磁盘用基板及其制造方法以及磁盘与流程

本发明涉及一种磁盘用基板及其制造方法以及磁盘。

背景技术：

1、近年来，由于云计算的迅速普及，对数据中心使用的硬盘(包括硬盘驱动器等硬盘装置)要求高容量化。硬盘的高容量化具体而言可以借由磁盘用基板的薄化带来的装载张数的增加、磁盘用基板的大直径化等来实现。但是，硬盘用壳体的尺寸被标准化，收纳于其中的磁盘用基板难以大直径化。因此，强烈要求磁盘用基板的薄化。

2、安装(装备)在硬盘上的磁盘，通常在圆盘状的磁盘用基板的主面上设置磁层等而形成。作为这种磁盘用基板，提出了各种方案，例如，专利文献1公开了一种用于构成板厚0.8mm等的磁盘的磁盘用玻璃基板，已将精密研磨加工前的盘坯的状态下的平面度的变化量及表面波纹度设定在特定的范围。

3、[先前技术文献]

4、(专利文献)

5、专利文献1：日本专利第6259022号公报

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、迄今为止，公开了一些技术，用于减少硬盘中磁头崩溃、热粗糙故障等不良情况。

3、例如，以抑制热粗糙故障为目的，进行了与磁盘用基板的波纹度、粗糙度有关的探讨(例如专利文献1)。但是，以往的与磁盘用基板的波纹度、粗糙度有关的探讨着眼于在磁盘用基板的精密研磨加工前、精密研磨加工后等作为磁盘使用前的阶段的波纹度和/或粗糙度，而并未探讨着眼于作为模拟实际的使用环境的加速试验而进行的热冲击试验后的长波长波纹度wa、短波长波纹度μwa。

4、另一方面，如上所述，伴随硬盘的高容量化，推进磁盘的装载张数的增加即构成磁盘的磁盘用基板的薄化，但特别是在厚度不足0.5mm的磁盘用基板中，与厚度0.5mm以上的磁盘用基板相比，在作为磁盘装入硬盘中时，由于100万～150万小时这样的长时间的硬盘的使用(驱动)，成为磁头的追随性降低的主要原因，有时基板的波纹度会增大。如果磁盘基板的波纹度增大，则会降低在磁盘的主面上以规定间隔(例如10nm)配置的磁头的对于磁盘用基板的主面的追随性，甚至在硬盘的长时间驱动时无法进行期望的读写，可靠性(长期可靠性)降低。

5、本发明的所要解决的问题在于提供一种磁盘用基板及磁盘，其能够应对硬盘的高容量化(装载张数的增加)，也能够维持硬盘的长期可靠性。本发明的所要解决的问题还在于提供一种制造方法，其能够制造具有上述特性的磁盘用基板。

6、[解决问题的技术手段]

7、本发明人对高容量化的硬盘的长期可靠性进行了深入的研究，结果发现，例如对于薄化至不足0.5mm的磁盘用基板(或磁盘)，在假定了实际的使用环境的特定的热冲击试验后的主面产生的表面波纹度是降低硬盘的长期可靠性的主要原因之一。

8、基于这种见解，进行了更进一步的探讨，结果发现，对作为零件的磁盘用基板，将以120℃加热30分钟后以-40℃冷却30分钟的过程设为1个循环时，在将该循环(连续)反复进行200个循环的热冲击试验后，对于磁盘用基板的一个主面，将以25℃测定的截止波长0.4～5.0mm的长波长波纹度wa设定为2.0nm以下，例如0.5～2.0nm，且将截止波长0.08～0.45mm的短波长波纹度μwa设定为0.15nm以下，例如0.05～0.15nm，从而例如即使是薄化至不足0.5mm的磁盘用基板，也能够实现例如与使用厚度0.5mm以上的磁盘用基板时同等以上的长期可靠性。本发明基于这些见解进一步重复探讨，完成本发明。

9、即，本发明的所要解决的问题借由以下的手段实现。

10、(1)一种磁盘用基板，其具有一对主面，

11、前述主面的至少一方在下述热冲击试验后的25℃中的截止波长0.4～5.0mm的长波长波纹度wa为2.0nm以下，且截止波长0.08～0.45mm的短波长波纹度μwa为0.15nm以下；

