具有多位单元读取机制的设备及用于操作所述设备的方法与流程

所公开实施例涉及装置，且特定来说，涉及具有多位单元读取机制的半导体存储器装置及用于操作所述半导体存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器系统可采用存储器装置来存储及存取信息。存储器装置可包含易失性存储器装置、非易失性存储器装置(例如，采用“nand”技术或逻辑门、“nor”技术或逻辑门或其组合的快闪存储器)或组合装置。存储器装置利用电能以及对应阈值电平或处理/读取电压电平来存储及存取数据。为了改进存储密度，存储器系统可包含可各自存储多个位的电路单元(unit)或存储器单元(cell)。然而，增大存储密度通常需要额外处理及/或电路，这导致增加的功耗及/或增加的数据存取错误。

技术实现思路

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述可重写存储器单元内的所述专用槽是经配置以存储表示所述极性数据的一个位的单电平单元slc。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述逻辑电路经配置以：

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述逻辑电路经配置以：

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述逻辑电路经配置以在使用所述经预定极性检测到所述低vt状态时选择所述第一极性作为用于确定所述极性位的所述预定极性。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述逻辑电路经配置以在未使用所述经预定极性检测到所述低vt状态时选择所述第一极性作为不同于用于确定所述极性位的所述预定极性的极性。

9.根据权利要求5所述的存储器装置，其中当所述目标位置的所述存储状态对应于所述中间vt时，沿着所述第二极性施加的所述编程电压经配置以同时(1)在对所述存储状态的所述检测之后使用所述第二极性而非如在所述检测之前那样使用所述第一极性重建所述中间vt及(2)将所述极性数据从所述第一极性更新到所述第二极性以用于在所述目标位置处进行后续读取操作。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述逻辑装置进一步经配置以：

11.一种设备，其包括：

12.根据权利要求11所述的设备，其中：

13.根据权利要求11所述的设备，其中：

14.根据权利要求11所述的设备，其中所述逻辑电路经配置以：

15.一种操作存储器装置的方法，所述存储器装置包含各自经配置以使用最小阈值电压vt、最大vt、三元t状态及至少一种中间i状态存储多于一个位的可重写存储器单元，所述方法包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中：

17.根据权利要求15所述的方法，其中：

18.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中选择所述第一极性包含当使用所述预定极性检测到所述极性位时，选择所述第一极性作为所述预定极性。

20.根据权利要求18所述的方法，其中：

技术总结
描述与从经配置以存储多于一个位的存储器单元读取数据相关的方法、设备及系统。所述设备能够经配置以确定与读取存储于目标位置处的数据相关联的极性数据。在读取存储于所述目标位置处的所述数据时，所述设备可根据所述经确定极性数据跨不同极性施加一或多个电压电平。

技术研发人员：M·因帕拉,M·罗布斯泰利,I·托尔托雷利
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/24