NAND闪存质量分级方法、NAND闪存质量分级装置和存储介质与流程

本技术涉及数据处理，特别涉及一种nand闪存质量分级方法、nand闪存质量分级装置和存储介质。

背景技术：

1、在相关技术中，nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。

2、但是，对于目前的nand闪存，质量分级标准不够精确，因此难以对nand闪存进行更精细准确的质量评估。

技术实现思路

1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种nand闪存质量分级方法、nand闪存质量分级装置和存储介质，旨在对nand闪存的质量进行分级。

2、第一方面，本技术实施例提供了一种nand闪存质量分级方法，包括：

3、获取多个纠错级别和多个电压偏移量，并提取nand闪存的所有page的最大码字max_cw；

4、对于每个所述纠错级别，确定与所述纠错级别对应的page总数，统计每个所述电压偏移量在所述page总数下的最大纠错能力max_ecc和平均纠错能力mean_ecc，根据所述最大码字max_cw、所述最大纠错能力max_ecc和所述平均纠错能力mean_ecc从多个所述电压偏移量中筛选出最佳电压偏移量；

5、提取所述nand闪存在每个所述纠错级别和所述最佳电压偏移量下的chip纠回参数；

6、根据所述chip纠回参数对所述nand闪存进行质量分级。

7、在一些实施例中，所述根据所述最大码字max_cw、所述最大纠错能力max_ecc和所述平均纠错能力mean_ecc从多个所述电压偏移量中筛选出最佳电压偏移量，包括：

8、根据每个所述电压偏移量在所述page总数下的所述最大码字max_cw和所述最大纠错能力max_ecc，从多个所述电压偏移量中筛选出若干个候选电压偏移量；

9、根据每个所述电压偏移量在所述page总数下的所述平均纠错能力mean_ecc，从若干个所述候选电压偏移量中筛选出最佳电压偏移量。

10、在一些实施例中，所述根据每个所述电压偏移量在所述page总数下的所述最大码字max_cw和所述最大纠错能力max_ecc，从多个所述电压偏移量中筛选出若干个候选电压偏移量，包括如下至少之一：

11、当所述最大码字max_cw大于或等于所述最大纠错能力max_ecc，舍弃所述电压偏移量；

12、当所述最大码字max_cw小于所述最大纠错能力max_ecc，保留所述电压偏移量，并将所述电压偏移量作为候选电压偏移量。

13、在一些实施例中，所述根据每个所述电压偏移量在所述page总数下的所述平均纠错能力mean_ecc，从若干个所述候选电压偏移量中筛选出最佳电压偏移量，包括：

14、对每个所述电压偏移量在所述page总数下的所述平均纠错能力mean_ecc按照数值大小进行排序，得到排序后的多个所述平均纠错能力mean_ecc；

15、从多个所述平均纠错能力mean_ecc中筛选出数值最小的平均纠错能力mean_ecc，并将数值最大的平均纠错能力mean_ecc所对应的所述候选电压偏移量作为最佳电压偏移量。

16、在一些实施例中，在所述统计每个所述电压偏移量在所述page总数下的最大纠错能力max_ecc和平均纠错能力mean_ecc之前，所述nand闪存质量分级方法还包括：

17、获取电压偏移限度值；

18、当所述电压偏移量小于所述电压偏移限度值，保留所述电压偏移量；

19、当所述电压偏移量大于或等于所述电压偏移限度值，舍弃所述电压偏移量。

20、在一些实施例中，在所述获取多个纠错级别和多个电压偏移量之后，所述nand闪存质量分级方法还包括：

21、对所述nand闪存的数据进行预处理，以使非结构化数据转换为结构化数据。

22、在一些实施例中，所述统计每个所述电压偏移量在所述page总数下的最大纠错能力max_ecc和平均纠错能力mean_ecc，根据所述最大码字max_cw、所述最大纠错能力max_ecc和所述平均纠错能力mean_ecc从多个所述电压偏移量中筛选出最佳电压偏移量，包括：统计每个所述电压偏移量在所述page总数和每个运行场景下的最大纠错能力max_ecc和平均纠错能力mean_ecc，根据所述最大码字max_cw、所述最大纠错能力max_ecc和所述平均纠错能力mean_ecc从多个所述电压偏移量中筛选出最佳电压偏移量；

23、所述提取所述nand闪存在每个所述纠错级别和所述最佳电压偏移量下的chip纠回参数，包括：提取所述nand闪存在每个运行场景、所述每个所述纠错级别和所述最佳电压偏移量下的chip纠回参数。

24、所述根据所述chip纠回参数对所述nand闪存进行质量分级，包括：根据所述chip纠回参数对每个所述运行场景下的所述nand闪存进行质量分级。

25、在一些实施例中，所述根据所述chip纠回参数对所述nand闪存进行质量分级，包括：

26、将所述chip纠回参数和预设纠回参数进行比较，得到比较结果；

27、根据所述比较结果对所述nand闪存进行质量分级。

28、第二方面，本技术实施例提供了一种nand闪存质量分级装置，包括：

29、数据获取单元，用于获取多个纠错级别和多个电压偏移量，并提取nand闪存的所有page的最大码字max_cw；

30、偏移量筛选单元，用于对于每个所述纠错级别，确定与所述纠错级别对应的page总数，统计每个所述电压偏移量在所述page总数下的最大纠错能力max_ecc和平均纠错能力mean_ecc，根据所述最大码字max_cw、所述最大纠错能力max_ecc和所述平均纠错能力mean_ecc从多个所述电压偏移量中筛选出最佳电压偏移量；

31、纠回参数提取单元，用于提取所述nand闪存在每个所述纠错级别和所述最佳电压偏移量下的chip纠回参数；

32、质量分级单元，用于根据所述chip纠回参数对所述nand闪存进行质量分级。

33、第三方面，本技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行如上述第一方面的nand闪存质量分级方法。

34、根据本技术实施例的技术方案，至少具有如下有益效果：首先，本技术实施例会获取多个纠错级别和多个电压偏移量，并提取nand闪存的所有page的最大码字max_cw；然后，对于每个纠错级别，本技术实施例会确定与纠错级别对应的page总数，统计每个电压偏移量在page总数下的最大纠错能力max_ecc和平均纠错能力mean_ecc，根据最大码字max_cw、最大纠错能力max_ecc和平均纠错能力mean_ecc从多个电压偏移量中筛选出最佳电压偏移量；接着，本技术实施例会提取nand闪存在每个纠错级别和最佳电压偏移量下的chip纠回参数；最后，本技术实施例会根据chip纠回参数对nand闪存进行质量分级。由于本技术实施例能够得到nand闪存在每个纠错级别和最佳电压偏移量下的chip纠回参数，并基于该chip纠回参数进行质量分级，因此，本技术实施例明确了nand闪存的质量分级标准，从而能够对nand闪存进行更精细的质量评估。

35、本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。