欠驱动控制电路和包括该欠驱动控制电路的半导体设备的制作方法

本公开涉及半导体电路，具体地，涉及一种欠驱动控制电路和包括该欠驱动控制电路的半导体设备。

背景技术：

1、半导体设备(例如，存储器装置)可被分成易失性存储器装置和非易失性存储器装置。即使当电源被切断时，非易失性存储器装置也可保留所存储的数据。因此，为了存储不管是否供电均要保留的数据，非易失性存储器装置广泛用在便携式电子装置中。

2、根据存储数据的方法，非易失性存储器装置可被分类为只读存储器(rom)、掩模rom(mrom)、可编程rom(prom)、可擦除可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存、相变随机存取存储器(pram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、铁电ram(fram)等。

3、与易失性存储器不同，由于闪存不需要以规则的间隔重写数据的刷新功能，所以对闪存的需求正在增加。闪存可被电编程和擦除。由于对于诸如编程操作、读操作和验证操作的各个操作，闪存需要具有不同目标电平的电压，所以可使用电压发生电路生成各种电平的电压。

技术实现思路

1、根据本公开的实施方式的欠驱动控制电路可包括：电压发生电路，其被配置为响应于至少一个电压控制信号而生成多个电压；以及控制逻辑，其被配置为根据半导体设备的预存储的温度特性信号和温度信息信号来在半导体设备的欠驱动操作期间生成至少一个电压控制信号，以便调节欠驱动时间和欠驱动偏移中的至少一个。

2、根据本公开的实施方式的欠驱动控制电路可包括：电压发生电路，其被配置为响应于电压控制信号而生成用于读操作的读电压和用于验证操作的验证电压；以及控制逻辑，其被配置为根据半导体设备的预存储的温度特性信号和温度信息信号来执行读操作期间的字线欠驱动操作和验证操作期间的字线欠驱动操作中的至少一个，并且在至少一个字线欠驱动操作中生成电压控制信号以便调节欠驱动时间和欠驱动偏移中的至少一个。

3、根据本公开的实施方式的半导体设备可包括：存储器单元阵列；地址解码器，其通过多条字线连接到存储器单元阵列，并且被配置为将多个电压施加到多条字线当中与解码的行地址对应的字线；以及欠驱动控制电路，其被配置为响应于电压控制信号而生成多个电压，并且根据半导体设备的预存储的温度特性信号和温度信息信号来在半导体设备的欠驱动操作期间生成电压控制信号以便调节欠驱动时间和欠驱动偏移中的至少一个。

技术特征：

1.一种欠驱动控制电路，该欠驱动控制电路包括：

2.根据权利要求1所述的欠驱动控制电路，其中，通过将所述半导体设备的温度条件分成热温区间和冷温区间，并且在所述热温区间和所述冷温区间中将所述半导体设备的操作特性确定为良好或不良来生成并存储所述温度特性信号。

3.根据权利要求1所述的欠驱动控制电路，其中，通过在所述半导体设备的操作中的至少一个的操作处理中在根据所述多个电压中的第一电压生成的脉冲之间的区间中将所述第一电压以低于目标电平的欠驱动电平施加到字线达预定时间来执行所述欠驱动操作。

4.根据权利要求3所述的欠驱动控制电路，其中，所述欠驱动时间是以所述欠驱动电平施加所述第一电压的时间，并且

5.根据权利要求1所述的欠驱动控制电路，该欠驱动控制电路还包括：

6.根据权利要求1所述的欠驱动控制电路，其中，所述控制逻辑通过调节所述至少一个电压控制信号的值来调节所述欠驱动偏移，并且通过调节所述至少一个电压控制信号的生成定时来调节所述欠驱动时间。

7.根据权利要求1所述的欠驱动控制电路，其中，所述控制逻辑：

8.根据权利要求1所述的欠驱动控制电路，其中，所述控制逻辑包括：

9.一种欠驱动控制电路，该欠驱动控制电路包括：

10.根据权利要求9所述的欠驱动控制电路，其中，通过将所述半导体设备的温度条件分成热温区间和冷温区间，并且在所述热温区间和所述冷温区间中将所述半导体设备的操作特性确定为良好或不良来生成并存储所述温度特性信号。

11.根据权利要求9所述的欠驱动控制电路，其中，通过在根据所述读电压和所述验证电压中的对应电压生成的脉冲之间的区间中将所述对应电压以低于目标电平的欠驱动电平施加到字线达预定时间来执行所述至少一个字线欠驱动操作。

12.根据权利要求11所述的欠驱动控制电路，其中，所述欠驱动时间是以所述欠驱动电平施加所述对应电压的时间，并且

13.根据权利要求9所述的欠驱动控制电路，该欠驱动控制电路还包括：

14.根据权利要求9所述的欠驱动控制电路，其中，所述控制逻辑通过调节所述电压控制信号的值来调节所述欠驱动偏移，并且通过调节所述电压控制信号的生成定时来调节所述欠驱动时间。

15.根据权利要求9所述的欠驱动控制电路，其中，所述控制逻辑：

16.根据权利要求9所述的欠驱动控制电路，其中，所述控制逻辑包括：

17.一种半导体设备，该半导体设备包括：

18.根据权利要求17所述的半导体设备，该半导体设备还包括：

19.根据权利要求17所述的半导体设备，其中，所述欠驱动控制电路包括：

20.根据权利要求17所述的半导体设备，其中，通过在根据读电压和验证电压中的对应电压生成的脉冲之间的区间中将所述对应电压以低于目标电平的欠驱动电平施加到字线达预定时间来执行所述欠驱动操作。

21.根据权利要求20所述的半导体设备，其中，所述欠驱动时间是以所述欠驱动电平施加所述对应电压的时间，并且

22.根据权利要求17所述的半导体设备，其中，所述欠驱动控制电路通过调节所述电压控制信号的值来调节所述欠驱动偏移，并且通过调节所述电压控制信号的生成定时来调节所述欠驱动时间。

23.根据权利要求17所述的半导体设备，其中，所述欠驱动控制电路：

技术总结
本申请涉及欠驱动控制电路和包括该欠驱动控制电路的半导体设备。本技术可包括：电压发生电路，其被配置为响应于至少一个电压控制信号而生成多个电压；以及控制逻辑，其被配置为根据半导体设备的预存储的温度特性信号和温度信息信号来在半导体设备的欠驱动操作期间生成所述至少一个电压控制信号以便调节欠驱动时间和欠驱动偏移中的至少一个。

技术研发人员：崔亨进,高贵韩,郑赞熙
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15