一种最优读出阈值电压的搜索方法、终端及存储介质与流程

1.本技术涉及数据存储领域，特别是涉及一种最优读出阈值电压的搜索方法、终端及存储介质。


背景技术：

2.存储设备中的存储单元在使用过程中受各种因素影响，随使用时间的增长，存储单元的当前阈值电压与初始电压相比存在一定的偏移，准确地当前阈值电压是保障存储设备中数据正确读取的关键。因此如何有效确定最优阈值电压是当前数据存储领域中的重要研究领域。
3.目前较常用的最优读出阈值电压的搜索方法主要是读取存储设备中阈值电压分布的每一个电压值，根据读取结果判断是否为最优电压值，上述阈值电压搜索方法需要读取较多的电压值，花费较多的读取时间。


技术实现要素：

4.本技术提供一种最优读出阈值电压的搜索方法、终端、可读存储介质。
5.本技术采用的一个技术方案是提供一种最优读出阈值电压的搜索方法，其中，所述优读出阈值电压的搜索方法包括：
6.获取软解码阶段的多次读数据，并基于所述多次读数据获取所述软解码阶段的读信息，其中，所述读信息包括若干阈值电压的混合信息；
7.基于所述混合信息生成多个额外读命令；
8.按照所述多个额外读命令的读出结果，获取每个所述阈值电压的额外信息；
9.结合所述混合信息和所述额外信息，对所述若干阈值电压进行区分，并获取每个阈值电压的搜索信息，其中，所述搜索信息包括阈值电压的左边信息和右边信息；
10.基于所述每个阈值电压的搜索信息，确定所述每个阈值电压的最优读电压偏移值。
11.其中，所述混合信息包括若干阈值电压的左边信息总和，以及若干阈值电压的右边信息总和。
12.其中，所述若干阈值电压至少包括第一阈值电压和第二阈值电压；
13.所述按照所述多个额外读命令的读出结果，获取每个所述阈值电压的额外信息，包括：
14.按照所述多个额外读命令执行以下步骤：
15.固定所述第一阈值电压，对所述第二阈值电压进行偏移读，得到所述第一阈值电压的额外信息；
16.基于所述第一阈值电压的额外信息，得到所述第二阈值电压的额外信息。
17.其中，所述若干阈值电压至少包括第一阈值电压、第二阈值电压以及第三阈值电压；
18.所述按照所述多个额外读命令的读出结果，获取每个所述阈值电压的额外信息，还包括：
19.按照所述多个额外读命令执行以下步骤：
20.固定所述第一阈值电压，对所述第二阈值电压和所述第三阈值电压进行偏移读，得到所述第一阈值电压的额外信息；
21.固定所述第二阈值电压，对所述第一阈值电压和所述第三阈值电压进行偏移读，得到所述第二阈值电压的额外信息；
22.基于所述第一阈值电压的额外信息，以及所述第二阈值电压的额外信息，得到所述第三阈值电压的额外信息。
23.其中，所述按照所述多个额外读命令的读出结果，获取每个所述阈值电压的额外信息，包括：
24.按照第一额外读命令固定当前阈值电压，对其余阈值电压进行偏移读，获取第一额外信息；
25.按照第二额外读命令固定下一个阈值电压，对其余阈值电压进行偏移读，获取第二额外信息；
26.直至按照所述多个额外读命令对每一阈值电压均进行固定，并对其余阈值电压进行偏移读，获取第三额外信息后，按照所述第一额外信息、所述第二额外信息以及第三额外信息，计算得到每一阈值电压的额外信息。
27.其中，所述结合所述混合信息和所述额外信息，对所述若干阈值电压进行区分，并获取每个阈值电压的搜索信息，包括：
28.将所述混合信息与每一阈值电压的额外信息作差，得到所述每一阈值电压的搜索信息。
29.其中，所述基于所述每个阈值电压的搜索信息，确定所述每个阈值电压的最优读电压偏移值，包括：
30.计算所述阈值电压的偏移方向和偏移值，若左边信息大于右边信息，则所述阈值电压需要向右偏移。
31.其中，所述每个阈值电压的搜索信息数量由所述软解码阶段中多次读的读取次数决定。
32.其中，所述基于所述混合信息生成多个额外读命令，包括：
33.基于所述混合信息生成基于单水平读取功能的多个额外读命令。
34.本技术采用的另一个技术方案是提供一种终端设备，所述终端设备包括处理器、与所述处理器连接的存储器，其中，所述存储器存储有程序指令；所述处理器用于执行所述存储器存储的程序指令以实现如上述的最优读出阈值电压的搜索方法。
35.本技术采用的又一个技术方案是提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质用于存储程序数据，所述程序数据在被计算机执行时，用以实现如上述的最优读出阈值电压的搜索方法。
