操作的方面可通过如参看图6所描述的命令组件来执行。
136.在915处，存储器装置可基于一或多个读取命令施加一组读取脉冲到所述一组存储器单元，其中所述一组读取脉冲的第一子集各自具有第一极性，且所述一组读取脉冲的第二子集各自具有第二极性。915的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，915的操作的方面可通过如参看图6描述的读取组件来执行。
137.在920处，存储器装置可通过存储器装置且至少部分地基于施加所述一组读取脉冲来传输信令，所述信令指示所述一组所存储逻辑值。920的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，920的操作的方面可通过如参看图6描述的输出组件来执行。
138.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法900。设备可包含用于进行以下各者的特征、构件或指令(例如，存储供处理器可执行的指令的非暂时性计算机可读取媒体)：在存储器装置处将一组逻辑值存储于一组存储器单元处；在存储器装置处接收一或多个读取命令；基于一或多个读取命令施加一组读取脉冲到所述一组存储器单元，其中所述一组读取脉冲的第一子集各自具有第一极性且所述一组读取脉冲的第二子集各自具有第二极性；及通过存储器装置且至少部分基于施加所述一组读取脉冲来传输信令，所述信令指示所述一组所存储逻辑值。
139.本文所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下各者的操作、特征、构件或指令：基于施加所述一组读取脉冲来感测一组逻辑值，所述一组所存储逻辑值中的每一者对应于相应所感测逻辑值，其中对于与所述一组读取脉冲的第一子集相关联的所感测逻辑值，信令指示相应所感测逻辑值，且对于与读取脉冲的第二子集相关联的所感测逻辑值，信令指示相应所感测逻辑值的反数。
140.在本文所描述的方法900及设备的一些实例中，第一子集的读取脉冲可在第二子集的第一读取脉冲之后且在第二子集的第二读取脉冲之前予以施加。
141.在本文所描述的方法900及设备的一些实例中，一或多个读取命令中的每一者可与所述一组读取脉冲的对应一或多个读取脉冲可具有第一极性还是第二极性的指示相关联。在本文所描述的方法900及设备的一些实例中，对于一或多个读取命令中的每一者，所述一组读取脉冲中的对应的一或多者可具有第一极性还是第二极性可为随机的。
142.应注意，本文所描述的方法是可能的实施方案，且操作及步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合方法中的两者或更多者的数个部分。
143.描述一种设备。所述设备可包含：存储器单元阵列；及存取组件，所述存取组件与所述存储器单元阵列耦合。所述存取组件可操作以：响应于所述存储器单元阵列的存储器单元的写入命令而施加写入电压到所述存储器单元，其中所述存储器单元可操作以基于所述写入电压的极性存储逻辑值；响应于所述存储器单元的读取命令而施加读取电压到所述存储器单元。所述设备可进一步包含感测组件，所述感测组件与所述存储器单元阵列耦合且可操作以：感测所述读取电压是否超出所述存储器单元的阈值电压；及基于所述读取电压是否超出所述存储器单元的所述阈值电压及所述读取电压的极性来产生所述所存储逻辑值的指示。
144.在一些实例中，所述存取组件可操作以基于与所述读取命令相关联的指示来确定所述读取电压的所述极性。在一些实例中，所述存取组件可操作以使所述读取电压的所述极性随机地发生变化。在一些实例中，所述存取组件可操作以基于先前读取电压的极性来确定所述读取电压的所述极性。在一些实例中，所述存取组件可操作以基于先前写入电压的极性来确定所述读取电压的所述极性。
145.在一些实例中，所述感测组件可操作以：基于所述读取电压是否超出所述存储器单元的所述阈值电压来识别所述存储器单元的所感测逻辑值；及基于所述读取电压的所述极性选择性地反转所述所感测逻辑值。
146.在一些实例中，所述存储器单元可操作以存储第一逻辑值或第二逻辑值中的一者，且所述感测组件可操作以：如果所述读取电压超出所述存储器单元的所述阈值电压且所述读取电压的所述极性为第一极性，那么识别所述所存储逻辑值为所述第一逻辑值；如果所述读取电压低于所述存储器单元的所述阈值电压且所述读取电压的所述极性为所述第一极性，那么识别所述所存储逻辑值为所述第二逻辑值；如果所述读取电压超出所述存储器单元的所述阈值电压且所述读取电压的所述极性为第二极性，那么识别所述所存储逻辑值为所述第二逻辑值；及如果所述读取电压低于所述存储器单元的所述阈值电压且所述读取电压的所述极性为所述第二极性，那么识别所述所存储逻辑值为所述第一逻辑值。
147.在一些实例中，所述感测组件可操作以在所述读取电压施加到所述存储器单元的同时，基于通过所述存储器单元的电流的量来确定所述读取电压是否超出所述存储器单元的所述阈值电压。
148.在一些实例中，所述感测组件可操作以在所述读取电压可施加到所述存储器单元的同时，基于是否发生突返事件来确定所述读取电压是否超出所述存储器单元的所述阈值电压。
149.在一些实例中，所述存储器单元的所述阈值电压可基于所述读取电压的所述极性及所述写入电压的所述极性是否相同。在一些实例中，所述存储器单元可操作以在所述读取电压的所述极性及所述写入电压的所述极性相同的情况下具有第一阈值电压；且在所述读取电压的所述极性及所述写入电压的所述极性不同的情况下具有第二阈值电压。所述读取电压可具有可大于所述第一阈值电压且小于所述第二阈值电压的量值。
150.在一些实例中，所述存储器单元包含硫族化物材料，所述硫族化物材料可操作以在所述写入电压的所述极性为第一极性的情况下在处于非晶态时存储第一逻辑值，且可操作以在所述写入电压的所述极性为第二极性的情况下处于所述非晶态时存储第二逻辑值。
151.可使用各种不同技艺及技术中的任何者来表示本文中所描述的信息及信号。举例
来说，可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合表示贯穿以上描述可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及码片。一些图式可将信号说明为单一信号；然而，所属领域的一般技术人员应理解，所述信号可表示信号的总线，其中所述总线可具有多种位宽度。
152.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”及“耦合”可指支持在组件之间信号流动的组件之间的关系。如果在组件之间存在可在任何时间支持组件之间信号流动的任何导电路径，那么组件被认为彼此电子通信(或彼此导电接触或彼此连接或彼此耦合)。在任何给定时间，彼此电子通信(或彼此导电接触或彼此连接或彼此耦合)的组件之间的导电路径基于包含所连接组件的装置的操作而可为断开电路或闭合电路。所连接组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可为可包含例如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管的一或多个中间组件将所连接组件之间的信号流动中断一段时间。
153.术语“耦合”是指如下移动条件：从其中信号当前不能够经由导电路径在组件之间传达的组件之间的断开电路关系到其中信号能够经由导电路径在组件之间传达的组件之间的闭合电路关系。当例如控制器的组件将其它组件耦合在一起时，所述组件起始允许信号经由先前并不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
