选择栅极可靠性的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更特定地涉及选择栅极可靠性。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据和从存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、本公开的一实施例提供一种用于选择栅极可靠性的方法，其包括：确定存储器串的选择栅极的经编程阈值电压；基于所述经编程阈值电压向所述选择栅极指派经编程可靠性等级，其中所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据或冷数据或其任何组合可编程到所述存储器串；将质量特性计数递增到第一校验电压值；在所述第一校验电压值下确定所述选择栅极的第一经校验阈值电压；以及基于所述第一经校验阈值电压向所述选择栅极指派第一可靠性等级，其中所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者可编程到所述存储器串。

2、本公开的另一实施例提供一种用于选择栅极可靠性的设备，其包括：存储器单元块，其包括多个存储器串；以及存储器子系统可靠性组件，其耦合到所述存储器单元块，其中所述存储器子系统可靠性组件用于：基于所述多个存储器串中的存储器串的第一选择栅极和第二选择栅极的相应经编程阈值电压向所述第一选择栅极和所述第二选择栅极指派相应第一选择栅极经编程可靠性等级和第二选择栅极经编程可靠性等级，其中所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据或冷数据或其任何组合可编程到所述存储器串；将所述第一选择栅极和所述第二选择栅极的质量特性计数递增到第一校验电压值；在所述第一校验电压值下确定第一选择栅极第一经校验阈值电压和第二选择栅极第一经校验阈值电压；比较所述第一选择栅极第一经校验阈值电压和所述第二选择栅极第一经校验阈值电压以确定所述第一选择栅极和所述第二选择栅极具有共同第一经校验阈值电压可靠性；以及基于所述第一经校验阈值电压向所述第一选择栅极和所述第二选择栅极指派第一可靠性等级，其中所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者可编程到所述存储器串。

3、本公开的又一实施例提供一种用于选择栅极可靠性的系统，其包括：存储器单元块，其包括多个存储器串；以及处理器，其耦合到所述存储器单元块，其中所述处理器用于：基于所述多个存储器串中的存储器串的第一选择栅极和第二选择栅极的相应经编程阈值电压向所述第一选择栅极和所述第二选择栅极指派相应第一选择栅极经编程可靠性等级、第二选择栅极经编程可靠性等级，其中所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据或冷数据或其任何组合可编程到所述存储器串；将所述第一选择栅极和所述第二选择栅极的质量特性计数递增到第一校验电压值；在所述第一校验电压值下确定第一选择栅极第一经校验阈值电压和第二选择栅极第一经校验阈值电压；比较所述第一选择栅极第一经校验阈值电压和所述第二选择栅极第一经校验阈值电压以确定所述第一选择栅极和所述第二选择栅极不具有共同第一经校验阈值电压可靠性；以及基于较低第一经校验阈值电压可靠性向所述第一选择栅极或所述第二选择栅极指派第一可靠性等级，其中所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者可编程到所述存储器串。

技术特征：

1.一种用于选择栅极可靠性的方法(450)，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一经校验阈值电压大于所述经编程阈值电压，所述第二经校验阈值电压大于所述第一经校验阈值电压，且所述第三经校验阈值电压大于所述第二经校验阈值电压。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一经校验阈值电压小于所述经编程阈值电压，所述第二经校验阈值电压小于所述第一经校验阈值电压，且所述第三经校验阈值电压小于所述第二经校验阈值电压。

6.一种用于选择栅极可靠性的设备，其包括：

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第一可靠性等级指示所述存储器串的所述第一选择栅极和所述第二选择栅极相较于具有所述相应第一选择栅极经编程可靠性等级和所述第二选择栅极经编程可靠性等级的所述第一选择栅极和所述第二选择栅极已降级。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述存储器子系统可靠性组件用于

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第二可靠性等级指示所述存储器串的所述第一选择栅极和所述第二选择栅极相较于具有所述第一可靠性等级的所述第一选择栅极和所述第二选择栅极已降级。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器子系统可靠性组件用于

11.根据权利要求6所述的设备，其中所述第一选择栅极和所述第二选择栅极串联连接，且其中所述质量特性计数是至少部分地基于编程-擦除循环pec的量和由所述存储器串执行的感测操作的量的组合。

12.一种用于选择栅极可靠性的系统(100、500)，其包括：

13.根据权利要求12所述的系统，其中所述处理器用于

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述处理器用于

15.根据权利要求12所述的系统，其中所述处理器用于基于另一存储器串的所述第一选择栅极或所述第二选择栅极的较低第一经校验阈值电压可靠性向所述另一存储器串的所述第一选择栅极或所述第二选择栅极指派第一可靠性等级，其中所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者能够编程到所述另一存储器串。

技术总结
本申请案涉及选择栅极可靠性。一种方法包含确定存储器串的选择栅极的经编程阈值电压，以及基于所述经编程阈值电压向所述选择栅极指派经编程可靠性等级。所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据和/或冷数据可编程到所述存储器串。所述方法进一步包含将质量特性计数递增到第一校验电压值，在所述第一校验电压值下确定所述选择栅极的第一经校验阈值电压，以及基于所述第一经校验阈值电压向所述选择栅极指派第一可靠性等级。所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者可编程到所述存储器串。

技术研发人员：F·G·特里维迪
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13