36.本技术的有益效果是：提供了一种最优读出阈值电压的搜索方法，搜索方法包括：获取软解码阶段的多次读数据，并基于多次读数据获取软解码阶段的读信息，其中，读信息包括若干阈值电压的混合信息；基于混合信息生成多个额外读命令；按照多个额外读命令
的读出结果，获取每个阈值电压的额外信息；结合混合信息和额外信息，对若干阈值电压进行区分，并获取每个阈值电压的搜索信息，其中，搜索信息包括阈值电压的左边信息和右边信息；基于每个阈值电压的搜索信息，确定每个阈值电压的最优读电压偏移值。本技术通过加入在软解码阶段中的多次读数据中加入基于单水平读取功能的多个额外读命令，减少额外读命令次数，减少区分出每个阈值电压的最优读电压偏移值的时间。
附图说明
37.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
38.图1是tlc闪存默认阈值电压分布示意图；
39.图2是图1中tlc闪存阈值电压发生变化的阈值电压分布示意图；
40.图3是本技术提供的最优读出阈值电压的搜索方法一实施例的流程示意图；
41.图4是图3中s3一子步骤的流程示意图；
42.图5是图3中s4一子步骤的流程示意图；
43.图6是图5中步骤s41-s43一实施例示意图；
44.图7是图1中s5的子步骤流程示意图；
45.图8是本技术提供的最优读出阈值电压的搜索方法另一实施例的示意图；
46.图9是图8中计算出r1、r3和r6的示意图；
47.图10是本技术提供的终端设备一实施例的结构示意图；
48.图11是本技术提供的计算机存储介质一实施例的结构示意图。
具体实施方式
49.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
50.本技术中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
51.存储设备中使用的闪存芯片根据存储架构的差异，主要分为nor闪存和nand闪存两大类，其中nand闪存则是目前主流大容量存储设备的存储介质。nand闪存由一种类nmos的mos管构成基本存储单元组成，用于存储电荷的结构被称为浮栅(floating gate)，是由源极(source)和漏极(drain)间实现电流单向传导的半导体构成。浮栅外侧被一层硅氧化膜绝缘体所包裹，目的是限制电子的自由扩散，选择/控制栅(control gate)位于其上方，用于控制源极和漏极间传导电流。nand闪存作为一种非易失存储器，其浮栅内电荷在掉电
后可以继续保持。
52.nand闪存通过绝缘氧化层限制电子的扩散实现存储数据，但是在闪存的寿命周期内，随着闪存单元经受擦写次数的增加，绝缘氧化层逐渐退化，导致电荷容易流失，数据保持时间缩短。同时，为了提供可接受的大容量存储设备，闪存制造商在slc(single-level cell)颗粒的基础上又继而提出了mlc(multi-level cell)颗粒、tlc(triple-level cell)颗粒甚至是qlc(quad-level cell)颗粒，这意味着在单个存储单元中将用来存储多个比特位信息，同时与多个电压状态相对应。每个单元存储的比特信息越多，则要求控制电压越复杂，同时每个状态所对应的阈值电压区间将越小。
53.与slc存储颗粒相比，mlc、tlc和qlc存储具有更高密度的存储能力，也更容易受到不同类型的噪声干扰，引发nand闪存可靠性问题的场景主要包括：数据保持、读干扰。
54.其中，在数据保持场景中，存储在nand闪存存储层中的电荷在擦除前存在逐渐流失和扩散的现象，闪存中的数据保持时间越长，引发的可靠性风险越高，错误情况越严重，将使存储单元阈值电压向低电压方向偏移；在读干扰的场景中，随着读取操作次数的逐渐积累，存储层受到的电荷误写入效应会逐渐放大，使nand闪存的阈值电压分布向高电压方向偏移。
55.以tlc存储颗粒作为示例，请参阅图1和图2。
56.图1是tlc闪存默认阈值电压分布示意图，tlc闪存具有8种阈值电压状态，相邻的阈值电压状态之间的噪声裕度较小。
