本公开的各种实施例总体上涉及电子设备,并且更具体地涉及存储器设备以及操作该存储器设备的方法。
背景技术:
1、存储设备是在诸如计算机或智能手机的主机设备的控制下存储数据的设备。存储器设备可以包括存储数据的存储器设备和控制存储器设备的存储器控制器。存储器设备被分类为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。
2、易失性存储器设备是仅在电源被供应存储数据,并且在电源供应被中断时存储的数据丢失的存储器设备。易失性存储器设备的示例可以包括静态随机存取存储器(sram)和动态随机存取存储器(dram)。
3、非易失性存储器设备是即使在电源供应被中断时也保留存储的数据的存储器设备。非易失性存储器设备的示例可以包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)和快闪存储器。
4、读取操作是读取存储器设备中存储的数据的操作。具体地,读取操作可以是将读取电压施加到被选择的字线,并且将通过电压施加到未被选择的字线的操作。为了减少读取操作所需的时间,需要用于准确且快速地控制待被施加到字线的电压电平的技术。
技术实现思路
1、本公开的一个实施例可以提供一种存储器设备。存储器设备可以包括:存储器块,包括与多条字线耦合的多个存储器单元;外围电路,被配置为通过将读取电压施加到多条字线之中的被选择的字线,并且将第一通过电压施加到目标字线来执行读取操作,其中目标字线在除了被选择的字线之外的未被选择的字线之中与被选择的字线相邻;以及控制逻辑,被配置为基于读取电压变化来降低读取电压,以及当读取电压降低时,基于通过电压变化来降低第一通过电压,其中通过电压变化小于读取电压变化。
2、本公开的一个实施例可以提供一种操作存储器设备的方法。方法可以包括:将读取电压施加到多条字线之中的被选择的字线,并且将通过电压施加到未被选择的字线,被选择的字线被耦合到存储器设备中包括的存储器块;基于第一电压变化来降低读取电压,以及当读取电压降低时,基于第二电压变化,降低施加到未被选择的字线之中与被选择的字线相邻的目标字线的通过电压,其中第二电压变化小于第一电压变化。
1.一种存储器设备,包括:
2.根据权利要求1所述的存储器设备,其中所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路将第二通过电压施加到所述未被选择的字线之中的剩余字线,并且在所述读取电压降低时,保持所述第二通过电压的电平,以及
3.根据权利要求2所述的存储器设备,其中所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路在所述读取操作被执行之前,向所述被选择的字线、所述目标字线和所述剩余字线施加过充电电压。
4.根据权利要求3所述的存储器设备,其中所述控制逻辑被配置为:
5.根据权利要求1所述的存储器设备,其中所述控制逻辑包括:
6.根据权利要求5所述的存储器设备,其中:
7.根据权利要求1所述的存储器设备,其中所述控制逻辑包括:
8.根据权利要求7所述的存储器设备,其中所述控制逻辑被配置为:
9.根据权利要求8所述的存储器设备,其中:
10.根据权利要求9所述的存储器设备,其中所述第一比率值等于或大于所述第二比率值。
11.根据权利要求9所述的存储器设备,其中所述第一比率值小于或等于所述第二比率值。
12.根据权利要求7所述的存储器设备,其中所述控制逻辑被配置为:
13.一种操作存储器设备的方法,包括:
14.根据权利要求13所述的方法,还包括:
15.根据权利要求14所述的方法,还包括:
16.根据权利要求15所述的方法,其中施加所述读取电压和所述通过电压包括:
17.根据权利要求13所述的方法,还包括:
18.根据权利要求17所述的方法,其中:
19.根据权利要求13所述的方法,还包括:
20.根据权利要求13所述的方法,还包括: