一种存储器、数据销毁方法和电子设备与流程

本发明涉及存储，尤其涉及一种存储器、数据销毁方法和电子设备。

背景技术：

1、随着信息技术的高速发展，计算机应用越来越普及，几乎所有的公司及部门都在使用存储器来存储数据，如何确保重要数据的安全性和保密性成为人们日益关注的问题。保密信息的存储及销毁不仅对国家安全、军事保密等存储了大量敏感数据的重要部门有重要意义，在百姓日常生活中同样不可或缺。如何确保保密信息的安全性，尤其是涉及重要机密需要定时销毁或即时销毁情况下，安全可靠地实现数据的存储及自动销毁是亟待解决的问题。

技术实现思路

1、为了解决上述的问题，本技术的实施例中提供了一种存储器、数据销毁方法和电子设备，该存储器中有多个存储单元，每个存储单元是由两个电极和开关层构成。开关层是由te、se等单质材料、硫系化合物等材料中的一种或多种组成。第一电极与第二电极叠加在开关层上，且开关层处在第一电极与第二电极中间，让第一电极和第二电极分别与开关层之间呈现出肖特基势垒特性。当两个电极没有通入电压，第一电极与第二电极之间的通路断开。当两个电极通入电压，且电压超过势垒高度的电压时，第一电极与第二电极之间的通路导通。当两个电极停止通入电压时，由于开关层的材料具有弛豫效应，使得第一电极与第二电极之间的电压逐渐降低，在第一电极与第二电极之间的电压降低到低于势垒高度的电压时，第一电极与第二电极之间的通路断开。当存储单元储存数据后，随着时间的推移，过了弛豫时间后，存储单元中存储的数据消除，实现存储单元中存储的数据自动销毁的效果。

2、为此，本技术的实施例中采用如下技术方案：

3、第一方面，本技术实施例提供了一种存储器，包括：多个存储单元，每个存储单元包括第一电极、开关层和第二电极，所述第一电极、所述开关层和所述第二电极依次叠加在一起，让所述第一电极和所述第二电极分别与所述开关层之间呈现出肖特基势垒特性；其中，所述存储单元，用于在所述第一电极与所述第二电极没有通入电信号时，让所述第一电极与所述第二电极之间处于断开状态；在所述第一电极与所述第二电极通入电信号后，且该电信号超过势垒高度电压时，让所述第一电极与所述第二电极之间处于导通状态；以及在所述第一电极与所述第二电极停止通入电信号后的设定时间内，让所述第一电极与所述第二电极之间处于导通状态。。

4、在该实施方式中，存储器中有多个存储单元，每个存储单元是由两个电极和开关层构成，开关层叠加在两个电极之间，让第一电极和第二电极分别与开关层之间呈现出肖特基势垒特性。第一电极与第二电极叠加在开关层上，且开关层处在第一电极与第二电极中间，让第一电极和第二电极分别与开关层之间呈现出肖特基势垒特性。当两个电极没有通入电压，第一电极与第二电极之间的通路断开。当两个电极通入电压，且电压超过势垒高度的电压时，第一电极与第二电极之间的通路导通。当两个电极停止通入电压时，由于开关层的材料具有弛豫效应，使得第一电极与第二电极之间的电压逐渐降低，在第一电极与第二电极之间的电压降低到低于势垒高度的电压时，第一电极与第二电极之间的通路断开。当存储单元储存数据后，随着时间的推移，过了弛豫时间后，存储单元中存储的数据消除，实现存储单元中存储的数据自动销毁的效果。

5、在一种实施方式中，还包括：多个第一地址线，分别设置在存储单元中的所述第一电极上，与所述第一电极电连接；一个第二地址线，与所述多个存储单元中的所述第二电极电连接，用于将所述多个存储单元构成阵列。

6、在该实施方式中，多个存储单元设置在第二地址线上，且让存储单元中的第二电极与第二地址线电连接，实现将多个存储单元构成存储矩阵，便于多个存储单元的统一管理。多个第一地址线分别设置在多个存储单元上，且让第一地址线与存储单元中的第一电极电连接，实现对每个存储单元的控制，以及外接电路根据存储的要求，选用不同的存储单元执行存储工作。

7、在一种实施方式中，还包括：隔离材料，设置在所述多个存储单元中的空隙中，用于让存储单元与其它存储单元之间相互隔离。

8、在该实施方式中，隔离材料设置在存储单元与存储单元之间的空隙中，将存储单元与其它存储单元分离，保证每个存储单元正常工作时不会影响其它存储单元。

9、在一种实施方式中，所述开关层是由碲、硒和硫系化合物中一种或多种材料组成。

10、在该实施方式中，开关层选用碲、硒等单质和硫系化合物等材料中的至少一种组成，让开关层与两个电极之间呈现出肖特基势垒特性。并在通入电信号后，开关层具有弛豫效应，存储单元中存储的数据消除，如果开关层过了弛豫时间，实现存储单元中存储的数据自动销毁的效果。