57.随着tlc闪存的长期使用后，tlc闪存的阈值电压发生变化，如图2所示，图2是图1中tlc闪存阈值电压发生变化的阈值电压分布示意图。存储单元的电荷量随着时间的变化发生了变化，造成阈值电压状态的偏移，出现相邻电压状态的重叠，存储设备在读取数据的过程中易发生比特误判，发生读取错误的情况。
58.软解码可以是使用多个软读取电压执行读操作的操作，可以基于默认读电压或者最优读电压来确定多个读电压。可选地，多个软读电压的大小可以基于默认读电压或最优读电压按照恒定间隔增加或减少的电压。
59.请参阅图3，图3是本技术提供的最优读出阈值电压的搜索方法一实施例的流程示意图。
60.如图3所示，本技术实施例提供的最优读出阈值电压的搜索方法可以包括以下步骤：
61.s1，获取软解码阶段的多次读数据，并基于多次读数据获取软解码阶段的读信息。
62.其中，读信息包括若干阈值电压的混合信息。
63.其中，混合信息包括若干阈值电压的左边信息总和，以及若干阈值电压的右边信息总和。
64.在一实施例中，最优读出阈值电压的搜索终端收集软解码阶段获得的多次读数据，搜索终端根据上述获得的多次读数据获取出软解码阶段中的读信息。其中读信息包括若干阈值电压的左边信息总和以及若干阈值电压的右边信息总和。
65.其中，阈值电压左边信息为阈值电压与电压偏移值之差及阈值电压之间对应的nand单元计数值。
66.其中，阈值电压右边信息总和为阈值电压与阈值电压及电压偏离值之和之间对应
的nand单元计数值。
67.在一实施例中，混合信息包括若干个阈值电压与电压偏移值之差及阈值电压之间对应的nand单元计数值总和，以及阈值电压与阈值电压及电压偏离值之和之间对应的nand单元计数值的总和。
68.可选地，电压偏移值可以为事先设定的经验数值。
69.s2，基于混合信息生成多个额外读命令。
70.其中，混合信息包括若干阈值电压的左边信息总和，以及若干阈值电压的右边信息总和。
71.其中，基于混合信息生成基于单水平读取功能的多个额外读命令。
72.在一实施例中，由于获得的读信息包括若干阈值电压的左边信息总和，以及若干阈值电压右边的信息总和，为了分别区分出每个阈值电压的左边信息和阈值电压的右边信息，搜索终端需要对获得的读信息生成多个额外读命令，对阈值电压的混合信息进行额外读。
73.s3，按照多个额外读命令的读出结果，获取每个阈值电压的额外信息。
74.在一实施例中，搜索终端根据多个额外读命令的读出结果，区分出每个阈值电压对应的额外信息。
75.可选地，额外信息包括每个阈值电压对应的比特数。
76.获取每个阈值电压的额外信息的方法包括：
77.其中，若干阈值电压至少包括第一阈值电压和第二阈值电压。
78.固定所述第一阈值电压，对所述第二阈值电压进行偏移读，得到所述第一阈值电压的额外信息；
79.基于所述第一阈值电压的额外信息，得到所述第二阈值电压的额外信息。
80.在该实施例中，搜索终端固定第一阈值电压，对第二阈值电压和进行偏移读，获得第一阈值电压的额外信息，从而区分出第二阈值电压的额外信息。
81.可选地，第一阈值电压的额外信息包括第一阈值电压对应的左边信息和右边信息。
82.可选地，右边信息包括阈值电压与阈值电压及电压偏离值之和之间对应的nand单元计数值。
83.可选地，左边信息包括阈值电压与电压偏移值之差及阈值电压之间对应的nand单元计数值。
84.可选地，右边信息包括阈值电压与阈值电压及电压偏离值之和之间对应的nand单元计数值。
85.获取每个阈值电压的额外信息另一种方法请参阅图4，图4是图3中s3一子步骤的流程示意图。
86.如图4所示，s3的子步骤还可以包括：
87.s31，固定第一阈值电压，对第二阈值电压和第三阈值电压进行偏移读，得到第一阈值电压的额外信息。
88.在该实施例中，若干阈值电压至少包括第一阈值电压、第二阈值电压和第三阈值电压。
89.搜索终端固定第一阈值电压，对第二阈值电压和第三阈值电压进行偏移读，获得第二阈值电压和第三阈值电压对应叠加的混合信息，从而区分出第一阈值电压的额外信息。
90.可选地，第一阈值电压的额外信息包括第一阈值电压对应的左边信息和右边信息。
91.可选地，左边信息包括阈值电压与电压偏移值之差及阈值电压之间对应的nand单元计数值。
92.可选地，右边信息包括阈值电压与阈值电压及电压偏离值之和之间对应的nand单元计数值。
