具有散热器和扩散屏障的热辅助磁记录头的制作方法

本公开涉及一种用于硬盘驱动器的热辅助磁记录头的近场换能器。

背景技术：

1、一些硬盘驱动器(hdd)利用热辅助磁记录(hamr)来提高hdd的面密度。hamr hdd的记录头通常包含激光器、被配置为短暂地加热hdd的磁盘表面上的小热点的近场换能器(nft)、以及被配置为在热点附近向磁盘写入数据的写入极。在nft上产生和聚集局域表面等离子体(lsp)以产生热点的过程产生大量的热，这可能使nft的各种部件退化和/或变形，从而潜在地降低hamr头和hdd的性能和/或预期寿命。

技术实现思路

1、本公开描述一种具有散热器的热辅助磁记录(hamr)头，所述散热器设置在近场换能器(nft)与扩散器之间。所述散热器用以从nft吸走热。所述扩散器用以从散热器吸走热并使热朝向相关联结构的其它区(例如，相关联滑块的散热器)耗散。扩散屏障设置在散热器与扩散器之间并且耦合到所述散热器和所述扩散器。在一些示例中，所述扩散屏障阻止金属在例如在hamr头的操作期间引入的热应力等热应力下扩散远离散热器和/或扩散器。通过阻止金属扩散远离散热器和/或扩散器，所述扩散屏障可减少空隙等缺陷的形成，并且可延长hamr头的工作寿命。

2、在一个示例中，一种hamr头包含：nft，其被配置成在接近的磁盘上产生热点；散热器，其被配置成从所述nft吸走热，其中所述散热器相对于所述nft设置在顺磁道(down-track)方向上并且耦合到所述nft；扩散器，其被配置成从所述散热器吸走热，其中所述扩散器相对于所述散热器设置在顺磁道方向上；以及扩散屏障，其包含金属，并且设置在所述散热器与所述扩散器之间并且耦合到所述散热器和所述扩散器。

3、鉴于以下详细讨论和附图，可理解各种实施例的这些和其它特征以及方面。

技术特征：

1.一种热辅助磁记录头，其包括：

2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其中所述金属是具有至少1500摄氏度的熔融温度的热稳健金属。

3.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其中所述金属具有至少50瓦每米兆开尔文的热导率。

4.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其中所述金属是贵金属。

5.根据权利要求4所述的热辅助磁记录头，其中所述贵金属是铂族金属。

6.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其中所述金属包括铱、铑、钌、锇、铼、钨、钼、铌、钽、铂、钯、铬、钒、钛、锆或铪。

7.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其中所述金属是所述扩散屏障的主要金属。

8.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其中所述扩散屏障的厚度在约2纳米与约20纳米之间。

9.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其中所述扩散屏障包括基本上平行于并且耦合到所述散热器的顺磁道表面的逆磁道表面。

10.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其另外包括写入极，所述写入极被配置成响应于穿过所述热辅助磁记录头的写入线圈的电流而产生磁场，所述写入极相对于所述近场换能器设置在顺磁道方向上。

技术总结
本申请公开了具有散热器和扩散屏障的热辅助磁记录头。一种热辅助磁记录头包含近场换能器、散热器、扩散器和扩散屏障。所述近场换能器被配置成在接近的磁盘上产生热点。所述散热器被配置成从所述近场换能器吸走热。所述散热器相对于所述近场换能器设置在顺磁道方向上并且耦合到所述近场换能器。所述扩散器被配置成从所述散热器吸走热。所述扩散器相对于所述散热器设置在顺磁道方向上。所述扩散屏障包含金属。所述扩散屏障设置在所述散热器与所述扩散器之间并且耦合到所述散热器和所述扩散器。

技术研发人员：M·G·布拉伯,M·A·西格勒,J·G·韦塞尔,程宇航,S·M·弗兰岑
受保护的技术使用者：希捷科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15