11、在一种实施方式中，所述第一电极和所述第二电极是由氮化钛、氮化钽、钨、铂、金、铝和镍中的一种或多种材料组成。

12、在一种实施方式中，还包括：过渡层，设置在所述第一电极与所述开关层，以及设置在所述第二电极与所述开关层。

13、在该实施方式中，过渡层可以分别设置在第一电极与开关层之间和第二电极与开关层之间，提高开关层表面的平整性，有利于第一电极和第二电极分别与开关层112之间呈现出肖特基势垒特性。。

14、在一种实施方式中，还包括：读取电路，与所述多个存储单元电连接，用于读取所述多个存储单元中存储的数据。

15、在一种实施方式中，所述读取电路包括第一电流源、第一n型mos管、第二n型mos管、第一p型mos管、第二p型mos管、传感放大器和第一选通传输门，所述第一p型mos管的源极和所述第二p型mos管的源极均与输入电源电连接；所述第一p型mos管的栅极与所述第二p型mos管的栅极电连接，再与所述第一p型mos管的漏极电连接；所述第一p型mos管的漏极与所述第一选通传输门电连接，所述第一选通传输门再与所述多个存储单元电连接，所述多个存储单元再接地；所述第一p型mos管的漏极与所述第一n型mos管的漏极电连接，再与所述传感放大器电连接；所述第二n型mos管的栅极与所述第一n型mos管的栅极电连接，再与所述第二n型mos管的漏极电连接；所述第二n型mos管的源极与所述第一n型mos管的源极分别接地；所述第二n型mos管的漏极通过所述第一电流源与所述输入电源电连接。

16、在一种实施方式中，所述读取电路包括第二电流源、第三n型mos管、第四n型mos管、第三p型mos管、第四p型mos管、比较器和第二选通传输门，所述第三n型mos管的源极和所述第四n型mos管的源极均与输入电源电连接；所述第四n型mos管的栅极与所述第三n型mos管的栅极电连接，再与所述第四n型mos管的漏极电连接；所述第三n型mos管的漏极与所述第二选通传输门电连接，所述第二选通传输门再与所述多个存储单元电连接，所述多个存储单元再接地；所述比较器的一个输入端电连接在所述第三n型mos管的漏极与所述第二选通传输门之间，另一个输入端与参考读电压电路电连接；所述第四n型mos管的栅极与所述第三n型mos管的栅极电连接，再与所述第四n型mos管的漏极电连接；所述第四n型mos管的源极与所述第三n型mos管的源极分别接地；所述第四n型mos管的漏极通过所述第二电流源与所述输入电源电连接。

17、第二方面，本技术实施例提供了一种数据写入方法，应用在第一方面各个可能实现的存储器中，所述存储器包括多个存储单元，包括：在第一存储单元上通入第一电信号，所述多个存储单元包括所述第一存储单元；当所述第一电信号的电压大于第一阈值电压时，所述第一存储单元写入数据，所述第一阈值电压为通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压。

18、第三方面，本技术实施例提供了一种数据读取方法，应用在第一方面各个可能实现的存储器中，所述存储器包括多个存储单元，包括：在第一存储单元上通入第一电信号，所述多个存储单元包括所述第一存储单元；当所述第一电信号的电压大于第二阈值电压时，判断所述第一存储单元中的第一电极与第二电极之间是否处于导通状态，所述第二阈值电压为所述第一存储单元中开关层处于导通状态的电压；当所述第一电极与所述第二电极之间处于导通状态，获取第一数据，所述第一数据为“1”；当所述第一电极与所述第二电极之间处于断开状态，获取第二数据，所述第二数据为“0”。

19、11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一存储单元首次处于导通状态时的第二阈值电压大于后续处于导通状态是的第二阈值电压。

20、第四方面，本技术实施例提供了一种数据销毁方法，应用在第一方面各个可能实现的存储器中，所述存储器包括多个存储单元，包括：确定目标数据存储的时间；根据所述目标数据存储的时间，确定所述存储器的弛豫时间，所述弛豫时间为储存单元撤去电信号后，直到第一电极与第二电极之间的通路断开的时间段；将所述目标数据写入所述存储器中；当所述存储器中的存储所述目标数据超过所述弛豫时间时，销毁所述目标数据。

21、第五方面，本技术实施例提供了一种电子设备，包括：处理单元，用于对数据进行处理；至少一个如第一方面各个可能实现的存储器，用于存储数据。其中，存储器可以为半导体存储器，如eprom、ssd、rom、ram等等，可以为磁表面存储器，如软盘、硬盘、磁带等等，也可以为光存储器，如cd、数字通用盘dvd等等，以及其它类型存储器。电子设备可以为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能手表、智能手环、台式电脑、无人机、计算机、智慧电视、视频播放器、音乐播放器、显示器、个人数字助理、智能眼镜、电话、汽车等等。