实施方式大致涉及存储装置。
背景技术:
1、作为存储装置,已知有dram(dynamic random access memory,动态随机存储存取器)。dram的存储器单元(memory cell)包括电容器和晶体管。存储器单元根据积蓄于电容器的电荷来保持数据。基于数据读出的对象的存储器单元的数据的电压被感测放大器(sense amplifier)放大,由此,判别所存储的数据。
技术实现思路
1、一个实施方式提供误动作被抑制的半导体存储装置。
2、一实施方式的存储装置包括:电容器;第1晶体管;第1逆变器电路,连接于第1节点与第2节点之间,包括在第3节点处串联地连接的p型的第2晶体管和n型的第3晶体管;第2逆变器电路,包括在第4节点处串联地连接的p型的第4晶体管和n型的第5晶体管;第6晶体管;第7晶体管;第8晶体管;以及第9晶体管。
3、上述第1晶体管在第1端处与所述电容器连接。上述第2逆变器电路连接于上述第1节点与上述第2节点之间。上述第4晶体管的栅极和上述第5晶体管的栅极连接于上述第1晶体管的第2端。上述第6晶体管连接于上述第4晶体管的上述栅极与上述第3节点之间以及上述第5晶体管的上述栅极与上述第3节点之间。上述第7晶体管连接于上述第2晶体管的栅极与上述第4节点之间以及上述第3晶体管的栅极与上述第4节点之间。上述第8晶体管连接于上述第2晶体管的栅极与上述第3节点之间。上述第9晶体管连接于上述第4晶体管的栅极与上述第4节点之间。
4、根据上述结构,能够提供误动作被抑制的半导体存储装置。
1.一种存储装置,具备:
2.根据权利要求1所述的装置,还具备:
3.根据权利要求2所述的装置,还具备:
4.根据权利要求3所述的装置,其中,
5.根据权利要求1所述的装置,其中,
6.根据权利要求5所述的装置,其中,
7.根据权利要求6所述的装置,其中,
8.根据权利要求7所述的装置,其中,
9.根据权利要求8所述的装置,其中,
10.根据权利要求9所述的装置,其中,
11.根据权利要求10所述的装置,其中,
12.根据权利要求11所述的装置,其中,
13.根据权利要求9所述的装置,还具备:
14.根据权利要求13所述的装置,还具备:
15.根据权利要求14所述的装置,其中,
16.根据权利要求15所述的装置,其中,
17.根据权利要求16所述的装置,其中,
18.根据权利要求17所述的装置,其中,
19.根据权利要求18所述的装置,其中,