93.s32，固定第二阈值电压，对第一阈值电压和第三阈值电压进行偏移读，得到第二阈值电压的额外信息。
94.在一实施例中，搜索终端固定第二阈值电压，对第一阈值电压和第三阈值电压进行偏移读，获得第一阈值电压和第三阈值电压对应叠加的混合信息，从而区分出第二阈值电压的额外信息。
95.可选地，第二阈值电压的额外信息包括第二阈值电压对应的左边信息和右边信息。
96.可选地，左边信息包括阈值电压与电压偏移值之差及阈值电压之间对应的nand单元计数值。
97.可选地，右边信息包括阈值电压与阈值电压及电压偏离值之和之间对应的nand单元计数值。
98.s33，基于第一阈值电压的额外信息，以及第二阈值电压的额外信息，得到第三阈值电压的额外信息。
99.在一实施例中，搜索终端从上述分别得到第一阈值电压的额外信息和第二阈值电压的额外信息，区分出第三阈值电压的额外信息。
100.可选地，第三阈值电压的额外信息包括第三阈值电压对应的左边信息和右边信息。
101.可选地，左边信息包括阈值电压与电压偏移值之差及阈值电压之间对应的nand单元计数值。
102.可选地，右边信息包括阈值电压与阈值电压及电压偏离值之和之间对应的nand单元计数值。
103.s4，结合混合信息和额外信息，对若干阈值电压进行区分，并获取每个阈值电压的搜索信息。
104.其中，还包括将混合信息与每一阈值电压的额外信息作差，得到每一阈值电压的搜索信息。
105.搜索终端区分若干阈值电压并获得每个阈值电压的搜索信息的方法请参阅图5，图5是图3中s4一子步骤的流程示意图。
106.如图5所示，s4的子步骤可以包括：
107.s41，按照第一额外读命令固定当前阈值电压，对其余阈值电压进行偏移读，获取第一额外信息。
108.在一实施例中，搜索终端按照第一额外读命令固定当前阈值电压，对其余电压进行偏移读操作，获取的第一额外信息包含了除当前阈值电压外的其余阈值电压左边信息总和以及右边信息总和。
109.可选地，左边信息总和可以包括若干对阈值电压与电压偏移值之差及对应阈值电压之间对应的nand单元计数值总和。
110.可选地，右边信息总和可以包括若干对阈值电压及阈值电压与对应电压偏移值之和之间对应的nand单元计数值总和。
111.s42，按照第二额外读命令固定下一个阈值电压，对其余阈值电压进行偏移读，获取第二额外信息。
112.在一实施例中，搜索终端按照第二额外读命令固定下一个阈值电压，对其余电压进行偏移读操作，获取的第二额外信息包含了除下一个阈值电压外的其余阈值电压左边信息总和以及右边信息总和。
113.可选地，左边信息总和可以包括若干对阈值电压与电压偏移值之差及对应阈值电压之间对应的nand单元计数值总和。
114.可选地，右边信息总和可以包括若干对阈值电压及阈值电压与对应电压偏移值之和之间对应的nand单元计数值总和。
115.s43，直至按照多个额外读命令对每一阈值电压均进行固定，并对其余阈值电压进行偏移读，获取第三额外信息后，按照第一额外信息、第二额外信息以及第三额外信息，计算得到每一阈值电压的额外信息。
116.在一实施例中，搜索终端按照多个额外读命令对每一阈值电压均进行固定，并对其余阈值电压进行偏移读，获取第三额外信息，通过对第一额外信息、第二额外信息、第三额外信息之间进行作差法计算，计算得到每个阈值电压的左边信息和右边信息。
117.可选地，左边信息可以包括阈值电压与电压偏移值之差及阈值电压之间对应的nand单元计数值。
118.可选地，右边信息可以包括阈值电压及阈值电压与电压偏移值之和之间对应的nand单元计数值。
119.请参阅图6，图6是图5中步骤s41-s43一实施例示意图。
120.如图6所示，为了确定在软解码失败之后的4个tlc页111、101、001和011之间的最优阈值电压，搜索终端收集软解码阶段的多次读数据进行最优电压搜索。软解码阶段的收集的多次读数据分别为3个基础电压的左边信息总和与3个阈值电压的右边信息总和，因此搜索终端需要发出多个额外读命令，区分出3个基础电压对应的3个左边信息和3个右边信息。
121.可选地，左边信息可以为基础电压-偏移值和基础电压之间对应的nand单元数总和。
122.可选地，右边信息可以为基础电压和基础电压+偏移值之间对应的nand单元数总和。
123.可选地，偏移值为预先设置的偏移电压值。
