半导体存储装置的制作方法

实施方式大致涉及存储装置。

背景技术：

1、作为存储装置，已知有dram(dynamic random access memory，动态随机存储存取器)。dram的存储器单元(memory cell)包括电容器和晶体管。存储器单元根据积蓄于电容器的电荷来保持数据。基于数据读出的对象的存储器单元的数据的电压被感测放大器(sense amplifier)放大，由此，判别所存储的数据。

技术实现思路

1、一个实施方式提供误动作被抑制的半导体存储装置。

2、一实施方式的存储装置包括：电容器；第1晶体管；第1逆变器电路，连接于第1节点与第2节点之间，包括在第3节点处串联地连接的p型的第2晶体管和n型的第3晶体管；第2逆变器电路，包括在第4节点处串联地连接的p型的第4晶体管和n型的第5晶体管；第6晶体管；第7晶体管；第8晶体管；以及第9晶体管。

3、上述第1晶体管在第1端处与所述电容器连接。上述第2逆变器电路连接于上述第1节点与上述第2节点之间。上述第4晶体管的栅极和上述第5晶体管的栅极连接于上述第1晶体管的第2端。上述第6晶体管连接于上述第4晶体管的上述栅极与上述第3节点之间以及上述第5晶体管的上述栅极与上述第3节点之间。上述第7晶体管连接于上述第2晶体管的栅极与上述第4节点之间以及上述第3晶体管的栅极与上述第4节点之间。上述第8晶体管连接于上述第2晶体管的栅极与上述第3节点之间。上述第9晶体管连接于上述第4晶体管的栅极与上述第4节点之间。

4、根据上述结构，能够提供误动作被抑制的半导体存储装置。

技术特征：

1.一种存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的装置，还具备：

3.根据权利要求2所述的装置，还具备：

4.根据权利要求3所述的装置，其中，

5.根据权利要求1所述的装置，其中，

6.根据权利要求5所述的装置，其中，

7.根据权利要求6所述的装置，其中，

8.根据权利要求7所述的装置，其中，

9.根据权利要求8所述的装置，其中，

10.根据权利要求9所述的装置，其中，

11.根据权利要求10所述的装置，其中，

12.根据权利要求11所述的装置，其中，

13.根据权利要求9所述的装置，还具备：

14.根据权利要求13所述的装置，还具备：

15.根据权利要求14所述的装置，其中，

16.根据权利要求15所述的装置，其中，

17.根据权利要求16所述的装置，其中，

18.根据权利要求17所述的装置，其中，

19.根据权利要求18所述的装置，其中，

技术总结
本发明涉及半导体存储装置。第1晶体管在第1端处与电容器连接。第1逆变器电路连接于第1节点与第2节点之间，包括在第3节点处连接的p型的第2晶体管和n型的第3晶体管。第2逆变器电路连接于第1节点与第2节点之间，包括在第4节点处连接的p型的第4晶体管和n型的第5晶体管。第4晶体管的栅极和第5晶体管的栅极连接于第1晶体管的第2端。第6晶体管连接于第4晶体管的栅极与第3节点之间以及第5晶体管的栅极与第3节点之间。第7晶体管连接于第2晶体管的栅极与第4节点之间以及第3晶体管的栅极与第4节点之间。第8晶体管连接于第2晶体管的栅极与第3节点之间。第9晶体管连接于第4晶体管的栅极与第4节点之间。

技术研发人员：和田政春
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13