实施方式涉及一种存储器装置。
背景技术:
1、作为能够将数据非易失地存储的存储器装置,已知有nand(not and,与非)闪速存储器。在该nand闪速存储器之类的存储器装置中,会采用三维存储器结构来实现高集成化、大容量化。
技术实现思路
1、本发明要解决的问题在于提供一种良率得到提高的存储器装置。
2、实施方式的存储器装置具备第1积层体、第2积层体、第3积层体、存储器柱、第1部件及第2部件。所述第1积层体包含沿第1方向排列且相互分开地设置的多个第1绝缘体层。所述第2积层体及所述第3积层体分别包含多个导电体层,且相互分开地设置,所述多个导电体层与所述多个第1绝缘体层分别在同一层且相互分开地设置。所述存储器柱在所述第3积层体内沿所述第1方向延伸,与所述多个导电体层的每一个交叉的部分作为存储单元发挥功能。所述第1部件在所述第1积层体与所述第2积层体之间和所述第1积层体及所述第2积层体相接,且沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸。所述第2部件在所述第2积层体与所述第3积层体之间和所述第2积层体及所述第3积层体相接,沿所述第2方向延伸,且与所述第1部件排列在和所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上。
1.一种存储器装置,具备:
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中
3.根据权利要求2所述的存储器装置,其还具备第3部件,
4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中
5.根据权利要求4所述的存储器装置,其还具备第4部件,
6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中
7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中
8.根据权利要求4所述的存储器装置,其中
9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中
10.根据权利要求1所述的存储器装置,其中
11.根据权利要求1所述的存储器装置,其中
12.根据权利要求1所述的存储器装置,其中
13.根据权利要求12所述的存储器装置,其中
14.根据权利要求12所述的存储器装置,其中
15.根据权利要求1所述的存储器装置,其中
16.一种存储器装置,具备:
17.根据权利要求16所述的存储器装置,其中
18.根据权利要求17所述的存储器装置,其中
19.一种存储器装置,具备:
20.根据权利要求19所述的存储器装置,其中