124.搜索终端先对基础电压1、基础电压2、基础电压3进行3次偏移读，获取每个比特在3次读取后的3比特数据，对获取得到的3次基础电压左边信息总和记作a1，对获取得到的3
次基础电压右边信息总和记作b1。
125.可选地，基础电压1、基础电压2、基础电压3可以为软解码时第一次读取所使用的电压值。
126.搜索终端固定基础电压2，对基础电压1和基础电压3进行3次偏移读，获取每个比特在3次读取后的3比特数据，对获取得到的基础电压1与基础电压3的左边信息总和记作a2，对获取得到的基础电压1与基础电压3的右边信息总和记作b2。
127.搜索终端固定基础电压1，对基础电压2和基础电压3进行3次偏移读，获取每个比特在3次读取后的3比特数据，对获取得到的基础电压2与基础电压3的左边信息总和记作a3，对获取得到的基础电压2与基础电压3的右边信息总和记作b3。
128.根据上述9次的额外读获得的6次信息总和，可以区分出基础电压1左边信息和右边信息、基础电压2左边信息和右边信息，以及基础电压3左边信息和右边信息。
129.其中，基础电压1左边信息为a1-a3，右边信息为b1-b3。
130.其中，基础电压2左边信息为a1-a2，右边信息为b1-b2。
131.其中，基础电压3左边信息为a2+a3-a1，右边信息为b2+b3-b1。
132.s5，基于每个阈值电压的搜索信息，确定每个阈值电压的最优读电压偏移值。
133.其中，每个阈值电压的搜索信息的数量由软解码阶段中每次读的读取次数所决定。
134.请参阅图7，图7是图1中s5的子步骤流程示意图。
135.s5的子步骤可以包括：
136.s51，基于所述每个阈值电压的搜索信息，计算所述每个阈值电压的偏移方向和偏移值。
137.其中，在搜索信息中的左边信息大于右边信息时，确定偏移方向为向右偏移。
138.在一实施例中，搜索获取到的某个阈值电压的左边信息大于右边信息时，该阈值电压需要向右偏移。
139.在另一实施例中，搜索获取到的某个阈值电压的左边信息小于右边信息时，该阈值电压需要向左偏移。
140.s52，基于所述偏移方向和所述偏移值确定所述每个阈值电压的最优读电压偏移值。
141.其中，基于左边信息与所述右边信息的差异情况，确定偏移值，并按照偏移方向以及偏移值，重新获取搜索信息，直至搜索信息的左边信息等于右边信息时所对应的阈值电压，为最优读电压偏移值。
142.在一实施例中，搜索得到的某个阈值电压的左边信息与右边信息存在差异，根据两者之间的差异值确定偏移值，及步骤s51所获得的偏移方向，重新获取该阈值电压的搜索信息，直到该阈值电压满足左边信息等于右边信息。此时该阈值电压为该最优读电压偏移值。
143.本技术中，搜索单元通过使用单水平读取功能，大大减少额外读的次数，单水平读取的延时与额外读的延时相比更短，因此减少区分每个最优阈值电压的时间，提升存储设备的读性能。
144.以上实施例，仅是对本技术的其中一种常见案例而已，并非对本技术的技术范围
做任何限制，故凡是依据本技术方案的实质对以上内容所做的任何细微修改、等同变化或者修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。
145.最优读出阈值电压的搜索方法另一实施例请共同参阅图8和图9，图8是本技术提供的最优读出阈值电压的搜索方法另一实施例的示意图。
146.如图8所示，在一实施例中，搜索终端对中间页进行软解码操作，需要计算对应的最优读电压，即分别计算出r1、r3和r6。
147.其中，r1为111与110两个tlc页之间的最优读电压。
148.其中，r3为001与011两个tlc页之间的最优读电压。
149.其中，r6为110和100两个tlc页之间的最优读电压。
150.请参阅图9，图9是图8中计算出r1、r3和r6的示意图。
151.搜索装置在软解码译码失败后，缓存3次读取的比特值，即获取r1、r3和r6对应的比特值，并获得r1、r3和r6的左边信息之和与右边信息之和。
152.其中，对111和101两个tlc页对应的单元数而言，r1左侧的电压值对应的基础电压比特值(base data)均为1，r1右侧的电压值对应的基础电压比特值均为0；r1左侧电压值对应的基础电压-偏移电压比特值(base-delta data)分别为1和0，r1右侧电压值对应的基础电压-偏移电压比特值均为0；r1左侧电压值对应的基础电压+偏移电压比特值(base+delta data)均为1，r1左侧电压值对应的基础电压+偏移电压比特值分别为1和0。
