一种高静电防护的阳光传感器及汽车的制作方法

本技术属于光电传感器，具体涉及一种高静电防护的阳光传感器及汽车。

背景技术：

1、阳光传感器使用光敏二极管，是一种可以检测太阳光辐射强度，并可以把光信号转换成电信号的光电传感器。可应用在汽车空调控制方面，根据阳光的强弱转换成强弱的电信号，通过电信号的强弱调控空调的开关，进而实现车内温度的调节。

2、目前单通道和双通道光敏二极管由于安装方便，具有广泛的应用，但无法防止接触放电，往往需要电路中外加tvs静电保护器件等方法实现。但是，外加tvs静电保护器件成本较高，且更换安装繁琐等问题多发，无法提供出色的浪涌和esd保护。

技术实现思路

1、因此，本实用新型要解决的技术问题在于，现有技术中的阳光传感器通过外接tvs器件问题多发，无法提供出色的浪涌和esd保护，本实用新型提供一种高静电防护的阳光传感器及汽车，具有出色的感光性能和高接触放电能力。

2、一种高静电防护的阳光传感器，包括：

3、引线框架，所述引线框架上形成芯片键合区；

4、光敏二极管，位于所述芯片键合区；

5、tvs器件，位于所述芯片键合区；

6、所述光敏二极管和所述tvs器件并联在所述引线框架上。

7、进一步地，所述芯片键合区包括第一芯片键合区和第二芯片键合区，所述第一芯片键合区的面积大于所述第二芯片键合区的面积，所述光敏二极管与所述第一芯片键合区连接，所述tvs器件与所述第二芯片键合区连接。

8、进一步地，所述光敏二极管通过粘接的方式与所述第一芯片键合区连接。

9、进一步地，所述光敏二极管的面积为所述第一芯片键合区面积的85％～90％。

10、进一步地，所述tvs器件通过粘接的方式与所述第二芯片键合区连接。

11、进一步地，所述tvs器件为贴片式tvs器件。

12、进一步地，所述引线框架还包括第一引线和第二引线，所述第一引线与所述芯片键合区连接，所述第二引线分别与所述光敏二极管和tvs器件线键合。

13、进一步地，所述光敏二极管通过双线键合方式与所述第二引线连接。

14、进一步地，所述阳光传感器外层由环氧树脂压膜包覆。

15、一种汽车，包括上述的高静电防护的阳光传感器。

16、本实用新型提供的一种高静电防护的阳光传感器，通过将tvs器件和光敏二极管并联在引线框架上，在实现优秀感光性的同时满足高接触放电能力，可以避免终端电路中外接tvs器件或瞬态二极管繁琐故障造成的困扰。

技术特征：

1.一种高静电防护的阳光传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述芯片键合区包括第一芯片键合区(1011)和第二芯片键合区(1012)，所述第一芯片键合区(1011)的面积大于所述第二芯片键合区(1012)的面积，所述光敏二极管(2)与所述第一芯片键合区(1011)连接，所述tvs器件(3)与所述第二芯片键合区(1012)连接。

3.根据权利要求2所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述光敏二极管(2)通过粘接的方式与所述第一芯片键合区(1011)连接。

4.根据权利要求3所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述光敏二极管(2)的面积为所述第一芯片键合区(1011)面积的85％～90％。

5.根据权利要求2所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述tvs器件(3)通过粘接的方式与所述第二芯片键合区(1012)连接。

6.根据权利要求5所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述tvs器件(3)为贴片式tvs器件。

7.根据权利要求1所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述引线框架(1)还包括第一引线(1021)和第二引线(1022)，所述第一引线(1021)与所述芯片键合区连接，所述第二引线(1022)分别与所述光敏二极管(2)和tvs器件(3)线键合。

8.根据权利要求7所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述光敏二极管(2)通过双线键合方式与所述第二引线(1022)连接。

9.根据权利要求1所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述阳光传感器外层由环氧树脂压膜包覆。

10.一种汽车，其特征在于，包括权利要求1～9任一项的高静电防护的阳光传感器。

技术总结
本技术提供了一种高静电防护的阳光传感器及汽车，包括：引线框架，所述引线框架上形成芯片键合区；光敏二极管，位于所述芯片键合区；TVS器件，位于所述芯片键合区；所述光敏二极管和所述TVS器件并联在所述引线框架上。本技术提供的高静电防护的阳光传感器，通过将TVS器件和光敏二极管并联在引线框架上，在实现优秀感光性的同时满足高接触放电能力，可以避免终端电路中外接TVS器件或瞬态二极管繁琐故障造成的困扰。

技术研发人员：祝明
受保护的技术使用者：沈阳中光电子有限公司
技术研发日：20230628
技术公布日：2024/1/15