内存刷新参数确定、内存刷新方法、装置、介质和设备与流程

所属的技术人员能够理解，本公开的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本公开的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施方式。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施方式仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限定。

背景技术：

1、dram(dynamic random access memory，动态随机存取存储器)芯片的基本结构一般包括1个晶体管和1个电容，电容在工作过程中容易发生漏电的情况，并且数据保存时间与内存刷新间隔时间成反比，因此，为了保证数据的完整性需要对电容进行周期性充电，这个充电的过程称为内存刷新。

2、由于物理布局以及生产工艺等因素影响，不同内存单元的数据保存时间不同，最大的可以达到50％以上的时间差异。针对这种情况，目前大多是以dram芯片中各内存单元中数据保存时长最短的为基准进行刷新，这边导致数据保存时长较长的内存单元也需要基于该最短的刷新间隔时长进行内存刷新。也就是说，数据保存时长较长的内存单元在单位时间内的刷新次数更多，从而大大增加了dram芯片的功耗。

3、因此，目前dram芯片的功耗较大。

技术实现思路

1、本公开提供了一种内存刷新参数确定、内存刷新方法、装置、介质和设备，进而降低dram芯片的功耗。

2、第一方面，本公开一个实施例提供了一种内存刷新参数确定方法，包括：

3、针对待测半导体中的每个内存单元，确定内存单元的数据保持时长与基准内存单元的基准数据保持时长之间的时间比值；其中，基准内存单元是指待测半导体中数据保持时长最短的内存单元；

4、针对每个内存单元，根据基准内存单元的基准刷新间隔时长与时间比值确定内存单元的目标刷新间隔时长；

5、针对每个内存单元，根据基准内存单元的在基准刷新间隔时长内对内存数据的基准刷新量与时间比值确定内存单元在目标刷新间隔时长内的目标刷新量。

6、在本公开一个可选的实施例中，在针对待测半导体中的每个内存单元，确定内存单元的数据保持时长与基准内存单元的基准数据保持时长之间的时间比值之前，该内存刷新参数确定方法还包括：

7、获取待测半导体中各内存单元在数据保持测试中的数据保持时长；

8、将各数据保持时长中的最小值对应的内存单元确定为基准内存单元。

9、在本公开一个可选的实施例中，获取待测半导体中各内存单元在数据保持测试中的数据保持时长，包括：

10、对待测半导体进行量产测试，得到待测半导体的测试结果；

11、从测试结果中提取得到各内存单元的数据保持时长。

12、在本公开一个可选的实施例中，在针对待测半导体中的每个内存单元，确定内存单元的数据保持时长与基准内存单元的基准数据保持时长之间的时间比值之后，该内存刷新参数确定方法还包括：

13、将各内存单元对应的时间比值存储于待测半导体中预设存储模块。

14、在本公开一个可选的实施例中，该内存刷新参数确定方法还包括：

15、将各内存单元对应的目标刷新量存储于待测半导体中预设存储模块。

16、在本公开一个可选的实施例中，预设存储模块为待测半导体中的可读寄存器。

17、在本公开一个可选的实施例中，针对每个内存单元，根据基准内存单元的基准刷新间隔时长与时间比值确定内存单元的目标刷新间隔时长，包括：

18、针对每个内存单元，计算基准内存单元的基准刷新间隔时长与内存单元对应的时间比值之间的比值，得到内存单元的目标刷新间隔时长。

19、在本公开一个可选的实施例中，针对每个内存单元，根据基准内存单元的在基准刷新间隔时长内对内存数据的基准刷新量与时间比值确定内存单元在目标刷新间隔时长内的目标刷新量，包括：

20、确定基准内存单元在基准刷新间隔时长内对内存数据的基准刷新量；

21、针对每个内存单元，计算基准刷新量与内存单元对应的时间比值之间的比值，得到内存单元在目标刷新间隔时长内的目标刷新量。

22、在本公开一个可选的实施例中，基准刷新量为在基准刷新间隔时长内对内存单元中各数据单元的刷新单元数量。

23、在本公开一个可选的实施例中，待测半导体为动态随机存取存储器。

24、第二方面，本公开一个实施例提供了一种内存刷新方法，包括：

25、获取待测半导体中每个内存单元的目标刷新间隔时长，以及在目标刷新间隔时长内的目标刷新量；其中，目标刷新间隔时长与目标刷新量是根据如上任一项的内存刷新参数确定方法确定得到的；

26、基于目标刷新间隔时长与目标刷新量控制待测半导体中对应的各内存单元进行内存刷新。

27、第三方面，本公开一个实施例提供了一种内存刷新参数确定装置，该装置包括：

28、第一确定模块，用于针对待测半导体中的每个内存单元，确定内存单元的数据保持时长与基准内存单元的基准数据保持时长之间的时间比值；其中，基准内存单元是指待测半导体中数据保持时长最短的内存单元；

29、第二确定模块，用于针对每个内存单元，根据基准内存单元的基准刷新间隔时长与时间比值确定内存单元的目标刷新间隔时长；

30、第三确定模块，用于针对每个内存单元，根据基准内存单元的在基准刷新间隔时长内对内存数据的基准刷新量与时间比值确定内存单元在目标刷新间隔时长内的目标刷新量。

31、第四方面，本公开一个实施例提供了一种内存刷新装置，该装置包括：

32、获取模块，用于获取待测半导体中每个内存单元的目标刷新间隔时长，以及在目标刷新间隔时长内的目标刷新量；其中，目标刷新间隔时长与目标刷新量是根据如上任一项的内存刷新参数确定方法确定得到的；

33、控制模块，用于基于目标刷新间隔时长与目标刷新量控制待测半导体中对应的各内存单元进行内存刷新。

34、第五方面，本公开一个实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上的方法。

35、第六方面，本公开一个实施例提供了一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储处理器的可执行指令；其中，处理器配置为经由执行可执行指令来执行如上的方法。

36、本公开的技术方案具有以下有益效果：

37、上述内存刷新参数确定方法，针对待测半导体中的每个内存单元，确定内存单元的数据保持时长与基准内存单元的基准数据保持时长之间的时间比值，第一方面，根据基准内存单元的基准刷新间隔时长与时间比值确定各内存单元的目标刷新间隔时长，从而避免了传统方式中统一使用各内存单元中时间最长的刷新间隔时长，整体的刷新间隔时长更短，内存刷新效率更高；且每个内存单元均具有适配于对应的数据保持时长的目标刷新间隔时长，以保障正常的数据刷新；

38、第二方面，本公开实施例根据基准内存单元的在基准刷新间隔时长内对内存数据的基准刷新量与时间比值确定内存单元在目标刷新间隔时长内的目标刷新量，避免了传统方式中统一使用最大刷新量，刷新量减小，进一步降低了内存刷新的功耗。

39、因此，本公开实施例在提高内存刷新的效率的同时大大降低了内存刷新的功耗，从而解决了目前dram芯片的功耗较大的技术问题，达到了降低dram芯片的功耗的技术效果。

40、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。