12、＜热冲击试验＞

13、热冲击试验为将对前述磁盘用基板以120℃加热30分钟后以-40℃冷却30分钟的过程设为1个循环时，将该循环反复进行200个循环。

14、(2)一种磁盘用基板，前述长波长波纹度wa为0.5nm以上，且前述短波长波纹度μwa为0.05nm以上。

15、(3)根据(1)或(2)所述的磁盘用基板，其板厚不足0.50mm。

16、(4)根据(1)～(3)中任一项所述的磁盘用基板，其为外径95mm以上的圆盘体。

17、(5)根据(1)～(4)中任一项所述的磁盘用基板，其用于hamr(热辅助磁记录方式)或mamr(微波辅助磁记录方式)。

18、(6)一种磁盘，其具有一对主面，

19、前述主面的至少一方的下述热冲击试验后的25℃中的截止波长0.4～5.0mm的长波长波纹度wa为2.0nm以下，且截止波长0.08～0.45mm的短波长波纹度μwa为0.15nm以下；

20、＜热冲击试验＞

21、热冲击试验为将对前述磁盘以120℃加热30分钟后以-40℃冷却30分钟的过程设为1个循环时，将该循环反复进行200个循环。

22、(7)一种磁盘用基板的制造方法，其制造(1)～(5)中任一项所述的磁盘用基板，

23、在由盘坯获得磁盘用基板时，

24、包括：粗研磨工序，对前述盘坯的两个主面同时进行粗研磨；及，精密研磨工序，对前述粗研磨后的盘坯的两个主面进行精密研磨，

25、在前述粗研磨工序的中途，使前述盘坯的表背面翻转。

26、(8)根据(7)所述的磁盘用基板的制造方法，其中，作为前述粗研磨工序的前工序，包括虚设研磨工序，使用在前述粗研磨工序中使用的两个研磨垫，在与前述粗研磨工序相同的条件下，对在与前述盘坯相同的条件下制造的虚设基板进行研磨，直到单面的截止波长0.4～5.0mm的长波长波纹度wa不足2.5nm为止，从而获得调整表面状态后的研磨垫，

27、在前述粗研磨工序中，使用调整前述表面状态后的研磨垫，对盘坯进行粗研磨。

28、在本说明书中，用“～”表示的数值范围是指包含“～”前后记载的数值分别作为下限值和上限值的范围。

29、(发明的效果)

30、本发明的磁盘用基板，在主面上设置磁层而作为磁盘安装在硬盘上时，能够实现硬盘的高容量化，也能够维持硬盘的长期可靠性。本发明的磁盘也起到相同的效果。根据本发明的磁盘用基板的制造方法，能够制造具有上述特性的磁盘用基板及磁盘。

技术特征：

1.一种磁盘用基板，其具有一对主面，

2.一种磁盘用基板，前述长波长波纹度wa为0.5nm以上，且前述短波长波纹度μwa为0.05nm以上。

3.根据权利要求1或2所述的磁盘用基板，其板厚不足0.50mm。

4.根据权利要求1或2所述的磁盘用基板，其为外径95mm以上的圆盘体。

5.根据权利要求1或2所述的磁盘用基板，其用于hamr(热辅助磁记录方式)或mamr(微波辅助磁记录方式)。

6.一种磁盘，其具有一对主面，

7.一种磁盘用基板的制造方法，其制造权利要求1或2所述的磁盘用基板，

8.根据权利要求7所述的磁盘用基板的制造方法，其中，作为前述粗研磨工序的前工序，包括虚设研磨工序，使用在前述粗研磨工序中使用的两个研磨垫，在与前述粗研磨工序相同的条件下，对在与前述盘坯相同的条件下制造的虚设基板进行研磨，直到单面的截止波长0.4～5.0mm的长波长波纹度wa不足2.5nm为止，从而获得调整表面状态后的研磨垫，

技术总结
本发明的目的在于提供一种磁盘用基板及磁盘，其能够应对硬盘的高容量化，也能够维持硬盘的长期可靠性；以及提供一种制造方法，其能够制造具有上述特性的磁盘(用基板)。本发明为一种磁盘(用基板)及其制造方法，所述磁盘(用基板)具有一对主面，前述主面的至少一方的规定的热冲击试验后的25℃中的截止波长0.4～5.0mm的长波长波纹度Wa为2.0nm以下，特别在0.5～2.0nm，且截止波长0.08～0.45mm的短波长波纹度μWa为0.15nm以下，特别在0.05～0.15nm。

技术研发人员：畠山英之,滝口浩一郎
受保护的技术使用者：古河电气工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17