用于校正性编程及功率损耗管理的方法、系统及非暂时性计算机可读存储媒体与流程

本公开大体上涉及存储器装置的校正性编程及功率损耗管理，且更具体来说，涉及各自存储多个位的存储器单元的两遍次校正性编程及两遍次校正性编程的功率损耗管理。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。举例来说，所述存储器装置可为非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器装置处及从存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种方法，其包括：接收用于编程到存储器的第一组数据位；在第一遍次编程期间将所述第一组的数据位的第一子集写入到所述存储器的第一字线；将所述第一组数据位中的数据位的第二子集写入到缓冲器，其中数据位的所述第二子集不同于数据位的所述第一子集；接收用于编程的第二组数据位，其中所述第二组数字位将被编程到第二字线；以及响应于接收到所述第二组数据位而在第二遍次编程期间将所述第一组数据位中的数据位的所述第二子集写入到所述第一字线，数据位的所述第二子集的所述写入包含所述第一字线中的存储器单元的位密度的增加。

2、本公开的另一实施例提供一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置进行以下操作：接收用于编程到存储器的第一组数据页面，其中所述第一组页面包含四个页面；在第一遍次编程期间将页面的第一子集写入到第一字线；将所述第一组页面中的所选择页面写入到缓冲器，其中所述所选择页面不同于页面的所述第一子集中的每一页面；接收用于编程的第二组页面；以及在第二遍次编程期间将所述第一组页面中的所述所选择页面写入到所述第一字线，其中所述所选择页面的所述写入包含使用所述第二组页面将调整电压施加到所述所选择页面，其中所述所选择页面的写入包含增加所述第一字线中的存储器单元的位密度。

3、本公开的又一实施例提供一种系统，其包括：存储器装置；及处理装置，其可操作地与多个存储器装置耦合以：接收用于编程到存储器的第一组数据位；在第一遍次编程期间将数据位的第一子集写入到第一字线；将所述第一组数据位中的数据位的第二子集写入到缓冲器，其中数据位的所述第二子集不同于数据位的所述第一子集；接收用于编程的第二组数据位；以及在第二遍次编程期间将数据位的所述第二子集写入到所述第一字线，其中写入数据位的所述第二子集包含使用所述第二组数据位将调整电压施加到数据位的所述第二子集的阈值电压，其中数据位的所述第二子集的写入包含增加所述第一字线中的存储器单元的位密度。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述写入数据位的所述第二子集包含使用所述第二组数据位来确定数据位的所述第二子集中的一或多个位的阈值电压的调整电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述调整包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将数据位的第三子集从所述第二组数据位写入到所述第二字线，其中写入数据位的所述第三子集导致所述第一字线的一或多个位的电压的移位。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组数据位包含四个页面，且其中数据位的所述第一子集包含三个页面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中以可读状态写入数据位的所述第一子集。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述缓冲器是nand锁存器、slc块或易失性存储器。

8.一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置进行以下操作：

9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中响应于接收到用于编程的所述第二组页面而执行写入所述所选择页面。

10.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中施加调整电压包括：

11.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令进一步致使所述处理装置将页面的第三子集从所述第二组页面写入到第二字线，其中写入页面的所述第三子集致使所述第一字线的一或多个位的电压的移位。

12.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述第一组页面包含四个页面，且其中页面的所述第一子集是三个页面。

13.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中以可读状态写入页面的所述第一子集。

14.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述缓冲器是nand锁存器、slc块或易失性存储器。

15.一种系统，其包括：

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述缓冲器是nand锁存器、slc块或易失性存储器。

17.根据权利要求15所述的系统，其中使用所述第二组数据位将调整电压所述施加到数据位的所述第二子集的所述阈值电压包括：

18.根据权利要求15所述的系统，其中进一步致使所述处理装置将数据位的第三子集从所述第二组数据位写入到第二字线，其中写入数据位的所述第三子集导致所述第一字线的一或多个位的所述电压的移位。

19.根据权利要求15所述的系统，其中所述第一组数据位包含四个页面，且其中数据位的所述第一子集包含三个页面。

20.根据权利要求15所述的系统，其中以可读状态写入数据位的所述第一子集。

技术总结
本申请案涉及一种用于校正性编程及功率损耗管理的方法、系统及非暂时性计算机可读存储媒体。包含用于控制将数据位写入到存储器装置的编程管理器的示范性方法、设备及系统。所述编程管理器接收用于编程到存储器的第一组数据位。在第一遍次编程期间，编程管理器将数据位的第一子集写入到第一字线。所述编程管理器将所述第一组数据位中的数据位的第二子集写入到缓冲器。所述编程管理器接收用于编程的第二组数据位。所述编程管理器响应于接收到所述第二组数字位而在第二遍次编程期间将所述第一组数据位中的数据位的所述第二子集写入到所述第一字线以增加所述第一字线中的存储器单元的位密度。

技术研发人员：K·K·姆奇尔拉,曾怀远,G·M·鲍路西,D·S·埃布森,J·菲兹帕特里克,合田晃,J·S·麦克尼尔,U·西奇利亚尼,D·J·哈伯德,W·迪·弗朗西斯可,M·因卡尔纳蒂
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4