易失性存储器件的制作方法

一些示例实施例涉及易失性存储器件，更具体地，涉及具有开放位线结构的易失性存储器件。

背景技术：

1、用于存储数据的半导体存储器件可以大致分为易失性存储器件和非易失性存储器件。在诸如通过对单元电容器充电或放电来存储数据的动态随机存取存储器(dram)等的易失性存储器件中，在向易失性存储器件供电的同时保持存储的数据，但在断电时存储的数据会丢失。同时，非易失性存储器件即使在断电时也可以存储数据。易失性存储器件主要用作计算机等的主存储器，并且非易失性存储器件用作大容量存储器，用于在诸如计算机和便携式通信设备等广泛的应用设备中存储程序和数据。

2、易失性存储器件可以具有开放位线结构或折叠位线结构。具有上述结构的易失性存储器件的读出放大器可以具有一对彼此对应的位线。具有开放位线结构的易失性存储器件可以根据其结构的特性包括不必要的存储阵列片。

技术实现思路

1、一些示例实施例提供了一种存储器件，例如易失性存储器件，能够具有减小的面积。

2、备选地或附加地，一些示例实施例提供了一种存储器件，例如易失性存储器件，能够具有增大的单元密度。

3、然而，示例性实施例的各方面不限于本文中所阐述的实施例。通过参考以下给出的详细描述，示例实施例的以上和其他方面对本领域普通技术人员将变得更加清楚。

4、根据一些示例实施例，提供了一种能够具有减小的面积的易失性存储器件。易失性存储器件包括：第一读出放大器；第二读出放大器，与第一读出放大器间隔开；第一标准存储阵列片，在第一读出放大器与第二读出放大器之间，并包括与第一读出放大器连接的第一位线和与第二读出放大器连接的第二位线；以及第一参考存储阵列片，在第一读出放大器与第二读出放大器之间在第一标准存储阵列片上，并包括与第一读出放大器连接的第一互补位线和与第二读出放大器连接的第二互补位线。

5、根据一些示例实施例，提供了一种存储器件，例如易失性存储器件，包括：第一读出放大器；第二读出放大器和第三读出放大器，在第一方向上与第一读出放大器依次间隔开；第一存储阵列片，在第一读出放大器与第二读出放大器之间，并包括与第一读出放大器连接的第一位线和与第二读出放大器连接的第二位线；第二存储阵列片，在第一读出放大器与第二读出放大器之间在第一存储阵列片上，并包括与第一读出放大器连接的第一互补位线；以及第三存储阵列片，在第二读出放大器与第三读出放大器之间，并包括与第二读出放大器连接的第二互补位线。

6、根据一些示例实施例，提供了一种存储器件，例如易失性存储器件，包括：多个存储体；行解码器，具有多个存储体之中的第一存储体，第一存储体在第一方向上延伸；列解码器，在与第一方向正交的第二方向上延伸；存储体存储阵列，从行解码器在第二方向上布置并从列解码器在第一方向上布置；以及第一读出放大器，在存储体存储阵列的与第一方向相交的第三方向上的第一边缘部分处，其中存储体存储阵列包括在第一方向上与第一读出放大器间隔开并包括与第一读出放大器连接的第一位线的第一标准存储阵列片，以及在第三方向上与第一标准存储阵列片间隔开并包括与第一读出放大器连接的第一互补位线的第一参考存储阵列片。

7、根据一些示例实施例，提供了一种存储器件，例如易失性存储器件，包括：第一读出放大器；第二读出放大器，在第一方向上与第一读出放大器间隔开；第一位线，在第一读出放大器与第二读出放大器之间与第一读出放大器连接并在第一方向上延伸；第一金属线，与第一读出放大器连接并在与第一方向相交的第二方向上延伸；第一互补位线，在第二方向上与第一位线间隔开并通过第一金属线与第一读出放大器连接；第二位线，在第一读出放大器与第二读出放大器之间与第二读出放大器连接并在第二方向上延伸；以及多条字线，在第一读出放大器与第二读出放大器之间在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸并与第一位线、第一互补位线和第二位线连接。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一读出放大器被配置为通过使用所述第一互补位线对与所述第一位线连接的第一存储单元执行读取操作或写入操作中的至少一项，以及

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一互补位线通过第一金属线与所述第一读出放大器连接，并且所述第二互补位线通过第二金属线与所述第二读出放大器连接。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一读出放大器和所述第二读出放大器在设置有所述第一标准存储阵列片的第一层上，并且所述第一参考存储阵列片在所述第一层上方的第二层上。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一标准存储阵列片在第一层上，并且所述第一读出放大器、所述第二读出放大器和所述第一参考存储阵列片在所述第一层上方的第二层上。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一标准存储阵列片和所述第一读出放大器在第一层上，并且所述第二读出放大器和所述第一参考存储阵列片在所述第一层上方的第二层上。

9.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述第一读出放大器至所述第四读出放大器在第一方向上依次布置，

11.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述第一读出放大器、所述第二读出放大器和所述第一标准存储阵列片在第一层上，

12.一种存储器件，包括：

13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述第三存储阵列片还包括与所述第三读出放大器连接的第三位线，以及

14.根据权利要求12所述的存储器件，还包括：第四读出放大器，在所述第一方向上与所述第二存储阵列片间隔开，

15.根据权利要求14所述的存储器件，还包括：

16.根据权利要求15所述的存储器件，其中，所述第五存储阵列片在所述第三存储阵列片上方。

17.根据权利要求16所述的存储器件，其中，所述第一读出放大器被配置为通过使用所述第一互补位线对与所述第一位线连接的第一存储单元执行读取操作或写入操作中的至少一项，

18.一种存储器件，包括：

19.根据权利要求18所述的存储器件，还包括：

20.根据权利要求19所述的存储器件，还包括：

技术总结
提供了一种存储器，例如易失性存储器件，能够具有减小的面积。易失性存储器件包括：第一读出放大器；第二读出放大器，与第一读出放大器间隔开；第一标准存储阵列片，设置在第一读出放大器与第二读出放大器之间，并包括与第一读出放大器连接的第一位线和与第二读出放大器连接的第二位线；以及第一参考存储阵列片，在第一标准存储阵列片上设置在第一读出放大器与第二读出放大器之间，并包括与第一读出放大器连接的第一互补位线和与第二读出放大器连接的第二互补位线。

技术研发人员：李在弼,鲁光塾
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12