一种TLC最优读电压确定方法及装置与流程

文档序号:37150238发布日期:2024-02-26 17:04阅读:19来源:国知局
一种TLC最优读电压确定方法及装置与流程

本发明涉及数据存储,具体涉及一种tlc最优读电压确定方法及装置。


背景技术:

1、闪存(nand flash)是依靠cell来存储基本的信息,根据判断当前读的cell的电压阈值和read level的大小,从而判断当前的cell存储的是bit 0还是bit 1。nand flash即依据该原理来存储基本信息。

2、如图1所示,横坐标是电压阈值,纵坐标表示cell的数量。红色的线表示读电压read level;当cell的阈值电压比read level小时,当前cell的存储信息表示逻辑“1”,当cell的阈值电压比read level大时,当前cell的存储信息表示逻辑“0”。而flash颗粒的电压曲线会随着使用的进程而逐渐发生偏移和拓宽。如果依然按照初始电压来判断就会产生大量的误判,表现为出现错误bit。所以找到任何状态下的flash颗粒的电压曲线并按照调整后的read level读就可以直接降低读取的错误率,这个过程由图2所示。

3、目前的读电压确定方法中需要对第i个电压区域(0<i<n, i为整数),按照精度设定x个电压,并根据设定值对同一个单元做读操作,在同精度下对单个电压区域的读次数为x*m(m为一存储单元可存储的比特值的数量)。该方法虽然可以较传统方法减少读操作的次数,但是其最优读电压的精度取决于预设的偏移量delta;每个电压区域的可调电压范围取决于x的值乘以预设的偏移量delta;如果想要得到较大的调压范围和较高的精度,必然需要增加读取次数x,同时增加了预测最优读电压的时间。


技术实现思路

1、针对现有技术中的缺陷,本发明提供了一种tlc最优读电压确定方法,以解决目前读电压需要多次读取确定,

2、第一方面,本发明提供的一种tlc最优读电压确定方法,包括:

3、根据当前字线的7个读电压将字线划分为8个电压区间;

4、依次用字线的其中一个读电压作为当前读电压对字线执行读操作;其中,读操作通过配置slc读模式,或者level-read模式实现;

5、获取当前读电压读取到的字线的bit0个数和bit1个数;

6、根据bit0个数和bit1个数,计算位于电压区间内被读为0的cell个数和被读为1的cell个数;

7、确定当前读电压vi和目标最优读电压vir之间的存储单元相差数量;

8、根据存储单元相差数量,确定当前读电压vi移动至目标最优读电压vir的方向和距离。

9、由上述技术方案可知,本发明提供的tlc最优读电压确定方法,可以通过少量的重读次数获得最优读电压,实现了对最优读电压的快速预测。

10、可选地,当前读电压vi和目标最优读电压vir之间的存储单元相差数量,通过如下步骤确定:

11、获取单个电压区间内的存储单元数量nr;

12、根据单个电压区间内的存储单元数量nr、bit0个数和bit1个数,分别获取第i个电压区间内所述初始读电压vi两侧的存储单元数量,进而获得所述存储单元相差数量。

13、可选地,所述存储单元相差数量通过当前读电压vi两侧相邻的理想最优读电压到区间内的存储单元数量计算获得,

14、,

15、其中,和分别为区间内所述初始读电压vi左侧和右侧的存储单元数量,i=(1,2,…,7);

16、,,

17、nr为单个电压区间内的存储单元数量。

18、可选地,按照预设的规则映射关系确定当前读电压移动至目标最优读电压的方向,包括:

19、若≥0,则目标最优读电压vir在当前所述预设读电压vi的左侧,向左侧移动;

20、若<0,则目标最优读电压vir在当前所述预设读电压vi的右侧,向右侧移动。

21、可选地,按照预设规则映射关系通过确定当前读电压移动至目标最优读电压vir的距离。

22、第二方面,本发明还提供了一种tlc最优读电压确定装置,用以执行第一方面提供的tlc最优读电压确定方法。

23、采用上述技术方案,本申请具有如下有益效果:

24、本发明可以以很少的读取次数,快速找到各电压区域的最优读电压,实现了对最优读电压的快速预测,极大降低了最优读电压的寻找和计算时间。



技术特征:

1.一种tlc最优读电压确定方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的tlc最优读电压确定方法,其特征在于,当前读电压vi和目标最优读电压vir之间的存储单元相差数量,通过如下步骤确定:

3.根据权利要求2所述的tlc最优读电压确定方法,其特征在于,所述存储单元相差数量通过当前读电压vi两侧相邻的理想最优读电压到区间内的存储单元数量计算获得,

4.根据权利要求1或3所述的tlc最优读电压确定方法,其特征在于,按照预设的规则映射关系确定当前读电压移动至目标最优读电压的方向,包括:

5.根据权利要求4所述的tlc最优读电压确定方法,其特征在于,按照预设规则映射关系通过确定当前读电压移动至目标最优读电压vir的距离。

6.一种tlc最优读电压确定装置,其特征在于,用于执行权利要求1-5任一所述的方法。


技术总结
本发明属于数据存储技术领域,提供了一种TLC最优读电压确定方法及装置,其中方法包括:根据当前字线的7个读电压将字线划分为8个电压区间;依次用字线的其中一个读电压作为当前读电压对字线执行读操作;其中,读操作通过配置SLC读模式,或者level‑read模式实现;获取当前读电压读取到的字线的bit0个数和bit1个数;根据bit0个数和bit1个数,计算位于电压区间内被读为0的cell个数和被读为1的cell个数;确定当前读电压Vi和目标最优读电压Vir之间的存储单元相差数量;根据存储单元相差数量,确定当前读电压Vi移动至目标最优读电压Vir的方向和距离。本发明可以以很少的读取次数找到各电压区域的最优读电压,降低寻找和计算时间。

技术研发人员:王振中,李成业
受保护的技术使用者:国创芯科技(江苏)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/25
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