153.其中，对应001和011两个tlc页对应的单元数而言，r3左侧的电压值对应的基础电压比特值均为0，r3右侧的电压值对应的基础电压比特值均为1；r3左侧电压值对应的基础电压-偏移电压比特值(base-delta data)分别为0和1，r3右侧电压值对应的基础电压-偏移电压比特值均为1；r3左侧电压值对应的基础电压+偏移电压比特值(base+delta data)均为0，r3左侧电压值对应的基础电压+偏移电压比特值分别为0和1。
154.其中，对应001和011两个tlc页对应的单元数而言，r6左侧的电压值对应的基础电压比特值均为1，r6右侧的电压值对应的基础电压比特值均为0，r6左侧电压值对应的基础电压-偏移电压比特值(base-delta data)分别为1和0，r6右侧电压值对应的基础电压-偏移电压比特值均为0；r6左侧电压值对应的基础电压+偏移电压比特值(base+delta data)均为1，r6左侧电压值对应的基础电压+偏移电压比特值分别为1和0。
155.搜索装置对r2和r4分别进行一次单水平读取命令，分别获得r2和r4单水平读取后r1、r3和r6对应的比特值。
156.其中，对r1而言，r2单水平读取对应的比特值(r2单独读取data)分别为1、1、1、1，r4单水平读取对应的比特值(r4单独读取data)分别为1、1、1、1；
157.其中，对r3而言，r2单水平读取对应的比特值(r2单独读取data)分别为0、0、0、0，r4单水平读取对应的比特值(r4单独读取data)分别为1、1、1、1；
158.其中，对r6而言，r2单水平读取对应的比特值(r2单独读取data)分别为0、0、0、0；r4单水平读取对应的比特值(r4单独读取data)分别为0、0、0、0。
159.根据r2和r4单水平读取后r1、r3和r6对应的比特值，区分出r1、r3和r6的值。
160.在对r2单水平读取后，对r1而言r2对应的比特值与对r3和r6而言分别对应r2的比特值不同，可以从三者中区分出r1；在此基础上对r4单水平读取后，对r3而言r4对应的比特值和对r6而言r4对应的比特值不同，可以区分出r3和r6。
161.请参见图10，图10是本技术提供的终端设备一实施例的结构示意图。本技术实施例的终端设备500包括处理器51、存储器52。
162.该存储器52中存储有程序数据，处理器51用于执行程序数据以实现上述实施例所述的最优读出阈值电压的搜索方法。
163.在本技术实施例中，处理器51还可以称为cpu(central processing unit，中央处理单元)。处理器51可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。处理器51还可以是通用处理器、数字信号处理器(dsp，digital signal process)、专用集成电路(asic，application specific integrated circuit)、现场可编程门阵列(fpga，field programmable gate array)或者其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器51也可以是任何常规的处理器等。
164.本技术还提供一种计算机存储介质，请继续参阅图11，图11是本技术提供的计算机存储介质一实施例的结构示意图，该计算机存储介质600中存储有程序数据61，该程序数据61在被处理器执行时，用以实现上述实施例的最优读出阈值电压的搜索方法。
165.本技术的实施例以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本技术各个实施方式所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
166.以上所述仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，方式利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。