154.如本文中所使用，术语“大致上”或“大致”意指经修饰的特性(例如通过术语大致上修饰的动词或形容词)不必是绝对的但足够接近以便实现特性的优势。
155.如本文中所使用，术语“电极”可指电导体，且在一些实例中，可用作与存储器单元或存储器阵列的其它组件的电触点。电极可包含在存储器阵列的元件或组件之间提供导电路径的迹线、电线、导电线、导电层，或其类似者。
156.可在例如硅、锗、硅-锗合金、砷化镓、氮化镓等的半导体衬底上形成本文中所论述的包含存储器阵列的装置。在一些实例中，衬底为半导体晶片。在其它实例中，衬底可为例如玻璃层上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)的绝缘体上硅(soi)衬底，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可经由使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质掺杂而控制衬底或衬底的子区的导电性。可通过离子植入或通过任何其它掺杂方式在衬底的初始形成或生长期间执行掺杂。
157.本文中所论述的切换组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)且包括包含源极、漏极及栅极的三个端子装置。端子可经由导电材料，例如金属连接到其它电子元件。源极及漏极可为导电的，且可包括重度掺杂(例如，退化)的半导体区。源极与漏极可通过轻度掺杂的半导体区或通道分离。如果通道为n型(即，大多数载流子为电子)，那么fet可被称作n型fet。如果通道为p型(即，大多数载流子为空穴)，那么fet可被称作p型fet。通道可由绝缘栅极氧化物覆盖。可通过将电压施加到栅极来控制通道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可使得通道变得导电。在将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“停用”。
158.本文结合附图所阐述的描述内容描述实例配置，且并不表示可实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”意指“充当实例、例子或说明”，且并不意指“优选”或“优于其它实例”。详细描述包含特定细节以提供对所描述技术的理解。然
而，可在没有这些具特定细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式展示熟知的结构及装置以便避免混淆所描述实例的概念。
159.在随附图式中，相似组件或特征可具有相同参考标记。另外，可通过在参考标记之后由短划线及在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任一者。
160.可使用各种不同技艺及技术中的任何者来表示本文中所描述的信息及信号。举例来说，可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合表示贯穿以上描述可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及码片。
161.结合本文中的公开内容所描述的各种说明性块及模块可运用通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或经设计以执行本文所描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代例中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可被实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器，或任一其它此类配置)。
162.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案是在本公开及随附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的本质，上文所描述的功能可使用由处理器、硬件、固件、硬连线或这些中的任一者的组合执行的软件实施。实施功能的特征还可在物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理方位处实施。另外，如本文中(包含在权利要求书中)所使用，“或”如项目列表中所使用(例如，以例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的短语作为结尾的项目列表)指示包含性列表，使得例如a、b或c中的至少一者的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a及b及c)。此外，如本文中所使用，短语“基于”不应视为对封闭条件集合的参考。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，被描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a及条件b两者。换句话说，如本文中所使用，应以与短语“至少部分地基于”相同的方式来解释短语“基于”。
163.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体及通信媒体两者，通信媒体包含促进计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。作为实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、紧密光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。此外，任何连接被适当地称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴缆线、光纤缆线、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电及微波的无线技术而从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么同轴缆线、光纤缆线、双绞线、dsl或例如红外线、无线电及微波的无线技术包含于媒体的定义中。如本文所使用，磁盘及光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(digital versatile disc，dvd)、软性磁盘及蓝光(blu-ray)光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘通过激光以光学方式再现数据。以上各者的组合也包含于计算机可
读媒体的范围内。
164.提供本文中的描述内容以使所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。对本公开的各种修改对于所属领域的技术人员来说将为显而易见的，且本文中所定义的一般原理可在不脱离本公开的范围的情况下应用于其它变体。因此，本公开并不限于本文中所描述的实例及设计，而是应符合与本文中所公开的原理及新颖特征相一致的最广范围。