存储器件刷新操作的制作方法

文档序号:36921576发布日期:2024-02-02 21:48阅读:38来源:国知局
存储器件刷新操作的制作方法

本公开涉及存储器件及其刷新方法。


背景技术:

1、诸如动态随机存取存储器(dram)之类的易失性存储器件可以通过将电荷存储到存储单元的电容器来存储数据,并且可以通过确定存储在电容器中的电荷来读取数据。由于存储在电容器中的电荷随着时间泄漏,因此存储器件可以周期性地执行刷新操作。

2、存储器件的存储控制器可以随机地访问存储器件的地址,并且可以频繁地或密集地访问特定地址。随着存储器件中的存储单元的密度增加,由于行的电压分布,相邻行的存储单元中的电荷的影响会增加。具体地,当对某行执行密集访问攻击时,由于该行的激活状态的电压,可能会改变存储在相邻行的存储单元中的数据。这种现象被称为“行锤”。


技术实现思路

1、一些实施例可以提供用于响应于攻击的存储器件或刷新方法。

2、根据一些实施例,可以提供包括存储单元阵列、匹配信号生成电路、队列和控制电路的存储器件。存储单元阵列可以包括多个行,并且匹配信号生成电路可以随机地生成匹配信号。

3、当生成匹配信号时,控制电路可以在匹配信号的定时处检测指示多个行中的攻击者行的攻击者行地址,将攻击者行地址存储在队列中,并响应于目标刷新命令,基于攻击者行地址来控制刷新。

4、根据一些实施例,可以提供一种包括存储单元阵列、匹配信号生成电路和命令控制电路的存储器件。存储单元阵列可以包括多个行,并且匹配信号生成电路可以随机地生成匹配信号。命令控制电路可以基于匹配信号随机地输出用于正常刷新操作的正常刷新命令和用于多个行中的由受害者行地址指示的行的刷新操作的目标刷新命令。

5、根据一些实施例,可以提供一种包括包含多个行的存储单元阵列的存储器件的刷新方法。刷新方法可以包括:随机地确定定时;在该定时处检测指示多个行中的攻击者行的攻击者行地址;将攻击者行地址存储在队列中;基于攻击者行地址来确定受害者行地址;以及响应于刷新命令,刷新多个行中的由受害者行地址指示的行。



技术特征:

1.一种存储器件,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器件,包括随机定时生成电路,所述随机定时生成电路包括:

3.根据权利要求2所述的存储器件,其中,所述随机序列生成电路被配置为:响应于接收到用于激活所述多个行中的目标行的激活命令生成所述随机码。

4.根据权利要求3所述的存储器件,其中,所述随机码包括伪随机序列。

5.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述控制电路还被配置为:响应于所述第一目标刷新命令清空所述队列。

6.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述队列包括多个队列,并且

7.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述控制电路还被配置为:响应于在所述第一目标刷新命令之后接收到第二目标刷新命令,所述第二目标刷新命令是在所述第一目标刷新命令之后和所述第二目标刷新命令之前没有确定第二攻击者行地址的情况下接收到的:

8.根据权利要求1所述的存储器件,还包括命令控制电路,所述命令控制电路被配置为:从多个刷新周期中随机地确定与所述第一目标刷新命令相对应的第一刷新周期。

9.根据权利要求8所述的存储器件,其中,所述多个刷新周期包括预定数量的刷新周期,并且

10.根据权利要求8所述的存储器件,其中,所述命令控制电路包括:

11.根据权利要求10所述的存储器件,其中,所述第二随机定时生成电路包括:

12.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述控制电路还被配置为:

13.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述控制电路还被配置为:响应于所述第一目标刷新命令,输出所述一个或多个受害者行的一个或多个受害者行地址。

14.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述控制电路包括多个寄存器,所述多个寄存器中的每个寄存器被配置为存储行地址,并且

15.根据权利要求14所述的存储器件,其中,所述控制电路还被配置为:

16.一种存储器件,包括:

17.根据权利要求16所述的存储器件,其中,所述命令控制电路被配置为:响应于没有接收到所述目标刷新定时信号输出所述正常刷新命令,以及响应于接收到所述目标刷新定时信号输出所述目标刷新命令。

18.根据权利要求17所述的存储器件,其中,所述随机定时生成电路包括:

19.一种包括存储单元阵列的存储器件的刷新方法,所述存储单元阵列包括多个行,所述刷新方法包括:

20.根据权利要求19所述的刷新方法,还包括:


技术总结
在存储器件中,控制电路在随机时间处检测并确定攻击者行地址,该攻击者行地址指示存储单元阵列的攻击者行。攻击者行地址或从该攻击者行地址导出的值存储在队列中。控制电路响应于目标刷新命令,基于攻击者行地址来控制一个或多个受害者行的刷新操作。

技术研发人员:金东河,金玄基,朴晟喆,朴周燮,李东洙
受保护的技术使用者:三星电子株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/2/1
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